JPH0365599A - Iii-v semiconductor pellet - Google Patents
Iii-v semiconductor pelletInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は■−ｖ族半導体ペレットに関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) This invention relates to a ■-v group semiconductor pellet.
（従来の技術）
従来、ウェーハは、割れやすい面に沿ってダイシングさ
れるようになっている。第４図（ａ）に示す通常用いら
れている表面が（１００）面である■−Ｖ族半導体（例
えばガリウムーヒ素）ウェーハ１０１では、（０１１）
、（０１１）、（０１１）、（ＯＴＴ）面が襞間面とな
る。ダイシングは、この襞間面がペレットの側面にくる
ように行なわれる。ダイシングラインの方向は、このこ
とを考慮し、例えば＜０１１＞、＜０１１＞となる。す
なわち［０１１１の方向にダイシングすることになる。(Prior Art) Conventionally, wafers are diced along the surfaces that are prone to breakage. In the ■-V group semiconductor (for example, gallium-arsenide) wafer 101 whose surface is the (100) plane as shown in FIG. 4(a), the (011)
, (011), (011), and (OTT) planes are interfold planes. Dicing is performed so that the inter-fold surfaces are on the sides of the pellet. Taking this into consideration, the directions of the dicing lines are, for example, <011> and <011>. That is, dicing is performed in the [0111 direction.
襞間面をダイシングに利用する理由は、ブレードを用い
て切り込み満を形成した後、この満に沿ってクラッキン
グを行なうためである。The reason why the inter-fold surface is used for dicing is that after a blade is used to form a groove, cracking is performed along this groove.
また、例えば上記のダイシング等の方向を明確なものと
するために、オリエンテーションフラット１０２は、例
えば（ＯＩＴ）ｉｌｊに設けられている。Moreover, in order to make the direction of the above-mentioned dicing etc. clear, for example, the orientation flat 102 is provided at (OIT) ilj, for example.
ところが、ブレードを用いて＜０１１ ＞の方向に切り
込み溝を形成すると、ダイシングライン１０３付近の拡
大図である第４図（ｂ）に示すように、チッピング量が
大きくなってしまう（チッピングとは、同図中に示すギ
ザギザの部分である）。時には、このチッピングが、同
図中のＣに示すように、素子領域パターン１０５にまで
及び、外観が損なわれる。これが激しいと歩留りが低ド
する。また、素子の緒特性に影響しない程度のチッピン
グ量であっても信頼性の低下を招く。However, if a cutting groove is formed in the <011> direction using a blade, the amount of chipping becomes large, as shown in FIG. 4(b), which is an enlarged view of the vicinity of the dicing line 103. (This is the jagged part shown in the figure). In some cases, this chipping extends to the element region pattern 105, as shown in C in the figure, and the appearance is impaired. If this is severe, the yield will be low. Furthermore, even if the amount of chipping is small enough not to affect the characteristics of the element, reliability will be lowered.
チッピング量が大きい理由を以下に説明する。The reason why the amount of chipping is large will be explained below.
■−Ｖ族単結晶の原子間の拮命は、４方向に延びた電子
雲を介した共有結合と、クーロン力によるイオン性１３
／’ｙとの２ ｆｌ！Ｉ類の力によって構成されてい
る。クーロン力の発生する理由は、■族原子と、Ｖ族原
子との電気陰性度が異なるためである。■-Antagonism between atoms in group V single crystals is caused by covalent bonds via electron clouds extending in four directions and ionicity by Coulomb force.
2 fl with /'y! It is composed of Class I powers. The reason why the Coulomb force is generated is that the electronegativities of group (I) atoms and group V atoms are different.
つまり、■族原子は、３個の電子を放出し、３価の陽イ
オンに、■族原子は、３個の電子を受は取り、３（Ｉｌ
ｉの陰イオンになる傾向が強いことによる。In other words, group Ⅰ atoms release three electrons and become trivalent cations, and group Ⅰ atoms accept and take three electrons into 3 (I
This is due to the strong tendency of i to become an anion.
