JPH0373335A - 透明導電ガラス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、透明導電ガラスに関するもので、特に耐久性
に優れた透明導電ガラスに関する６のである。

［従来の技術］ ガラスなどの透明基体上に導電性の膜を形成したものは
、液晶表示素子の基板、冷凍ショーケースの防曇ガラス
、　ＣＲＴのフェースプレートなどの帯電防止ガラス（
ホコリが付きにくくするため）、タッチパネルガラスな
どに用いられている。その他、最近では電磁シールドガ
ラスとしての用途も出てきた。これらにはＩＴＯ（錫を
含んだ酸化インジウム）、導電性ＳｎＯ，などが通常使
われている。ＩＴＯは通常真空蒸着法又はスパッタリン
グ法で、Ｓｎｏｗはスプレー法などで成膜される。

［発明の解決しようとする課題］ ＩＴＯは、比抵抗的には最も優れた材料の一つであるが
、一般的に酸に対して溶解し、これがバターニングのと
きには利点となるが、耐久性的には劣る。一方、抵抗値
的に有利なメタル膜はその性質上、可視光線の吸収が強
く、高い透過率を得るためにはかなり薄い膜にしなけれ
ばならない、このような膜は、経時的に安定でなく酸化
により抵抗値が上昇したり、光学的特性が変化してしま
う。更に一般に酸に対しての耐久性も充分でない。

酸化錫にフッ素、アンチモンなどをドープした導電性酸
化錫は、一般にスプレー法などで成膜される。この膜は
耐久性的には前述のものより優・れているが、スプレー
法は原料の熱分解のために通常４００℃以上の基体加熱
を必要とし、また膜厚分布の均一性や低抵抗化が難しい
という問題点がある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、ガラス基板上に、透明導電膜、その上に保護膜を順
次積層した透明導電ガラスであって、該保護膜がＣｒ、
　Ｔｉ、　Ｚｒ、　Ｔａのうち少なくとも１種とＢとを
含む酸化膜、又はＴｉ、Ｚｒ、Ｔａのうち少なくとも１
種とＢとを含む窒化膜であることを特徴とする透明導電
ガラスを提供するものである。

第１図は、本発明の実施例を示す１例の断面図である。

　１１はガラス基板、１３はＩＴＯ，５ｎＯｚ。

ＺｎＯなどからなる透明導電膜、１５は保護膜である。

ガラス基板１１としては、フロートガラス、熱線吸収ガ
ラス等が用いられ、特に限定されない、又、合せガラス
、強化ガラス等も使用できる。

保護膜１５は透明導電膜１３を保護するものであり、緻
密で、硬く、かつ耐久性の高いものが要求されるが、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａのうち少なくとも１種とＢとを含
む酸化膜、又は丁ｘ＋Ｚｒ＋Ｔａのうち少なくとも１種
とＢとを含む窒化膜が、極めて硬く、緻密で、耐久性も
高いので、本発明における保護膜１５として好適である
０本発明は、かかる高耐久性の膜を透明導電膜の保護膜
として用いることを特徴としている。

これらは、例えば酸素、窒素等の存在下に、ボロン合金
を反応性スパッタリングあるいはイオンブレーティング
し、酸化膜又は窒化膜とすることにより形成してもよい
、又、蒸着法、イオンブレーティングの場合は、蒸発源
として混合酸化物あるいは混合窒化物をベレット化した
ものなどを用いれば良い、ボロン（Ｂ）合金におけるＣ
ｒ、　Ｔｉ、　Ｚｒ、　Ｔａ等の金属とＢとの比は特に
制限がないが、窒化膜とする場合にはＣｒ、Ｔｉ、Ｚｒ
。

