JPH0377348A - 有機物除去装置 - Google Patents
有機物除去装置Info
- Publication number
- JPH0377348A JPH0377348A JP1212910A JP21291089A JPH0377348A JP H0377348 A JPH0377348 A JP H0377348A JP 1212910 A JP1212910 A JP 1212910A JP 21291089 A JP21291089 A JP 21291089A JP H0377348 A JPH0377348 A JP H0377348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum suction
- during
- wafer
- vacuum
- route
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 12
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジストなどの有機物を除去する装置において
、処理対象基体の真空吸着経路に有機物が付着すること
を防止する手段に関する。
、処理対象基体の真空吸着経路に有機物が付着すること
を防止する手段に関する。
従来は、例えば特開昭61−27635号公報に記載さ
れている如く、ウェーハ(基体)を真空吸着せず、テー
ブル上に単に載置している。
れている如く、ウェーハ(基体)を真空吸着せず、テー
ブル上に単に載置している。
上記従来技術では真空吸着しないため、ウェーハ(基体
)の温度均一性の劣り最近はウェーハを真空吸着する方
向にきている。この場合真空吸着経路にレジストの中間
分解物が付着するということが超こり、ついには真空吸
着経路にレジストの中間分解物が詰まり、真空吸着でき
なくなるというトラブルが発生する。
)の温度均一性の劣り最近はウェーハを真空吸着する方
向にきている。この場合真空吸着経路にレジストの中間
分解物が付着するということが超こり、ついには真空吸
着経路にレジストの中間分解物が詰まり、真空吸着でき
なくなるというトラブルが発生する。
本発明の目的はこの欠点を解決した有機物除去装置を提
供することにある。
供することにある。
上記目的を達成するため有機物除去処理中だけでなく、
ウェーハ搬送中や待機中などの非処理中にも真空吸着動
作を行うようにした。
ウェーハ搬送中や待機中などの非処理中にも真空吸着動
作を行うようにした。
ウェーハ搬送中や待機中などの非処理中にも真空吸着動
作を行うことにより常に真空吸着経路での浄化効果を発
生させる。
作を行うことにより常に真空吸着経路での浄化効果を発
生させる。
以ト本発明の一実施例を第1図により説明する。
ウェーハエは処理室10内のヒータ兼用のステージ2の
上に置かれ、真空吸着経路3によりステージ2上に真空
吸着される。ノズル4からオゾンヒ酸素の混合ガスを導
入されさらにランプ室9内の紫外線ランプ5から石英板
8を介して紫外線が照射され、ウェーハ1上のレジスh
が除去される。
上に置かれ、真空吸着経路3によりステージ2上に真空
吸着される。ノズル4からオゾンヒ酸素の混合ガスを導
入されさらにランプ室9内の紫外線ランプ5から石英板
8を介して紫外線が照射され、ウェーハ1上のレジスh
が除去される。
この後ウェーハ1は図示していない搬送機構にょリアン
ロードされ、新たに未処理のウェーハ1がロードされて
くる。処理条件の一例を以−ドに示す。
ロードされ、新たに未処理のウェーハ1がロードされて
くる。処理条件の一例を以−ドに示す。
ウェーハ温度 :250℃
オゾン、#素混合ガス流量: 5 Q /mj、nオゾ
ン#* :5voQ%紫外線照度
:130rnw/cdこのアンロード、ロード
間の非処理時間中も真空吸着経路3により真空吸着動作
を行い、真空吸着経路3に処理室10内の空気を流し、
真空吸着経路3を浄化する。またアンロード、ロード間
以外の非処理時間中、即ち所謂待機時間中も真空吸着動
作を行い真空吸着経路3に処理室10内の空気を流し、
真空吸着経路3を浄化しても良い。
ン#* :5voQ%紫外線照度
:130rnw/cdこのアンロード、ロード
間の非処理時間中も真空吸着経路3により真空吸着動作
を行い、真空吸着経路3に処理室10内の空気を流し、
真空吸着経路3を浄化する。またアンロード、ロード間
以外の非処理時間中、即ち所謂待機時間中も真空吸着動
作を行い真空吸着経路3に処理室10内の空気を流し、
真空吸着経路3を浄化しても良い。
さらに非処理時間における真空吸着動作中にオゾン、酸
素混合ガスのような反応ガスを処理室10に流すこヒに
より真空吸着経路3に反応ガスを洸せば、有機物を酸化
分解できるためより効果的に真空吸着経路3の浄化がで
きる。
素混合ガスのような反応ガスを処理室10に流すこヒに
より真空吸着経路3に反応ガスを洸せば、有機物を酸化
分解できるためより効果的に真空吸着経路3の浄化がで
きる。
また真空吸着経路3の少なくとも一部(この場合はシャ
フト部分7)をヒータ6により加熱すれば、有機物の酸
化分触効果を促進でき、さらにその温度を200℃以上
にすればより効果的である。
フト部分7)をヒータ6により加熱すれば、有機物の酸
化分触効果を促進でき、さらにその温度を200℃以上
にすればより効果的である。
加熱温度のド限はオゾンの熱分解効果により決まるが、
一般には200℃以上でオゾンの熱分解が顕著になる。
一般には200℃以上でオゾンの熱分解が顕著になる。
また加熱温度の上限はシャフF−構成部品7の耐熱温度
により決まる。
により決まる。
非処理時間中も真空吸着経路3により真空吸着助動を行
うことにより、さらに好適には開時に処理室10内に反
応ガスを流すことにより真空吸着経路3を浄化し、レジ
ストの付着を防止することができる。
うことにより、さらに好適には開時に処理室10内に反
応ガスを流すことにより真空吸着経路3を浄化し、レジ
ストの付着を防止することができる。
