JPS62218960A - 感放射線ポジ型レジストおよび該レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の製造に用いられる感放射線ポ
ジ型レジストおよび該レジ２１〜組成物に関するもので
ある。

［従来の技術］ 感放射線ポジ型レジストとしては、ＰＢＳ　（ポリ１−
ブテンスルホン）や”ＥＢＲ−９”　（ポリ２．２．２
−トリフルオロチェルα−クロロアクリラート）（東し
く株）製）等が知られて０る。

また、２．２．２−トリフルオロエチルα−クロロアク
ワラ−１〜とメタクリル酸との］ポリマも公知である（
ＥＰ７６．５２４）。

［発明が解決しようとする問題点］ ＰＢＳは従来電子線露光装置によるホトマスクの製造等
に広く用いられて来たが、感度が現像時の諸条件すなわ
ち、温度や湿麿によって大きく異なり、再現性、収率良
くホトマスクを得ることは困難であった。

一方ＥＢＲ−９は上記の欠点はなく、プロセス安定性、
再現性は非常に良いが、ＰＢＳに比べ感度が低いという
欠点を有していた。

また上記２，２．２−トリフルオロエチα−クロロアク
リラートとメタクリル酸とのコポリマは、基板に対する
接着性は向上するが、感度は高くならないことが知られ
ている。

本発明はかかる従来技術の諸欠点に鑑み創案されたちの
で、その目的はプロセス安定性および再現性が良好であ
ると共に高感度を同時に兼ね備えた感放射線ポジ型レジ
ストおよび該レジスト組成物を提供することにある。

［問題点を解決するための手段コ かかる本発明の目的は、メタクリル酸、低級アルキルα
−クロロアクリラートおよび２，２．２−トリフルオロ
エチルα−クロロアクリラートを重合させて得られる３
元コポリマよりなることを特徴とする感放射線ポジ型レ
ジスト、およびメタクリル酸、低級アルキルα−クロロ
アクリラートおよび２，２．２−トリフルオロエチルα
−クロロアクリラートを重合させて得られれる３元コポ
リマと、メチルセルソルブアセタートを主体とする溶媒
とから主としてなる感放射線ポジ型レジスト組成物によ
り達成される。

すなわち本発明に係る感放射線ポジ型レジストは特定の
３元コポリマからなるもので、第１の共重合成分として
メタクリル酸が使用される。全共重合成分中に占めるメ
タクリル酸の割合は１〜１０重量％とするのが高感度と
なすために好ましく、より好ましくは２〜６重旧％であ
る。

次に第２の共重合成分として低級アルキルα−クロロア
クリラートを用いることが重要である。

低級アルキルα−クロロアクリラートのアルキル基とし
ては好ましくは炭素数１〜８のもの、より好ましくは炭
素数５以下のもの、ざらに好ましくは、メチル、エチル
、イソプロピル、ｎ−プロピル、イソブチル、ｎ−ブチ
ルが用いられる。炭素数が９以上のアルキル基の場合に
は感度向上の効果が小さくなりかつコポリマのガラス転
位点が低下するため、パターンの形成性が悪化するので
好ましくない。

全共重合成分中に占める低級アルキルα−クロロアクリ
ラートの割合は１〜１０！ｌｉ％とするのが高感度を得
るために好ましく、より好ましくは２〜５虫伍％である
。これら七ツマのｍがそれぞれ１重量％未満の場合には
感度向上効果が著しく小さく、また１０重伊％を越える
場合には逆に感度の低下をもたらすことがあるため好ま
しくない。

第３の共重合成分として２，２．２−トリフルオロエチ
ルα−クロロアクリラートが使用される。

全共重合成分中に占める２、２．２−トリフルオロエチ
ルα−クロロアクリラートの割合は好ましくは２０〜９
８重但％、より好ましくは８９〜９６重量％となすのが
よく、これにより高感度の感放射線ポジ型しジスＩ〜を
得ることができる。

コポリマの分子量に関係する極限粘度はレジストの性能
において重要である。

本発明において３元コポリマの極限粘度としては、メチ
ルエチルケトン中、２５℃で測定した極限粘度が０．５
〜２．０のものが好ましく、より好ましくは１．０〜１
．５となすのがよい。分子量が高い方が一般に感度が高
くなるが、シ濾過性、塗膜性が悪くなり良好なレジスト
膜を形成することが困難となる。

