JPH0373941A - 複写機の原稿載置板及び複写機 - Google Patents
複写機の原稿載置板及び複写機Info
- Publication number
- JPH0373941A JPH0373941A JP1224481A JP22448189A JPH0373941A JP H0373941 A JPH0373941 A JP H0373941A JP 1224481 A JP1224481 A JP 1224481A JP 22448189 A JP22448189 A JP 22448189A JP H0373941 A JPH0373941 A JP H0373941A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- copying machine
- scratch
- resistant protective
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 122
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 abstract 5
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 abstract 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001649081 Dina Species 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910006249 ZrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005287 barium borate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000002233 thin-film X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Holders For Sensitive Materials And Originals (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、複写機の原稿載置板及び複写機に関するも
のである。
のである。
[従来の技術]
複写機の原稿載置板にはガラスが用いられている。それ
は、原稿の読み取りが光学的に行なわれるため、読取部
は可視領域の波長の光に対する透過率が高くなければな
いこと、また、原稿に強く擦られたり押されたりするた
め、読取部は硬く疵つきに<<シなければならないこと
などの理由による。通常、フロートガラスが用いられる
が、耐擦傷性や割れ強度を改善する目的で、風冷または
化学強化されたガラスが用いられることもある。上記の
理由のうち、疵つきにくいことは、疵による透過光の散
乱から透過率が落ち、読み取りの不正や不能が誘起され
るという点から特に重要である。ガラスそのものの耐擦
傷性では疵つきにくさの点では不十分であるため、従来
より、ガラス表面にdip又はs p ray法により
チタニア(Ties)、酸化スズ(Snow)などの被
膜のコーティングが施され、耐擦傷性の向上が図られて
いる。
は、原稿の読み取りが光学的に行なわれるため、読取部
は可視領域の波長の光に対する透過率が高くなければな
いこと、また、原稿に強く擦られたり押されたりするた
め、読取部は硬く疵つきに<<シなければならないこと
などの理由による。通常、フロートガラスが用いられる
が、耐擦傷性や割れ強度を改善する目的で、風冷または
化学強化されたガラスが用いられることもある。上記の
理由のうち、疵つきにくいことは、疵による透過光の散
乱から透過率が落ち、読み取りの不正や不能が誘起され
るという点から特に重要である。ガラスそのものの耐擦
傷性では疵つきにくさの点では不十分であるため、従来
より、ガラス表面にdip又はs p ray法により
チタニア(Ties)、酸化スズ(Snow)などの被
膜のコーティングが施され、耐擦傷性の向上が図られて
いる。
[発明の解決しようとする課題]
しかしながら、先に述べたTiO2,Snowなどの保
護膜の耐擦傷性はあまり十分ではなく、従来用いられて
いる上記保護膜を用いたものでは自動原稿送り装置のコ
ロ跡がガラスの原稿を載置する面に残ることがあった。
護膜の耐擦傷性はあまり十分ではなく、従来用いられて
いる上記保護膜を用いたものでは自動原稿送り装置のコ
ロ跡がガラスの原稿を載置する面に残ることがあった。
[課題を解決するための手段]
本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであり
、透明基体の少なくとも原稿を載置する面の空気側最外
層として、Zr、Ti、Hf、Sn。
、透明基体の少なくとも原稿を載置する面の空気側最外