Ｔａ等の合計二Ｂが原子比で５０：５０以下、特に７０
：３０以下の割合でＢが含まれていることが好ましい。

これ以上Ｂの割合が多いと、金属窒化物の格子がひずん
でかえって不安定となり、耐酸性や耐擦傷性が低下する
。又、下限としては。

９５：５以上、特に９０：１０以上Ｂが含有されるのが
好ましい、これ以下だと金属窒化物に対する優位性、Ｂ
の耐久性に対する効果が認められなくなる。

酸化膜とした場合の保護膜１５の組成は、特に制限はな
いが、膜が非晶質化して耐擦傷性が向上するために膜中
において、Ｚｒ０ｔ、ＴｉＯ，Ｔａ１Ｏｓ。

ｃｒａｍ、　Ｃｒ＊Ｏｓから選ばれた酸化物の合計１０
０部に対してＢｔｕｓがモル比で５部以上、好ましくは
１０部以上、特に２０部以上あるのが良い、しかしなが
ら、膜の屈折率はＢ、０．の含有量が増加するにつれ低
下するので、光学的に必要な屈折率を基にして硼素の含
有量を選択すれば良い。また、Ｂの含有量があまり多い
と耐久性が低下するのでＺｒＯｘ＋　ＴｉＯｘ、　Ｃｒ
Ｏ２，ＣｒＪｓから選ばれた酸化物の合計１００部に対
して８．０！がモル比で５００部以下、好ましくは３０
０部以下、特に１００部以下が良い。

表２は、本発明の保護膜１５に最適な膜のうち、ｚｒＢ
、０ｙｌｌｌを例として、その性質を示したものである
。それぞれ表に挙げた組成のターゲットを用いて、反応
性スパッタリングにより製膜したちのである。結晶性は
、薄膜Ｘ線回折により観測した。又、耐擦傷性は、砂消
しゴムによる擦り試験の結果で、○は傷が殆どつかなか
ったもの、×は容易に傷が生じたものである。

耐摩耗性は、テーパー試験（摩耗輪Ｃ５−１０Ｆ、加重
５００　ｇ、　１０００回転）の結果、ヘイズ４％以内
のものを○、ヘイズ４％超のものを×とした。耐酸性は
０．１Ｎ　　Ｈ２ＳＯ４中に２４０時間浸漬した結果、
Ｔｖ　（可視光透過率）、ＲＶ（可視光反射率）の浸漬
前に対する変化率が１％以内のものを○、１〜４％のも
のをΔ、膜が溶解して消滅してしまったものを×とした
。耐アルカリ性は０．１Ｎ　Ｎａ０）１中に２４０時間
浸漬した結果、ＴＶ、Ｒｖの浸漬前に対する変化率が１
％以内のちのを○、膜が溶解してしまったものを×とし
た。煮沸テストは、１気圧下、１００℃の水に２時間浸
漬した後、ＴＶ、ＲＶの浸漬前に対する変化率が１％以
内であるとき○、１％超のとき×とした。

ＺｒＢ工０．膜に関しては、表２から明らかなように、
膜中のＢが少ないと結晶性の膜ができ、Ｂが多いと非晶
質の膜ができる傾向があることがわかる。そして、結晶
性の膜は耐擦傷性及び耐摩耗性が劣るのに対して非晶質
の膜は優れていることがわかる。これは非晶質の膜は、
表面が平滑である為であると考えられる。従って、Ｚｒ
Ｂオ０．膜（膜中のＺｒに対するＢの原子比Ｘが０、１
０＜　ｘ　）の膜は耐擦傷性、耐摩耗性に優れている。

Ｂ、０．膜は吸湿性で空気中の水分を吸収して溶けてし
まうので、ＺｒＢｘＯｙ膜においてＸ≦３程度が好まし
い。

ＺｒＢｘＯ，膜中のＺｒに対するＯ（酸素）の原子比は
特に限定されないが、多すぎると膜構造が粗になりボソ
ボソの膜になってしまうこと、又、あまり少ないと膜が
金属的になり透過率が低下したり膜の耐擦傷性が低下す
る傾向があることなどの理由によりＺｒＯｘと８２０．
の複合系となる量程度であることが好ましい。即ち、複
合酸化物をＺｒＯｘ＋　Ｘ　ＢＯ＋、　ｓと表すと、Ｂ
がＺｒに対して原子比でＸ含まれる時に、ｙ＝２＋１．
５ｘ程度であることが好ましい。

