JPH0319107A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はＶＴＲ，ＤＡＴあるいはＦＤＤ等に用いられる
高保磁力の磁気記録媒体に高密度−に情報を記録するの
に適したＭＩＧタイプの磁気ヘッドに関する． 従来の技術 高密度磁気記録再生のために、記録媒体はその保磁力を
大きくすれば、また磁気ヘッドの方はその飽和磁束密度
を大きくすれば良いことが一般に知られている．現在磁
気ヘッド材料として主流になっているフェライト材料は
その飽和磁束密度が５０００Ｇａｕｓｓ程度であり、１
００００ｅ以上の高保磁力を示すメタルテープに使用す
ると磁気飽和が起こり、記録が十分に行われない．そこ
でフェライト材料よりも飽和磁束密度の大きいセンタス
ト合金膜やＣＯ系アモルファス膜等を用いた磁気ヘッド
が実用化されつつある。そして磁気ヘッドの形としては
第２図に示すように主コアがフェライト２からなり、ギ
ャップ近傍のみが高飽和磁束密度材料の薄膜ｌからなる
ＭＩＧタイプのヘッドがある．このタイプのヘッドでは
高飽和磁束密度材料の薄膜たとえばセンタスト膜とフェ
ライトの境界において、反応が起こるためにこの部分か
ら疑似信号が発生するという問題点がある．（例えば日
本応用磁気学会誌　ｖｏ１．１１，Ｎｏ２．１９８７．
ｐｌ）．１０５〜１０８　）発明が解決しようとする課
題 磁気ヘッドを製造する場合、ギャップ形戒はガラス融着
という方法が一般に用いられる．その場合、５００℃程
度以上の熱処理が必要となる．この際に、主コアがフェ
ライトで、ギャップ近傍がセンタスト膜、ＣＯ系アモル
ファス膜などの高飽和磁束密度材料膜からなるＭＩＧヘ
ッドにおいて、フェライトと上記高飽和磁束密度材料と
の境界で反応が起こり、磁気的に非常に劣化した層が発
生する．その結果疑似信号が発生する． 具体的にはフェライト中の酸素と高飽和磁束密度膜との
間での酸化還元反応である．つまり両者の境界でフェラ
イト中の酸素がフェライトから高飽和磁束密度膜の方に
移動する．このため高飽和磁束密度膜の部分で酸化によ
る特性劣化が起こると共に、フェライト中に非常に酸素
が欠乏した部分が発生する．疑似信号出力はこれらの反
応層から発生していることが認められる． このような疑似信号の発生は磁気ヘッドの特性に致命的
であり、この信号を抑えることが必要である． 課題を解決するための手段 高飽和磁束密度材料膜とフェライトの境界に両者の反応
を防止する薄膜（以下、反応防止膜）を形成する．この
ことにより両者の境界で発生していた疑似信号出力を大
幅に低減する．反応を防止する膜は酸化に対して非常に
安定であることが必要である．またそれ自身が軟磁気特
性がそれほど優れていないため膜厚が大きくなるとその
部分がギャップになるため、非常に薄く形或することが
必要である． そこでそれ自身で非常に安定な材料つまり貴金属材料や
高融点材料と、Ｆｅとの合金膜を、フェライトと高飽和
磁束密度膜との境界に形或することにより、疑似信号の
発生を防ぐ． 作用 この技術的手段の作用は次のようになる。

高飽和磁束密度材料膜とフェライトの境界にフェライト
から酸素の流出を防ぐ膜を形戒する．このことにより６
００℃程度以上の熱処理を施してもフェライトからの酸
素流出が抑えられる．またそれ自身が軟磁気特性がそれ
ほど優れていないが、膜厚が非常に薄いために、ほとん
どギャップとしては働かない． 以上のことから両者の境界で発生していた疑似信号出力
を大幅に低減することが可能になった。