本発明のレジストは後述するように好ましくはＭＣＡ　
（メチルセロソルブアセタート）を主成分とする溶媒に
溶解し、レジスト溶液、叩らレジスト組成物として使用
に供せられるが、上記極限粘度のみで溶液粘度を知るこ
とは、通常不可能である。溶液粘度が高すぎるものは、
上記のごとく）戸過性、塗膜性が悪くなる。

本発明のコポリマにおいてはＭＣＡ中に５％の濃度で溶
解した時の溶液粘度が、好ましくは２０〜７０Ｃ１）の
範囲のもの、ざらに好ましくは３０〜６０ＣＩ）のもの
が用いられる。

本発明のコポリマを溶解する溶媒としては特に限定され
ないが、ＭＣＡ単独あるいはＭＣＡを主体とする混合溶
媒が好ましく用いられる。混合溶媒としては、特にＭＣ
Ａを７０％以上含むものが好ましく用いられる。

ＭＣＡに混合して用いられる溶媒としては公知のエステ
ル系、ケトン系等の溶媒を用いることができる。

ＭＣＡ中に低級アルコール、好ましくはメタノールを３
０重量％以下の範囲で混入すると、同一のポリマ濃度に
おいて、溶液粘度がより低くなり、塗りムラのないより
良好な塗膜を形成させることができる。メタノールの量
はさらに好ましくは全溶媒量の５〜２０重口％とするの
がよい。５％未満では効果が少なく、３０％を越える場
合は逆に溶液粘度は高くなる。

上述のごとく、本発明のレジストはレジスト溶液として
使用されるが、本発明の３元コポリマを用いたレジスト
溶液を長期間、経時変化なしに保存するためには、レジ
スト溶液中、すなわち２゜２．２−トリフルオロエチル
α−クロロアクリラートを主体とするコポリマとＭＣＡ
を主成分とする溶媒中にラジカル禁止剤を添加すること
が好ましい。

本発明において、２，２．２−トリフルオロエチルα−
クロロアクリラートを特徴とする特定のコポリマからな
るレジスト溶液にラジカル禁止剤を添付せしめた場合に
は、レジスト溶液を粘度変化を生ずることなく長期間、
例えば室温で１年以上、５０℃でも２力月以上、安定に
保存できるものである。

本発明で用いるラジカル禁止剤は、室温で安定なもので
あればいかなるものでも良いが、分子量６００以下のも
のが好ましい。すなわち、レジスト溶液は基板上にスピ
ンコードされ、１６０℃〜２１０’Ｃでプリベークされ
るが、プリベータ時に蒸発し、失なわれるものが好まし
い。プリベータの俄にレジスト膜中にラジカル禁止剤が
残存する場合は、レジスト膜中に析出して異物となり、
レジストの感度に悪影響を及ぼす等の好ましくない効果
が現われる。

本発明において用いるラジカル禁止剤としては、１〜リ
−ｐ−ニトロフェニルメチル、ジフェニルピクリルヒド
ラジル、カルピノキシル等の安定ラジカル、ベンゾキノ
ン、クロロベンゾキノン、２゜５−ジクロロベンゾキノ
ン、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，３−ジメチル
ベンゾキノン、２゜５−ジメチルベンゾキノン、メトキ
シベンゾキノン、メチルベンゾキノン、テトラブロモベ
ンゾキノン、テトラクロロベンゾキノン、テトラメチル
ベンゾキノン、トリクロロベンゾキノン、トリメチルベ
ンゾキノン、等のキノン類、α−ナフトール、２−二ト
ロー１−デフ１〜−ル、β−ナフトール、１−ニトロ−
２−ナフトール、等のナフトール類、ヒドロキノン、カ
テコール、レゾルシン、ｏ−ｔ−ブチルフェノール、ｐ
−メトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、２，
６−ジーｔ　。

−ブチル−ｐ−クレゾール、２，６−ジーｔ−ブチルフ
ェノール、２．４−ジ−ｔ−ブチルフェノール、３，５
−ジ−ｔ−ブチルフェノール、３゜５−ジ−ｔ−ブチル
カテコール 一ブチルー４ーヒドロキシ安息酸、２．２°−メチレン
ビス（６−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール）、等のフェノ
ール類、２，４−ジニトロフェノール、Ｏ−ニトロフェ
ノール、ｍ−二トロフェノール、ｐ−ニトロフェノール
、等のニトロフェノール類等であるが、安定性および安
全性の点より上記フェノール類が特に好ましい。

