JPH0376223A - プラズマｃｖｄ膜の形成方法及びその処理装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ膜の形成方法及びその処理装置Info
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- JPH0376223A JPH0376223A JP21352289A JP21352289A JPH0376223A JP H0376223 A JPH0376223 A JP H0376223A JP 21352289 A JP21352289 A JP 21352289A JP 21352289 A JP21352289 A JP 21352289A JP H0376223 A JPH0376223 A JP H0376223A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 25
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体のウェハー上に形成するＣＶＤ（ＣＨ
ＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＵＲＤＥＰＯ８ＩＴＩＯＮ ）
膜の形成方法及びその処理装置の改良に関するものであ
る。
ＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＵＲＤＥＰＯ８ＩＴＩＯＮ ）
膜の形成方法及びその処理装置の改良に関するものであ
る。
〔従来の技術］
第５図は例えば、特開昭６３−１８６８７５号公報に示
された従来のＣＶＤ＊置（１）を示す概略図である。
された従来のＣＶＤ＊置（１）を示す概略図である。
図において、（２）はステンレス系材料で構成され、内
面が鏡面に仕上げられた円筒状の第１の反応室、（３）
は上記反応室（２）の中央下部に設けられ、上面にシリ
コン等のウェハ（４）が載置されたウエハセプタ（受台
） 、（５１はこのウエハセプタ（４）の下面に配置さ
れ、プラズマトーチが多段同心円状に多数個配設された
ウェハ加熱機構、（６）は上記ウエハセプタ（３）と対
向して上記反応室（２）の上面に設けられた、ＳｉＣや
Ａ／ｇｏｓ等からなるセラミックフィルタ、（７）はこ
のセラミックフィルタ（６）の上方に配ＩＮされ、上記
セラミックフィルタ（６）の下面から均一にガスがウェ
ハ（４）の上面に向う様にするためのじゃま板、（８）
は上記反応室（２）の上部に接続されると共に、内部に
上記セラミックフィルタ（６）、じゃま板（７）が配役
されたチャンバー、（９）はこのチャンバー（８）の上
面に接続され、開閉バルブＱｌ）を介して上記チャンバ
ー（８）内へ、原料ガスボンベαＤから原料ガスを供給
する供給系、叩及び（′ｔ３は上記反応室（２）の両側
面に夫々接続されると共に、真空排気系（図示せず）が
接続された上記ウェハ（４）の搬入、搬出用の搬送室、
α４及び（１５１は上記反応室（２）の両側面に夫々設
けられ、ウニハロ径よりもやや幅が広く、ウェハ厚ざの
数倍の幅を有する開口部が設けられたゲートパルプであ
り、夫々上記搬送室叩及び（１３と反応室（２）との間
を開閉する。ＧＯは上記反応室（２）の下部に接続され
た排気系である。
面が鏡面に仕上げられた円筒状の第１の反応室、（３）
は上記反応室（２）の中央下部に設けられ、上面にシリ
コン等のウェハ（４）が載置されたウエハセプタ（受台
） 、（５１はこのウエハセプタ（４）の下面に配置さ
れ、プラズマトーチが多段同心円状に多数個配設された
ウェハ加熱機構、（６）は上記ウエハセプタ（３）と対
向して上記反応室（２）の上面に設けられた、ＳｉＣや
Ａ／ｇｏｓ等からなるセラミックフィルタ、（７）はこ
のセラミックフィルタ（６）の上方に配ＩＮされ、上記
セラミックフィルタ（６）の下面から均一にガスがウェ
ハ（４）の上面に向う様にするためのじゃま板、（８）
は上記反応室（２）の上部に接続されると共に、内部に
