JPH0365026B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0365026B2 JPH0365026B2 JP62178224A JP17822487A JPH0365026B2 JP H0365026 B2 JPH0365026 B2 JP H0365026B2 JP 62178224 A JP62178224 A JP 62178224A JP 17822487 A JP17822487 A JP 17822487A JP H0365026 B2 JPH0365026 B2 JP H0365026B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- type
- semiconductor substrate
- regions
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/64—Double-diffused metal-oxide semiconductor [DMOS] FETs
- H10D30/66—Vertical DMOS [VDMOS] FETs
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62178224A JPS6387771A (ja) | 1987-07-17 | 1987-07-17 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62178224A JPS6387771A (ja) | 1987-07-17 | 1987-07-17 | 電界効果トランジスタ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5023277A Division JPS53135284A (en) | 1977-04-30 | 1977-04-30 | Production of field effect transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6387771A JPS6387771A (ja) | 1988-04-19 |
| JPH0365026B2 true JPH0365026B2 (enExample) | 1991-10-09 |
Family
ID=16044759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62178224A Granted JPS6387771A (ja) | 1987-07-17 | 1987-07-17 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6387771A (enExample) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3939583B2 (ja) * | 2002-04-24 | 2007-07-04 | 日産自動車株式会社 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| JP4986408B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2012-07-25 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5185381A (enExample) * | 1975-01-24 | 1976-07-26 | Hitachi Ltd | |
| JPS5374385A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-01 | Hitachi Ltd | Manufacture of field effect semiconductor device |
-
1987
- 1987-07-17 JP JP62178224A patent/JPS6387771A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6387771A (ja) | 1988-04-19 |
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