JPH0375238A - ホウロウフリット - Google Patents
ホウロウフリットInfo
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Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特に金属と高誘電率体との複合体の製造に適す
るホウロウフリットに関するものである。
るホウロウフリットに関するものである。
更に詳しく述べれば本発明は主として鋼板、ステンレス
板等の金属板に被着し、焼成することによって上記金属
板に良好に密着する高誘電率体を形成するホウロウフリ
ットに関するものである。
板等の金属板に被着し、焼成することによって上記金属
板に良好に密着する高誘電率体を形成するホウロウフリ
ットに関するものである。
近年電子部品、放電電極部品等に用いる高誘電率材料と
して、耐熱性、機械的強度、冷却性能の向上を目的とし
て高誘電率体と金属との複合体が注目され開発されてい
る。上記高誘電率体とじては従来、チタン酸塩セラミッ
クが主として用いられているが、上記チタン酸塩セラミ
ックと金属とを複合するには合成樹脂接着剤によって接
着する方法、Ａｇ、Ａｇ Ｐｄ等の貴金属ペーストを
上記チタン酸塩セラミックに塗布し焼付機金属とハンダ
付けを行なう方法等がある。しかし前者は耐熱性に乏し
く、また層間接着強度も満足なものではないという欠点
があり、後者は上記貴金属ペーストが高価であり、また
工程が多く繁雑であるという欠点があった。上記高誘電
率体としては更に高誘電率ＢａＴｉＯ３結晶を含有する
ガラスの研究も行なわれているが（例えばＪｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ ＡｍｅｒｉｃａｎＣｅｒａｍｉｃ ５ｏｃｉ
ｅｔｙ、 Ｖｏｌ、 ４７． Ｎｏ、 ３．１９６４）
、上記ガラスは金属との親和性に乏しく金属と複合体に
するには実用上大きな問題を有している。即ち上記ガラ
スは熱膨張特性、軟化溶融温度において鋼板、ステンレ
ス板等の金属板と調和しないため。
して、耐熱性、機械的強度、冷却性能の向上を目的とし
て高誘電率体と金属との複合体が注目され開発されてい
る。上記高誘電率体とじては従来、チタン酸塩セラミッ
クが主として用いられているが、上記チタン酸塩セラミ
ックと金属とを複合するには合成樹脂接着剤によって接
着する方法、Ａｇ、Ａｇ Ｐｄ等の貴金属ペーストを
上記チタン酸塩セラミックに塗布し焼付機金属とハンダ
付けを行なう方法等がある。しかし前者は耐熱性に乏し
く、また層間接着強度も満足なものではないという欠点
があり、後者は上記貴金属ペーストが高価であり、また
工程が多く繁雑であるという欠点があった。上記高誘電
率体としては更に高誘電率ＢａＴｉＯ３結晶を含有する
ガラスの研究も行なわれているが（例えばＪｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ ＡｍｅｒｉｃａｎＣｅｒａｍｉｃ ５ｏｃｉ
ｅｔｙ、 Ｖｏｌ、 ４７． Ｎｏ、 ３．１９６４）
、上記ガラスは金属との親和性に乏しく金属と複合体に
するには実用上大きな問題を有している。即ち上記ガラ
スは熱膨張特性、軟化溶融温度において鋼板、ステンレ
ス板等の金属板と調和しないため。
これら金属板に対する密着性がなく、上記複合体の製造
には実用上用いることが不可能であった。
には実用上用いることが不可能であった。
本発明は上記従来の欠点を改良して金属板に良好な密着
性を有する高誘電率体を形成するホウロウフリットを提
供することを目的とする。そして上記目的はＰｂＯと、
ＴｉＯ２とを合量で１０〜６０重量％含み、かつＰｂＯ
とＴｉＯ□とのモル比が０．５〜１．５の範囲内である
ガラスであり、加熱処理されることによって高誘電率の
結晶を析出する本発明のホウロウフリットによって達成
せられる。上記ホウロウフリットは更に望ましくは体熱
膨張係数が２００〜３３０Ｘ１０−’ （／”Ｃ）であ
り、かつ軟化溶融温度が５００〜７００℃であり、加熱
処理前においては実質的に高誘電率の結晶を含有しない
ものであり、そのためにはＰｂＯとＴｉＯ２の合量が２