上記セラミックフィルタ（６）、じゃま板（７）が配役
されたチャンバー、（９）はこのチャンバー（８）の上
面に接続され、開閉バルブＱｌ）を介して上記チャンバ
ー（８）内へ、原料ガスボンベαＤから原料ガスを供給
する供給系、叩及び（′ｔ３は上記反応室（２）の両側
面に夫々接続されると共に、真空排気系（図示せず）が
接続された上記ウェハ（４）の搬入、搬出用の搬送室、
α４及び（１５１は上記反応室（２）の両側面に夫々設
けられ、ウニハロ径よりもやや幅が広く、ウェハ厚ざの
数倍の幅を有する開口部が設けられたゲートパルプであ
り、夫々上記搬送室叩及び（１３と反応室（２）との間
を開閉する。ＧＯは上記反応室（２）の下部に接続され
た排気系である。
〔従来動作の説明〕
次に、動作について説明する。第５図において、まず、
駆動装置ｌｌ（図示せず、以下同様）により運転を開始
すると、バルブ（ＩＱが閉状態になり、じゃま板（７）
を下方に移動してセラミックフィルタ（６）の上面に密
着させて、原料ガス供給系（９）からのガスの供給を遮
断する。
駆動装置ｌｌ（図示せず、以下同様）により運転を開始
すると、バルブ（ＩＱが閉状態になり、じゃま板（７）
を下方に移動してセラミックフィルタ（６）の上面に密
着させて、原料ガス供給系（９）からのガスの供給を遮
断する。
次に、反応室（２）内に残留しているガスを排気系ＱＯ
より排気したのち、ゲートパルプαつを開いて成膜処理
の終った基板（４）を搬送室α３内に搬出すると共に、
ゲートパルプαωを開いて、搬送室（２）から成膜前の
ウェハをウエハセプタ（３）上に搬入し、載置する。
より排気したのち、ゲートパルプαつを開いて成膜処理
の終った基板（４）を搬送室α３内に搬出すると共に、
ゲートパルプαωを開いて、搬送室（２）から成膜前の
ウェハをウエハセプタ（３）上に搬入し、載置する。
ざらに、ゲートパルプα揚及びαＳを両側とも閉じて、
ウェハ１４＋がウェハ加熱機構（５）により加熱されて
所定の温度に達すると同時に、じゃま板（７）を上方向
に駆動装置により移動して、バルブ（１（ｌを開き、ウ
ェハ（４）の表面に原料ガスを供給系（９）を経て、セ
ラミックフィルタ（６）から所定の流量吹きつける。
ウェハ１４＋がウェハ加熱機構（５）により加熱されて
所定の温度に達すると同時に、じゃま板（７）を上方向
に駆動装置により移動して、バルブ（１（ｌを開き、ウ
ェハ（４）の表面に原料ガスを供給系（９）を経て、セ
ラミックフィルタ（６）から所定の流量吹きつける。
この時、反応室（２）内は常圧の状態となっている。
続いて、吹ざつけられた反応ガスは熱分解反応をおこし
て、ウェハ（４）上に反応ガスの流量に応じた膜が形成
される。
て、ウェハ（４）上に反応ガスの流量に応じた膜が形成
される。
即ち、第６図に示される様に段差のあるウェハ（４）上
にＳ ｉＱ、 膜を形成する場合は、ガス供給の供給系
（９）からＳｉＨ＊（シラスガス）と０！を供給すると
、予めウェハ加熱機構（５）により４００ｔｌ：程度に
加熱されたウェハ（４）上では、ＳｉＨ４と０２の熱分
解反応が生じウェハ（４）上には第７図に示す様に、つ
エバ（４）の段差形状に沿ってＳｉｇｈ膜（４ａ）か形
成される。ここで、成膜過程は ＳｉＨ４＋Ｃｈ−５ｉＯｔ＋ＨｚＯで示される。
にＳ ｉＱ、 膜を形成する場合は、ガス供給の供給系
（９）からＳｉＨ＊（シラスガス）と０！を供給すると
、予めウェハ加熱機構（５）により４００ｔｌ：程度に
加熱されたウェハ（４）上では、ＳｉＨ４と０２の熱分
解反応が生じウェハ（４）上には第７図に示す様に、つ
エバ（４）の段差形状に沿ってＳｉｇｈ膜（４ａ）か形
成される。ここで、成膜過程は ＳｉＨ４＋Ｃｈ−５ｉＯｔ＋ＨｚＯで示される。
従来のＣＶＤ装置は、以上の様に構成されているので１
段差のあるウェハ上へ膜を形成した時には、段差の形状
に沿って膜の形成も行なわれ、形成された膜の表面にも
段差ができるので、膜の表面を平担にするために別工程
でエッチバック（化学的処理を行なって平担にすること
）処理を行なわなければならず、工程が複雑になるなど
の問題点があった。
段差のあるウェハ上へ膜を形成した時には、段差の形状
に沿って膜の形成も行なわれ、形成された膜の表面にも
段差ができるので、膜の表面を平担にするために別工程
でエッチバック（化学的処理を行なって平担にすること
）処理を行なわなければならず、工程が複雑になるなど
の問題点があった。
この発明は上記の様な問題点を解消するためになされた
もので、段差のあるウェハの上にも平担な膜を同一工程
にて形成できるプラズマＣＶＤ膜の形成方法及びその処
理装置を得ることを目的とする。
もので、段差のあるウェハの上にも平担な膜を同一工程
にて形成できるプラズマＣＶＤ膜の形成方法及びその処
理装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段］
この発明に係るプラズマＣＶＤ膜の形成方法及びその処
理装置は、ＣＶＤ装置の第１の反応室側面にゲートパル
プを接続すると共に、真空排気装置と接続された第２の
反応室の上部には原料ガス供給装置を、またその下部に
は高周波ステージ及び高周波電源を夫々設けたものであ
る。
理装置は、ＣＶＤ装置の第１の反応室側面にゲートパル
プを接続すると共に、真空排気装置と接続された第２の
反応室の上部には原料ガス供給装置を、またその下部に
は高周波ステージ及び高周波電源を夫々設けたものであ
る。
この発明におけるプラズマＣＶＤ膜の形成方法及びその
処理装置はＣＶＤ装置で形成されたウェハの成膜表面の
凸部が、隣接して配設されたスパッタ装置の高周波電源
により、反応室内でプラズマ化されたガスから発生する
イオンの衝突に削りとられて平滑になる。
処理装置はＣＶＤ装置で形成されたウェハの成膜表面の
凸部が、隣接して配設されたスパッタ装置の高周波電源
により、反応室内でプラズマ化されたガスから発生する
イオンの衝突に削りとられて平滑になる。
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
図において、ａ〃はスパッタ装置の概略で、０８はこの
スパッタ装置におけるアルミ系材料で構成され、内面が
鏡面状に仕上げられた円筒状の第２の反応室、０９はこ
の第２の反応室（櫓の中央下部に設けられ、上面にウェ
ハ（４）が載ｌｌ＃された高周波ステージであり、アー
ス電位に接地されている。
スパッタ装置におけるアルミ系材料で構成され、内面が
鏡面状に仕上げられた円筒状の第２の反応室、０９はこ
の第２の反応室（櫓の中央下部に設けられ、上面にウェ
ハ（４）が載ｌｌ＃された高周波ステージであり、アー
ス電位に接地されている。
■はこの高周波ステージに高周波バイアスを印加する高
周波電源、■は上記第２の反応室印の下部に接続された
排気系のゲートパルプ、■はこのゲートパルプ（社）に
−側が接続された真空排気の排気系、■はこの排気系■
の中央に接続され、上記第２の反応室αａ内の排気を行
なうターボ分子ポンプ等の真空ポンプ。
周波電源、■は上記第２の反応室印の下部に接続された
排気系のゲートパルプ、■はこのゲートパルプ（社）に
−側が接続された真空排気の排気系、■はこの排気系■
の中央に接続され、上記第２の反応室αａ内の排気を行
なうターボ分子ポンプ等の真空ポンプ。
□□□は上記高周波ステージ＋ＩＩに対向して、上記第
２の反応室叩の上面に接続されたスパッタガス供給用供
給系であり、バルブ■を介してスパッタガスボンベ■と
接続されている。勿は上記第２の反応室０の一側に接続
されると共に、真空排気系（図示せず）が接続されたウ
ェハ（４）の搬出用の搬送室、（支）は第１の反応室（
２）の−側と上記第２の反応室叩の一側を互いに連通し
て接続すると共に、その接続個所に設けられたゲートパ
ルプであり、ウニハロ径よりもやや幅が広く、ウェハ厚
ざの数倍の幅を有する開口部が設けられている。尚、従
来の符号と同一符号の説明は従来例のものと同じにつき
説明を省略する。
２の反応室叩の上面に接続されたスパッタガス供給用供
給系であり、バルブ■を介してスパッタガスボンベ■と
接続されている。勿は上記第２の反応室０の一側に接続
されると共に、真空排気系（図示せず）が接続されたウ
ェハ（４）の搬出用の搬送室、（支）は第１の反応室（
２）の−側と上記第２の反応室叩の一側を互いに連通し
て接続すると共に、その接続個所に設けられたゲートパ
ルプであり、ウニハロ径よりもやや幅が広く、ウェハ厚
ざの数倍の幅を有する開口部が設けられている。尚、従
来の符号と同一符号の説明は従来例のものと同じにつき
説明を省略する。
上記の様に構成されたものにおいては、ウェハ（４）の
上面に膜がＣＶＤ装置によって形成される動作は従来と
同様である。次に、第１図において、スパッタ装置ＩＩ
ａηの動作について説明する。まず、ＣＶＤ装置により
第２図に示す様に成膜されたウェハ（４）はゲートパル
プ（支）を通過した後、スパッタ装置１１Ｇ７）内の高
周波ステージＱ９上に載置される。次に、ゲートパルプ
■及び（１４１を閉じて第２の反応室Ｏａ内を、真空ポ
ンプ□□□−排気系■→ゲートパルプ■を経て１０
ｔｏｒｒ程度の真空にすると共に、バルブ■を開いてス
パッタガス供給用供給系□□□からアルゴンガスを室内
に導入する。ざらに、高周波電源■を入れて高周波ステ
ージα９に約１３．５６ＭＨ２の高周波電力を印加する
と、ウェハ（４）の上面をおおっているアルゴンガス中
のＡｒ イオンが、電力のエネルギーにより活性化され
てプラズマとなる。
上面に膜がＣＶＤ装置によって形成される動作は従来と
同様である。次に、第１図において、スパッタ装置ＩＩ
ａηの動作について説明する。まず、ＣＶＤ装置により
第２図に示す様に成膜されたウェハ（４）はゲートパル
プ（支）を通過した後、スパッタ装置１１Ｇ７）内の高
周波ステージＱ９上に載置される。次に、ゲートパルプ
■及び（１４１を閉じて第２の反応室Ｏａ内を、真空ポ
ンプ□□□−排気系■→ゲートパルプ■を経て１０
ｔｏｒｒ程度の真空にすると共に、バルブ■を開いてス
パッタガス供給用供給系□□□からアルゴンガスを室内
に導入する。ざらに、高周波電源■を入れて高周波ステ
ージα９に約１３．５６ＭＨ２の高周波電力を印加する
と、ウェハ（４）の上面をおおっているアルゴンガス中
のＡｒ イオンが、電力のエネルギーにより活性化され
てプラズマとなる。
プラズマ化されたＡｒ＋イオンは、負に帯電した高周波
ステージ０！Ｊ上面に対し垂直に加速され、ウェハ（４
）上の凸部に形成されている５ｉＯｚ膜（４ａ）をスパ
ッタする。即ち、第３図に示す様に、加速されたＡｒ＋
イオンいは斜線で示される凸部（４ｂ）に対し、ある入
射角をもって衝突するためその部分がスパッタされるこ
とになる。
ステージ０！Ｊ上面に対し垂直に加速され、ウェハ（４
）上の凸部に形成されている５ｉＯｚ膜（４ａ）をスパ
ッタする。即ち、第３図に示す様に、加速されたＡｒ＋
イオンいは斜線で示される凸部（４ｂ）に対し、ある入
射角をもって衝突するためその部分がスパッタされるこ
とになる。
従って、凸部全体にわたってスパッタが繰り返し行ぺわ
れると、次第に小ざな凸部になり、最終的には第４図の
様に所定寸法で平担に仕上げられる。
れると、次第に小ざな凸部になり、最終的には第４図の
様に所定寸法で平担に仕上げられる。
一方、ウェハ膜（４ａ）の平担部（４Ｃ）に衝突したＡ
ｒ＋イオン（Ｂｌは、膜の上面をごくわずかにス／Ｎ１
１ツタするが、入射角が９０°のためスノ寸ツタ効果は
ほとんどない。
ｒ＋イオン（Ｂｌは、膜の上面をごくわずかにス／Ｎ１
１ツタするが、入射角が９０°のためスノ寸ツタ効果は
ほとんどない。
以上の様にして、スパッタ装置Ｇηでスノくツタ処理の
終ったウェハ（４）は、室内のガスが大気に排出管（図
示せず）から排出された後、ゲートパルプαωを開いて
搬送室の内へ搬出される。又、スパッタ装置１０７）で
ウェハ（４）のスパッタ処理が行なわれている間に、Ｃ
ＶＤ装＃ １１） テは次（７） ウニ／％ ＋４１上
に４膜が行なわれる。
終ったウェハ（４）は、室内のガスが大気に排出管（図
示せず）から排出された後、ゲートパルプαωを開いて
搬送室の内へ搬出される。又、スパッタ装置１０７）で
ウェハ（４）のスパッタ処理が行なわれている間に、Ｃ
ＶＤ装＃ １１） テは次（７） ウニ／％ ＋４１上
に４膜が行なわれる。
ざらに、スパッタ室αηで所定の膜厚寸法よりも薄く仕
上がった場合は、ゲート■を開いてすぐ隣接のＣＶＤ装
置（１）内に搬入して再度成膜を行なうことができる。
上がった場合は、ゲート■を開いてすぐ隣接のＣＶＤ装
置（１）内に搬入して再度成膜を行なうことができる。
〔他の実施例の説明、他の用途への転用例〕ところで、
上記実施例では、スパッタ装ｗａｎｌ内でプラズマを発
生させるのに１３．５６ＭＨ２の高周波電力を用いたが
、上記以外に直流グロー電力やマイクロ波電力を用いて
もよく、スパッタ用ガスもアルゴンガス以外に、不活性
ガスでスパッタ作用のあるガスを使用してもよい。
上記実施例では、スパッタ装ｗａｎｌ内でプラズマを発
生させるのに１３．５６ＭＨ２の高周波電力を用いたが
、上記以外に直流グロー電力やマイクロ波電力を用いて
もよく、スパッタ用ガスもアルゴンガス以外に、不活性
ガスでスパッタ作用のあるガスを使用してもよい。
又、上記実施例ではＳ ｉＯ雪膜の処理について説明し
たが、ＢＰＳＧ膜（ボロンとリンを含んだシリケートガ
ラス膜）等であってもよく、上記実施例と同様の効果を
奏する。
たが、ＢＰＳＧ膜（ボロンとリンを含んだシリケートガ
ラス膜）等であってもよく、上記実施例と同様の効果を
奏する。
以上の様に、この発明によればＣＶＤ装置の側面にゲー
トパルプを設けると共に、プラズマを発生させて、ウェ
ハ上に形成された膜の凸部をスパッタするスパッタ室を
上記ゲートパルプに接続して、膜を平担にするために膜
の処理が別工程でなく向−工程で行なう様にしているの
で、成膜の修正が隣接とおしででき、工程の集約、及び
生産効率の向上が図れる効果がある。
トパルプを設けると共に、プラズマを発生させて、ウェ
ハ上に形成された膜の凸部をスパッタするスパッタ室を
上記ゲートパルプに接続して、膜を平担にするために膜
の処理が別工程でなく向−工程で行なう様にしているの
で、成膜の修正が隣接とおしででき、工程の集約、及び
生産効率の向上が図れる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略図、第２図ない
し第４図はこの発明によるスパッタ処理状態を示す図、
第５図は従来のＣＤＶ装置を示す概略図、第６図はウェ
ハ（４）の成膜前の状態を示す正面断面図、第７図はウ
ェハ（４）の成膜後の状態を示す正面断面図である。 図中、（１）はＣＶＤ装置、（２）Ｇｔ第１の反応室、
（３）ハウエハセプタ、（４）はウェハ、（５）はウェ
ハ加熱機構、（６）はセラミックフィルタ、（９）は原
料ガス供給系、叫は排気系、（１７＋はスパッタ装置、
αａは第２の反応室、ＯＩは高周波ステージ、■は高周
波電源、■は真空ポンプ、（財）はスパッタガス供給系
、■はゲートパルプである。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
し第４図はこの発明によるスパッタ処理状態を示す図、
第５図は従来のＣＤＶ装置を示す概略図、第６図はウェ
ハ（４）の成膜前の状態を示す正面断面図、第７図はウ
ェハ（４）の成膜後の状態を示す正面断面図である。 図中、（１）はＣＶＤ装置、（２）Ｇｔ第１の反応室、
（３）ハウエハセプタ、（４）はウェハ、（５）はウェ
ハ加熱機構、（６）はセラミックフィルタ、（９）は原
料ガス供給系、叫は排気系、（１７＋はスパッタ装置、
αａは第２の反応室、ＯＩは高周波ステージ、■は高周
波電源、■は真空ポンプ、（財）はスパッタガス供給系
、■はゲートパルプである。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）パターンが形成されて凹凸を有する半導体基板上
にプラズマＣＶＤにより成膜を行なうと共に、これに引
き続いて上記成膜表面の凹凸をプラズマにてスパッタリ
ングして平担化することを特徴とするプラズマＣＶＤ膜
の形成方法。 - （２）第１の反応室の上部に原料ガス供給装置と原料ガ
ス供給装置と原料ガス吹き出し用セラミックフィルタを
設けると共に、それに対向して加熱機構及び排気装置を
備えたＣＶＤ装置と、このＣＶＤ装置に隣接してゲート
パルプで接続し、排気装置を有する第２の反応室の上部
に原料ガス供給装置を設け、これに対向して高周波ステ
ージ及び高周波電源を備えたことを特徴とする処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21352289A JPH0376223A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | プラズマｃｖｄ膜の形成方法及びその処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21352289A JPH0376223A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | プラズマｃｖｄ膜の形成方法及びその処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376223A true JPH0376223A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16640584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21352289A Pending JPH0376223A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | プラズマｃｖｄ膜の形成方法及びその処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0376223A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943551A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-03-10 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | モノリシツク集積回路の製造方法 |
| JPS6314866A (ja) * | 1986-07-05 | 1988-01-22 | Tadahiro Omi | 超高純度ガス供給装置 |
| JPS6329521A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Hitachi Ltd | 被膜形成方法および装置 |
| JPS63186875A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-02 | Tadahiro Omi | 表面反応成膜装置 |
| JPS63213522A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-06 | Toyobo Co Ltd | 新規なピペラジン系コポリアミド |
| JPS63318742A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-27 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP21352289A patent/JPH0376223A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943551A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-03-10 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | モノリシツク集積回路の製造方法 |
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