層として、Zr、Ti、Hf、Sn。
Ta、Inのうち少なくとも1種と、B(ホウ素)とS
i(ケイ素)のうち少なくとも1種とを含む酸化物を主
成分とする非晶質酸化物膜からなる耐擦傷性保護膜が形
成されてなることを特徴とする複写機の原稿載置板及び
透明基体の少なくとも原稿を載置する面の空気側最外層
として、Zr、Ti、Hf、Sn、Ta、Inのうち少
なくとも1種と、B(ホウ素)とSi(ケイ素)のうち
少なくとも1種とを含む酸化物を主成分とする非晶質酸
化物膜からなる耐擦傷性保護膜が形成されてなる原稿載
置板を有する複写機を提供するものである。
i(ケイ素)のうち少なくとも1種とを含む酸化物を主
成分とする非晶質酸化物膜からなる耐擦傷性保護膜が形
成されてなることを特徴とする複写機の原稿載置板及び
透明基体の少なくとも原稿を載置する面の空気側最外層
として、Zr、Ti、Hf、Sn、Ta、Inのうち少
なくとも1種と、B(ホウ素)とSi(ケイ素)のうち
少なくとも1種とを含む酸化物を主成分とする非晶質酸
化物膜からなる耐擦傷性保護膜が形成されてなる原稿載
置板を有する複写機を提供するものである。
第1図に本発明の複写機の原稿載置板の一例の概略断面
図を示す。
図を示す。
本発明で用いる透明基体2はソーダ石灰ガラス、ホウケ
イ酸ガラス、鉛ケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、
アルミノホウ酸ガラス、石英ガラス、バリウムホウ酸ガ
ラスなどであるが、その他固体のガラスであればいかな
る成分を持つものでも良い、又、プラスチック基板やフ
ィルムを用いることもできる。基体の形状は平板ばかり
ではなく、曲げ形状、その他いかなる形状をもつもので
も良い。安全性の点から、ガラス基板の場合は風冷強化
、化学強化により強度アップしたもの、°また、合せに
より破壊時のガラス破片の飛散防止がなされたものが好
ましい。
イ酸ガラス、鉛ケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、
アルミノホウ酸ガラス、石英ガラス、バリウムホウ酸ガ
ラスなどであるが、その他固体のガラスであればいかな
る成分を持つものでも良い、又、プラスチック基板やフ
ィルムを用いることもできる。基体の形状は平板ばかり
ではなく、曲げ形状、その他いかなる形状をもつもので
も良い。安全性の点から、ガラス基板の場合は風冷強化
、化学強化により強度アップしたもの、°また、合せに
より破壊時のガラス破片の飛散防止がなされたものが好
ましい。
本発明は、Zr、 Ti、 Hf、 Sn、 Ta、
Inのうち少なくとも1種と、B、Siのうち少なくと
も1種を含む酸化物を主成分とする非晶質酸化物膜が耐
擦傷性、耐摩耗性、化学的耐久性に優れた薄膜であるこ
とを見出して成されたものであり、かかる膜を耐擦傷性
保護膜1として用いることを特徴とするものである。
Inのうち少なくとも1種と、B、Siのうち少なくと
も1種を含む酸化物を主成分とする非晶質酸化物膜が耐
擦傷性、耐摩耗性、化学的耐久性に優れた薄膜であるこ
とを見出して成されたものであり、かかる膜を耐擦傷性
保護膜1として用いることを特徴とするものである。
表1は、本発明における耐擦傷性保護膜1として好適な
各種非晶質酸化物膜の性質を示したものである。それぞ
れ表に挙げた組成のターゲットを用いて、反応性スパッ
タリングにより製膜したものである。同じターゲットを
用いても、膜組成や屈折率は成膜条件により若干変動す
ることがあるので、表1はあくまでも一例を示したもの
である。
各種非晶質酸化物膜の性質を示したものである。それぞ
れ表に挙げた組成のターゲットを用いて、反応性スパッ
タリングにより製膜したものである。同じターゲットを
用いても、膜組成や屈折率は成膜条件により若干変動す
ることがあるので、表1はあくまでも一例を示したもの
である。
結晶性は、薄膜X線回折により観測した。
又、耐擦傷性は、砂消しゴムによる擦り試験の結果で、
○は傷が殆どつかなかったもの、×は容易に傷が生じた
ものである。
○は傷が殆どつかなかったもの、×は容易に傷が生じた
ものである。
耐摩耗性は、テーパー試験(摩耗輪C5−10F、加重
500g、1000回転)の結果、ヘイズ4%以内のも
のを○、ヘイズ4%超のものを×とした。耐酸性は0.
1N H,SO4中に240時間浸漬した結果、TV
(可視光透過率)、RV(可視光反射率)の浸漬前に
対する変化率が1%以内のものを○、1〜4%のものを
△、膜が溶解して消滅してしまったものを×とした。耐
アルカリ性は0.IN NaOH中に240時間浸漬し
た結果、Tv、Rvの浸漬前に対する変化率が1%以内
のものを○、膜が溶解してしまったものを×とした。煮
沸テストは、1気圧下、100℃の水に2時間浸漬した
後、Tv、Rvの浸漬前に対する変化率が1%以内であ
るとき011℃超のとき×とした。
500g、1000回転)の結果、ヘイズ4%以内のも
のを○、ヘイズ4%超のものを×とした。耐酸性は0.
