JPH038103A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH038103A JPH038103A JP14251589A JP14251589A JPH038103A JP H038103 A JPH038103 A JP H038103A JP 14251589 A JP14251589 A JP 14251589A JP 14251589 A JP14251589 A JP 14251589A JP H038103 A JPH038103 A JP H038103A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＶＴＲ，ＤＡＴあるいはＦＤＤ等に用いられる
高保磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記録するのに
適したＭＩＧタイプのヘッドに関する。
高保磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記録するのに
適したＭＩＧタイプのヘッドに関する。
従来の技術
高密度磁気記録再生のために、記録媒体はその保磁力を
大きくすれば、また磁気ヘッドの方はその飽和（ｎ束密
度を太き（すれば良いことが一般に知られている。現在
ｆｆｉ気ヘッド材料として主流になっているフェライト
材料はその飽和磁束密度が５００００ａｕｓｓ程度であ
り、１ｏｏｏＯｅ以上の高保磁力を示すメタルテープに
使用すると磁気飽和が起こり、記録が十分に行われない
。そこでフェライト材料よりも飽和磁束密度の大きいセ
ンダスト合金やＣｏ系アモルファス膜等を用いた磁気へ
ンドが実用化されつつある。そして磁気ヘッドの形とし
ては第２図に示すように主コアがフェライト２からなり
、ギヤ７ブ近傍のみが高飽和磁束密度材料の薄膜１から
なるＭＩＧタイプのヘッドがある。このタイプのヘッド
では高飽和磁束密度材料の薄膜たとえばセンダスト膜と
フェライトの境界において、反応が起こるためにこの部
分から擬似信号が発生するという問題点がある。
大きくすれば、また磁気ヘッドの方はその飽和（ｎ束密
度を太き（すれば良いことが一般に知られている。現在
ｆｆｉ気ヘッド材料として主流になっているフェライト
材料はその飽和磁束密度が５００００ａｕｓｓ程度であ
り、１ｏｏｏＯｅ以上の高保磁力を示すメタルテープに
使用すると磁気飽和が起こり、記録が十分に行われない
。そこでフェライト材料よりも飽和磁束密度の大きいセ
ンダスト合金やＣｏ系アモルファス膜等を用いた磁気へ
ンドが実用化されつつある。そして磁気ヘッドの形とし
ては第２図に示すように主コアがフェライト２からなり
、ギヤ７ブ近傍のみが高飽和磁束密度材料の薄膜１から
なるＭＩＧタイプのヘッドがある。このタイプのヘッド
では高飽和磁束密度材料の薄膜たとえばセンダスト膜と
フェライトの境界において、反応が起こるためにこの部
分から擬似信号が発生するという問題点がある。
（例えば日本応用磁気学会誌Ｖｏ１．１１．Ｎｏ２，１
９８７ｐｐ、１０５〜１０８） 発明が解決しようとする課題 磁気ヘッドを製造する場合、ギャップ形成はガラス融着
という方法が一般に用いられる。その場合、５００°Ｃ
程度以上の熱処理が必要となる。この際に、主コアがフ
ェライトで、ギャップ近傍がセンダスト膜、Ｃｏ系アモ
ルファス膜などの高飽和磁束密度材料膜からなるＭＩＧ
へンドにおいて、フェライトと上記高飽和磁束密度材料
との境界で反応が起こり、磁気的に非常に劣化した層が
発生する。その結果擬似信号が発生する。
９８７ｐｐ、１０５〜１０８） 発明が解決しようとする課題 磁気ヘッドを製造する場合、ギャップ形成はガラス融着
という方法が一般に用いられる。その場合、５００°Ｃ
程度以上の熱処理が必要となる。この際に、主コアがフ
ェライトで、ギャップ近傍がセンダスト膜、Ｃｏ系アモ
ルファス膜などの高飽和磁束密度材料膜からなるＭＩＧ
へンドにおいて、フェライトと上記高飽和磁束密度材料
との境界で反応が起こり、磁気的に非常に劣化した層が
発生する。その結果擬似信号が発生する。
具体的にはフェライト中の酸素と高飽和磁束密度膜との
間での酸化還元反応である。つまり両者の境界でフェラ