又、表２より、ＺｒＢｘＯｙ膜中のＢの量が増えるにつ
れ、膜の屈折率が低下する傾向があることがわかる。腹
の組成と屈折率ｎとの関係を第３図に示す、膜中のＢを
増やすことにより、屈折率ｎは２．０ぐらいから１．５
程度まで低下する。

従って０．１０＜ｘ≦３．２＜ｙ５６．５のＺｒＢｘＯ
ｙ膜は良好な耐擦傷性及び耐摩耗性を有し、かつ、Ｂの
量によって由由に屈折率を選択できる本発明の目的に好
適な非晶質酸化物膜である。

さらに、表２に示したように、膜中のＢの含有量が増え
るにつれ、耐酸性、耐アルカリ性が劣化する傾向がある
。ｘｋ２．３で耐酸性が悪くなり、ｘ＞４で耐アルカリ
性の低下及び煮沸テストで劣化を示すようになる。従っ
て、空気中で露出した状態で使用される用途には、Ｚｒ
ＢｘＯｙ（ｘ〈２゜３）の非晶質酸化物膜が好ましい。

以上のように、ＺｒＯ□膜に酸化硼素Ｂ２Ｏ３を加えた
ことにより、膜が非晶質化し、表面が平滑化し、これが
耐摩耗性及び耐擦傷性の向上に寄与していると考えられ
る。又、Ｂの量で屈折率の調節が可能となり、さらに、
ＺｒＬ膜と比べて、内部応力が小さいため、接する膜と
の密着性の点で有利である。これは特に厚い膜を形成す
る場合に有利である。

Ｚｒ以外の金属、即ち、Ｔｉ、Ｔａ、（：ｒと、Ｂとを
含む酸化物も同様に非晶質となり、十分な耐擦傷性、及
び耐摩耗性が得られる。

以上のように、本発明の保護膜においては、必要な屈折
率を有するように、Ｂの添加量を調節すれば良い。

保護膜１５の膜厚としてはあまり薄いと保護膜としての
性能が十分でなくなるので、少なくとも３０Å以上、好
ましくは１００Å以上、特に１５０Å以上が良い、厚い
方は特に制限はないが、あまり厚すぎると膜剥離も生じ
やすくなるため、４００Å以下が好ましい、保護膜の屈
折率、及びこの干渉による外観変化、可視光線透過率、
生産性等を考慮して決めれば良い。

ＩＴＯをはじめとして透明導電膜は比較的耐薬品性に乏
しく、露出した状態で使用する場合には、耐アルカリ性
に比べて特に耐酸性に問題が生じやすいが、上記保護膜
は実用上十分な耐薬品性を付与することができる。又、
上記保護膜は、赤外域の光を反射し、熱線反射膜として
の役割を果たすことも出来る。

透明導電膜１３は酸化錫を含んだ酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）、フッ素、アンチモンなどをドープした酸化錫、ア
ルミニウムやフッ素をドープした酸化亜鉛、Ｃｄ＊５ｎ
０４など透明導電性があるものであれば構わない。膜厚
は用途に応じて、また用いる導電膜の比抵抗を考慮して
選べば良い。たとえば帯電防止には数十にΩ／口から数
百にΩ／口程度のシート抵抗の膜を、電磁波シールドに
は数Ω／口程度のシート抵抗の膜を用いる。

膜厚が厚ければ表面抵抗が小さくなり帯電防止や電磁波
シールド性能は向上するが、あまり厚すぎると膜はがれ
や膜の着色が起こってしまう恐れがあるので、　２００
００Å以下が好ましい。