1N H,SO4中に240時間浸漬した結果、TV
(可視光透過率)、RV(可視光反射率)の浸漬前に
対する変化率が1%以内のものを○、1〜4%のものを
△、膜が溶解して消滅してしまったものを×とした。耐
アルカリ性は0.IN NaOH中に240時間浸漬し
た結果、Tv、Rvの浸漬前に対する変化率が1%以内
のものを○、膜が溶解してしまったものを×とした。煮
沸テストは、1気圧下、100℃の水に2時間浸漬した
後、Tv、Rvの浸漬前に対する変化率が1%以内であ
るとき011℃超のとき×とした。
本発明の耐擦傷性保護膜1において、ホウ素やケイ素の
含有割合は特に限定されるものではないが、以下のよう
な範囲が好ましい。
含有割合は特に限定されるものではないが、以下のよう
な範囲が好ましい。
ZrBxOy膜に関しては、表1から明らかなように、
膜中のBが少ないと結晶性の膜ができ、Bが多いと非晶
質の膜ができる傾向があることがわかる。そして、結晶
性の膜は耐擦傷性及び耐摩耗性が劣るのに対して非晶質
の膜は優れていることがわかる。これは非晶質の膜は、
表面が平滑である為であると考えられる。従って、Zr
BxOy膜(膜中のZrに対するBの原子比Xが0、1
0< x )の膜は耐擦傷性、耐摩耗性に優れている。
膜中のBが少ないと結晶性の膜ができ、Bが多いと非晶
質の膜ができる傾向があることがわかる。そして、結晶
性の膜は耐擦傷性及び耐摩耗性が劣るのに対して非晶質
の膜は優れていることがわかる。これは非晶質の膜は、
表面が平滑である為であると考えられる。従って、Zr
BxOy膜(膜中のZrに対するBの原子比Xが0、1
0< x )の膜は耐擦傷性、耐摩耗性に優れている。
B2O3は吸湿性で空気中の水分を吸収して溶けてしま
うので、ZrB、O,膜においてX≦3程度が好ましい
。
うので、ZrB、O,膜においてX≦3程度が好ましい
。
ZrBxOy膜中のZrに対するO(酸素)の原子比は
特に限定されないが、多すぎると膜構造が粗になりボソ
ボソの膜になってしまうこと、又、あまり少ないと膜が
金属的になり透過率が低下したり膜の耐擦傷性が低下す
る傾向があることなどの理由によりZrO,とB20.
の複合系となる量程度であることが好ましい。即ち、複
合酸化物をZr0z + X 80 + 、 sと表す
と、BがZrに対して原子比でX含まれる時に、y=2
+1.5X程度であることが好ましい。
特に限定されないが、多すぎると膜構造が粗になりボソ
ボソの膜になってしまうこと、又、あまり少ないと膜が
金属的になり透過率が低下したり膜の耐擦傷性が低下す
る傾向があることなどの理由によりZrO,とB20.
の複合系となる量程度であることが好ましい。即ち、複
合酸化物をZr0z + X 80 + 、 sと表す
と、BがZrに対して原子比でX含まれる時に、y=2
+1.5X程度であることが好ましい。
又、表1より、ZrBxOy膜中のBの量が増えるにつ
れ、膜の屈折率が低下する傾向があることがわかる。膜
中のBを増やすことにより、屈折率nは280ぐらいか
ら1.5程度まで低下する。
れ、膜の屈折率が低下する傾向があることがわかる。膜
中のBを増やすことにより、屈折率nは280ぐらいか
ら1.5程度まで低下する。
従って0.10<x≦3.2<y≦6.5のZrB、O
。
。
膜は良好な耐擦傷性及び耐摩耗性を有し、かつ、Bの量
によって自由に屈折率を選択できる本発明の目的に好適
な耐擦傷性保護膜である。
によって自由に屈折率を選択できる本発明の目的に好適
な耐擦傷性保護膜である。
さらに、表1に示したように、膜中のBの含有量が増え
るにつれ、耐酸性、耐アルカリ性が劣化する傾向がある
。X≧2.3で耐酸性が悪くなり、xk4で耐アルカリ
性の低下及び煮沸テストで劣化を示すようになる。従っ
て、高化学的耐久性が要求される場合には、zrBxo
、 (x <2.3)の非晶質酸化物膜が好ましい。
るにつれ、耐酸性、耐アルカリ性が劣化する傾向がある
。X≧2.3で耐酸性が悪くなり、xk4で耐アルカリ
性の低下及び煮沸テストで劣化を示すようになる。従っ
て、高化学的耐久性が要求される場合には、zrBxo
、 (x <2.3)の非晶質酸化物膜が好ましい。
以上のように、ZrOs膜にBを加えたことにより、膜
が非晶質化し、表面が平滑化し、これが耐摩耗性及び耐
擦傷性の向上に寄与していると考えられる。又、Bの量
で屈折率の調節が可能となり、さらに、ZrO*膜と比
べて0、内部応力が小さいため、基体(ガラス、プラス
チックetc)や基体上の下地膜との密着性の点で有利
である。これは特に厚い膜を形成する場合に有利である
。
が非晶質化し、表面が平滑化し、これが耐摩耗性及び耐
擦傷性の向上に寄与していると考えられる。又、Bの量
で屈折率の調節が可能となり、さらに、ZrO*膜と比
べて0、内部応力が小さいため、基体(ガラス、プラス
チックetc)や基体上の下地膜との密着性の点で有利
である。これは特に厚い膜を形成する場合に有利である
。
次に、ZrSi、0.膜に関しては、やはりアモルファ
スであり、耐擦傷性、耐摩耗性の高い膜が得られる。
スであり、耐擦傷性、耐摩耗性の高い膜が得られる。
屈折率については、ZrO* (n = 2.15)と
5in2(n = 1.46)の間でその組成割合じよ
って上下する。
5in2(n = 1.46)の間でその組成割合じよ
って上下する。
Zr5isOy膜において、0.05≦2(膜中のZr
に対するSiの原子比)S19であることが好ましい。
に対するSiの原子比)S19であることが好ましい。
z<0105だと、膜が非晶質化せず、十分な物理的耐
久性が得られない。又、z > 19だと、耐アルカリ
性が悪くなる。又、y (ZrSiiOy膜中のZrに
対するOの原子比)は、ZrBxOy膜について述べた
のと同様の理由により、5i65Zrに対して原子比で
Z含まれる時に、y=2+2z程度であることが好まし
い。
久性が得られない。又、z > 19だと、耐アルカリ
性が悪くなる。又、y (ZrSiiOy膜中のZrに
対するOの原子比)は、ZrBxOy膜について述べた
のと同様の理由により、5i65Zrに対して原子比で
Z含まれる時に、y=2+2z程度であることが好まし
い。
従って高耐久性が要求される場合には、0.05≦z≦
19.2.1≦y〈40のZr5ixOy膜が好ましい
。
19.2.1≦y〈40のZr5ixOy膜が好ましい
。
又、zrBJ1i0y膜も本発明の耐擦傷性保護膜とし
て好適な膜である。かかる膜中のZrに対するBの原子
比x、Siの原子比2.0の原子比yは、X+Z≧0.