また真空吸着経路3の少なくとも一部(この場合はシャ
フト部分’7)t(加熱すること、好適には200℃以
上に加熱することにより、レジストの酸化分解を促進し
、より効果的に真空吸着経路3の浄化ができる。
フト部分’7)t(加熱すること、好適には200℃以
上に加熱することにより、レジストの酸化分解を促進し
、より効果的に真空吸着経路3の浄化ができる。
第1図は本発明の一実施例を示す概念図。
1・・・ウェーハ、2・・・ステージ、3・・・真空吸
着経路、4・・・ノズル、5・・・紫外線ランプ、6・
・・ヒータ、7・・シャフト、8・・・石英板、9・・
・ランプ室、10・・・茅 l 目 02+0゜ l ウエーハ
着経路、4・・・ノズル、5・・・紫外線ランプ、6・
・・ヒータ、7・・シャフト、8・・・石英板、9・・
・ランプ室、10・・・茅 l 目 02+0゜ l ウエーハ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、オゾンガスを反応ガスとし、処理中に処理対象基体
を真空吸着する有機物除去装置において、非処理中も真
空吸着動作をすることを特徴とした有機物除去装置。 2、上記非処理中に行う真空吸着動作中に反応ガスを流
すことを特徴とした第1項の有機物除去装置。 3、真空吸着経路の少なくとも一部を加熱することを特
徴とした第2項の有機物除去装置。 4、真空吸着経路の少なくとも一部を200℃以上に加
熱することを特徴とした第2項の有機物除去装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1212910A JPH0377348A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | 有機物除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1212910A JPH0377348A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | 有機物除去装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0377348A true JPH0377348A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16630307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1212910A Pending JPH0377348A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | 有機物除去装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0377348A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012129471A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Tatsumo Kk | 基板処理装置 |
-
1989
- 1989-08-21 JP JP1212910A patent/JPH0377348A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012129471A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Tatsumo Kk | 基板処理装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100335845B1 (ko) | 표면처리장치및표면처리방법 | |
TW401590B (en) | Nitrogen trifluoride-oxygen thermal cleaning process | |
JPH0377348A (ja) | 有機物除去装置 | |
JPH07335602A (ja) | 基板の表面処理方法及び表面処理装置 | |
JPH0927474A (ja) | アッシング方法およびその装置 | |
JP2896005B2 (ja) | ウェハー洗浄方法 | |
JPS6286731A (ja) | レ−ザ−ビ−ム照射Si表面処理装置 | |
JPH06318553A (ja) | 熱処理装置 | |
JPH01272120A (ja) | ドライアッシング装置 | |
CA2273717C (en) | Method and apparatus for continuous cleaning of substrate surfaces using ozone | |
JPS62115728A (ja) | 加熱処理装置 | |
JPH06304465A (ja) | チャンバの洗浄方法及び洗浄装置 | |
JPH1050670A (ja) | 有機物除去方法 | |
JPH04196527A (ja) | ドライエッチング装置 | |
JPH0417673A (ja) | スパッタ装置 | |
JPS63108722A (ja) | 基板表面処理装置 | |
JPH0330315A (ja) | 被処理体処理装置 | |
JPH028379A (ja) | ドライエッチング装置 | |
JP2599122B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH08186077A (ja) | 真空処理装置および半導体ウェハーの処理方法 | |
JPH0513402A (ja) | 窒化膜除去方法および除去装置 | |
JP6374735B2 (ja) | 真空処理装置およびドライ洗浄方法 | |
JPS63133529A (ja) | アツシング方法 | |
JPH05326478A (ja) | ウェーハの洗浄方法およびその装置 | |
JPH0281430A (ja) | 半導体装置の処理装置 |