JPH03690B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、非晶質磁心を使用した狭トラツク磁
気ヘツド、特にVTR用磁気ヘツドの製造に関す
るものである。 通常、VTRヘツドはテープの保磁力が500〜
600Oeであり、ヘツド材料の磁束密度は若干低く
ても使用できるため耐摩耗性、高周波特性の優れ
たフエライト磁心が使用されている。 最近、高記録密度化をはかるため残留磁束密度
が高く保磁力も1000Oe以上のメタルテープが使
用されようとしているが、このような高い保磁力
のテープにはフエライトでは十分な記録を行なう
ことができない。そこで磁束密度の高い金属磁性
材料（Fe−Si−Al合金や非晶質合金）でヘツド
を作る必要がある。VTR用ヘツドの場合、使用
周波数が数ＭHzと高いため高周波特性の優れた材
料が必要であり金属材料のように電気抵抗が低い
材料では渦電流損失を少なくするため薄板状とし
て使用する。Fe−Si−Al合金の場合機械加工に
より薄板にする必要があるが非晶質合金の場合製
造段階で薄板であるためほとんど加工の必要がな
く、したがつて非晶質磁性体はこのような用途に
は適した材料といえる。 しかしヘツドの製造上からいえば薄板状の材料
はあつかいにくく量産性に欠けるため通常、他の
材料と組合せたり、多数枚積層したりしてギヤツ
プドバーの形状とする製造方法がとられる。 第１図にフエライト磁性体を使用したときのヘ
ツドの製法を示す。フエライト磁心１，１′を突
合せギヤツプドバーＡを作成し、そのギヤツプド
バーのａ−a′およびｂ−b′線上をｃ方向に切断す
る事によりヘツドチツプを得る。第２図にヘツド
チツプを示す。前記切断はコア幅C_Wが規定の寸
法になるように行なわれる。トラツク幅T_Wはギ
ヤツプドバー作成以前に機械加工より加工され、
C_W−T_Wの部分２はガラスでモールドされてい
る。 第３図に非晶質磁心を用いた磁気ヘツドの製法
の一例を示す。やはりギヤツプドバーの形状を取
るが、フエライト磁心１の間に非晶質磁心３がフ
エライト磁心１と接着された形で配置されてい
る。ヘツドチツプを得るには、前記フエライトヘ
ツドと同様にａ−a′とｂ−b′の線上をｃ方向に向
つて切断することにより行なわれる。第４図にヘ
ツドチツプを示す。トラツク部は非晶質磁心３で
構成され、その側面に磁路の磁気抵抗を下げるた
めと、耐摩耗性を良くするためフエライト磁心１
が接着されている。またコア幅C_Wとトラツク幅
T_Wの差の部分２はガラスなどでモールドされて
いる。この製造方法では非晶質とフエライトを接
着しなければならない。しかしこれら両者の熱膨
張係数が大きく異なるため非常に接着強度が弱
い。またギヤツプを形成する際においてもこれら
熱膨張係数の違いにより正確なギヤツプ長を出す
事が極めて困難であるなどこの製造方法は問題点
が多かつた。 本発明はこれらの欠点をなくし、容易に非晶質
磁心使用の狭トラツクヘツドを製造する方法を提
供するものである。以下、本発明の製造方法につ
いて述べる。第５図に本発明の製造方法を示す。 トラツク幅T_Wに圧延又は研磨された非晶質薄
片１２と上部にＶ状の切込の入つた非晶質薄片１
３を組合せ、コア幅C_Wになるまで非晶質薄片１
２を中央部に、１３を両側面に配置しヘツドチツ
プ部４を構成する。このヘツドチツプ部４と、非
晶質磁性体と熱膨張係数の似かよつた金属片１１
を交互に積層し接着を行ない棒状の複合体５を構
成する。次にヘツドチツプ４の中央部Ａ上を通る
線ａ−a′にそつてｂ方向に切断する。その切断面
に巻線溝Ｂを加工により構成し、ギヤツプドバー
の片側の部分６を得る。この６部を２個、ギヤツ
プ部にスペーサを介して突合せ接合接着を行ない
ギヤツプドバー７を得る。この状態ではヘツドチ
ツプと金属が接合されているためヘツドチツプ部
のみを取出す必要がある。そこでギヤツプドバー
７を、金属部はエツチングされるが非晶質はエツ
チングされにくい、エツチング液中でケミカルエ
ツチングを行なう。この工程により金属部はエツ
チング液中に溶解されるため第６図に示すような
ヘツドチツプ部のみが残る。非晶質薄片１３で構
成されたＶ字状のギヤツプ部Ｂは、ヘツドチツプ
部４と金属片１１の積層接着時またはギヤツプド
バー作成時にガラスなどで充填される。 このように中央部にトラツク幅T_Wと同じ厚み
の磁心を配しその両側面に中央部磁心方向に狭く
なるようなＶ字状ギヤツプを有する磁心を設ける
のは、ヘツドチツプ部の機械的強度を上げ、しか
も摩耗量を減らすためと、ギヤツプ部以外のコア
幅を広げ磁路の断面積を増加させて磁気抵抗を下
げヘツドの効率を上げるためである。 また側面磁心をＶ字状のギヤツプにするのは、
この部分がギヤツプとして働くためトラツク幅方