もちろん酸素にも禁止効果はあるが、有職溶媒を酸素加
圧することはきわめて危険である、溶媒中に溶存できる
量が限られている、等の理由で好ましい方法ではない。

本発明の方法は上述したようにポリ（フルオロアルキル
α−クロロアクリラート）およびそのコポリマが溶液中
でラジカル分解するという特異な性質に鑑みなされたも
のであり、ポリマ中の重合し易い基を保護するために添
加される重合禁止剤とは本質的に異なるものである。

また塗膜後のレジスト膜には残存していないので、塗膜
後のレジスト膜の改質、改善に関するものではない。す
なわち上述した該ポリマのラジカルによる分解は、溶液
中でのみ観察される現象であり、ポリマ粉末および塗膜
後のレジスト膜は長期間にわたり安定である。

本発明で用いられるラジカル禁止剤の量はポリマ単口に
対し０．０１〜５％、好ましくは０．１〜２％である。

本発明の２．２．２−トリフルオロエチルα−クロロア
クリラートを主体とする３元コポリマは好ましくはラジ
カル開始剤による、静置沈′ｌＲｖ合により製造される
。すなわちモノマは溶解しポリマは溶解しない溶媒中で
、かくはんせず重合を行なうことにより得ることができ
る。

静置沈澱重合を同一反応装置で行なうことにより分子口
、収率の再現性が極めて良いうえ、塊状重合、溶液共重
合の場合のように溶媒に不溶のゲルが生成することが無
く、溶液重合に比べ重合時間は１／３〜１／２０となす
ことができる。

本発明に用いる重合溶媒としては、七ツマを溶解し、生
成ポリマを溶解しないものであれば、いかなるものでも
良い。通常はメタノール、エタノール、イソプロパツー
ル、ｎ−プロパツール、ｎ−ブタノール、イソブタノー
ル、ｔ−ブタノール等の低級アルコール、石油エーテル
、石油ベンジン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へ
ブタン、シクロヘキサン等の炭化水素、ベンゼン、トル
エン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、
ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、トリ
クロロエタン、トリクロロエチレン、　　・等のハロゲ
ン化炭化水素が挙げられる。

重合に用いる溶媒の量は通常モノマに対し１〜２０倍ｍ
、好ましくは２〜１０（８ｆｆｉが用いられる。

溶媒のωは少ないと共重合時間が短くなるが、重合熱の
発生が著しくなり制御が困難となる。逆に溶媒が多いと
、重合時間は長くなるが、重合の制御がし易くなる。

本発明の方法は静置重合であるため重合熱を除く方法に
注意する必要がある。すなわち通常の反応容器を用いて
スケールアップした場合は、体積当りの表面積は小さく
なるため、重合中に中心部分の温度が異常に上昇する。

従って重合物あたり一定以上の伝熱面積を有する反応装
置を用いることが望ましい。重合物当りの伝熱面積は通
常０゜１−／ｄ以上、望ましくは０．２ｏ＋ｆ／ａｔｆ
以上が好ましい。反応器の材質としてはステンレス、チ
タン、グラスライニング、ガラス等が用いられるが、水
で測定した場合の総括伝熱係数は３０以上、好ましくは
５０以上である。

重合物当り一定の伝熱面積を得るための反応装置の型は
特に制限されないが、パイプ型、直方形型、内部に放熱
用蛇管を有する型、内部に放熱板を有する型、等が考え
られる。あるいは大型の反応装置に少母の反応物を入れ
、伝熱面積を確保することも可能である。

静置重合であるため反応容器内でのある程度の温度の不
均一は避けられないが、温度のバラツキは１５℃以下、
好ましくは１０℃以下におさえることが好ましい。

重合温度は用いる開始剤、溶媒の種類により当然異なる
が通常は３０〜９０℃、好ましくは４０〜７０°Ｃが用
いられる。

反応時間も当然のことながら他の反応条件、すなわち重
合温度、開始剤の種類及び量、溶媒の種類及び口、用い
るモノマの種類及び口により異なるが通常は２〜３０時
間、好ましくは５〜２０時間である。また重合時間は重
合の収率が９０〜９７％になるよう設定することが好ま
しい。