シリコン単結晶や、ゲルマニウム７１１結晶は、前者（
共有結合）の力のみで原子間が結合されているのに対し
、■−ｖ族Ｉｌｔ結晶は２抽類の力が関Ｌｐしているわ
けである。そして、後者（イオン性結合）の力のほうが
、前者の力より勝っているため、原子間結合力の方向性
も、主に、このイオン性結合力の方向で決定される。よ
って、襞間の容易さ、および方向等も、シリコン単結晶
、ゲルマニウム単結晶と様相を異にする。Silicon single crystal and germanium 711 crystal are the former (
While atoms are bonded only by forces (covalent bonds), in the ■-v group Ilt crystals, two-order forces are involved. Since the latter force (ionic bond) is stronger than the former force, the direction of the interatomic bond force is also mainly determined by the direction of the ionic bond force. Therefore, the ease and direction of folds are also different from those of a silicon single crystal and a germanium single crystal.
具体的に述べると、■−Ｖ族単結晶では、＋１１１１面
が、全て■族原子、あるいはＶ族原子で占められており
、かつ■異原子層面と、■異原子層面とが最近接した伏
皿になるため、クーロン力か祉も強く、最も強固な拮合
市となる。Specifically, in the ■-V group single crystal, the +1111 plane is entirely occupied by group ■ atoms or group V atoms, and the Because it becomes a plate, the Coulomb force and welfare are strong, making it the strongest match city.
これに対し、［１１１１而は、同数の■族原子と、Ｖ放
原子とで構成されているため、電気的に中性となり、ク
ーロン力が最も弱＜、襞間しやすい血となる。On the other hand, [1111] is composed of the same number of group II atoms and V atoms, so it is electrically neutral, has the weakest Coulomb force, and is the type of blood that easily forms folds.
さて、襞間市である＋０１１１面に沿ってブレードを用
いて満を形成するとき、例えば＜０１１＞の方向に湾を
形成するとき、最も強固な結合面である＋１１１１ の
影響が出てくる。つまり、これら＋１１１１面は深さ方
向に４５°傾いているため、ブレードが深さ方向に進む
とき、１１１１１面に沿って切削される傾向が強くなる
。実際には、＋１１１１面が、全てきれいに露出するこ
とはなく、第４図（ｂ）に示すカーフ幅１０４が広がり
、かつチッピング量の大きい凹凸の激しいものとなって
しまう。Now, when a blade is used to form a bay along the +0111 plane, which is the inter-fold area, for example, when a bay is formed in the <011> direction, the influence of +1111, which is the strongest bonding plane, comes into play. In other words, since these +1111 planes are inclined at 45 degrees in the depth direction, when the blade advances in the depth direction, there is a strong tendency to cut along the 11111 planes. In reality, the +1111 plane is not fully exposed, and the kerf width 104 shown in FIG. 4(b) widens, resulting in severe unevenness with a large amount of chipping.
ところで、切り込み深さを浅くすれば、剪開−である（
０１１１面に沿ってブレードを用いて溝を形成しても、
上記の問題の起度は軽減される。By the way, if you make the depth of cut shallower, you can cut it by cutting (
Even if a groove is formed using a blade along the 0111 plane,
The incidence of the above problems is reduced.
さらに、ダイヤモンドスクライバ−を用いて溝を形成す
れば、上記の問題はほとんどなくなる。Furthermore, if the grooves are formed using a diamond scriber, the above-mentioned problems are almost eliminated.
しかしながら、ブレードの切り込み深さを浅くする、あ
るいはダイヤモンドスクライバ−により溝を形成すると
、襞間を行なうｊｌ、Ｉ：みが１曽すことになる。この
ため、さらに幾つかの問題が牛じる。However, if the cutting depth of the blade is made shallow, or if the grooves are formed using a diamond scriber, the gap between the folds will be reduced by 1. This raises some additional problems.
まず、第１にクラッキング時に切粉が発生しやすくなる
。特に半絶縁性ウェーハで上記クラッキングを行なった
場合には、静電気が発生するため、切粉の除去が困難で
ある。この発生した切粉がペレット上に付着したままで
あると、後工程におけるボンディング時に、ボンディン
グ性が悪くなるばかりでなく、半導体装置の信頼性の上
でも問題が出てくる。First, chips are more likely to be generated during cracking. Particularly when cracking is performed on a semi-insulating wafer, static electricity is generated, making it difficult to remove chips. If the generated chips remain attached to the pellet, not only will the bonding performance deteriorate during bonding in a subsequent process, but also problems will arise in terms of the reliability of the semiconductor device.
第２に、ダイシングラインの方向と、材間方向とのイ）
ずかのズレがペレット同志の分離性に悪影響を及ぼす。Second, the direction of the dicing line and the direction between the materials (a)
The discrepancy in the distance has a negative effect on the separation of pellets.
つまりは、ホトリソグラフイエ起でのウェーハのセソテ
ィングの回転誤差か厳しくなり量産性が悪くなる。In other words, the rotational error during wafer sesoting during photolithography becomes severe, and mass productivity deteriorates.
第３に、クラッキング時の荷重を大きくせざるを得なく
なるため、ペレットに機城的ダメージが加わることとな
り、やはり、半導体装置の信頼性の上で問題が出てくる
。Thirdly, since the cracking load has to be increased, mechanical damage is added to the pellets, which again poses a problem in terms of the reliability of the semiconductor device.
（発明が解決しようとする課題）
この発明は上記のような点に鑑みて為されたもので、ブ
レードダイシング法を用いてダイシングしても、カーフ
幅が狭く、かつチッピングを防止できる■−ｖ族半導体
ペレットをＩＡ ｔｊｔ−することを１］的とする。(Problems to be Solved by the Invention) This invention has been made in view of the above points, and even when dicing is performed using the blade dicing method, the kerf width is narrow and chipping can be prevented ■-v 1] The purpose is to IA tjt- group semiconductor pellets.
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
この発明による■−ｖ族半導体ペレットによれば、ペレ
ット表面が＋１００１面のいずれか一つから選択され、
ペレット側面が、上記選択された面に直交する（１００
１面のいずれか一つから選択されることを特徴とする。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) According to the ■-V group semiconductor pellet according to the present invention, the pellet surface is selected from any one of the +1001 planes,
The side surface of the pellet is perpendicular to the selected plane (100
It is characterized by being selected from any one of the 1 sides.
（作用）
上記のような■−■族半導体ペレットおよびその形成方
法にあっては、ペレット表面がｆｌｏ０１市のいずれか
一つから選択され、ペレット側面が、上記選択された＋
１００１面に直交する（１００＋面のいずれか一つから
選択されるため、ダイシング時に最も強固な面であるｆ
ｌ １１１面の影響を受１す難い。よってカーフ幅が小
さくなり、チッピング量も低減される。(Function) In the above ■-■ group semiconductor pellets and the method for forming the same, the pellet surface is selected from one of the flo01 cities, and the pellet side surface is selected from the above-selected +
The f
l Hardly affected by 111 surfaces. Therefore, the kerf width becomes smaller and the amount of chipping is also reduced.
（実施例）
以下、図面を参照してこの発明の一実施例について説明
する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図（ａ）は、この発明に係わる■−ｖ族゛［導体ペ
レットを形成するために用いるウェーハの平面図、第１
図（ｂ）は、上記ペレットに形成されたダイシングライ
ン付近の拡大図である。FIG. 1(a) is a plan view of a wafer used for forming conductor pellets according to the present invention.
Figure (b) is an enlarged view of the vicinity of the dicing line formed on the pellet.
ごの発明に係わる■−Ｖ族半導体ペレットを形成するに
は、第１図（ａ）に示すような、例えば表面が（１００
）面である■−Ｖ族半導体ウェハ１（例えばガリウムー
ヒ素単結晶）において、オリエンテーションフラット２
が例えば（ＯＯＴ）面に形成されたものを用意する（こ
れは（ＯＴＯ）面でも購わない）。このように、（００
１）面にオリエンテーションフラット１を設けておけば
、ダイシングする際、既存のブレードダイサーを用いて
も、ダイシングライン３の方向がおのずと［００１１［
０１０１に設定される。In order to form the ■-V group semiconductor pellet according to the invention, for example, the surface is (100
) plane, the orientation flat 2 is
For example, prepare one that is formed on the (OOT) surface (this is not available even on the (OTO) surface). In this way, (00
1) If the orientation flat 1 is provided on the surface, the direction of the dicing line 3 will automatically be [0011[
Set to 0101.
この発明に係わる■−ｖ族半導体ペレットの形成方法の
一例としては、まず、第１図（ａ）に示すようなｍ−ｖ
＃ｃ半導体ウェつハｌに対し形成するダイシングライン
３の幅を約６０μｍに設定する。そして、半導体装置の
製造工程に用いるホトリソグラフィのマスクには、ダイ
シングラインの方向を［００１］ ［０１０１とし
、ダイシングラインの幅を約６０μｍとしたものをパタ
ーン設計して用いる。As an example of the method for forming the ■-v group semiconductor pellet according to the present invention, first, an m-v semiconductor pellet as shown in FIG.
#c The width of the dicing line 3 formed on the semiconductor wafer l is set to about 60 μm. A photolithography mask used in the manufacturing process of a semiconductor device is designed with a pattern in which the direction of the dicing line is [001] [0101 and the width of the dicing line is approximately 60 μm.
次に、一連の半導体装置の製造工程により、■−■族半
導体ウェーハ１表面に能動素子を形成した後、ウェーハ
１を所望の厚さとなるように裏面をラッピングする。次
に、このラッピングされた裏面にマウント半田材となる
、例えばＡｕＧｅを蒸着法によって蒸着させる。Next, active elements are formed on the front surface of the ■-■ group semiconductor wafer 1 through a series of semiconductor device manufacturing steps, and then the back surface of the wafer 1 is lapped to a desired thickness. Next, a mount solder material such as AuGe is deposited on the wrapped back surface by a vapor deposition method.
次に、裏面を下にしてウェーハ１を、ダイシングシート
上に貼り付けた後、例えば既イＩのブレードダイサーを
用いて、ダイシングライン３に沿ってウェーハ１を切断
し、個々の■−Ｖ族半導体ペレットに分離する。このと
き、ＴＳ１図（ｂ）に示すように、カーフ幅４は狭くな
り、かつチッピング証も小さくなる。このとき、従来で
は見られた素子領域パターン５に及ぶチッピングが発生
することもない。Next, after pasting the wafer 1 with its back side down on a dicing sheet, the wafer 1 is cut along the dicing line 3 using, for example, a blade dicer as described in I above, and individual Separate into semiconductor pellets. At this time, as shown in TS1 diagram (b), the kerf width 4 becomes narrower and the chipping evidence also becomes smaller. At this time, chipping that extends to the element region pattern 5, which has been observed in the prior art, does not occur.
次に、ダイシングシートを加熱して、治具を用いて等方
向に引き延ばし、組み立て工程へと■−Ｖ族半導体ペレ
ットを進める。Next, the dicing sheet is heated and stretched in the same direction using a jig, and the -V group semiconductor pellets are advanced to the assembly process.
以上のような工程により形成された■−Ｖ族下導体ペレ
ットによれば、表面が（１００）面である場合、側面が
これに直交する（０１０）、（ＯＴＯ）、（００１）（
ＯＯＴ）面となる。According to the ■-V group lower conductor pellet formed by the above process, when the surface is a (100) plane, the side faces are (010), (OTO), (001) (
OOT) surface.
また、その形成方法は、ダイシングの方向を（０１０）
（００１）面に垂直な方向である＜０１０＞、＜
００１＞、または＜０１０＞、＜００１＞に設定すれば
良い。In addition, the formation method is such that the direction of dicing is (010)
<010>, < which is the direction perpendicular to the (001) plane
001>, <010>, or <001>.
次に、上記カーフ幅が狭くなり、チッピング量も小さく
なる理由を、第２図（ａ）および第２図（ｂ）を参照し
て説明する。Next, the reason why the kerf width becomes narrower and the amount of chipping becomes smaller will be explained with reference to FIGS. 2(a) and 2(b).
第２図（ａ）に示すように、上記実施例によれば、表面
が（１００）面であるウェー７＼１を用いた場合、ダイ
シングの方向を［０１０］［００１］と設定されている
。従来では、これが材間市に沿った［０１１１に設定さ
れていた。第２図（ｂ）の粘晶の拡大図で説明すると、
従来のダイシングの方向では、最も強固な血である＋１
１１１面に対し、直交する方向に切断されている。もっ
とも、襞間面に沿った方向に切断されているので剪開は
しやすいわけであるか、＋１１１１面の影響を、一番顕
著に受ける方向でもあったわけである。特に回転するブ
レードが深さ方向に進むときに、最もｉｌ １１１面の
影ツを受ける。イメージ的に述べると、例えばブレード
の円周上にある点を仮定した場合、この点が深さ方向に
進むと、深さ方向に４５°傾いてＩＴ ＩＥしているｔ
ｌ １１１面に沿って、この点か描滑りを起こすように
して切断されていく。このことによって、カーフ幅は拡
がり、チッピング量も大きくなっていたわけである。As shown in FIG. 2(a), according to the above embodiment, when wafer 7\1 whose surface is a (100) plane is used, the dicing direction is set to [010][001]. . Conventionally, this was set to [0111 along Zaima City. To explain with the enlarged view of the viscous crystal in Fig. 2(b),
In traditional dicing direction, +1 for the strongest blood.
It is cut in a direction perpendicular to plane 111. However, since it is cut in the direction along the interfold plane, it is easy to shear, or it is also the direction that is most noticeably affected by the +1111 plane. In particular, when the rotating blade advances in the depth direction, it is most affected by the il 111 plane. For example, if we assume a point on the circumference of the blade, if this point advances in the depth direction, it will be tilted 45 degrees in the depth direction.
It is cut along the 111 plane so as to cause a drawing slip at this point. As a result, the kerf width expanded and the amount of chipping also increased.
その点、本発明によるダイシング方向は、第２図（ｂ）
に示すように、最も１１１１１面の影響が少ない方向に
ダイシングされる。イメージ的に述べると、ブレードの
円周上にある点を仮定した場合、この点が深さ方向に進
んでも、この方向には、深さ方向に４５°傾いて１７在
する（１１１１面はない。したがって、カーフ咄は狭く
なり、チッピング息も小さくなる。In this respect, the dicing direction according to the present invention is shown in FIG. 2(b).
As shown in , dicing is performed in the direction where the influence of the 11111 plane is least. To put it graphically, if we assume a point on the circumference of the blade, even if this point advances in the depth direction, there are 17 points tilted at 45 degrees in the depth direction (there are no 1111 planes). .Therefore, the calf breath becomes narrower and the chipping breath becomes smaller.
第３図（ａ）には、第２図（ａ）に示すウェーハ１を［
０１０Ｆの方向に切断した１１５の斜視図を示し、この
状態の切断面における結晶の拡大図を第３図（ｂ）に示
す。このように、（１００）面が表面となるなるように
形成されたウェーハ１を、［０１０］の方向に切断する
と、側面の一つは（００１）面となる。FIG. 3(a) shows the wafer 1 shown in FIG. 2(a) [
A perspective view of 115 cut in the direction of 010F is shown, and an enlarged view of the crystal in the cut plane in this state is shown in FIG. 3(b). When the wafer 1 formed so that the (100) plane becomes the front surface is cut in the [010] direction, one of the side surfaces becomes the (001) plane.
また、図示はしないが第２図（ａ）に示すつ工−ハ１を
［００１１の方向に切断した時には、側面の一つは（０
１０）面となる。Also, although not shown, when the block 1 shown in FIG. 2(a) is cut in the [0011 direction, one of the side surfaces is (00
10) Become a surface.
このように、本発明に係わる■−ｖ族半導体ペレットで
は、表面を（１００）面とした場合、側面は（０１０）
（ＯＴＯ） （００１）（００１）面となる
。同様に、例えば（Ｏ］ Ｏ）を表面とした場合には、
側面は（１００）（ＴＯＯ）、（００１）、（ＯＯＴ）
面となる。In this way, in the ■-v group semiconductor pellet according to the present invention, when the surface is (100) plane, the side surface is (010) plane.
(OTO) (001) (001) plane. Similarly, for example, if (O] O) is the surface,
The sides are (100) (TOO), (001), (OOT)
It becomes a surface.
同様に、例えば（００１）を表面とした場合には、側面
は（１００） （ＴＯＯ） （０１０）（０１
０）面となる。これらの面は全て等価な面であるので、
表面を＋１００１面から選んだ場合、側面はこの面に直
交する（１００）面となる。Similarly, for example, if (001) is the surface, the side surface is (100) (TOO) (010) (01
0) side. Since all these surfaces are equivalent,
If the surface is selected from the +1001 plane, the side surface will be the (100) plane orthogonal to this plane.
ところで、上記実施例のように、［０１０］、［００１
］の方向にダイシングすると、襞間しにくくなる点が懸
念される。この点は、ダイシング時に、切り込み量を深
くする、あるいは切り残しゼロの完全切断の手段を用い
ることで容易に回避することができる。By the way, as in the above example, [010], [001
] There is a concern that dicing in the direction makes it difficult to form pleats. This problem can be easily avoided by increasing the depth of the cut during dicing or by using a means for complete cutting with no uncut parts.
さらに、この発明によれば、カー、フ幅が縮小されるこ
とにより、ダイシングラインの幅を狭く設定できる。ダ
イシングラインの幅をせまく設定できると、１枚のウェ
ーハ当たりで得られるペレット数を増加させることが可
能となる。また、チッピング量の低減によるペレットの
歩留り、および信頼性も向上する。したがって、信頼性
の高い■−Ｖ族半導体ペレットを安価に堤供することが
可能となる。Furthermore, according to the present invention, the width of the dicing line can be set narrower by reducing the kerf width. If the width of the dicing line can be narrowed, it is possible to increase the number of pellets obtained per wafer. Further, the pellet yield and reliability are improved due to the reduction in the amount of chipping. Therefore, highly reliable ■-V group semiconductor pellets can be provided at low cost.
［発明の効果Ｊ
以上説明したようにこの発明によれば、ブレードダイシ
ン゛グ法を用いてダイシングしても、カー）幅を狭くで
き、かつチッピングを防＋Ｌできる■−Ｖ族半導体ペレ
ットが堤供される。[Effects of the Invention J As explained above, according to the present invention, even when dicing using the blade dicing method, the car width can be made narrower and chipping can be prevented. Served.
