JPH0365029B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0365029B2 JPH0365029B2 JP56055489A JP5548981A JPH0365029B2 JP H0365029 B2 JPH0365029 B2 JP H0365029B2 JP 56055489 A JP56055489 A JP 56055489A JP 5548981 A JP5548981 A JP 5548981A JP H0365029 B2 JPH0365029 B2 JP H0365029B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bragg reflection
- layer
- diffraction grating
- semiconductor
- order bragg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 8
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
- H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/11—Comprising a photonic bandgap structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ、特にレーザ光を素子の
上面から放射させる型の半導体レーザに関するも
のである。
上面から放射させる型の半導体レーザに関するも
のである。
半導体レーザは、小形で高効率で動作し、而も
駆動電流による高速な直接変調が可能である等の
多くの特徴をもち、光通信や光情報処理等の光源
に極めて適している。これまで、この半導体レー
ザとしては、レーザのミラーとしての劈開面から
光出力を取り出すフアブリベロー型の素子あるい
はそれに類するものなど、素子の側面から光出力
を取り出す型のものが主であつたが、この種の素
子は光フアイバなどとの結合を容易に且つ効率良
くするために素子をヒートシンクの縁端部ぎりぎ
りに置く必要から融着作業が繁雑となるばかりで
なく、側部に劈開面を用いる場合には、必然的に
半導体レーザペレツト内でのキヤビテイの方向が
製限され、また他の素子との集積化を行なう場合
にその位置関係が製約されるために、素子の設計
の自由度を失わせる原因となつていた。
駆動電流による高速な直接変調が可能である等の
多くの特徴をもち、光通信や光情報処理等の光源
に極めて適している。これまで、この半導体レー
ザとしては、レーザのミラーとしての劈開面から
光出力を取り出すフアブリベロー型の素子あるい
はそれに類するものなど、素子の側面から光出力
を取り出す型のものが主であつたが、この種の素
子は光フアイバなどとの結合を容易に且つ効率良
くするために素子をヒートシンクの縁端部ぎりぎ
りに置く必要から融着作業が繁雑となるばかりで
なく、側部に劈開面を用いる場合には、必然的に
半導体レーザペレツト内でのキヤビテイの方向が
製限され、また他の素子との集積化を行なう場合
にその位置関係が製約されるために、素子の設計
の自由度を失わせる原因となつていた。
このため最近では出力光を側面から出さず又劈
開面から出力光を取り出さない半導体が開発さ
れ、その一例としてたとえばアプライド・フイジ
クス・レターズ（Appl.Phys.Lett.）の第27巻の
第295−297項（1975年）には、この種の型の半導
体レーザを用いた論文が示されている。この型の
半導体レーザはｎ型の基板、ｎ型のガイド層、ｐ
型の活性層、ｐ型のガイド層から成つていて、ｎ
型の基板とｎ型のガイド層の間には回折格子が形
成されており、両側面は劈開面となつている。回
折格子の波の周期すなわちピツチΛは、λを自由
空間におけるレーザ光の波長としｎを等価屈折率
とすると、最も基本的な形としてλ／ｎとあらわ
され、これは２次のブラツグ反射を用いる半導体
レーザであることを示している。そしてこのよう
な構成により出力光はｐ−ｎ接合面に直交した方
向に取り出される。
開面から出力光を取り出さない半導体が開発さ
れ、その一例としてたとえばアプライド・フイジ
クス・レターズ（Appl.Phys.Lett.）の第27巻の
第295−297項（1975年）には、この種の型の半導
体レーザを用いた論文が示されている。この型の
半導体レーザはｎ型の基板、ｎ型のガイド層、ｐ
型の活性層、ｐ型のガイド層から成つていて、ｎ
型の基板とｎ型のガイド層の間には回折格子が形
成されており、両側面は劈開面となつている。回
折格子の波の周期すなわちピツチΛは、λを自由
空間におけるレーザ光の波長としｎを等価屈折率
とすると、最も基本的な形としてλ／ｎとあらわ
され、これは２次のブラツグ反射を用いる半導体
レーザであることを示している。そしてこのよう
な構成により出力光はｐ−ｎ接合面に直交した方
向に取り出される。
しかし乍ら上記の半導体レーザ素子では、高次
（２次）のブラツグ反射を用いる回折格子が同時
にレーザ発振のためのミラーを兼ねているので発