イト中の酸素がフェライトから高飽和磁束密度膜の方に
移動する。このためフェライト中に非常に酸素が欠乏し
た部分が発生する。
間での酸化還元反応である。つまり両者の境界でフェラ
イト中の酸素がフェライトから高飽和磁束密度膜の方に
移動する。このためフェライト中に非常に酸素が欠乏し
た部分が発生する。
電磁変換特性を調べた結果、擬似信号出力は酸素が拡散
した高飽和磁束密度膜の方から発生するのではなく、フ
ェライト中の酸素欠乏部分から発生することが判明した
。
した高飽和磁束密度膜の方から発生するのではなく、フ
ェライト中の酸素欠乏部分から発生することが判明した
。
このような擬似信号の発生は磁気ヘッドの特性に致命的
であり、この信号を抑えることが必要である。
であり、この信号を抑えることが必要である。
課題を解決するための手段
高飽和磁束密度材料膜とフェライトの境界に両者の反応
を防止する薄膜（以下、反応防止Ｍ）を非常に薄く形成
する。このことにより両者の境界で発生していた擬似信
号出力を大幅に低減する。
を防止する薄膜（以下、反応防止Ｍ）を非常に薄く形成
する。このことにより両者の境界で発生していた擬似信
号出力を大幅に低減する。
反応を防止する膜は酸化に対して非常に安定であること
が必要であることから、それ自身で非常に安定な材料た
とえば酸化物、もしくは貴金属系材料５高融点材料があ
る。またこの部分のＩ！！厚が非常に大きいとこの部分
がギャップになる可能性があるのでできるだけ小さくす
ることが必要である。
が必要であることから、それ自身で非常に安定な材料た
とえば酸化物、もしくは貴金属系材料５高融点材料があ
る。またこの部分のＩ！！厚が非常に大きいとこの部分
がギャップになる可能性があるのでできるだけ小さくす
ることが必要である。
作用
この技術的手段の作用は次のようになる。
高飽和磁束密度材料膜とフェライトの境界にフェライト
から酸素の流出を防ぐ膜を形成する。このことにより５
００ ’Ｃ程度以上の熱処理を施してもフェライトから
の酸素流出が抑えられ、両者の境界で発生していた擬似
信号出力を大幅に低減することが可能となった。
から酸素の流出を防ぐ膜を形成する。このことにより５
００ ’Ｃ程度以上の熱処理を施してもフェライトから
の酸素流出が抑えられ、両者の境界で発生していた擬似
信号出力を大幅に低減することが可能となった。
実施例
以下本発明の一実施例の磁気ヘッドについて図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
第１図は本発明の磁気ヘッドの一例である。
（実施例１）
ギャップ近傍にセンダスト合金Ｍ１を用い、それ以外の
け路はフェライト２を、また両者の境界にＴｉの酸化物
膜４が５０人形成されたＭＩＧタイプのヘッドである。
け路はフェライト２を、また両者の境界にＴｉの酸化物
膜４が５０人形成されたＭＩＧタイプのヘッドである。
センダスト合金ｆｉｌｌ！１の膜厚はＩＱＩＩｍであり
、３はガラス、５はギャップである。従来例では、主信
号に対して一１０ｄＢ（０，１３ＭＨｚ）あった擬似信
号出力が上記の反応防止膜を用いることにより一３１ｃ
ｌＢ（０，１３ＭＨｚ）に減少した。
、３はガラス、５はギャップである。従来例では、主信
号に対して一１０ｄＢ（０，１３ＭＨｚ）あった擬似信
号出力が上記の反応防止膜を用いることにより一３１ｃ
ｌＢ（０，１３ＭＨｚ）に減少した。
第３図に反応防止膜の膜厚（Ｔｉの酸化物膜）と擬似信
号出力（０，１３Ｍ Ｈｚ）の関係を示す。この図から
Ｔｉの酸化物の１１２１’には５０人の時に擬似信号出
力が最小Ｃ−３１，ｄ Ｂ）になることがわかる。また
膜厚が２０人から３００人の間で擬似信号出力が主信号
に対して一２５ｄＢ以下となる。５０人の時に最小とな
る理由は、ギャップ長と信号出力の関係から、Ｔｉの酸
化物の膜厚が大きくなると、この部分からの信号が大き
くなり、つまりＩＵ（以信号が大きくなり、一方膜厚が
小さくなるほどフェライトとセンダスト膜との反応が十
分に抑えられな（なり擬似信号が大きくなる。これらの
効果の最小となるのが５０人ということである。
号出力（０，１３Ｍ Ｈｚ）の関係を示す。この図から
Ｔｉの酸化物の１１２１’には５０人の時に擬似信号出