重合に用いるラジカル開始剤としては、通常のラジカル
重合に用いられるものであれば特に制限はないが、過酸
化ジアセチル、過酸化ジプロピオニル、過酸化ジブチリ
ル、過酸化ジベンゾイル、等の過酸化ジアシル類、２，
２′−アゾビス（プロピオニトリル）、２．２’−アゾ
ビス（２−メチルプロピオニトリル＞、２．２°−アゾ
ビス（メチル−２−メチル−プロピオナート）、１．１
−−アゾビス（１−フェニルエタン）、アゾビスジフェ
ニルメタン等のアゾビス類が好ましい。

重合反応の後は、沈澱したポリマ粉末を）１取、洗浄、
乾燥するか、溶媒にいったん溶解した俊、非溶媒中で再
沈澱し、ｒ取、洗浄、乾燥する。

また本発明のレジスト組成物は上記方法により得られた
ポリマをラジカル禁止剤と共に所望の溶媒に所定の）農
度で溶解し、０．２〜０．４５μのメンブランフィルタ
−にて精密−過し製造される。

かくして得られた本発明の感放射線ポジ型しジス１〜お
よびその組成物は、電子線露光装置によるホｌ〜マスク
の製造の他、シリコンウェハに直接塗膜し、直接描画に
より超ＬＳＩの製造に用いられる。

また遠紫外光、軟Ｘ線にも感度を有しているため、上記
電磁波を用いた一括転与にも利用できる。

［特性の測定方法並びに効果の評価方法１次に本発明に
おける感放射線ポジ型レジストの感度を測定する方法に
ついて述べる。

まずポリマをメチルセロソルブアセタート、等の適当な
溶媒に溶解した後０．２〜０．４μのメンブランフィル
タ−にて濾過しレジスト溶液を調製する。このレジスト
溶液を基板上にスピンナーを用いてスピンコードし０．
４〜１．０μの均一なレジスト膜を形成する。次に溶媒
を除きかつ基板との密着性を向上させるためプリベーク
処理を行なう。本発明の感放射線ポジ型レジストの場合
は１６０℃〜２１０℃で１５分〜１時間プリベークする
ことが好ましい。

電子線露光装置を用い基板上の一定面積を一定の電流量
で、露光時間を等比級数的に変えながら１０〜２０カ所
露光する。各露光部分について、面積、電流量、露光時
間より、単位面積当りの電気量（μＣ／−）を計算する
。

次に基板を適当な現像液中に、一定温度で一定時間浸漬
し、このあと非溶媒中に浸してリンスする。乾燥俊、基
板をポストベークする。ポストベーク温度は一般にポリ
マのガラス転移温度より低い温度で行なうことが好まし
い。

基板上の露光部分及び未露光部分の膜厚を表面荒さ計等
で測定する。横軸に電気Ｄ（露光ｑ）、１！軸に露光部
分の膜厚をプロットし感度曲線を作成する。この感度曲
線が横軸と交わる時を感度とする。

露光前の膜厚も測定しておき、現像後の未露光部分の膜
厚と比較して減少分を膜減りとする。

一般に感放射線ポジ型レジストにおいては、露光部分の
ポリマは主鎖切断を起こし分子量が低下している。これ
を現像すると露光部分のポリマは未露光部分のポリマよ
り速い速度で溶解し、従ってリンス１〜パターンが形成
される。このように現像時には未露光部分の膜厚は必ず
、現像前に比べて減少する。

感放射線ポジ型レジストの感度は、現像液の種類、温度
、現像時間、レジスト膜厚によって変化しこれらを記載
しないと感度のみのデーターは意味がない、すなわち、
長い現像時間、高い現像温度を用いると感度は見かけ上
高くなるが、膜減りも大きくなる。

［実施例１］ ２．２．２−トリフルオロエチルα−クロロアクリラー
ト１３８び、メタクリル酸、７．５ｇ、メチルα−クロ
ロアクリラート４．５ｇ、アゾビスイソブチロニトリル
５．０ｇ、ｔ−ブタノール６００ｄを３１の三ツロフラ
スコに仕込みかくは！しして溶解させた。フラスコ内を
窒素で置換した後、５０℃の湯浴内で７時間静置した。