振効率が低下し、発振閾値の上昇をもたらす原因
となつており、而も両側面は劈開面でなければな
らない。更に光の放射が素子の全長に亘つて行な
われるので光フアイバに光フアイバを結合させる
場合に結合効率の低下を招いている。
（２次）のブラツグ反射を用いる回折格子が同時
にレーザ発振のためのミラーを兼ねているので発
振効率が低下し、発振閾値の上昇をもたらす原因
となつており、而も両側面は劈開面でなければな
らない。更に光の放射が素子の全長に亘つて行な
われるので光フアイバに光フアイバを結合させる
場合に結合効率の低下を招いている。
なお上記において、高次のブラツグ反射を用い
た回折格子の代りに１次のブラツグ反射を用いる
回折格子を設けた半導体レーザもあるが、この半
導体レーザは出力光がｐ−ｎ接合面に平行な方向
に放射されるが垂直な方向すなわち上面からは放
射されない型のものである。
た回折格子の代りに１次のブラツグ反射を用いる
回折格子を設けた半導体レーザもあるが、この半
導体レーザは出力光がｐ−ｎ接合面に平行な方向
に放射されるが垂直な方向すなわち上面からは放
射されない型のものである。
したがつて本発明の目的は素子の両側に劈開面
を形成することなしに素子の上面から出力光を放
射できるような半導体レーザを得ようとするもの
である。
を形成することなしに素子の上面から出力光を放
射できるような半導体レーザを得ようとするもの
である。
本発明の他の目的は、素子の上面から出力光を
放射しながら而も放射面の小さい低閾値の半導体
レーザを得ようとするものである。
放射しながら而も放射面の小さい低閾値の半導体
レーザを得ようとするものである。
本発明は上記の目的を達成するために、回折格
子を１次のブラツグ反射を用いるミラー用の部分
と、高次のブラツグ反射を用いる出力取出し用の
部分とに分けて構成するようにしたものである。
子を１次のブラツグ反射を用いるミラー用の部分
と、高次のブラツグ反射を用いる出力取出し用の
部分とに分けて構成するようにしたものである。
本発明によれば半導体基板と、この基板上に成
長した所望の屈折率と禁制帯幅を有する活性層お
よびこの活性層の両面のうちの少なくとも一方の
面の側に設けた屈折率が前記所望の屈折率より小
さく且つ禁制帯幅が前記所望の禁制帯幅より大き
いガイド層を含む複数層の半導体層と、この複数
層の半導体層の前記半導体基板とは反対の側に設
けられた電極層とを含み、而して前記複数層の半
導体層のうちの少なくとも１つの半導体層の少な
くとも１面は相対する層との間で回折格子を形成
するように構成されている半導体レーザにおい
て、前記電極層の内側の一部分が該半導体レーザ
の出力光に対し実質的に透明になるように構成さ
れており、而して前記回折格子のピツチが、前記
電極層の透明の一部分に対応する領域では高次の
ブラツグ反射を用いるような長さに設定され、前
記透明の一部分ではない部分に対応する領域では
１次のブラツグ反射を用いるような長さに設定さ
れていることを特徴とする半導体レーザが得られ
る。
長した所望の屈折率と禁制帯幅を有する活性層お
よびこの活性層の両面のうちの少なくとも一方の
面の側に設けた屈折率が前記所望の屈折率より小
さく且つ禁制帯幅が前記所望の禁制帯幅より大き
いガイド層を含む複数層の半導体層と、この複数
層の半導体層の前記半導体基板とは反対の側に設
けられた電極層とを含み、而して前記複数層の半
導体層のうちの少なくとも１つの半導体層の少な
くとも１面は相対する層との間で回折格子を形成
するように構成されている半導体レーザにおい
て、前記電極層の内側の一部分が該半導体レーザ
の出力光に対し実質的に透明になるように構成さ
れており、而して前記回折格子のピツチが、前記
電極層の透明の一部分に対応する領域では高次の
ブラツグ反射を用いるような長さに設定され、前
記透明の一部分ではない部分に対応する領域では
１次のブラツグ反射を用いるような長さに設定さ
れていることを特徴とする半導体レーザが得られ
る。
次に図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の斜視図を示したも
のである。第１図において１はｎ型の基板、２は
（001）面にピツチΛ＝λ／2nであらわされる１
次のブラツグ反射を用いる第１の回折格子、３は
ピツチΛ＝λ／ｎであらわされる２次のブラツグ
反射を用いる回折格子、４は禁制帯幅が波長で約
1.1μｍのｎ型InGaAsPの一方のガイド層、５は
禁制帯幅が波長でほぼ1.3μｍに相当する
InGaAsPの活性層、６は禁制帯幅が波長で約
1.1μｍのＰ型InGaAsPの他方のガイド層、７は
ｐ型のInPでなるクラツド層、８は電流注入スト
ライプを形成するZn拡散領域、９はｎ型InPより
成り、電流注入領域以外での電流を阻止するため
のキヤツプ層、１０はｐ側電極、１１はｎ側電
極、１２はｎ側電極１１の内部に設けられた光出
力取出し用の窓である。ここで、電流注入ストラ
イプを形成するZn拡散領域８のストライプの方
向は第１及び第２の回折格子２，３の格子とはほ
ぼ垂直な方向である。また活性層５の厚さは約
0.15μｍでガイド層４及び６の厚さはいずれも約