力が最小Ｃ−３１，ｄ Ｂ）になることがわかる。また
膜厚が２０人から３００人の間で擬似信号出力が主信号
に対して一２５ｄＢ以下となる。５０人の時に最小とな
る理由は、ギャップ長と信号出力の関係から、Ｔｉの酸
化物の膜厚が大きくなると、この部分からの信号が大き
くなり、つまりＩＵ（以信号が大きくなり、一方膜厚が
小さくなるほどフェライトとセンダスト膜との反応が十
分に抑えられな（なり擬似信号が大きくなる。これらの
効果の最小となるのが５０人ということである。
この場合、Ｔｉの酸化物膜の代わりにＴａの酸化物膜、
もしくはＺｒの酸化物膜、もしくはＮｂの酸化物膜が用
いられても同様の効果が得られる。
もしくはＺｒの酸化物膜、もしくはＮｂの酸化物膜が用
いられても同様の効果が得られる。
（実施例２）
ギャップ近傍にＣＯ系アモルファス合金膜１を用い、そ
れ以外の磁路はフェライト２を、また両者の境界にＴｉ
の酸化物膜４が５０人形成されたＭＪＧタイプのヘッド
である。この例ではセンダスト合金膜１ｆｆｌの膜厚を
１５μｍとしている。従来例では、主信号に対して−１
２ｄ Ｂ（０，１３ＭＨｚ）あった擬似信号出力が」二
記の反応防止１１々を用いることにより−３０ｄ Ｂ
（０，１３ＭＨｚ）に減少しだ。
れ以外の磁路はフェライト２を、また両者の境界にＴｉ
の酸化物膜４が５０人形成されたＭＪＧタイプのヘッド
である。この例ではセンダスト合金膜１ｆｆｌの膜厚を
１５μｍとしている。従来例では、主信号に対して−１
２ｄ Ｂ（０，１３ＭＨｚ）あった擬似信号出力が」二
記の反応防止１１々を用いることにより−３０ｄ Ｂ
（０，１３ＭＨｚ）に減少しだ。
第４図に反応防止膜の膜厚（Ｔｉの酸化′！！ＩＪ膜）
と擬似信号出力（０，１３Ｍｌ、（ｚ）の関係を示す。
と擬似信号出力（０，１３Ｍｌ、（ｚ）の関係を示す。
この図からＴｉの酸化物の膜厚は５０人の時に擬似信号
出力が最小１３０ｄＢ）になることがわかる。また膜厚
が２０人から３００人の間で１疑イ以信号出力が主信号
に対して一２５ｄＢ以下となる。
出力が最小１３０ｄＢ）になることがわかる。また膜厚
が２０人から３００人の間で１疑イ以信号出力が主信号
に対して一２５ｄＢ以下となる。
５０人の時に最小となる理由は先はど（１）の説明で述
べた通りである。
べた通りである。
この場合、Ｔｉの酸化物膜の代わりにＳｉの酸化物膜、
もしくはＡ１の酸化物膜、もしくはＴａの酸化物膜、も
しくはＺｒの酸化物膜、もしくはＮｂの酸化物膜が用い
られても同様の効果が得られる。
もしくはＡ１の酸化物膜、もしくはＴａの酸化物膜、も
しくはＺｒの酸化物膜、もしくはＮｂの酸化物膜が用い
られても同様の効果が得られる。
（実施例３）
ギャップ近傍にＦｃＧａ５１Ｒｕ膜１を用い、それ以外
の磁路はフェライト２を、また両者の境界にＴｉの酸化
物膜４が５０人形成されたＭＩＧタイプのヘッドである
。この例ではＦｅＧａ５１Ｒｕ膜１の膜厚を６μｍとし
ている。従来例では、−１４ｄＢ（０，１３Ｍ Ｈｚ）
あった擬似信号出力がｔ記の反応防止膜を用いることに
より−３２ｄ Ｂ（０，１３ＭＨｚ）に減少した。
の磁路はフェライト２を、また両者の境界にＴｉの酸化
物膜４が５０人形成されたＭＩＧタイプのヘッドである
。この例ではＦｅＧａ５１Ｒｕ膜１の膜厚を６μｍとし
ている。従来例では、−１４ｄＢ（０，１３Ｍ Ｈｚ）
あった擬似信号出力がｔ記の反応防止膜を用いることに
より−３２ｄ Ｂ（０，１３ＭＨｚ）に減少した。
第５図に反応防止膜（Ｔｉの酸化物膜）の膜厚と擬似信
号出力（０，１３Ｍｌ（ｚ）の関係を示す。この図から
Ｔｉの酸化物の膜厚は５０人の時に擬似信号出力が最小
（−２８ｄＢ）になることがわかる。また膜厚が２０人
から４００人の間で擬似信号出力が主信号に対して一２
５ｄＢ以下となる。
号出力（０，１３Ｍｌ（ｚ）の関係を示す。この図から
Ｔｉの酸化物の膜厚は５０人の時に擬似信号出力が最小
（−２８ｄＢ）になることがわかる。また膜厚が２０人
から４００人の間で擬似信号出力が主信号に対して一２
５ｄＢ以下となる。
５０人の時に最小となる理由は先はど（１）の説明で述
べた通りである。
べた通りである。
この場合、Ｔｉの酸化物膜の代わりにＳｉの酸化物膜、