透明導電膜の形成法も特に限定はなく真空蒸着法、イオ
ンブレーティング法、スパッタリング法、ＣＶＤ法いず
れでも良いことはいうまでもないことである。透明導電
膜と基体との密着力は、特に透明導電膜の膜厚が厚い場
合は問題になるが、このときは透明導電膜１３と基体１
との間に接着力向上のためにクロム等の薄膜を下地膜と
して形成するのは好ましい、また、透明導電膜１３と保
護膜１５との間に接着性向上のための薄膜を介在させて
もよい。

第２図は、本発明の他の構成例を示す断面図であり、基
板１１上に、下地膜１７、透明導電膜１３および保護膜
１５が順次積層されている。

下地膜１７は、ガラス基板１１との密着性を高めるため
に用いられるものであるが、吸収膜を用いて透過率を制
御したり、干渉効果を利用して色調を調整したり、ある
いは熱線反射特性を持たすこともできる。

下地膜１７としては、Ｃｒ、　Ｔｉ、　Ｚｒ、　Ｔａ、
　Ｓｎのうち少なくとも１種からなる金属膜；その酸化
膜又はその窒化膜；　Ｃｒ、　Ｔｉ、　Ｚｒ、　Ｔａ、
　Ｓｎのうち少なくとも１種とＢとの合金膜；　Ｃｒ、
　Ｔｉ、　Ｚｒ、　Ｔａ、　Ｓｎのうち少なくとも１種
とＢを含む酸化膜；　Ｃｒ　＊　Ｔｌ　＋　Ｚｒ　＋　
Ｔａ　＊Ｓｎのうち少なくとも１種とＢを含む窒化膜等
が好適な例として挙げられる。

かかる下地膜１７の膜厚としては、透過率を制御する目
的で、金属膜、合金膜、窒化膜を用いる場合にはＩＯ〜
３００λ程度が好適である。干渉を利用して色調を調整
する目的で、酸化膜を用いる場合には、該下地膜の上に
形成される透明導電膜や保護膜の屈折率や膜厚にも依る
が、２０〜１００００人程度が好適である。

各層の膜厚を制御することにより、種々の特性を調整す
ることができる１例えば、可視光透過率４０％、ＩＴＯ
膜表面抵抗４Ω／口の場合を例にとると、下地膜１７と
して２０人±５％のＣｒ層を形成し、透明導電膜として
８０００人±５％のＩＴＯ層を形威し、保護膜として２
００ű５％のＺｒＢＮ、層を形成すればよい。このよ
うに、実測した屈折率を元に各層の膜厚を選定すること
により、可視光の透過率、ガラス側（膜形成面の反対側
）の反射特性などを自由に変えることができる。

さらに、第１図および第２図には、透明導電膜１３が単
層の場合を示したが、透明導電膜を他の膜ヒ交互に積層
して、光の干渉効果を利用して光学的特性、色調等を調
整してデザイン性を持たせることも可能である。第４図
には透明導電膜１３を３層、他の膜１９を２層形成した
例の断面図が示されている。他の膜１９としては、特に
限定されるものではなく　、　ＴｉＯ２，Ｚｒ０ｉ、Ｓ
ｉＯ。

５ｎＯｉ等の誘電体膜、金属膜等を使用できる。膜の屈
折率等の光学特性により、適宜の材料を選択すれば良い
、又、下地膜１７や保護膜１５と同様の膜を用いること
もできる０例えばガラス／Ｃｒ７１丁０　／　Ｃｒ／　
ＩＴＯ／　ＺｒＢ、Ｎ、　（保護膜）や、ガラス／Ｚｒ
Ｂ、（下地膜）／ＩＩＯ２／　ＺｒＢ−Ｏｙ／　Ｉ丁０
／ＺｒＢｍＯｙ　（保護膜）のようにすることもできる
。

又、第４図には、下地膜１７の上に、透明導電膜１３と
他の膜１９を交互に積層した構成を示したが、下地膜を
介さずに、透明導電膜１３と他の膜１９を積層し、最外
層に保護膜１５を形成して、本発明の透明導電ガラスを
構成することもできる０例えば、ガラス／　ＩＴＯ／　
ＺｒＢ、Ｎ、／　ＩＴＯ／ＺｒＢ工０．のようにするこ
とらできる。