0.2μｍである。さらに回折格子２，３の凹凸の周
期Λ1とΛ2はそれぞれ約0.2μｍ及び約0.4μｍであ
る。
のである。第１図において１はｎ型の基板、２は
（001）面にピツチΛ＝λ／2nであらわされる１
次のブラツグ反射を用いる第１の回折格子、３は
ピツチΛ＝λ／ｎであらわされる２次のブラツグ
反射を用いる回折格子、４は禁制帯幅が波長で約
1.1μｍのｎ型InGaAsPの一方のガイド層、５は
禁制帯幅が波長でほぼ1.3μｍに相当する
InGaAsPの活性層、６は禁制帯幅が波長で約
1.1μｍのＰ型InGaAsPの他方のガイド層、７は
ｐ型のInPでなるクラツド層、８は電流注入スト
ライプを形成するZn拡散領域、９はｎ型InPより
成り、電流注入領域以外での電流を阻止するため
のキヤツプ層、１０はｐ側電極、１１はｎ側電
極、１２はｎ側電極１１の内部に設けられた光出
力取出し用の窓である。ここで、電流注入ストラ
イプを形成するZn拡散領域８のストライプの方
向は第１及び第２の回折格子２，３の格子とはほ
ぼ垂直な方向である。また活性層５の厚さは約
0.15μｍでガイド層４及び６の厚さはいずれも約
0.2μｍである。さらに回折格子２，３の凹凸の周
期Λ1とΛ2はそれぞれ約0.2μｍ及び約0.4μｍであ
る。
以上の構成において、Zn拡散領域８に近接し
ている活性層５に電流を注入すると、その帯状の
ストライプ方向でレーザ発振が起こる。この際、
第１の回折格子２へもしみ出した光がそれと相互
作用を起こして発振波長が選択される。また第２
の回折格子３によつてレーザ発振した光の一部
は、ｐ−ｎ接合面に垂直な方向に放射され、ｎ側
電極１１の一部に設けられた光出力の取出し用窓
１２から光出力が得られる。
ている活性層５に電流を注入すると、その帯状の
ストライプ方向でレーザ発振が起こる。この際、
第１の回折格子２へもしみ出した光がそれと相互
作用を起こして発振波長が選択される。また第２
の回折格子３によつてレーザ発振した光の一部
は、ｐ−ｎ接合面に垂直な方向に放射され、ｎ側
電極１１の一部に設けられた光出力の取出し用窓
１２から光出力が得られる。
なお第１図の構成において、主体となる部分が
ｎ型の基板１、ｎ型のガイド層４、活性層５、お
よびｐ型のガイド層６を有していることは先に説
明した従来の半導体レーザと全く同じであり、異
るところは回折格子がピツチの互いに異つた２つ
の部分から構成されていること、素子の上部に出
力取出し用窓を内部に設けていること、および両
側部が劈開面である必要はないということであ
る。
ｎ型の基板１、ｎ型のガイド層４、活性層５、お
よびｐ型のガイド層６を有していることは先に説
明した従来の半導体レーザと全く同じであり、異
るところは回折格子がピツチの互いに異つた２つ
の部分から構成されていること、素子の上部に出
力取出し用窓を内部に設けていること、および両
側部が劈開面である必要はないということであ
る。
ここで本実施例についてその製造法を簡単に述
べる。まず、（001）面を表面にもつｎ型のInP基
板１を用意してその表面に回折格子２及び３を刻
む。回折格子の形成にはホトリソグラフイの技術
が適用される。次に液相エピタキシヤル成長法に
よつてｎ型のInGaAsPガイド層４（禁制帯幅が
1.1μｍ）、ノンドープのInGaAsP活性層５（禁制
帯幅が1.3μｍ）、ｐ型のInGaAsPガイド層６（禁
制帯幅が1.1μｍ）、ｐ型のInPクラツド層７、そし
てｎ型のInPキヤツプ層９を順次成長させる。次
にSiO2をマスクとしてZn拡散領域８を形成する。
最後にｐ側電極及び光出力を取出す窓１２を有す
るｎ側電極１１を形成する。
べる。まず、（001）面を表面にもつｎ型のInP基
板１を用意してその表面に回折格子２及び３を刻
む。回折格子の形成にはホトリソグラフイの技術
が適用される。次に液相エピタキシヤル成長法に
よつてｎ型のInGaAsPガイド層４（禁制帯幅が
1.1μｍ）、ノンドープのInGaAsP活性層５（禁制
帯幅が1.3μｍ）、ｐ型のInGaAsPガイド層６（禁
制帯幅が1.1μｍ）、ｐ型のInPクラツド層７、そし
てｎ型のInPキヤツプ層９を順次成長させる。次
にSiO2をマスクとしてZn拡散領域８を形成する。
最後にｐ側電極及び光出力を取出す窓１２を有す
るｎ側電極１１を形成する。
以上、図面を用いて本発明を説明したが、本実
施例において、活性層５とガイド層６の間に、ガ
イド層６を成長させる際に生じる活性層５のメル
トバツクを抑制するためのアンチメルトバツク層
を設けてもよい。あるいはガイド層６がアンチメ
ルトバツク層を兼ねてもよい。また第１及び第２
の回折格子２，３がInP基板１の上に形成される
ときには、ガイド層６はなくてもよい。
施例において、活性層５とガイド層６の間に、ガ
イド層６を成長させる際に生じる活性層５のメル
トバツクを抑制するためのアンチメルトバツク層
を設けてもよい。あるいはガイド層６がアンチメ
ルトバツク層を兼ねてもよい。また第１及び第２
の回折格子２，３がInP基板１の上に形成される
ときには、ガイド層６はなくてもよい。
更に本実施例においては回折格子をInP基板１
の上に形成したが、ガイド層６の上に回折格子を