得られるかんでん状かたまりをアセトン２ａに溶解し、
メタノール４ａ、水２Ｄ、の混合物中にぎ、ポリマを再
沈した。析出するポリマをシ戸取し、メタノール−水２
：１の混合溶媒で洗浄後真空乾燥器内で乾燥した。

ポリマ粉末１３８．１ｇが得られた。メチルエチルケト
ン中２５°Ｃでの極限粘度は１．１９であり５％ＭＣＡ
溶液の溶液粘度は３６．６ＣＰであった。

元素分析値は次の通りであった。

Ｃ（％）　　Ｈ（％）　　　（４（％）　　Ｆ（％）計
算値　３３．２９　　２．４５　１８．１８　　２７．
８１実測値　３３．２５　　２．５０　１８．２５　　
２７．６０上記の方法で得たポリマ粉末を用い以下の実
験を行なった。

（Ａ）ポリマ粉末６００９を取りＭＣＡ：メタノール９
５：５（重量比）の混合溶媒６９００ＣＪに溶解し、０
．２μメンブランフィルタ−を用い、窒素加圧下に）濾
過し、１０のガラスビンに１０．ずつビンづめした。レ
ジスト溶液をクロムブランクス上に３５００回転でスピ
ンコードし、２００℃で３０分間プリベークした。リン
ス１への膜厚は５４１０人であった。

電子線露光装置を用い、加速電圧２０ＫＶ、電流ｆｆ１
１　ｎＡで０．４５Ｘ０．６ｎｖｎの面積を順次露光時
間を変えて走査露光した。

基板をメチルイソブチルケトン−イソプロパノール８：
２の現像液中、２５℃でかくはん下５分間浸漬し次いで
イソプロパツールに３０秒間浸漬した。

未露光部分および露光部分のレジスト膜厚を順次測定し
、感度曲線を作成した。感度は１．６μＣ／ｃＪ、未露
光部分の膜減りは３５０人であった。

ビンづめしたレジスト溶液を室温にて２０日間保存した
所、初期１１１ｃｐであった溶液粘度が４０Ｃｐに低下
した。

またビンづめしたレジスト溶液を５０’Ｃで４日間保存
した所、溶液粘度は３１Ｃｐに低下した。

（Ｂ）ポリマ粉末６００ｇ、２，６−ジーｔ−ブチル−
Ｐ−クレゾール（ＢＨＴ）６．０ｇ、をＭＣＡ：メタノ
ール９５：５（重量比）の混合溶媒６９００ｇに溶解し
、０．２μのメンブランフィルタ−を用い、窒素加圧下
に濾過し、１Ｑガラスビンに１０ずつビンづめした。

（Ａ）と同様に感度を測定した所、測定値は誤差の範囲
内で（Ａ＞の測定値と一致した。

レジスト溶液を厚さ１　ｍｍの石英板の上に４０００回
転でスピンコードし、分光光度計にて紫外部の吸収を測
定した所、２，６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾールの
吸収が確認された。

この石英板を２００℃で３０分間プリベークし再び紫外
部の吸収を測定した所、２，６−ジーｔ−ブチル−ｐ−
クルゾールの吸収は消失し、（Ａ）の溶液をスピンコー
ド後プリベークしたサンプルの吸収と一致した。

ビンづめしたレジスト溶液を室温にて１年間保存し、ま
た伯のビンを５０℃にて２力月保存したがいずれも溶液
粘度に変化は見られなかった。

比較例１ 感度の比較例としてＥＢＲ−９をメチルイソブチルケト
ン（ＭＩＢＫ）−イソプロパツール（■ＰＡ＞の混合系
で２５℃５分間現像した時の膜減りと感度を示す。初期
膜厚は５５００人である。

ＮＩＢに：■Ｐ八　　減り（入）　　感度（μＣ／耐）
８０：２０　　　　９０　　　　　４．６８９：１１　
　　　３７０　　　　　３．２１００：　０　　　　６
９０　　　　　２．４横軸に膜減り、縦軸に感度を目盛
ると図のごとく、一つの曲線が得られるが、この曲線は
ＥＢＲ−９の感度のレベルを表すものである。従って新
しいレジストの感度と膜減りをこのグラフ内にプロット
し、それが上記曲線より下にくれば、ＥＢＲ−９と比較
して同−膜減りで感度が高いということができる。