実施例 以下本発明の一実施例の磁気ヘッドについて図面を参照
しながら説明する． 第１図は本発明の磁気ヘッドの一例である．ギャップ近
傍にセンタスト合金膜ｌを用い、それ以外の磁路はフェ
ライト２を、また両者の境界にＦｅｌｒ合金膜４が５０
Å形成されたＭＩＧタイプのヘッドである．センタスト
合金薄膜ｌの膜厚は１０μｍであり、３はガラス、５は
ギャップである．従来例では、主信号に対して−１０ｄ
Ｂ　（０．１３ＭＨｚ　）あった疑似信号出力が上記の
反応防止膜を用いることにより−３１ｄＢ　（０．１３
ＭＨｚ　）に減少した．第３図に反応防止膜の膜厚（Ｆ
ｅｌｒ合金膜）と疑似信号出力（０．１３ＭＨｚ　）の
関係を示す。この図からＦｅｌｒ合金物の膜厚は５０人
の時に疑似信号出力が最小（−３１ｄＢ）になることが
わかる。また膜厚が２０人から４００人の間で疑似信号
出力が主信号に対して−２０ｄＢ以下となる．５０人の
時に最小となる理由は、ギャップ長と信号出力の関係か
ら、Ｆｅｌｒの軟磁気特性が優れていないためにこの合
金膜の膜厚が大きくなると、この部分からの信号が大き
くなり、つまり疑似信号が大きくなり、一方膜厚が小さ
くなるほどフェライトとセンタスト膜との反応が十分に
抑えられなくなり疑似信号が大きくなる。これらの効果
の最小となるのが５０人ということである。

この場合、Ｆｅｌｒ合金膜のＩｒＯ代わりにＲｕ，Ｒｈ
，Ｐｄ，Ａｇ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｉ
ｒのうち１種類もしくは２種類以上の合金膜を用いて、
またセンタスト膜の代わりにＣｏ系アモルファス膜、Ｆ
ｅ系合金膜、窒化鉄膜、ＦｅＳｎ系合金膜等を用いても
同様の効果が得られる． またこれらの膜の形成方法としてはフェライト基板上に
ＦｅＭ系合金膜、高飽和磁束密度材料膜をスパッタ法も
しくは蒸着法に関わらず、真空を破らず連続的に形戒す
ることが望ましい．第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明によ
り製造される磁気ヘッドの製造方法の一例である。

（ａ）ではまず研磨、電解エッチングを施した磁気劣化
層のないフェライト基板１１上にＦｅＩｒ合金膜層１２
を０．０１　ＩＩ　ｍ，　ＰｅＡＩＳｉ合金薄膜１３を
ｌＯμｍ順にスパッタ法で形戒する．このサンプルを複
合バー１４とする． ＦｅＩｒの組或はここでは重量％でＦｅ０．５０１ｒ　
Ｏ．５０を用いた．スパッタ時の基板温度は２００″Ｃ
とした。１２、１３の膜は真空を破らずに形或するのが
望ましい． ｂ （−＋）では（ａ）で形成した複合バー１４にトラック
加工を施す．この複合バー１４の２本を１組として少な
くとも片方に巻線窓加工を施す．その後ギャップ面１８
にギャップ材料としてＳｔｏ！，ガラス（図では省略）
を所望量形或する．１７はトラックである． （Ｃ）では（ｂ）で形成した１組のバーについてギャッ
プ形成を行う．巻線窓の部分にガラスｌ５をいれ、この
ガラスをトラック溝部に流し込む．できあがったバーを
ギャップパー１６とする．ギャップ形或条件は最高温度
６００゜Ｃ、保持時間１時間、Ｎ２雰囲気中で行った． （ｄ）ではギャップパー１６にチップスライスを施す．
所望の形状の磁気ヘッドができあがる．発明の効果 本発明による磁気ヘッドにより、例えばＶＴＲ、ＤＡＴ
，ＦＤＤ用ヘッドに従来より低コストのＭＩＧタイプヘ
ッドが利用でき、記録効率の優れた磁気ヘッドを今まで
に比べて歩留り良く製造できる．

【図面の簡単な説明】

第ｌ図は本発明の磁気ヘッドの斜視図、第２図は従来の
磁気ヘッドの斜視図、第３図は本発明の磁気ヘッドの反
応防止膜の膜厚と疑似信号出力の関係図、第４図は本発
明に示した磁気ヘッドの製造方法の工程図である． ｌ・・・・・・センタスト合金膜、２・・・・・・フェ
ライト、３・・・・・・ガラス、４・・・・・・Ｆｅｌ
ｒ合金膜、５・・・・・・ギャップ．

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）主コアがフェライトで、ギャップ近傍がセンタス
   ト膜、アモルファス膜、Ｆｅ系合金膜、窒化鉄膜等の高
   飽和磁束密度材料膜からなるＭＩＧヘッドの、フェライ
   トと上記高飽和磁束密度材料膜の境界に、Ｆｅ−Ｍ合金
   膜が２０Åから２０００Å形成されていることを特徴と
   する磁気ヘッド。 ただし、ＭはＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ
   、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕのうち１種類もしくは２種類
   以上の合金である。
2. （２）高飽和磁束密度膜及びＦｅ−Ｍ合金膜が、スパッ
   タ法、もしくは蒸着法により形成されることを特徴とす
   る請求項（１）記載の磁気ヘッド。