向にギヤツプ長を変えてギヤツプとしての効果を
なくしたものである。 ギヤツプドバーをケミカルエツチングすること
により得られたヘツドチツプの前面をＲ研磨する
ことにより第７図に示すような完成されたヘツド
チツプ部が得られる。 以上述べたように、ギヤツプドバーの作成にお
いては金属同志の接着（金属片と非晶質金属）で
あるため接着強度が強く、また熱膨張係数もほと
んど同じであるため極めて精度の良いギヤツプが
得られる。 一方、金属と非晶質磁心のヘツドチツプの複合
体のギヤツプドバーよりヘツドチツプのみを取出
す手段としてケミカルエツチングによる選択エツ
チングの手法を用いるため機械的なストレスが全
くないため、ギヤツプのゆるみや加工による特性
劣化の心配がないなど本発明の製造方法により極
めて優れた特性のヘツドが容易に得られるもので
ある。 〔実施例 １〕 Co₈₀.₀Cr₇.₀Mo₃.₀Zr₁₀.₀組成で25μm厚の非晶質
合金を4.0×3.0の形状に切断し、またその一部の
非晶質合金の薄片に第５図１３に示すような切欠
きを入れ、切欠きのない薄片を中心にその両側に
各３枚づつ切欠きのある板を配置したものを数個
作り、4.0×3.0×0.7の形状のリン青銅で作られた
金属片と交互にガラスで接着した。その際、切欠
部第５図４のＡ部も同時にガラスを充填した。そ
の後、第５図５に示すように切断し、巻線溝を加
工しギヤツプ面を研磨し、フロントギヤツプ部に
0.3μの厚みにSiO₂膜をスパツターにより形成し再
びガラスボンデイングを行ない第５図７に示すよ
うなギヤツプドバーを形成した。このギヤツプド
バーを硝酸２に対して水１の割合で作られたエツ
チング液中で40℃でエツチングを行なうことによ
り約20分でリン青銅部は完全に溶解し非晶質で作
られたヘツドチツプ部のみが残された。この時非
晶質部の溶解の度合はほぼ3μm程度でありヘツド
チツプ部の寸法精度にはほとんど影響を与えな
い。エツチング終了後エツドチツプ部はリン青銅
部に接着していたガラスでつながつているため、
このガラスを折り取ることにより単独のヘツドチ
ツプ部が得られた。ギヤツプ形成後、機械的な力
が加わつていないため極めて良好なギヤツプのヘ
ツドチツプが得られる。 〔実施例 ２〕 Co₈₃Nb₁₂B₅組成で20μm厚の非晶質磁膜をスパ
ツター装置を用いて、0.5mm厚の銅基板上に形成
した。これを基板ごと2.0×2.0の形状に切断し、
スパツター膜とその裏側（銅基板側）が対面する
ような方向で多数枚ガラスで接着した。その後第
５図５に示すように切断し、、巻線溝を加工しギ
ヤツプ面を研磨し、フロントギヤツプ部に0.5μの
厚みにSiO₂膜をスパツターにより形成し、再び
ガラスボンデイングを行ない、第５図７に示すよ
うなギヤツプドバーを形成した。このギヤツプド
バーを塩化第２鉄、硝酸、水からなるエツチング
液中で40℃でエツチングを行なうことにより15分
で銅基板は溶解し、非晶質で作られたヘツドチツ
プ部のみが残された。この時非晶質部の溶解度は
2μ程度でありヘツドチツプ部の寸法精度にはほ
とんど影響を与えない。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図はフエライトヘツドの製法を説
明する図、第３図、第４図は非晶質ヘツドの製法
を説明する図、第５図、第６図、第７図は本発明
の磁気ヘツド製造方法を説明する図である。 １……フエライト磁心、２……ガラスモールド
部、３……非晶質磁心、１１……金属片、１２，
１３……非晶質片。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 非晶質磁性薄片の積層体からなるヘツドチツ
   プ部４と他の金属片１１とを交互に積層・接着し
   て棒状の複合体５を形成する工程と、前記複合体
   ５を、ヘツドチツプ部４の中央部を通る線に沿つ
   て２つの部分６に切断する工程と、各部分６の切
   断面に巻線溝Ｂを形成する工程と、巻線溝Ｂを形
   成した２つの部分６の切断面を、ギヤツプ材を介
   して突合せ、接合してギヤツプドバー７を得る工
   程と、前記ギヤツプドバー７をケミカルエツチン
   グして前記金属片１１を溶解し解体してヘツドチ
   ツプ部４を取り出す工程とからなることを特徴と
   する磁気ヘツドの製造方法。 ２ ヘツドチツプ部４は、中央部に位置するトラ
   ツク幅と同じ厚みの非晶質磁性薄片１２と、その
   両側面にそれぞれ配置され、前記非晶質磁性薄片
   １２方向に狭くなるようなＶ字状ギヤツプを有す
   る非晶質磁心１３とからなることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の磁気ヘツドの製造方
   法。