他の膜１９としてのＺｒＢｘＯｙ膜に関しては、Ｂの含
有割合が多い程屈折率が低下する傾向にあり、Ｏ（酸素
）の含有割合が少なすぎると膜が金属的になり透過率が
低下するという傾向があるため、これらの点を考慮し、
保護膜としてのＺｒＢｍＯｙ膜について上述したのと同
様に、目的に応じて光学特性等を基にして適宜Ｂの含有
量を選択すれば良い。

また、膜１９の膜厚については、所望の光学的特性に合
わせて適宜選択すればよい。

このように、透明導電膜と他の膜を交互に積層する場合
には、複数の透明導電膜の合計膜厚による抵抗値が目的
に合うようにすればよい。

以上のように、透明導電膜と他の膜を交互に積層する場
合、空気側最外層には保護膜１５を形成する。

以上、本発明の透明導電ガラスを説明したが、保護膜１
５、透明導電膜１３、下地膜１７、他の膜１９の成膜方
法としては、真空蒸着法、ＤＣ。

ＲＦスパッタ法、イオンブレーティング法等のいずれも
が採用できるが、特に、スパッタ法は組成変動が少なく
、又、大面積にわたり均一な膜を形成できるので、透明
導電膜１３．保護膜１５、下地１Ｉｌ１７、膜１９とし
てのＺｒＢＪｙ膜等の成膜法として好ましい。

［作　用］ 本発明の特徴は、基体の最外層に耐久性の優れた保護膜
を形成することに特徴がある。ＴｉＯｘ、　Ｚｒ０ｇな
どは化学的に安定な材料であるが、結晶性の腹になりや
すく、表面が凸凹になり耐擦傷性が十分でない、また結
晶粒界ができるため粒界から水分、酸、アルカリが浸透
し下側にある導電膜が溶解することらある。そこでガラ
ス構成元素であるＢを混合して複合酸化膜とすることに
より膜を非晶質化し表面の平滑性を良（し、耐擦傷性能
を向上させる。更に結晶粒界が消失することにより、酸
、アルカリなどに対する耐久性も向上する。

複合窒化膜については、金属窒化物の格子中にＢが入り
こんで、密度が高く、緻密な構造になっており、このた
め、耐擦傷性や、耐酸性等の化学的耐久性も高くなって
いると考えられる。又、窒化物は可視光線の一部を吸収
するため、膜厚を調整することにより、本発明の透明導
電ガラス全体の可視光線透過率を制御できる。

【効　果］ 本発明によれば、ガラス基板上に形成したＩＴＯ等の導
電膜の上に、保護膜としてＣｒ、Ｔｉ。

Ｚｒ、ＴａとＢを含む酸化膜あるいはＴｉ、Ｚｒ、Ｔａ
とＢを含む窒化膜を用いることにより、酸、アルカリ、
水、紫外線に対して安定な耐候性に優れた透明導電ガラ
スを提供できるのみでなく、耐擦傷性等の物理的耐久性
にも優れたものが提供できる。よって、液晶表示素子や
ＣＲＴ等のデイスプレーのパネルや冷凍ショーケース用
防曇ガラス、帯電防止ガラス、電磁シールドガラス等の
用途に好適な透明導電ガラスを提供できる。

又、Ｂ、Ｎの含有量を変え、屈折率や吸収率等が調節で
きるので光学設計をして外観的にもある程度の希望の透
過率、反射率、色調を得ることが可能である。このこと
は複写機の天板ガラスの帯電防止などでは透過率アップ
のため重要である。また液晶表示素子などの電極パター
ン見え防止にも応用できる。この時同時に異物などによ
る上下電極間の短絡防止（クロストーク防止）も達成で
きる。