比較例２ 実施例１と同様の方法により、２，２．２−トリフルオ
ロエチルα−クロロアクリラート９．５Ｏｃｔ、メチル
α−クロロアクリラート０．５０ＣＪ、アゾビスイソブ
チロニトリル０．３３ｇ、ｔ−ブタノール４０ｘ０より
コポリマを合成した。９゜４６７のコポリマが得られ、
メチルエチルケトン中２５°Ｃでの極限粘度は０．９９
．５％ＭＣＡ溶液粘度は３８．４ＣＤであった。

ポリマ粉末’ＩＯ，０９、Ｂｔ−ＩＴ、０．１ｇ、をＭ
ＣＡ：メタノール９５：５の混合溶媒１３３ｇに溶解し
、０．２μのメンブランフィルタを用い、窒素加圧下に
；濾過した。

レジスト溶液をクロムブランクス上に３３００回転でス
ピンコードし、２００℃３０分間プリベークした。レジ
スト膜厚は５６００人であった。

実施例１と同様の方法で電子線露光し、メチルイソブチ
ルケトン中、２５°Ｃでかくはん下５分間浸漬した。感
度は４．８μＣ／ｃｄ、未露光部分の膜ｕｒＬ＋’ＩＡ
ｎＸＦＲしミー）ｆニー１＋１６（（ｉｌｌ’）よｔｑ
ｒ：ｒｑＲ−９の場合は膜減り１４０人であれば感度は
４．３μＣ／ｃｏ？であることがわかる。

実施例２ 実施例１と同様の方法にて合成し、溶解したレジスト組
成物の例を以下に示す。

測定された感度は膜減りによって大ぎく異なる。

また測定ごとに膜減り川によって大きく異なる。

また測定ごとに膜減り団は異なっているので感度の絶対
値を比較することは意味がない。

従って各測定値ごとの膜減り量より、同−膜減り量の時
のＥＢＲ−９の感度を比較例１より読みとり表の最後の
欄に記した。

［発明の効果］ 本発明は上述のごとく構成したので、感度の高い感放射
線ポジ型レジストが得られ、ホトマスク等の製造上にお
ける生産性を上げることができる。

またレジスト溶液を長期間保存してし全く変質すること
がない。従ってレジスト溶液を保存後、再使用しても常
に基板上に適正な膜厚を形成することができるため良好
なレジストパターンを再現性よく、しかも経済的に１ｑ
ることができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

図は従来の感放射線ポジ型レジストにおける感度（縦軸
）と膜減り（人）（横軸）の関係を説明するものである
。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）メタクリル酸、低級アルキルα−クロロアクリラ
   ートおよび２，２，２−トリフルオロエチルα−クロロ
   アクリラートを重合させて得られる３元コポリマよりな
   る感放射線ポジ型レジスト。
2. （２）全共重合成分中に占めるメタクリル酸の割合が１
   〜１０重量％、低級アルキルα−クロロアクリラートの
   割合が１〜１０重量％である特許請求範囲第（１）項記
   載の感放射線ポジ型レジスト。
3. （３）低級アルキルα−クロロアクリラートのアルキル
   基が炭素数１〜８である特許請求範囲第（１）項記載の
   感放射線ポジ型レジスト。
4. （４）メチルエチルケトン中、２５℃で測定した極限粘
   度が０．５〜２．０である特許請求範囲第（１）項記載
   の感放射線ポジ型レジスト。
5. （５）メチルセロソルブアセタート中に５％の濃度で溶
   解した時の溶液粘度が２０〜７０ｃｐである特許請求範
   囲第（１）項記載の感放射線ポジ型レジスト。
6. （６）メタクリル酸、低級アルキルα−クロロアクリラ
   ートおよび２，２，２−トリフルオロエチルα−クロロ
   アクリラートを重合させて得られる３元コポリマと、メ
   チルセルソルブアセタートを主体とする溶媒とから主と
   してなる感放射線ポジ型レジスト組成物。
7. （７）ラジカル禁止剤を含むことを特徴とする特許請求
   の範囲第（６）項記載の感放射線ポジ型レジスト組成物
   。