05であれば膜が非晶質化し、耐擦傷性及び耐摩耗性の
高い膜となるので好ましい。又、x+z;S19であれ
ば耐アルカリ性も良好であるので、ZrBxSixO,
膜においては、0.05:ii; x + z≦19で
あるのが好ましい。ただし、上述のように、B、0.は
吸湿性で空気中の水分を吸収して溶けてしまうため、Z
rB、Si*O,膜中にあまり多く含有されない方がよ
い。具体的には、膜中において、ZrO□<25mo1
%、かつSing<25 mo1%で残りが820.と
なる程B80.が含まれていると化学的耐久性が不十分
となる。
て好適な膜である。かかる膜中のZrに対するBの原子
比x、Siの原子比2.0の原子比yは、X+Z≧0.
05であれば膜が非晶質化し、耐擦傷性及び耐摩耗性の
高い膜となるので好ましい。又、x+z;S19であれ
ば耐アルカリ性も良好であるので、ZrBxSixO,
膜においては、0.05:ii; x + z≦19で
あるのが好ましい。ただし、上述のように、B、0.は
吸湿性で空気中の水分を吸収して溶けてしまうため、Z
rB、Si*O,膜中にあまり多く含有されない方がよ
い。具体的には、膜中において、ZrO□<25mo1
%、かつSing<25 mo1%で残りが820.と
なる程B80.が含まれていると化学的耐久性が不十分
となる。
即ち、ZrB+tSiiOy膜中のZr:B:Si(原
子比)を1:x:zとすると、1 / (1+ x +
z ) <0.25、かつz/ (1+x+z) <
0.25、即ち、x+z−3>O,かツx −3z +
1 > Oの組成は化学的耐久性が好ましくない。
子比)を1:x:zとすると、1 / (1+ x +
z ) <0.25、かつz/ (1+x+z) <
0.25、即ち、x+z−3>O,かツx −3z +
1 > Oの組成は化学的耐久性が好ましくない。
yは、ZrB、0.の場合に述べたのと同様の理由によ
りこの膜をZrO□+B、Os+SiO□の複合系と考
えて、yは2+1.5 x+ 2z程度であることが
好ましい。よってほぼ2<y<40程度であることが好
ましい。BやSiの含有量が多い程zrBJlaOy膜
の屈折率は低下する。
りこの膜をZrO□+B、Os+SiO□の複合系と考
えて、yは2+1.5 x+ 2z程度であることが
好ましい。よってほぼ2<y<40程度であることが好
ましい。BやSiの含有量が多い程zrBJlaOy膜
の屈折率は低下する。
Zr以外の金属、即ち、Ti、 Hf、 Sn、丁a、
In と、BとSlのうち少なくとも1種とを含む
酸化物も同様に非晶質となり、十分な耐擦傷性、及び耐
摩耗性が得られる。Ti5iiOy膜を表1のサンプル
15に一例として示しだ。
In と、BとSlのうち少なくとも1種とを含む
酸化物も同様に非晶質となり、十分な耐擦傷性、及び耐
摩耗性が得られる。Ti5iiOy膜を表1のサンプル
15に一例として示しだ。
本発明の非晶質酸化物からなる耐擦傷性保護膜1は、Z
r、 Ti、 Hf、 Sn、 Ta、 In、 B、
Si、 0以外の元素、例えばB、 Siと同様にガ
ラス構成元素であるP、 As等を、耐久性向上、光学
定数調整、成膜時の安定性、あるいは成膜速度の向上等
のために、微量に含んでいてもよい。
r、 Ti、 Hf、 Sn、 Ta、 In、 B、
Si、 0以外の元素、例えばB、 Siと同様にガ
ラス構成元素であるP、 As等を、耐久性向上、光学
定数調整、成膜時の安定性、あるいは成膜速度の向上等
のために、微量に含んでいてもよい。
本発明で用いる耐擦傷性保護膜1の膜厚は通常100〜
5000Åであることが好ましい。あまり薄すぎると十
分な耐擦傷性が得られず、又、あまり厚すぎると膜の剥
離が生じやすく、又、生産性も悪いからである。
5000Åであることが好ましい。あまり薄すぎると十
分な耐擦傷性が得られず、又、あまり厚すぎると膜の剥
離が生じやすく、又、生産性も悪いからである。
本発明の耐擦傷性保護膜1の製法として、蒸着法、スパ
ッタ法、イオンブレーティング法などの成膜法を用いる
ことができ、特に製法を限るものではない。しかし、ス
パッタ法はこれらのうちでも原料を熔融させることがな
く、膜組成のコントロールや再現性が良好であり、基体
に到達する粒子のエネルギーが高く、密着性の良い膜が
得られるなど、容易に本発明の非晶質膜からなる耐擦傷
性保護膜1を得ることができる。また、膜の基体との密
着性を高める手段としてイオン注入法を併用してもよい
。即ち、ガラス基板上に形成された耐擦傷性保護膜1上
から数10keV程度の高エネルギーのアルゴンイオン
、酸素イオン等を照射して、該耐擦傷性保護膜とガラス
基板との間に混合層を形成することによって、ガラス基
板への密着性を高めることもできる。さらに、耐擦傷性
保護膜1上に薄い有機系の潤滑膜を塗布して、より摩擦
係数を低減することも用途によって有効である。
