JPH0371142A - 電子写真用感光体 - Google Patents

電子写真用感光体

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JPH0371142A
JPH0371142A JP20759289A JP20759289A JPH0371142A JP H0371142 A JPH0371142 A JP H0371142A JP 20759289 A JP20759289 A JP 20759289A JP 20759289 A JP20759289 A JP 20759289A JP H0371142 A JPH0371142 A JP H0371142A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は電子写真感光体に関するものである。
詳しくは、非常に耐久性に優れた電子写真感光体に関す
るものである。
[従来の技術] 電子写真技術は、即時性;高品質の画像が得られること
などから、近年では複写機の分野にとどまらず、各種プ
リンターの分野でも広く使われ応用されてきている。電
子写真技術の中核となる感光体については、その光導電
材料として従来からのセレン、ヒ素−セレン合金、硫化
カドミウム、酸化亜鉛といった無機系の光導電体から、
最近では、無公害で底膜が容易、製造が容易である等の
利点を有する有機系の光導電材料を使用した感光体が開
発されている。
有機感光体の中でも電荷発生層、及び電荷移動層を積層
した、いわゆる積層型感光体が考案され、研究の主流と
なっている。
積層型感光体は、それぞれ効率の高い電荷発生物質、及
び電荷移動物質を組合せることにより高感度な感光体が
得られること、材料の選択範囲が広く安全性の高い感光
体が得られること、また塗布の生産性が高く比較的コス
ト面でも有利なことから、感光体の主流になる可能性も
高く種々検討されている。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、従来実用化されている積層型感光体は、
繰返し使用した場合電気特性的には帯電電位の低下、残
留電位の蓄積、感度の変動等が有り必ずしも寿命に関し
ては十分であるとは言えない。特に有機感光体において
は残留電位の蓄積がしばしば問題となり、有機感光体の
高耐刷化を妨げる大きな要因の一つとなっている。残留
電位が蓄積する原因はいくつか考えられるが、最も影響
を及ぼすと考えられるのは電荷移動層中に存在する不純
物によるものである。すなわちこの様な不純物がトラッ
プとなりキャリアーを捕捉し、動けない空間電荷を形成
することにより残留電位になると考えられる。ここで電
荷移動層の膜厚を厚くすることはブレードクリーニング
等の摩耗による膜減りの電気特性に及ぼす影響を少なく
したり、感度を向上させる等いくつかの点において有利
になるが、反面電荷移動層中の不純物量が増加し繰返し
使用における残留電位の蓄積は極めて大きくなる。この
様な電荷移動層中のトラップに起因すると考えられる残
留電位を抑制する手段の一つとして、電子吸引性化合物
を電荷移動層に添加することが試みられている。
一般に電子供与性化合物に対し電子吸引性化合物を添加
すると、電荷移動錯体を形威しその新たな吸収が長波長
側に出現する。そこで電荷移動錯体の吸収帯に相当する
光を照射すると電荷移動層中にわずかではあるが移動可
能なキャリアー(正孔−電子)が生威し、このキャリア
ーが結果的に動けない空間電荷を中和し、残留電位を抑
制すると考えられている。しかしながらこれまで知られ
ている電子吸引性化合物は、残留電位の抑制が十分でな
かったり、暗減衰の増加、繰返し使用による表面電位の
低下、感度の低下といった弊害を伴うものが多いのが現
状である。
[課題を解決するための手段] そこで本発明者らは、残留電位の抑制効果が十分有り、
他の電気特性に対してはほとんど影響を及ぼさない電子
吸引性化合物について鋭意検討した結果、特定のシアノ
ビニル化合物が非常に優れた性能を示すことを見出し本
発明に到達した。
すなわち本発明の要旨は、導電性基体上に少なくとも電
荷発生層及び電荷移動層を有する電子写真感光体におい
て、該電荷移動層が下記一般式(1)で示されるシアノ
ビニル化合物を含有することを特徴とする電子写真感光
体にある。
1 (式中、R1及びR2は、それぞれ水素原子又はハロゲ
ン原子を表わし、Xは置換されていてもよいアリール基
又は置換されていてもよいアリールオキシ基を表わし、
Yはシアノ基、アルコキシカルボニル基、置換されてい
てもよいアリールオキシカルボニル基又は置換されてい
てもよいアリール基を表わす。) 以下本発明の詳細な説明する。
本発明の感光体は導電性支持体上に設けられる。
導電性支持体としては、アルミニウム、ステンレス鋼、
銅、ニッケル等の金属材料;表面にアルミニウム、銅、
パラジウム、酸化すず、酸化インジウム等の導電性層を
設けたポリエステルフィルム、紙等の絶縁性支持体が使
用される。
導電性支持体と電荷発生層の間には通常使用されるよう
な公知のバリアー層が設けられていてもよい。
バリアー層としては、例えばアルミニウム陽極酸化被膜