もしくはＡｌの酸化物膜、もしくはＴａの酸化物膜、も
しくはＺｒの酸化物膜、もしくはＮｂの酸化物膜が用い
られても、またＦｅＧａ５１Ｒｕ膜の代わりに窒化鉄膜
もしくは炭化鉄膜もしくはＦｅＳｎ系膜等を用いても同
様の効果が得られる。
もしくはＡｌの酸化物膜、もしくはＴａの酸化物膜、も
しくはＺｒの酸化物膜、もしくはＮｂの酸化物膜が用い
られても、またＦｅＧａ５１Ｒｕ膜の代わりに窒化鉄膜
もしくは炭化鉄膜もしくはＦｅＳｎ系膜等を用いても同
様の効果が得られる。
（実施例４）
ギヤノブ近傍にセンダスト膜１を用い、それ以外の磁路
はフェライト２を、また両者の境界にＩｒ４が５０人形
成されたＭＩＧタイプのヘッドである。この例ではセン
ダスト膜ｌの膜厚を１０μｍとしている。なお３はガラ
スである。従来例では、−１０ｄＢ （０，１３ＭＨｚ
）あった擬似信号出力が上記の反応防止膜を用いること
により一２８ｄＢ（０，１３Ｍセ）に減少した。
はフェライト２を、また両者の境界にＩｒ４が５０人形
成されたＭＩＧタイプのヘッドである。この例ではセン
ダスト膜ｌの膜厚を１０μｍとしている。なお３はガラ
スである。従来例では、−１０ｄＢ （０，１３ＭＨｚ
）あった擬似信号出力が上記の反応防止膜を用いること
により一２８ｄＢ（０，１３Ｍセ）に減少した。
第６図に反応防止膜（Ｉｒ膜）の膜厚と擬似信号出力（
０，１３Ｍｔ（ｚ）の関係を示す。この図からｌｒの膜
厚は５０人の時に擬似信号出力が最小（−２８ｄＢ）に
なることがわかる、また膜厚が２０人から３００人の間
で擬似信号出力が主信号に対して〜２５ｄＢ以下となる
。５０人の時に最小となる理由は先はど（１）の説明で
述べた通りである。
０，１３Ｍｔ（ｚ）の関係を示す。この図からｌｒの膜
厚は５０人の時に擬似信号出力が最小（−２８ｄＢ）に
なることがわかる、また膜厚が２０人から３００人の間
で擬似信号出力が主信号に対して〜２５ｄＢ以下となる
。５０人の時に最小となる理由は先はど（１）の説明で
述べた通りである。
この場合、Ｉｒの代わりにＲｕ、Ｒｈ、ＰｄＡｇ、Ｔａ
、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、ＰＬ、Ａｕ、Ｉ ｒのうち１種類も
しくは２種類似上の合金膜を用いて、またセンダスト膜
の代わりにＣｏ系アモルファス膜、Ｆｅ系合金膜、窒化
鉄膜、ＦｅＳｎ系合金膜等を用いても同様の効果が得ら
れる。
、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、ＰＬ、Ａｕ、Ｉ ｒのうち１種類も
しくは２種類似上の合金膜を用いて、またセンダスト膜
の代わりにＣｏ系アモルファス膜、Ｆｅ系合金膜、窒化
鉄膜、ＦｅＳｎ系合金膜等を用いても同様の効果が得ら
れる。
発明の効果
本発明による磁気ヘッドにより、例えばＶＴＲ。
ＤＡＴ、ＦＤＤ用へンドに従来より低コストのＭＩＧタ
イプヘッドが利用でき、記録効率の優れた磁気ヘッドを
今までに比べて歩留り良く製造できる。
イプヘッドが利用でき、記録効率の優れた磁気ヘッドを
今までに比べて歩留り良く製造できる。
第１図は本発明の磁気ヘッドの斜視図、第２図は従来の
磁気ヘッドの斜視図、第３図〜第６図は本発明の磁気へ
ンドの反応防止膜の膜厚と擬似信号出力の関係図である
。 １・・・・・・センダスト合金膜、２・・・・・・フェ
ライト、３・・・・・・ガラス、４・・・・・・Ｔｉの
酸化物膜、５・・・・・・ギヤノフ−
磁気ヘッドの斜視図、第３図〜第６図は本発明の磁気へ
ンドの反応防止膜の膜厚と擬似信号出力の関係図である
。 １・・・・・・センダスト合金膜、２・・・・・・フェ
ライト、３・・・・・・ガラス、４・・・・・・Ｔｉの
酸化物膜、５・・・・・・ギヤノフ−
Claims (4)
- （１）主コアがフェライトで、ギャップ近傍が高飽和磁
束密度のセンダスト膜からなるＭＩＧヘッドの、フェラ
イトとセンダスト膜の境界に、Ｔｉの酸化物膜、もしく
はＴａの酸化物膜、もしくはＺｒの酸化物膜、もしくは
Ｎｂの酸化物膜が２０Åから３００Å形成されているこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - （２）主コアがフェライトで、ギャップ近傍が高飽和磁