又、透明導電膜の電磁波遮蔽能を利用した場合には、単
板での電磁遮蔽ガラスを実現できる。この単板電磁遮蔽
ガラスは、従来の金属メツシュを挾み込んだ複層ガラス
と比較して非常に低価格であり、目障りな埋め込み物も
ない。

施工に際しても、サツシまわりの間隔を大きく変更する
ことなしに取付けが可能となる。又、保護膜や下地膜に
熱線反射機能をもたせて多機能化を実現でき、実用上極
めて有利である。さらに、保護膜や下地膜に光の干渉効
果をもたせたり、透明導電膜と他の膜を交互に積層した
りして、デザイン性を付与することもできる。

又、金属膜、窒化膜等の光吸収性の下地膜を形成した場
合には、膜厚をコントロールすることにより、可視光透
過率を目的に応じて任意に変化させることができる。こ
の電磁波遮蔽ガラスは、建築用のみでなく、自動車用、
航空機用などに対しても応用できる。

［実施例］ 洗浄乾燥したフロートガラス板を、スパッタターゲット
と蒸着源が並設されたチャンバーに入れて高真空とした
のち、Ａｒガスを導入して２Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒとし
、ターゲット電圧０．５ＫＶでＤＣスパッタを行ない、
下地層として２０スのＣｒ層を形成した１次に基板を蒸
着チャンバーに移し、０□ガスを導入して７　Ｘ　１０
−’Ｔｏｒｒとし、ルツボ内のＩＴＯ膜ペレットを蒸発
させ、透明導電膜として８０００人のＩＴＯ膜を形成し
た。なお、このＩＴＯ膜の表面抵抗は４Ω／口であった
。

次に、更にスパッタチャンバーに移し、ＣｒＢの合金タ
ーゲット［Ｃｒ：　Ｂ＝９　：　ｌ　（原子比）１を用
いて、０．とＡｒの混合ガスで２　Ｘ　１０−”Ｔｏｒ
ｒに雰囲気を調整し、ターゲット電圧２ＫＶの条件でＤ
Ｃスパッタし、保護膜として２００大のＣｒＢｘＯｙ層
（ｘ　＝　ｏ、ｚ、　ｙ　＝　ｏ、ｓ）を形成して、透
明導電ガラス（サンプルＡ）を得た。