、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム等の無機層、
ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリビニルピロリド
ン、ポリアクリル酸、セルロース類、ゼラチン、デンプ
ン、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、等の有機
層が使用される。
ら 電荷発生層に用いられる電荷発生物質としては、セレン
及びその合金、ヒ素−セレン、硫化カドミウム並びに酸
化亜鉛その他の無機光導電物質、フタロシアニン、アゾ
色素、キナクリドン、多環キノン、ビリリウム塩、チア
ピリリウム塩、インジゴ、チオインジゴ、アントアント
ロン、ピラントロン、シアニン等の各種有機顔料、染料
が使用できる。中でも無金属フタロシアニン及び銅塩化
インジウム、塩化ガリウム、錫、オキシチタニウム、亜
鉛、バナジウム等の金属もしくはその酸化物塩化物の配
位したフタロシアニン類並びにモノアゾ、ビスアゾ。ト
リスアゾ、ポリアゾ類等のアゾ顔料が好ましい。
電荷発生層はこれらの物質をたとえばポリエステル樹脂
、ポリビニルアセテート、ポリアクリル酸エステル、ポ
リメタクリル酸エステル、ポリエステル、ポリカーボネ
ート、ポリビニルアセトアセタール、ポリビニルプロピ
オナール、ポリビニルブチラール、フェノキシ樹脂、エ
ポキシ樹脂、ウレタン樹脂、セルロースエステル、セル
ロースエーテルなどの各種バインダー樹脂で結着した形
で使用される。この場合の電荷発生物質の使用比率はバ
インダー樹脂100重量部に対して30から500重量
部の範囲より使用され、その膜厚は通常0.1μmから
2μm、好ましくは0.15μmから0.8μmが好適
である。また電荷発生層には必要に応して塗布性を改善
するためのレベリング剤や酸化防止剤、増感剤等の各種
添加剤を含んでいてもよい。
電荷移動層は基本的に電荷移動材料、バインダー樹脂と
ともに下記一般式(1)で示されるシアノビニル化合物
から構成される。
1 ここでR1及びR2は水素原子;又は塩素、臭素、ヨウ
素等のハロゲン原子を表わす。
Xは置換されていてもよいフェニル基、ナフチル基等の
アリール基、又は、フェノキシ基、ナフトキシ基等のア
リールオキシ基を表わし、その置換基としては通常塩素
、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子;シアノ基;ニトロ基
;メチル基、エチル基等のアルキル基;メトキシ基、エ
トキシ基等のアルコキシ基又は下記式 原子が挙げられる。
前記一般式(1)で示される化合物は例えば−般式(I
I)で示されるアルデヒド類と、一般式(I[)で示さ
れるニトリル化合物とを縮合させることにより容易に台
底することができる。
1 で表わされる基が用いられる。
Yはシアノ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル
基等のアルコキシカルボニル基;置換されていてもよい
フェノキシカルボニル基;ナフトキシカルボニル基等の
アリールオキシカルボニル基又は置換されていてもよい
フェニル基、ナフチル基等のアリール基を表わし、アリ
ールオキシカルボニル基、アリール基の置換基の例とし
てはシアノ基;ニトロ基;メチル基、エチル基等のアル
キル基;塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン(II) CI) (式中、R1,、R2、XおよびYは前記と同一の意義
を有する。) 次に一般式CI)で示されるシアノビニル化合物の主な
具体例を示す。
0 例示化合物 0 2 6 電荷移動材料としてはたとえばカルバゾール、インドー
ル、イミダゾール、オキサゾール、ピラゾール、オキサ
ジアゾール、ビラプリン、チアジアゾールなどの複素環
化合物、アニリン誘導体、ヒドラゾン化合物、芳香族ア
ミン誘導体、スチルベン誘導体、或いはこれらの化合物
からなる基を主鎖もしくは側鎖に有する重合体などの電
子供与性物質が挙げられる。電荷移動層に使用されるバ
インダー樹脂としてはたとえばポリメチルメタクリレー
ト、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル等のビニル重合体、
及びその共重合体、ポリカーボネート、ポリエステル、
ポリエステルカーボネート、ポリスルホン、ポリイミド
、フェノキシ、エポキシ、シリコーン樹脂等があげられ
、またこれらの部分的架橋硬化物も使用できる。
一般式(1)で示されるシアノビニル化合物とバインダ
ー樹脂との割合はバインダー樹脂100重量部に対して
0.01〜30重量部、好ましくは0.1〜10重量部
の範囲で使用される。
電荷移動材料とバインダー樹脂との割合はパイ8 ンダー樹脂100重量部に対して30〜200重量部、
好ましくは40〜120重量部の範囲で使用される。
また電荷移動層には、必要に応じて酸化防止剤、増感剤
等の各種添加剤を含んでいてもよい。電荷移動層の膜厚
は10〜60μm1好ましくは10〜45μmの厚みで
使用されるのがよい。