５〜５５重量％、ＰｂＯとＴｉＯ２とのモル比が０．９
〜１．４であるか、またはＰｂＯとＴｉＯ２以外のガラ
ス成分がＳｉ０．１５〜４５重量％、Ｂ２Ｏ．１０〜３
０重量％、ＡＩ２Ｏ．１０重量％以下、Ｎａ２Ｏ，に２
ＯおよびＬｉ２Ｏからなる群から選ばれた一種または二
種以上の金属酸化物１０重量％以下、Ｃａ ＯＴ Ｚ
ｎ Ｏ＠ Ｍ ｇ Ｏおよび５ｂ２０．からなる群から
選ばれた一種または二種以上の金属酸化物４〜２５重量
％、Ｆ１０重量％以下よりなることが望ましい。
性を有する高誘電率体を形成するホウロウフリットを提
供することを目的とする。そして上記目的はＰｂＯと、
ＴｉＯ２とを合量で１０〜６０重量％含み、かつＰｂＯ
とＴｉＯ□とのモル比が０．５〜１．５の範囲内である
ガラスであり、加熱処理されることによって高誘電率の
結晶を析出する本発明のホウロウフリットによって達成
せられる。上記ホウロウフリットは更に望ましくは体熱
膨張係数が２００〜３３０Ｘ１０−’ （／”Ｃ）であ
り、かつ軟化溶融温度が５００〜７００℃であり、加熱
処理前においては実質的に高誘電率の結晶を含有しない
ものであり、そのためにはＰｂＯとＴｉＯ２の合量が２
５〜５５重量％、ＰｂＯとＴｉＯ２とのモル比が０．９
〜１．４であるか、またはＰｂＯとＴｉＯ２以外のガラ
ス成分がＳｉ０．１５〜４５重量％、Ｂ２Ｏ．１０〜３
０重量％、ＡＩ２Ｏ．１０重量％以下、Ｎａ２Ｏ，に２
ＯおよびＬｉ２Ｏからなる群から選ばれた一種または二
種以上の金属酸化物１０重量％以下、Ｃａ ＯＴ Ｚ
ｎ Ｏ＠ Ｍ ｇ Ｏおよび５ｂ２０．からなる群から
選ばれた一種または二種以上の金属酸化物４〜２５重量
％、Ｆ１０重量％以下よりなることが望ましい。
本発明を以下に詳細に説明する。
上記組成を有する本発明のホウロウフリットを製造する
一例を以下に説明する。
一例を以下に説明する。
ｐｂｏとＴｉＯ２とを供与する例えば金属酸化物、金属
水酸化物、あるいは金属塩等の金属化合物を上記モル比
、即ちＰｂＯ／Ｔｉ０，０．５〜１．５゜望ましくは０
．９〜１．４を与えるように混合した混合物かあるいは
ＰｂＯとＴｉＯ２との上記モル比の仮焼物を用い、これ
に他のガラス原料である例えばＳｉｎ、、Ａｌ２Ｏ３等
の強火性原料と例えばＢ２０１、アルカリ金属酸化物、
アルカリ土類金属酸化物等の弱火性原料とをＰｂＯとＴ
ｉＯ２との合量が１０〜６０重量％（以下単に％とする
）、望ましくは２５〜５５％になるように混合し、更に
望ましくは他のガラス原料が５ｉＯ２１５〜４５％、Ｂ
２Ｏ．１０〜３０％、Ａ１．０．１０％以下、Ｎａ。
水酸化物、あるいは金属塩等の金属化合物を上記モル比
、即ちＰｂＯ／Ｔｉ０，０．５〜１．５゜望ましくは０
．９〜１．４を与えるように混合した混合物かあるいは
ＰｂＯとＴｉＯ２との上記モル比の仮焼物を用い、これ
に他のガラス原料である例えばＳｉｎ、、Ａｌ２Ｏ３等
の強火性原料と例えばＢ２０１、アルカリ金属酸化物、
アルカリ土類金属酸化物等の弱火性原料とをＰｂＯとＴ
ｉＯ２との合量が１０〜６０重量％（以下単に％とする
）、望ましくは２５〜５５％になるように混合し、更に
望ましくは他のガラス原料が５ｉＯ２１５〜４５％、Ｂ
２Ｏ．１０〜３０％、Ａ１．０．１０％以下、Ｎａ。
０、に２０およびＬｉ２Ｏからなる群から選ばれた一種
または二種以上の金属酸化物１０％以下。
または二種以上の金属酸化物１０％以下。
ＣａＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯおよび５ｂ２ｏ３からなる群か
ら選ばれた一種または二種以上の金属酸化物４〜２５％
、Ｆ１０％以下なるガラス組成を与えるように混合し、
ガラスを製造する通常の方法で上記混合物を１２００−
１３００℃で５０〜６０分間加熱溶融し、その復水また
は空気により冷却する。
ら選ばれた一種または二種以上の金属酸化物４〜２５％
、Ｆ１０％以下なるガラス組成を与えるように混合し、
ガラスを製造する通常の方法で上記混合物を１２００−
１３００℃で５０〜６０分間加熱溶融し、その復水また
は空気により冷却する。
かくして本発明のホウロウフリットが得られるが、この
場合ＰｂＯとＴｉＯ□とから生成される高誘電率の結晶
がガラス中に多量に析出しないよう急速に冷却すること