第１図（ａ）はこの発明の一実施例に係わる■−ｖ族半
導体ペレットを形成する際に用いる■−Ｖ族半導体ウェ
ーハの平面図、第１図（ｂ）は同図（ａ）に示すウェー
ハに形成されたダイシングライン付近の拡大図、第２図
（ａ）はこの発明の一実施例に係わる■−ｖ族半導体ペ
レットを形成する際に用いる■−ｖ族半導体ウェーハの
平面の補足説明図、第２図（ｂ）は同図（ａ）に示すウ
ェーハを構成する物質の結晶の拡大図、第３図（ａ）は
第２図（ａ）に示すウェー／１を＜０１０＞の方向に切
断した時の斜視図、第３図（ｂ）は、第３図（ａ）の切
断面における結晶の拡大図、第４図（ａ）は従来の■−
Ｖ族゛■′−導体ペレットを形成する際に用いる■−Ｖ
族半導体つ工−ハの平面図、第４図（ｂ）は同図（ａ）
に示すウェーハに形成されたダイシングライン付近の拡
大図である。
１・・・ウェーハ ２・・・オリエンテーションフラッ
ト、３・・・ダイシングライン。FIG. 1(a) is a plan view of a ■-V group semiconductor wafer used in forming ■-V group semiconductor pellets according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1(b) is a plan view of the same figure (a). FIG. 2(a) is an enlarged view of the vicinity of the dicing line formed on the wafer shown in FIG. Explanatory drawing, FIG. 2(b) is an enlarged view of the crystal of the substance constituting the wafer shown in FIG. 2(a), and FIG. 3(a) shows the wafer/1 shown in FIG. FIG. 3(b) is an enlarged view of the crystal at the cut plane of FIG. 3(a), and FIG. 4(a) is a perspective view of the crystal when cut in the direction of .
■-V used when forming V group ゛■'-conductor pellets
A plan view of the group semiconductor device C, Fig. 4(b) is the same as Fig. 4(a).
FIG. 3 is an enlarged view of the vicinity of the dicing line formed on the wafer shown in FIG. 1...Wafer 2...Orientation flat, 3...Dicing line.
Claims (1)
れ、ペレット側面が、上記選択された面に直交する｛１
００｝面のいずれか一つから選択されることを特徴とす
るIII−Ｖ族半導体ペレット。The pellet surface is selected from one of {100} planes, and the pellet side surface is {1
A III-V group semiconductor pellet, characterized in that the pellet is selected from any one of the following planes.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200773A JPH0365599A (en) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | Iii-v semiconductor pellet |
| KR1019900011882A KR940002763B1 (en) | 1989-08-02 | 1990-08-02 | Ñ�-ñˆ family semiconductor pellet |
| US07/771,850 US5182233A (en) | 1989-08-02 | 1991-10-07 | Compound semiconductor pellet, and method for dicing compound semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200773A JPH0365599A (en) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | Iii-v semiconductor pellet |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0365599A true JPH0365599A (en) | 1991-03-20 |
| JPH0529640B2 JPH0529640B2 (en) | 1993-05-06 |
Family
ID=16429940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1200773A Granted JPH0365599A (en) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | Iii-v semiconductor pellet |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0365599A (en) |
| KR (1) | KR940002763B1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5182233A (en) * | 1989-08-02 | 1993-01-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semiconductor pellet, and method for dicing compound semiconductor wafer |
| JP2014238327A (en) * | 2013-06-07 | 2014-12-18 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | Radiation detector obtained by dicing semiconductor wafer and dicing method therefor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57123900A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-02 | Toshiba Corp | Cutting method of gallium phosphide crystal substrate |
| JPS57128087A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Toshiba Corp | Magneto-electric transducer element |
| JPS57128086A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Toshiba Corp | Magneto-electric transducer element |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP1200773A patent/JPH0365599A/en active Granted
-
1990
- 1990-08-02 KR KR1019900011882A patent/KR940002763B1/en not_active IP Right Cessation
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| JP2014238327A (en) * | 2013-06-07 | 2014-12-18 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | Radiation detector obtained by dicing semiconductor wafer and dicing method therefor |
| US9755098B2 (en) | 2013-06-07 | 2017-09-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Radiation detector manufactured by dicing a semiconductor wafer and dicing method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529640B2 (en) | 1993-05-06 |
| KR910005426A (en) | 1991-03-30 |
| KR940002763B1 (en) | 1994-04-02 |
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