次に、サンプルＡと同様にして、下地膜、透明導電膜を
形成した後、ＺｒＢｘＯｙ膜（ｘ＝０．３、ｙ＝ｏ、ｓ
、膜厚２００人）を形成し、サンプルＢとした。

次に、サンプルＡと同様にして、下地膜、透明導電膜を
形成した後、ＴｉＢｘＯｙ膜（ｘ＝０．２、ｙ＝０．６
、膜厚２００人）を形成し、サンプルＣとした。

次に、サンプルＡと同様にして、下地膜、透明導電膜を
形成した後、７ａ　Ｂ　ｘ　Ｏｙ膜（ｘ＝０．１、ｙ＝
ｏ、ｇ、膜厚２００人）を形成し、サンプルＤとした。

次に、サンプルＡと同様にして、下地膜、透明導電膜を
形成した後、ＺｒＢｘＮｙ膜（ｘ＝０．３、ｙ＝ｏ、７
、膜厚２００人〉を形成し、サンプルＥとした。

次に、サンプルＡと同様にして、下地膜、透明導電膜を
形成した後、ＴｉＢｘＮｙ膜（ｘ＝０．２１、ｙ＝０．
７、膜厚２００人）を形成し、サンプルＦとした。

次に、サンプルＡと同様にして１．下地膜、透明導電膜
を形成した後、ｒａｓｘＮｙ膜（ｘ＝０．１、ｙ＝０．
７、膜厚２００人）を形成し、サンプルＧとした。

次に比較例として、サンプルＡと同様にして、下地膜、
透明導電膜を形成した後、Ｓｎ０ｗ膜（２００人）を形
成し、サンプルＨとした。

次に、比較例として、サンプルＡと同様にして、下地膜
、透明導電膜を形成した後、Ｔｉ０ｚ膜（２００λ）を
形成し、サンプルＩとした。

又、サンプルＡと同様にして下地膜、透明導電膜を形成
しただけのものをサンプルＪとした。

これらサンプルＡ〜Ｊについて、以下の通り耐酸テスト
を行ない、その結果を表−１に示す。

サンプルＨ〜Ｊに比べ、本発明の実施例のサンプルＡ−
Ｇでは非常に耐薬品性が向上していることが判かる。

耐酸テスト １規定塩酸中に、２５℃で、各供試保護膜付き透明導電
ガラスを入れ、経過時間毎に膜の状態を観察し、以下の
基準で耐酸性を評価した。

○：変化なし　　×：膜の表面が荒れる表− ：耐酸テスト結果 別に、サンプルＡ−Ｊについて耐アルカリ性試験（１規
定水酸化ナトリウムの常温溶液に６時間浸漬）を行なっ
たが、外観変化はほとんど認められなかった。

又、別にサンプルＡ〜Ｊについて耐湿性試験（５０℃×
９８％ＲＨ雰囲気に７日放置）を行なったが、どれも外
観変化は認められなかった。

さらに、サンプルＡ〜Ｊについて、耐擦傷性試験（テー
パー試験：摩耗ホイール：　Ｃ５−１０Ｆ荷重：　　５
００ｇ、３００回転）を行なったところ、試験前後の△
Ｔｖはいずれも５％以下であり、優れた耐久性を示した
。

また、実施例の透明導電ガラス（サンプルＡ）は、周波
数Ｉ　Ｇ）＋ｚの電磁波に関して試験したところ、シー
ルド性能は約３５ｄＢ程度で、良好な１！磁波遮蔽性能
を示した。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、および第４図は本発明の構成例の層構
成を示す断面図である。 第３図は、ＺｒＢｘＯｙ膜中のＢの含有量と膜の屈折率
ｎとの関係を示した図である。 １１・・・ガラス基板　　　１３・・・透明導電膜１５
・・・保護膜　　１７・・・下地膜１９・・・酸化錫膜
やＺｒＢｍＯｙ膜等第２ 第４

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）ガラス基板上に、透明導電膜、その上に保護膜を
   順次積層した透明導電ガラスであっ て、該保護膜がＣｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａのうち少なくと
   も１種とＢとを含む酸化膜、又はＴｉ、Ｚｒ、Ｔａのう
   ち少なくとも１種とＢとを含む窒化膜であることを特徴
   とする透明導電ガラス。
2. （２）ガラス基板上に、下地膜として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚ
   ｒ、Ｔａ、Ｓｎのうち少なくとも１種からなる金属膜、
   又はその酸化膜又はその窒化膜、あるいは、Ｃｒ、Ｔｉ
   、Ｚｒ、Ｔａ、Ｓｎのうち少なくとも１種とＢとの合金
   膜、又は、上記金属のうち少なくとも１種とＢを含む酸
   化膜、又は、上記金属のうち少なくとも１種とＢを含む
   窒化膜を形成し、該下地膜上に透明導電膜を形成し、そ
   の上に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａのうち少なくとも１種
   とＢとを含む酸化膜、又はＴｉ、Ｚｒ、Ｔａのうち少な
   くとも１種とＢとを含む窒化膜を保護膜として形成した
   ことを特徴とする透明導電ガラス。
3. （３）透明導電膜を、透明導電膜と、金属あるいは誘電
   体からなる他の膜を交互に積層した複数層により形成し
   たことを特徴とする請求項１又は２記載の透明導電ガラ
   ス。
4. （４）透明導電膜が、錫を含む酸化インジウム、フッ素
   又はアルミニウムを含む酸化錫、あるいは、フッ素又は
   アルミニウムを含む酸化亜鉛のうち１種を主成分とする
   膜であることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記
   載の透明導電ガラス。