ッタ法、イオンブレーティング法などの成膜法を用いる
ことができ、特に製法を限るものではない。しかし、ス
パッタ法はこれらのうちでも原料を熔融させることがな
く、膜組成のコントロールや再現性が良好であり、基体
に到達する粒子のエネルギーが高く、密着性の良い膜が
得られるなど、容易に本発明の非晶質膜からなる耐擦傷
性保護膜1を得ることができる。また、膜の基体との密
着性を高める手段としてイオン注入法を併用してもよい
。即ち、ガラス基板上に形成された耐擦傷性保護膜1上
から数10keV程度の高エネルギーのアルゴンイオン
、酸素イオン等を照射して、該耐擦傷性保護膜とガラス
基板との間に混合層を形成することによって、ガラス基
板への密着性を高めることもできる。さらに、耐擦傷性
保護膜1上に薄い有機系の潤滑膜を塗布して、より摩擦
係数を低減することも用途によって有効である。
本発明の原稿載置板において、第2図に示したように、
透明基体2と耐擦傷性保護膜1との間に透明導電性膜4
を形成して、帯電防止機能をもたせて複写後原稿が剥れ
にくくなるのを防止したり、逆に透明導電性膜をバター
ニングして一対の電極とし、電界を形成して薄い原稿を
原稿載置仮に静電吸着して、原稿の位置がずれないよう
にするなどの各種機能を持たせることも可能である。
透明基体2と耐擦傷性保護膜1との間に透明導電性膜4
を形成して、帯電防止機能をもたせて複写後原稿が剥れ
にくくなるのを防止したり、逆に透明導電性膜をバター
ニングして一対の電極とし、電界を形成して薄い原稿を
原稿載置仮に静電吸着して、原稿の位置がずれないよう
にするなどの各種機能を持たせることも可能である。
かかる透明導電性膜4は、目的に応じて原稿載置板全面
に形成してもよいし、パターニングしたり、一部分に形
成してもよい。又、膜厚も目的によるが、帯電防止機能
をもたせたい場合は、シート抵抗で100Ω/口程度以
下となるように調節すればよい。
に形成してもよいし、パターニングしたり、一部分に形
成してもよい。又、膜厚も目的によるが、帯電防止機能
をもたせたい場合は、シート抵抗で100Ω/口程度以
下となるように調節すればよい。
透明導電性膜4の材料としては、特に限定されないが、
錫を含む酸化インジウム、フッ素又はアンチモンを含む
酸化錫、アルミニウム等を含む酸化亜鉛等の金属酸化物
を主成分とするものや、窒化チタン等の金属窒化物を主
成分とするもの等を用いることができる。
錫を含む酸化インジウム、フッ素又はアンチモンを含む
酸化錫、アルミニウム等を含む酸化亜鉛等の金属酸化物
を主成分とするものや、窒化チタン等の金属窒化物を主
成分とするもの等を用いることができる。
第3図に複写機の一例の概略図を示す。20は原稿載置
板である。この上に複写したい原稿を置き、原稿の光学
的の読み取りが行なわれる。
板である。この上に複写したい原稿を置き、原稿の光学
的の読み取りが行なわれる。
[作 用]
保護膜の耐擦傷性を左右する要因として膜の潤滑性、膜
の硬度、膜の基体との密着性が考えられる。本発明にお
いては上記の要因のうち、特に膜の潤滑性を従来の膜に
比べて向上せしめていると考えられる* TiO□やS
nugのような従来の膜においては、X線的には非晶質
であるとされている膜でも、電子顕微鏡によるミクロな
観察によると非常に細かな微結晶の集合であると考えら
れている。この様な報告は例えば、Japanese
Journal of Applied Physic
s 1979年18巻1937ページに掲載されている
。本発明の特徴はジルコニウムの酸化膜にホウ素(B)
やケイ素(Si)を添加することであるが、ホウ素の原
子半径は0.41人、ケイ素の原子半径は0.54人で
、ジルコニウム、酸素のそれぞれ0.98人、1.26
人に比べて小さく、ホウ素又はケイ素は酸化ジルコニウ
ム(ZrO*)の格子の間隔に入りこむと考えられる。
の硬度、膜の基体との密着性が考えられる。本発明にお
いては上記の要因のうち、特に膜の潤滑性を従来の膜に
比べて向上せしめていると考えられる* TiO□やS
nugのような従来の膜においては、X線的には非晶質
であるとされている膜でも、電子顕微鏡によるミクロな
観察によると非常に細かな微結晶の集合であると考えら
れている。この様な報告は例えば、Japanese
Journal of Applied Physic
s 1979年18巻1937ページに掲載されている
。本発明の特徴はジルコニウムの酸化膜にホウ素(B)
やケイ素(Si)を添加することであるが、ホウ素の原
子半径は0.41人、ケイ素の原子半径は0.54人で
、ジルコニウム、酸素のそれぞれ0.98人、1.26
人に比べて小さく、ホウ素又はケイ素は酸化ジルコニウ
ム(ZrO*)の格子の間隔に入りこむと考えられる。
このことは酸化ジルコニウムの格子を破壊し、酸化ジル
コニウムの結晶粒の成長を妨げ、膜をより非晶質に近い
ものとすると考えられる。膜表面の凹凸は微結晶の集合