[発明の効果] 本発明による電荷移動層に特定のシアノビニル化合物を
含有させた電子写真感光体は、繰返し使用しても残留電
位の蓄積がほとんどなく、更に帯電性、感度の変動も非
常に少なく安定性が極めて良好である。
[実施例] 以下本発明を製造例、実施例及び比較例により更に詳細
に説明するが特にこれらに限定されるものではない。
製造例〔例示化合物(21)) 下記式(IV) 9 で表わされる化合物1.00 g及びマロノニトリル0
、32 gをイソプロパノール20m1lに溶解した後
ピペリジンー滴を加え80″Cで一時間反応させた。冷
却後析出した結晶を炉取しトルエン−酢酸エチル混合溶
媒より再結晶を行い淡黄色の結晶pニトロフェニルー4
−(β、β−ジシアノビニル)ベンゾニー) 0.5 
gを得た。融点は202°Cであった。
なお、上記化合物(IV)はp−ホルミルベンゾイルク
ロライドとp−ニトロフェノールを縮合させることによ
り合成した。
実施例−1 下記構造を有するビスアゾ化合物10重量部を150重
量部の4−メトキシ−4−メチルペンタノン−2に加え
、サンドグラインドミルにて粉砕分散処理を行なった。
ここで得られた顔料分散液をポリビニルブチラール(電
気化学工業■製、商0 品名#6000−C)の5%1.2−ジメトキシエタン
溶液に加え、最終的に固形分濃度4.0%の分散液を作
製した。
この様にして得られた分散液に、表面が鏡面仕上された
外径80mm、長さ340mm、肉厚1.0mmのアル
ミシリンダーを浸漬塗布しその乾燥膜厚が0.7g/m
m”となるように電荷発生層を設けた。
4−(β、β−ジシアノビニル)ベンゾエート]1.5
重量部 及び下記構造のポリカーボネート樹脂100重量部を 次にこのアルミシリンダーを次に示すヒドラゾン化合物
95重量部と 次の構造を有する化合物[p−ニトロフェニル1.4−
ジオキサン、テトラヒドロフランの混合溶媒に溶解させ
た液に浸漬塗布した後、室温で30分、125°Cで3
0分乾燥させ、乾燥後の膜厚が40μmとなるように電
荷移動層を設けた。この様にして作製した感光体を感光
体特性測定機に装着し、周速260mm/secで帯電
(初期においてスコロトロンで一700■になるように
設定)、露光、除電のサイクルを30万回繰返した時の
IIQ電位及び残留電位の変動を測定した。その結果を
1 2 表−1に示す。この結果から30万回の繰返しにおいて
も暗電位は変化がなく残留電位の蓄積も極めて少ないこ
とが分かる。
実施例−2〜10 実施例−1において使用したシアノビニル化合物のかわ
りに一般式(1)の例示化合物(1)。
(4)、(7)、(11)、(19)、(20)。
(23)、(24)、(36)を用いた以外は実施例−
1と同様にして感光体を作製し、その特性を評価した。
その結果を表−1に示す。
これらいずれの感光体も非常に安定した特性を示すこと
が分かる。
比較例 実施例−1においてシアノビニル化合物ヲ加工ない以外
は実施例−1と同様にして感光体を作製し、その特性を
評価した。その結果を表−1に示す。表−1の結果から
明らかなように極端に残留電位が蓄積することが判る。
表 以上の結果から明らかなように本発明の感光体は非常に
優れた性能を有していることが判る。
出 願 人 三菱化或株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)導電性基体上に、少なくとも電荷発生層及び電荷
    移動層を有する電子写真感光体において、該電荷移動層
    が下記一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼…〔 I 〕 (式中、R^1及びR^2はそれぞれ水素原子又はハロ
    ゲン原子を表わし、Xは置換されていてもよいアリール
    基又は置換されていてもよいアリールオキシ基を表わし
    、Yはシアノ基、アルコキシカルボニル基、置換されて
    いてもよいアリールオキシカルボニル基又は置換されて
    いてもよいアリール基を表わす。)で表わされるシアノ
    ビニル化合物を含有することを特徴とする電子写真用感
    光体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6253537B1 (en) 1998-01-05 2001-07-03 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Revolution speed control method in gas turbine shutdown process

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6253537B1 (en) 1998-01-05 2001-07-03 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Revolution speed control method in gas turbine shutdown process

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