が望ましい。
場合ＰｂＯとＴｉＯ□とから生成される高誘電率の結晶
がガラス中に多量に析出しないよう急速に冷却すること
が望ましい。
上記したように本発明においてはＰｂＯ／Ｔｉ０．＝１
０〜６０％、ＰｂＯ／ＴｉＯ，＝０．５〜１゜５モル比
であることを必須とするが、その理由はＰ ｂ Ｏ＋
Ｔ ｉ Ｏ！ ＜ １０％であるホウロウフリットは加
熱処理によって高誘電率結晶相の析出が少なく、したが
って高誘電率体が形成されないし、−方Ｐ ｂ Ｏ＋
Ｔ １０ ｔ ＞ ６０％であるホウロウフリットは軟
化温度が低くなりかつ耐水性が悪くなって実用的でない
、更に０．５−≦−ＰｂＯ／ＴｉＯ，≦、１．５の範囲
外においては高誘電率体が得られない。
０〜６０％、ＰｂＯ／ＴｉＯ，＝０．５〜１゜５モル比
であることを必須とするが、その理由はＰ ｂ Ｏ＋
Ｔ ｉ Ｏ！ ＜ １０％であるホウロウフリットは加
熱処理によって高誘電率結晶相の析出が少なく、したが
って高誘電率体が形成されないし、−方Ｐ ｂ Ｏ＋
Ｔ １０ ｔ ＞ ６０％であるホウロウフリットは軟
化温度が低くなりかつ耐水性が悪くなって実用的でない
、更に０．５−≦−ＰｂＯ／ＴｉＯ，≦、１．５の範囲
外においては高誘電率体が得られない。
体熱膨張係数が２００〜３３０Ｘ１０−’ （／”Ｃ）
でかつ軟化溶融温度が５００〜７００℃である本発明の
ホウロウフリットは鋼板、ステンレス板等の一般の金属
板と調和して特に良好な密着性を有する高誘電率体を形
成する。ここに軟化溶融温度とは体熱膨張係数測定の際
の屈伏点を指す。上記好ましい体熱膨張係数と軟化溶融
温度を本発明のホウロウフリットに与えるにはＰｂＯ，
ＴｉＯ２以外のガラス成分の組成を上記のごとく調節す
るのであるｅ ＰｂＯ，ＴｉＯ２以外のガラス成分の各
構成要素の作用とその限定理由について以下に説明する
。
でかつ軟化溶融温度が５００〜７００℃である本発明の
ホウロウフリットは鋼板、ステンレス板等の一般の金属
板と調和して特に良好な密着性を有する高誘電率体を形
成する。ここに軟化溶融温度とは体熱膨張係数測定の際
の屈伏点を指す。上記好ましい体熱膨張係数と軟化溶融
温度を本発明のホウロウフリットに与えるにはＰｂＯ，
ＴｉＯ２以外のガラス成分の組成を上記のごとく調節す
るのであるｅ ＰｂＯ，ＴｉＯ２以外のガラス成分の各
構成要素の作用とその限定理由について以下に説明する
。
Ｓｉｎ、＜１５％においてはホウロウフリット製造にお
いて材料がガラス化し難く、またＳｉｎ、）４５％では
金属に施して融着させる際に必要とされる処理温度が高
くなり過ぎる。
いて材料がガラス化し難く、またＳｉｎ、）４５％では
金属に施して融着させる際に必要とされる処理温度が高
くなり過ぎる。
Ｂ２Ｏ，＜１０％においては上記処理温度が同様に高く
なり過ぎ、またＢａＯ２＞３０％では得られる高誘電率
体の耐水性が低下し実用に適さなくなる。
なり過ぎ、またＢａＯ２＞３０％では得られる高誘電率
体の耐水性が低下し実用に適さなくなる。
Ａｌ２Ｏ，＞１０％においては上記処理温度が高くなり
過ぎる。
過ぎる。
Ｎ ａ、 Ｏ＋Ｋ ２０ ＋Ｌ ｉｚ Ｏ＞ １０％に
おいては得られる高誘電率体中において易動度の大きな
アルカリ金属イオン濃度が増加し絶縁破壊強度が低下す
る。
おいては得られる高誘電率体中において易動度の大きな
アルカリ金属イオン濃度が増加し絶縁破壊強度が低下す
る。
ＣａＯ＋ＺｎＯ＋ＭｇＯ＋Ｓｂ２Ｏ，＜４％においては
上記処理温度が高くなり過ぎ、また体熱膨張係数が小さ
くなってしまう、 またＣａＯ＋ＺｎＯ＋ＭｇＯ＋５ｂ
２０３＞２５％では得られる上記高誘電率体の耐水性が
低下し実用に適さなくなる。
上記処理温度が高くなり過ぎ、また体熱膨張係数が小さ
くなってしまう、 またＣａＯ＋ＺｎＯ＋ＭｇＯ＋５ｂ
２０３＞２５％では得られる上記高誘電率体の耐水性が
低下し実用に適さなくなる。
Ｆ〉１０％では加熱処理による溶融の際分相する。
上記構成要素の他に金属との密着性を向上するため更に
Ｃｏｏ、ＮｉＯ等の公知化合物を含有せしめてもよいこ
とは勿論である。
Ｃｏｏ、ＮｉＯ等の公知化合物を含有せしめてもよいこ
とは勿論である。
本発明のホウロウフリットを用いて高誘電率体−金属複