である膜よりも非晶質の膜の方が少ないと考えられ、そ
の結果、本発明の非晶質膜は摩擦係数を低減されている
ものと考えられる。このため、本発明の非晶質膜は非常
に潤滑性に優れ、引っかかりが少″ないため、摩擦によ
り疵つきに<<、高耐擦傷性能が得られるものと考えら
れる。
コニウムの結晶粒の成長を妨げ、膜をより非晶質に近い
ものとすると考えられる。膜表面の凹凸は微結晶の集合
である膜よりも非晶質の膜の方が少ないと考えられ、そ
の結果、本発明の非晶質膜は摩擦係数を低減されている
ものと考えられる。このため、本発明の非晶質膜は非常
に潤滑性に優れ、引っかかりが少″ないため、摩擦によ
り疵つきに<<、高耐擦傷性能が得られるものと考えら
れる。
[実施例]
本発明の複写機用原稿載置板を厚さ3mmのソーダ石灰
ガラスを用い、以下の方法でDCスパッタ法により作成
した。ターゲットにはホウ素(B)の割合(原子%)が
67%である、ジルコニウム(Zr)とホウ素(B)の
焼結体を用いた。導入ガスは酸素(0,)の流量比が3
0%である酸素(0□)とアルゴン(Ar)の混合ガス
を用い、真空槽内の真空度が3.5mTorrになるよ
うにした。ターゲットにDC電源を接続し、−600V
を印加し、グロー放電を生じさせた。このときの放電電
流密度は20mA/am”であった。このような状態で
シャッターを37.5秒間あけ、厚さ5mmのソーダ石
灰ガラス板上にZrBx(b非晶質膜を成膜した(サン
プル1とする)。
ガラスを用い、以下の方法でDCスパッタ法により作成
した。ターゲットにはホウ素(B)の割合(原子%)が
67%である、ジルコニウム(Zr)とホウ素(B)の
焼結体を用いた。導入ガスは酸素(0,)の流量比が3
0%である酸素(0□)とアルゴン(Ar)の混合ガス
を用い、真空槽内の真空度が3.5mTorrになるよ
うにした。ターゲットにDC電源を接続し、−600V
を印加し、グロー放電を生じさせた。このときの放電電
流密度は20mA/am”であった。このような状態で
シャッターを37.5秒間あけ、厚さ5mmのソーダ石
灰ガラス板上にZrBx(b非晶質膜を成膜した(サン
プル1とする)。
基体に成膜された膜の厚さは500人であり、膜は無色
透明で屈折率は1.8であった。膜におけるホウ素の含
有量をESCAで調べたところ、ジルコニウムに対する
ホウ素の原子比Xは2.0であった。
透明で屈折率は1.8であった。膜におけるホウ素の含
有量をESCAで調べたところ、ジルコニウムに対する
ホウ素の原子比Xは2.0であった。
別に、ターゲットにケイ素(Sl)の割合(原子%)が
67%である、ジルコニウム(Zr)とケイ素(Si)
の焼結体を用いて、上記と同様の条件でスパッタリング
を行い、厚さ3mmのソーダ石灰ガラス板上にZrSx
m0y非晶質膜を形成して原稿載置板を形成した(サン
プル2とす−6)。
67%である、ジルコニウム(Zr)とケイ素(Si)
の焼結体を用いて、上記と同様の条件でスパッタリング
を行い、厚さ3mmのソーダ石灰ガラス板上にZrSx
m0y非晶質膜を形成して原稿載置板を形成した(サン
プル2とす−6)。
膜厚は900人であり、膜は無色透明で屈折率は1.7
であった。膜中のZrに対するSiの原子比Zは2.0
であった。
であった。膜中のZrに対するSiの原子比Zは2.0
であった。
荷重50g、基体の移動速度150mm/分で直径6m
■のステンレス球による動摩擦係数を、従来より使用さ
れている5prayによりコーティングされたTiot
および5nolls ソーダ石灰ガラス表面、本発明に
よるZrBxOy (サンプル1)。
■のステンレス球による動摩擦係数を、従来より使用さ
れている5prayによりコーティングされたTiot
および5nolls ソーダ石灰ガラス表面、本発明に
よるZrBxOy (サンプル1)。
Zr5iaOy(サンプル2)非晶質膜からなる耐擦傷
性保護膜について表面をアセトンにひたした布で拭きと
ってから新京化学社製He1don 14型表面性測定
器を用いて測定したところ、上記5種類のサンプルにつ
いてそれぞれ0.204.0.282゜0.145.0
.142(サンプル1 ) 、 0.138(サンプル
2)という値を得た。このように本発明の耐擦傷性保護
膜は非常に潤滑性に優れており、引っかかりが少ないた
め、摩擦により疵つきにくいと考えられる。実際、荷重
500gをかけ、直径5n+mの砂消しゴムを30mm
のストロークでlO往復させる試験をしたところ、目視
によれば、上記5種類のサンプルのうち本発明によるZ
rB、0□Zr5ixOyからなる耐擦傷性保護膜は疵
の数が最も少なかった。
性保護膜について表面をアセトンにひたした布で拭きと
ってから新京化学社製He1don 14型表面性測定
器を用いて測定したところ、上記5種類のサンプルにつ
いてそれぞれ0.204.0.282゜0.145.0