束密度のＣｏ系アモルファス膜からなるＭＩＧヘッドの
、フェライトとアモルファス膜の境界に、Ｓｉの酸化物
膜、もしくはＡｌの酸化物膜、もしくはＴｉの酸化物膜
、もしくはＴａの酸化物膜、もしくはＺｒの酸化物膜、
もしくはＮｂの酸化物膜が２０Åから３００Å形成され
ていることを特徴とする磁気ヘッド。 - （３）主コアがフェライトで、ギャップ近傍が高飽和磁
束密度のＦｅ系合金膜、窒化鉄膜、炭化鉄膜からなるＭ
ＩＧヘッドの、フェライトと上記高飽和磁束密度膜の境
界に、Ｓｉの酸化物膜、もしくはＡｌの酸化物膜、もし
くはＴｉの酸化物膜、もしくはＴａの酸化物膜、もしく
はＺｒの酸化物膜、もしくはＮｂの酸化物膜が２０Åか
ら４００Å形成されていることを特徴とする磁気ヘッド
。 - （４）主コアがフェライトで、ギャップ近傍がセンダス
ト膜、アモルファス膜、Ｆｅ系合金膜、窒化鉄膜等の高
飽和磁束密度材料膜からなる ＭＩＧヘッドの、フェライトと上記高飽和磁束密度材料
膜の境界に、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ
、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕのうち１種類もしくは２種類
似上の合金膜が２０Åから３００Å形成されていること
を特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14251589A JPH038103A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14251589A JPH038103A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038103A true JPH038103A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15317150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14251589A Pending JPH038103A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038103A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8424613B2 (en) | 2010-02-19 | 2013-04-23 | UTECO, Inc. | Aerator for zero turn lawn equipment |
| US9700806B2 (en) | 2005-08-22 | 2017-07-11 | Nintendo Co., Ltd. | Game operating device |
| US10137365B2 (en) | 2005-08-24 | 2018-11-27 | Nintendo Co., Ltd. | Game controller and game system |
-
1989
- 1989-06-05 JP JP14251589A patent/JPH038103A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9700806B2 (en) | 2005-08-22 | 2017-07-11 | Nintendo Co., Ltd. | Game operating device |
| US10155170B2 (en) | 2005-08-22 | 2018-12-18 | Nintendo Co., Ltd. | Game operating device with holding portion detachably holding an electronic device |
| US10238978B2 (en) | 2005-08-22 | 2019-03-26 | Nintendo Co., Ltd. | Game operating device |
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