合体を製造する一例を以下に説明する。
合体を製造する一例を以下に説明する。
前記の如くして得られたホウロウフリットに電解質、粘
着剤を混合し常法により粉砕して水性スリップを調製す
る。かくして得られた水性スリップを所定の金属板にス
プレー法、刷毛塗り法、流し塗り法、浸漬法等通常の方
法により通常１００〜２００μ厚程度に塗布し常温もし
くは若干の加熱によって乾燥させる。その後、軟化溶融
温度以上に加熱処理して金属板表面に上記ホウロウフリ
ットを融着させた後、適宜冷却すればＰｂＯとＴｉＯ２
から生成される高誘電率結晶が析出し、かくして複合体
が得られるのである。金属板に本発明のホウロウフリッ
トを被着せしめるには上記方法の他、スキージオイルに
ホウロウフリットを混練して製造したインキを用いてス
クリーン印刷する方法、ホウロウフリットを適当な媒体
中に分散させて電気泳動により被着せしめる方法、ホウ
ロウフリット粉末を乾式スプレー、静電塗装、流動浸漬
等によって被着せしめる乾式法等が適用されてよいし、
また乾式法においては金属板を予めホウロウフリットの
軟化溶融温度以上に加熱しておけばホウロウフリットは
被着と同時に融着されることになる。上記複合体におい
て形成される高誘電車体の誘電率を所定の値に調節する
ことは冷却速度を変化させたり、冷却過程において所定
の温度に所定時間維持したり、あるいは再熱処理によっ
て上記高誘電率結晶の析出量を加減することによって容
易に可能である。
着剤を混合し常法により粉砕して水性スリップを調製す
る。かくして得られた水性スリップを所定の金属板にス
プレー法、刷毛塗り法、流し塗り法、浸漬法等通常の方
法により通常１００〜２００μ厚程度に塗布し常温もし
くは若干の加熱によって乾燥させる。その後、軟化溶融
温度以上に加熱処理して金属板表面に上記ホウロウフリ
ットを融着させた後、適宜冷却すればＰｂＯとＴｉＯ２
から生成される高誘電率結晶が析出し、かくして複合体
が得られるのである。金属板に本発明のホウロウフリッ
トを被着せしめるには上記方法の他、スキージオイルに
ホウロウフリットを混練して製造したインキを用いてス
クリーン印刷する方法、ホウロウフリットを適当な媒体
中に分散させて電気泳動により被着せしめる方法、ホウ
ロウフリット粉末を乾式スプレー、静電塗装、流動浸漬
等によって被着せしめる乾式法等が適用されてよいし、
また乾式法においては金属板を予めホウロウフリットの
軟化溶融温度以上に加熱しておけばホウロウフリットは
被着と同時に融着されることになる。上記複合体におい
て形成される高誘電車体の誘電率を所定の値に調節する
ことは冷却速度を変化させたり、冷却過程において所定
の温度に所定時間維持したり、あるいは再熱処理によっ
て上記高誘電率結晶の析出量を加減することによって容
易に可能である。
本発明のホウロウフリットが金属板に対して良好な密着
性を示す理由は明確ではないが１本発明のホウロウフリ
ットは熱処理前では高誘電率結晶を殆んど含まないか、
含んでも僅かであるから金属板に施して熱処理する際、
高誘電率結晶を多量含有するホウロウフリットと比較し
て良好な濡れが発現するためと思われる。したがって本
発明のホウロウフリットにおいては高誘電率結晶がｐｂ
Ｏ＋ Ｔ ｈ Ｏｍの４０％以下であることが望ましく
、勿論上記高誘電率結晶を全く含まないことが最も望ま
しい１本発明のホウロウフリットにおいて高誘電率結晶
含量を上記のように制限することは金属との密着性に好
結果をもたらすこと以外に高誘電率体の誘電率を熱処理
条件によって前記したように所望の値に調節することを
更に容易にするという利点がある。
性を示す理由は明確ではないが１本発明のホウロウフリ
ットは熱処理前では高誘電率結晶を殆んど含まないか、
含んでも僅かであるから金属板に施して熱処理する際、
高誘電率結晶を多量含有するホウロウフリットと比較し
て良好な濡れが発現するためと思われる。したがって本
発明のホウロウフリットにおいては高誘電率結晶がｐｂ
Ｏ＋ Ｔ ｈ Ｏｍの４０％以下であることが望ましく
、勿論上記高誘電率結晶を全く含まないことが最も望ま
しい１本発明のホウロウフリットにおいて高誘電率結晶
含量を上記のように制限することは金属との密着性に好
結果をもたらすこと以外に高誘電率体の誘電率を熱処理
条件によって前記したように所望の値に調節することを
更に容易にするという利点がある。
以下に本発明を更に具体的に説明するための実施例につ
いて述べる。
いて述べる。
実施例
原料配合物をルツボに入れて１２００〜１３００℃で５
０〜６０分加熱溶融し、得られた溶融物を水中に投入す
ることによって急冷して第１表に示す組成のホウロウフ
リットを得た。
０〜６０分加熱溶融し、得られた溶融物を水中に投入す
ることによって急冷して第１表に示す組成のホウロウフ
リットを得た。
かくして得られたホウロウフリットを水と共にミル引き
して常法によりスリップを調製する。上記スリップをス
プレー法により１００〜２００μ程度に軟鋼板およびス
テンレス板（５０ｘ５ｏｘ１．４＋ｎ）に施釉する。常
温で乾燥させその後９５０℃３分の熱処理を行なった。
して常法によりスリップを調製する。上記スリップをス
プレー法により１００〜２００μ程度に軟鋼板およびス
テンレス板（５０ｘ５ｏｘ１．４＋ｎ）に施釉する。常
温で乾燥させその後９５０℃３分の熱処理を行なった。
上記熱処理の後８５０℃まで冷却し、この温度にて５０
分間維持した後放冷する。かくして得られた高誘電率体
の誘電率とホウロウフリットの体熱膨張係数、軟化溶融
温度の値を第２表に示す、なお第１表、第２表において
試料Ｎｏ、１〜９は本発明の実施例であり、試料Ｎｏ、
１０〜１３は比較例である。
分間維持した後放冷する。かくして得られた高誘電率体
の誘電率とホウロウフリットの体熱膨張係数、軟化溶融
温度の値を第２表に示す、なお第１表、第２表において
試料Ｎｏ、１〜９は本発明の実施例であり、試料Ｎｏ、
１０〜１３は比較例である。
第２表によれば、本発明の実施例Ｎｏ、１〜９は比較例
Ｎｏ、１０〜１３に比して高誘電率を有する。
Ｎｏ、１０〜１３に比して高誘電率を有する。
また比較例Ｎｏ、１０は熱膨張が小さく鋼板の熱膨張と
マツチせず、比較例Ｎｏ、１１は軟化温度が低くガラス
としての耐久性に問題がある。
マツチせず、比較例Ｎｏ、１１は軟化温度が低くガラス
としての耐久性に問題がある。
また第１表試料Ｎｏ、５．８の組成のものを上記と同様
に熱処理した後、４００℃／ｈｒの速度で冷却して得ら
れた高誘電率体の誘電率を第３表に示す、第３表におい
ては８５０℃、５０分間維持した第２表のデータを併記
した。
に熱処理した後、４００℃／ｈｒの速度で冷却して得ら
れた高誘電率体の誘電率を第３表に示す、第３表におい
ては８５０℃、５０分間維持した第２表のデータを併記
した。
第３表にみるように本発明のホウロウフリットからなる
高誘電率体は熱処理条件によって誘電率を大巾に調節す
ることが可能である。
高誘電率体は熱処理条件によって誘電率を大巾に調節す
ることが可能である。
以上に述べたように本発明のホウロウフリットは金属に
対して良好な密着性を有し、かつ高誘電率体を形成する
ものであるから電子ニー業分野において極めて有用なも
のである。
対して良好な密着性を有し、かつ高誘電率体を形成する
ものであるから電子ニー業分野において極めて有用なも
のである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＰｂＯと、ＴｉＯ＿２とを合量で１０〜６０重量％
含み、かつＰｂＯとＴｉＯ＿２とのモル比が０．５〜１
．５の範囲内であるガラスであり、加熱処理されること
によって高誘電率の結晶を析出することを特徴とするホ
ウロウフリット ２、体熱膨張係数が２００〜３３０×１０＾−＾７（／
℃）であり、かつ軟化溶融温度が５００〜７００℃であ
る特許請求の範囲第１項記載のホウロウフリット ３、加熱処理前においては実質的に高誘電率の結晶を含
有しない特許請求の範囲第１項記載のホウロウフリット ４、ＰｂＯとＴｉＯ＿２の合量が２５〜５５重量％、Ｐ
ｂＯとＴｉＯ＿２とのモル比が０．９〜１．４である特
許請求の範囲第１項記載のホウロウフリップ。 ５、ＳｉＯ＿２１５〜４５重量％、Ｂ＿２Ｏ＿３１０〜
３０重量％、Ａｌ＿２Ｏ＿３１０重量％以下、Ｎａ＿２
Ｏ、Ｋ＿２ＯおよびＬｉ＿２Ｏからなる群から選ばれた
一種または二種以上の金属酸化物１０重量％以下、Ｃａ
Ｏ、ＺｎＯ、ＭｇＯおよびＳｂ＿２Ｏ＿３からなる群か