.142(サンプル1 ) 、 0.138(サンプル
2)という値を得た。このように本発明の耐擦傷性保護
膜は非常に潤滑性に優れており、引っかかりが少ないた
め、摩擦により疵つきにくいと考えられる。実際、荷重
500gをかけ、直径5n+mの砂消しゴムを30mm
のストロークでlO往復させる試験をしたところ、目視
によれば、上記5種類のサンプルのうち本発明によるZ
rB、0□Zr5ixOyからなる耐擦傷性保護膜は疵
の数が最も少なかった。
[発明の効果]
本発明の原稿載置板におけるの耐擦傷性保護膜1は従来
用いられていたTiOx、 SnO□などの保護膜に比
べて潤滑性が向上している。従って、本発明における耐
擦傷性保護膜は十分な耐擦傷性を有しているので、優れ
た原稿載置板を提供できる。
用いられていたTiOx、 SnO□などの保護膜に比
べて潤滑性が向上している。従って、本発明における耐
擦傷性保護膜は十分な耐擦傷性を有しているので、優れ
た原稿載置板を提供できる。
第1図は本発明の複写機の原稿載置板の一例の断面図で
ある。1は耐擦傷性保護膜、2は透明基体、3は原稿載
置板である。第2図は本発明の原稿載置板の他の一例の
断面図である。 第3図は本発明の原稿載置板を有する複写機の一例の概
略斜視図である。 4:透明導電性膜、 lO:複写機本体、12.14
:給紙カセット、16:コピートレイ、18:スイッ
チボタンボード
ある。1は耐擦傷性保護膜、2は透明基体、3は原稿載
置板である。第2図は本発明の原稿載置板の他の一例の
断面図である。 第3図は本発明の原稿載置板を有する複写機の一例の概
略斜視図である。 4:透明導電性膜、 lO:複写機本体、12.14
:給紙カセット、16:コピートレイ、18:スイッ
チボタンボード
Claims (6)
- (1)透明基体の少なくとも原稿を載置する面の空気側
最外層として、Zr、Ti、Hf、Sn、Ta、Inの
うち少なくとも1種と、B(ホウ素)とSi(ケイ素)
のうち少なくとも1種とを含む酸化物を主成分とする非
晶質酸化物膜からなる耐擦傷性保護膜が形成されてなる
ことを特徴とする複写機の原稿載置板。 - (2)透明基体の少なくとも原稿を載置する面の空気側
最外層として、Zr、Ti、Hf、Sn、Ta、Inの
うち少なくとも1種と、B(ホウ素)とSi(ケイ素)
のうち少なくとも1種とを含む酸化物を主成分とする非
晶質酸化物膜からなる耐擦傷性保護膜が形成されてなる
原稿載置板を有する複写機。 - (3)耐擦傷性保護膜が、Zr(ジルコニウム)とB(
ホウ素)を含む酸化物(ZrB_xO_y)を主成分と
し、膜中のホウ素のジルコニウムに対する原子比xが、
0.10<x≦3であり、酸素のジルコニウムに対する
原子比yが2<y≦6.5である非晶質酸化物膜である
ことを特徴とする請求項1記載の複写機の原稿載置板又
は 請求項2記載の複写機。 - (4)耐擦傷性保護膜が、Zr(ジルコニウム)とSi
(ケイ素)とを含む酸化物(ZrSi_zO_y)を主
成分とし、SiのZrに対する原子比zが0.05≦z
≦19であり、OのZrに対する原子比yが2.1≦y
<40である非晶質酸化物膜であることを特徴とする請
求項1記載の複写機の原稿載置板又は請求項2記載の複
写機。 - (5)耐擦傷性保護膜が、Zr(ジルコニウム)とB(
ホウ素)とSi(ケイ素)とを含む酸化物(ZrB_x
Si_zO_y)を主成分とし、膜中のホウ素のジルコ
ニウムに対する原子比をx、Siのジルコニウムに対す
る原子比をz、酸素のZrに対する原子比をyとすると
、0.05≦x+z≦19(ただしx+z−3>0かつ
x−3z+1>0の組成は除く)であり、2<y<40
である非晶質酸化物膜であることを特徴とする請求項1
記載の複写機の原稿載置板又は請求項2記載の複写機。 - (6)透明基体と耐擦傷性保護膜との間に透明導電性膜
が形成されてなることを特徴とする 請求項1〜5いずれか1項記載の複写機の原稿載置板又
は複写機。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26416388 | 1988-10-21 | ||
JP63-264163 | 1988-10-21 | ||
JP5300989 | 1989-03-07 | ||
JP1-53009 | 1989-03-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0373941A true JPH0373941A (ja) | 1991-03-28 |
JP2814602B2 JP2814602B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=26393701