形成してもよく、又両方に並列して設けてもよ
い。更にまた本実施例においては、半導体レーザ
の組成に４元のInGaAsP系を用いたが、これに
限定されず、GaAs系やPbSnTe系等他の組成を
も用いることもできることはいうまでもない。
の上に形成したが、ガイド層６の上に回折格子を
形成してもよく、又両方に並列して設けてもよ
い。更にまた本実施例においては、半導体レーザ
の組成に４元のInGaAsP系を用いたが、これに
限定されず、GaAs系やPbSnTe系等他の組成を
も用いることもできることはいうまでもない。
最後に本発明が有する利点をあげれば、劈開面
を必要としないためペレツトの切出しが容易であ
り、光出力を得られる領域が制限されているため
光フアイバへの結合効率が高く、回折格子を用い
た帰還によりレーザ発振を得ているため単一軸モ
ード化された半導体レーザが実現でき、光出力の
放射方向がｐ−ｎ接合に対して垂直であるため、
劈開面から光出力を得るレーザのようにマウント
の際にそのマウント上の設置位置が制限されるこ
とがない等である。
を必要としないためペレツトの切出しが容易であ
り、光出力を得られる領域が制限されているため
光フアイバへの結合効率が高く、回折格子を用い
た帰還によりレーザ発振を得ているため単一軸モ
ード化された半導体レーザが実現でき、光出力の
放射方向がｐ−ｎ接合に対して垂直であるため、
劈開面から光出力を得るレーザのようにマウント
の際にそのマウント上の設置位置が制限されるこ
とがない等である。
第１図は本発明の一実施例の斜視図である。
記号の説明：１はInP基板、２，３は回折格
子、４はガイド層、５は活性層、６はガイド層、
７はクラツド層、８はZn拡散領域、９はキヤツ
プ層、１０はｐ側電極、１１はｎ側電極、１２は
光出力取出し用窓である。
子、４はガイド層、５は活性層、６はガイド層、
７はクラツド層、８はZn拡散領域、９はキヤツ
プ層、１０はｐ側電極、１１はｎ側電極、１２は
光出力取出し用窓である。
Claims (1)
- １ 半導体基板と、この基板上に成長した所望の
屈折率と禁制帯幅を有する活性層およびこの活性
層の両面のうちの少なくとも一方の面の側に設け
た屈折率が前記所望の屈折率より小さく且つ禁制
帯幅が前記所望の禁制帯幅より大きいガイド層を
含む複数層の半導体層と、この複数層の半導体層
の前記半導体基板とは反対の側に設けられた電極
層とを含み、而して前記複数層の半導体層のうち
の少なくとも１つの半導体層の少なくとも１面は
相対する層との間で回折格子を形成するように構
成されている半導体レーザにおいて、前記電極層
の内側の一部分が該半導体レーザの出力光に対し
実質的に透明になるように構成されており、而し
て前記回折格子はピツチが、前記電極層の透明の
一部分に対応する領域では高次のブラツグ反射を
用いるような長さに設定された高次ブラツグ反射
領域と、前記透明の一部分を除いた残りの部分に
対応する領域ではピツチが一次のブラツグ反射を
用いるような長さに設定された１次ブラツグ反射
領域とから成り前記高次ブラツグ反射領域は前記
１次ブラツグ反射領域の間にはさまれて配置され
ていることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56055489A JPS57170582A (en) | 1981-04-15 | 1981-04-15 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56055489A JPS57170582A (en) | 1981-04-15 | 1981-04-15 | Semiconductor laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57170582A JPS57170582A (en) | 1982-10-20 |
| JPH0365029B2 true JPH0365029B2 (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=13000036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56055489A Granted JPS57170582A (en) | 1981-04-15 | 1981-04-15 | Semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57170582A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63150981A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-23 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JP2692913B2 (ja) * | 1987-12-19 | 1997-12-17 | 株式会社東芝 | グレーティング結合型表面発光レーザ素子およびその変調方法 |
| DE4217601C1 (ja) * | 1992-05-27 | 1993-09-09 | Siemens Nixdorf Informationssysteme Ag, 33106 Paderborn, De | |
| GB2379084B (en) * | 2001-08-24 | 2006-03-29 | Marconi Caswell Ltd | Surface emitting laser |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51144656A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-11 | Toshiba Corp | Photo-fiber device |
| JPS53118992A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-17 | Toshiba Corp | Semiconductor photo device |
-
1981
- 1981-04-15 JP JP56055489A patent/JPS57170582A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51144656A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-11 | Toshiba Corp | Photo-fiber device |
| JPS53118992A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-17 | Toshiba Corp | Semiconductor photo device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57170582A (en) | 1982-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0636457B2 (ja) | 半導体レ−ザを組み込むモノリシツク集積光学デバイスの製造方法およびこの方法によつて得られたデバイス | |
| JPH0256837B2 (ja) | ||
| WO2011096040A1 (ja) | 半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法および光モジュール | |
| US4622674A (en) | Single longitudinal mode semiconductor laser | |
| JP2009130030A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0137872B2 (ja) | ||
| JPS63186488A (ja) | 半導体集積発光素子 | |
| JP2002299758A (ja) | 複素結合型の分布帰還型半導体レーザ素子 | |
| US4665527A (en) | Distributed feedback semiconductor laser | |
| US6925103B2 (en) | Gain-coupled DFB laser diode | |
| US6603785B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0365029B2 (ja) | ||
| JP4599700B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JPS60149183A (ja) | 分布帰還形半導体レ−ザ | |
| JP6206498B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4243506B2 (ja) | 半導体レーザ及びそれを用いた光モジュール | |
| JP2000244059A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| Lammert et al. | Dual-channel strained-layer in GaAs-GaAs-AlGaAs WDM source with integrated coupler by selective-area MOCVD | |
| JP3700245B2 (ja) | 位相シフト型分布帰還半導体レーザ | |
| JPS6218782A (ja) | 埋込み構造半導体レ−ザ | |
| JPS62137893A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2009016878A (ja) | 半導体レーザ及びそれを用いた光モジュール | |
| JPS6250074B2 (ja) | ||
| US20010048704A1 (en) | Distributed feedback laser diode | |
| JP2529260B2 (ja) | 半導体レ−ザおよびその使用方法 |