ら選ばれた一種または二種以上の金属酸化物４〜２５重
量％、Ｆ１０重量％以下よりなるガラス成分を含む特許
請求の範囲第２項、第３項または第４項記載のホウロウ
フリット
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1646590A JPH0375238A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | ホウロウフリット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1646590A JPH0375238A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | ホウロウフリット |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19641282A Division JPS5988340A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | ホウロウフリツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375238A true JPH0375238A (ja) | 1991-03-29 |
| JPH0551543B2 JPH0551543B2 (ja) | 1993-08-02 |
Family
ID=11917006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1646590A Granted JPH0375238A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | ホウロウフリット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0375238A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010085168A (ko) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | 박정원 | 알루미늄 법랑의 제조방법 |
| KR20030062027A (ko) * | 2002-01-15 | 2003-07-23 | 이재윤 | 저화도 투명유약 개발 |
| KR100470740B1 (ko) * | 2002-01-15 | 2005-03-11 | 주식회사 대명기술단건축사사무소 | 건축자재용 법랑조성물 |
| JP2009133193A (ja) * | 2009-02-09 | 2009-06-18 | Sogo Corp | 断熱耐火パネル |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP1646590A patent/JPH0375238A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010085168A (ko) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | 박정원 | 알루미늄 법랑의 제조방법 |
| KR20030062027A (ko) * | 2002-01-15 | 2003-07-23 | 이재윤 | 저화도 투명유약 개발 |
| KR100470740B1 (ko) * | 2002-01-15 | 2005-03-11 | 주식회사 대명기술단건축사사무소 | 건축자재용 법랑조성물 |
| JP2009133193A (ja) * | 2009-02-09 | 2009-06-18 | Sogo Corp | 断熱耐火パネル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0551543B2 (ja) | 1993-08-02 |
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