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22448189A Expired - Fee Related JP2814602B2 (ja) | 1988-10-21 | 1989-09-01 | 複写機の原稿載置板及び複写機 |
JP1224483A Expired - Lifetime JP2676938B2 (ja) | 1988-10-21 | 1989-09-01 | バーコード読取部の保護板及びバーコードリーダー |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1224483A Expired - Lifetime JP2676938B2 (ja) | 1988-10-21 | 1989-09-01 | バーコード読取部の保護板及びバーコードリーダー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2814602B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015536892A (ja) * | 2012-10-03 | 2015-12-24 | コーニング インコーポレイテッド | ガラス表面を保護するための物理蒸着層 |
-
1989
- 1989-09-01 JP JP22448189A patent/JP2814602B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-01 JP JP1224483A patent/JP2676938B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015536892A (ja) * | 2012-10-03 | 2015-12-24 | コーニング インコーポレイテッド | ガラス表面を保護するための物理蒸着層 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0373088A (ja) | 1991-03-28 |
JP2814602B2 (ja) | 1998-10-27 |
JP2676938B2 (ja) | 1997-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6352755B1 (en) | Alkali metal diffusion barrier layer | |
US5830252A (en) | Alkali metal diffusion barrier layer | |
US7883776B2 (en) | Protective layers for optical coatings | |
JP5603321B2 (ja) | フィルム被覆板ガラス | |
US6833194B1 (en) | Protective layers for sputter coated article | |
JPH0818849B2 (ja) | 熱線遮蔽ガラス | |
WO2000076930A1 (en) | Protective layers for sputter coated article | |
JP2720919B2 (ja) | ターゲット | |
AU675193B2 (en) | Alkali metal diffusion barrier layer | |
JPH0373941A (ja) | 複写機の原稿載置板及び複写機 | |
JP3200637B2 (ja) | 熱線遮蔽ガラス | |
JP2601546B2 (ja) | 耐擦傷性保護膜付ガラス基体の製造方法 | |
JP2576637B2 (ja) | 熱線反射ガラス | |
JPH03162943A (ja) | 反射防止膜付レンズ | |
JPH0491555A (ja) | 密着型イメージセンサーユニット | |
JP3028576B2 (ja) | 熱線遮蔽ガラス | |
JPH0373335A (ja) | 透明導電ガラス | |
JPH04245851A (ja) | イメージセンサユニット | |
JP3057785B2 (ja) | 熱線遮蔽ガラス | |
JP3373298B2 (ja) | 機能性物品とその製造方法 | |
JPH03218820A (ja) | 導電性ガラス | |
JPH0375243A (ja) | 耐擦傷性保護膜付ガラス | |
JPH05301743A (ja) | 硬質カーボン膜付きガラスおよび熱線反射ガラス | |
MXPA01002712A (en) | Alkali metal diffusion barrier layer | |
MXPA97000751A (en) | Alcali metal diffusion barrier layer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |