JPH036500A - １つの可変コンデンサマイクロホンを作る方法及び複数の可変コンデンサマイクロホンを形成する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、マイクロホン又はその他の変換器に使うのに
適したエレクトレットと共に、このようなエレクトレッ
トを作る方法及び装置に関する。

〔発明の背景〕

恒久的に分極した誘電体又はエレクトレットを使い外部
の高電圧の給電源を必要としないようにするコンデンサ
マイクロホンは当業界にはよく知られている。これ等の
マイクロホンは、寸法が小さく温度や湿度の変化に比較
的鈍感で高周波応答が長期にわたるので、民間の周波数
帯域のトランシーバ、軍用通信システム及び類似物に使
うのにとくに適している。このような電気マイクロホン
の１例はコー）　（Ｃｏｔｅ　）を発明者とする米国特
許筒４．４４３，６６６号明細書に示してちる。

前記した特許明細書に示しであるマイクロホンでは、絶
縁基体に、エレクトレットを支える金属電極を取付けで
ある。エレクトレットは、イー・アイ・デュ・ボン・ド
・ヌムーアズエンドカムパ＝　（Ｅ、■、ｄｕ　Ｐｏｎ
ａ　ｄｅ　Ｎｅｍｏｕｒｓ　ａｎｄ　Ｃｏｍｐａｎｙ　
）から商品名ＴＦ：ＦＬＯＮとして市販されている重合
体のようなフルオロカーボン重合体から成っている。

エレクトレットから成る間隔を隔てて配置され商品名Ｍ
ＹＬＡＲとして市販されているような金属被覆ポリエス
テルから成るダイヤスラムは、第２の電極として作用す
る。音響信号に応答するこの第２電極の振動により、こ
れ等の２つの電極の間の瞬間的変位の際に対応する変動
が起や、これ等の２つの電極間の電位差に瞬時の変動が
生ずる。この電位変動は、基体の他方の側に取付けた電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ　）のゲートに加わる。こ
のトランジスタは外部増幅システムに結合しである。

従来使われている製法では、所望の形状を持つ各別のエ
レクトレットを、ＴＥＦＬＯＮ又はその他のフルオロカ
ーボン重合体から成る前もって分極したシートから切断
し、基板に支えた電極に接着する。これに次いでエレク
トレットマイクロホンの部品を組立てる。この普通の方
法により作られたエレクトレットは、とくに湿気のある
環境では比較的短い時限後に放電しやすいことが分って
いる。

この早過ぎ放電についての正確な説明は分っていないが
、初めて形成した後のエレクトレットの反復した取扱い
がこのような放電を生ずる要因であると考えられている
。

この従来の製法に伴う他の問題は、エレクトレットがこ
れを当てかう電極に固着しにくいことである。

従来の製法に伴うなお別の問題には誘電体層の分極があ
る。誘電体を分極させる普通の１方法では、一般にコロ
ナを使って誘電体に隣接するガス領域をイオン化し荷電
粒子を生ずる。コロナは、所望の荷電粒子を生ずるが、
又望ましくないオゾンも発生する。

〔発明の要約〕

本発明の目的の１つは、湿気を含む環境にあっても長い
時限後にも分極状態を保持するエレクトレットを提供す
ることにある。

本発明の他の目的は、当てかわれる基板に満足の得られ
る状態で接着するエレクトレットを提供することにある
。

本発明のなお別の目的は、オゾンの発生を伴わないエレ
クトレットを作る方法を提供することにある。

本発明のその他の目的は以下の説明から明らかである。

本発明によれば、誘電体を空気のようなイオン化性ガス
に隣接して配置することによりこの誘電体を恒久的に分
極させる方法が得られる。このガスはα放射線に露出し
てこれから与えられた極性の荷電粒子なるべくは負の荷
電を発生する。これ等の荷電粒子は、なるべくは誘電体
にその加熱される間に静電付着する。誘電体はフルオロ
カーボンなおとくに商品名ＴＥＦＬＯＮとして市販され
ているようなふっ素化エチレン−プロピレン共重合体か
ら構成するのがよい。α放射線源はポロニウム２１０を
使うのがよい。

又本発明によれば前記した方法により誘電体を恒久的に
分極させる装置が得られる。とくに一方は誘電体を支え
加熱するのを好適とする１対の電極は、これ等の電極間
に空気のようなイオン化できるガスを収容することので
きる領域を形成しである。この領域はα放射線に露出さ
れガスから与えられた極性を持つ荷電粒子を発生する。

そしてこれ等の電極に電位を印加し、この領域内に配置
した誘電体に粒子を静電作用により付着させる。

前記したようにポロニウム２１０から成るα放射線源は
、給電電極に比較的隣接して配置し加熱源から遮蔽する
のがよい。

本発明者は研究の結果、イオン発生器としてポロニウム
２１０のようなα放射線源を使うことにより、エレクト
レットを形成するように誘電体を有効に分極できること
を知った。これと同時にコロナ発生器の使用と共にこれ
に伴う高強度の電界を避けることによジオシン発生の望
ましくない結果が避けられる。

なお本発明によれば、誘電体層を形成する方法と共にこ
の方法により形成される製品が得られる。

本発明方法によれば液体溶媒内の誘電体のコーティング
は、導電性支持体なるべくは絶縁体に支えた支持体の表
面に施す。次いでこの液体溶媒を前記の施されたコーテ
ィングから除き誘電体層を形成する。この誘電体層は分
極させて、マイクロホン又はその他の変換器を作るよう
に他の部品に組付けるエレクトレットを形成する。誘電
体は前記したようなフルオロカーボンにょシ構成スるの
がよいが溶媒は水を使う。コーティングは、単一の基体
に支えた複数の導電性支持体に、なるべくはマスクを経
て施すことにより施すのがよい。支持体の表面には複数
のコーティングを施すのがよい。

各コーティングはこれから溶媒を除くように形成後に加
熱する。

本発明者は実験の結果、誘電体層を導電性支持体の表面
にこのようにしてその場で形成することにより、誘電体
及び支持体の間を満足の得られる状態で確実に接着でき
ることが分った。さらに誘電体層はこの層を導電性支持
体に形成して始めて分極させるから、電荷の散逸を招く
誘電体層のり続く取扱いが最も少なくなる。

〔実施例〕

実施例について図面を参照して説明すると、第１図、第
２図、第３図及び第４図に示すように本発明により構成
したエレクトレットを備えたマイクロホン２０は、導電
性の基体２２すなわち下部−ウゾング部分と第１図に示
すように導電性−・ウシングを形成するように基体２２
に滑動状態で密接に接触してはまる導電性のキャップ２
４すなわち上部ハウシング部分とを備えている。キャッ
プ２４には、口２６と、金網３０を受けるように口２６
の外側に設ける一層大きい直径のくぼみ２８とを形成し
である。同様に基体２２にも、口３２と、金網３６を受
けるように口３２の外側に設ける一層大きい直径のくぼ
み３４とを形成しである。

所望によりロ３２の内側に音響に対して透明な遮蔽３８
を取付は後述の各部品を湿気から保護するようにしであ
る。回路板４０は、ノ・ウシングの内側に基体２２の上
部リムに支えた円形部分と、キャップ２４の側壁に形成
したみそ穴４４を貫いて−・ウシングから延びる長方形
の露出部分すなわちタブ４２とを備えている。非導電性
の外部エポキシシール４６は、キャップ２４の下線部に
沿い又タブ４２及び基体２２の間の境界面に沿い延びて
いる。基体２２にはその下部周辺のまわシにくぼみ４８
を形成されエポキシシール４６を受入れるようにしであ
る。

マイクロホン２０の変換器及び各電子素子を支える回路
板４０は、第３図に示すように板４０の封入部分の上面
に形成した円形のパラジウム−銀電極５２を持つ絶縁セ
ラミック材支持体５０から形成しである。恒久的に分極
した円板状エレクトレット５４（第３図には示してない
）は、後述のように本発明による電極５２の上面に形成
しである。板４０の上面の電極５２を囲む同心のパラジ
ウム−銀支持リング５６は、エレクトレット５４の周辺
を支える。エレクトレット５４は、商品名ＭＹＬＡＲと
して市販されているようなポリエステル材により構成す
るのを好適とする環状スペーサ５８を支える。スペーサ
５８には、第１図に示した上面に金めつき（別個には示
してない）した同様にＭＹＬＡＲのようなポリエステル
から成るダイヤフラム６０を接着しである。電極５２、
エレクトレット５４、スペーサ５８及びダイヤ７ラム６
０ハ、マイクロホン２０の変換器部分を構成する。

キャップ２４の内面に形成した環状肩部６２は、ダイヤ
フラム６０及びスペーサ５８をエレクトレット５４及び
支持リング５６に押付は回路板４０を基体２２の上部リ
ム及びスペーサ５８の間に挾む。

回路板４０には第１の比較的大きい直径の穴６４を形成
して、板４０の両側の間に音響結合を生成する。さらに
板４０には、電極５２と金めつきした区域７０に隣接す
る板４０の下側のパラジウム−銀めつき区域６８との間
に電気的結合を生ずるようにパラジウム−銀の貫通めっ
きした小さい方の直径の穴６６を形成しである。めっき
区域７０は、板４０の下面に取付けた電界効果トランジ
スタＣＦＥＴ　）　７２のゲート電極に接続しである。

ＦＫＴ　７２は、そのソース電極をプラシウムー銀のめ
つき区域７６に隣接する金めつき区域７４に結合し、又
ドレイン電極を同様に板４０の下面に形成したパラジウ
ム−銀のめつき区域８０に隣接す金めつき区域７８に結
合しである。デート抵抗器８２は、めっき区域６８と板
４０の下面に形成した周辺のパラジウム−銀のめつき区
域８４との間の導電性径路を形成するが、ソース抵抗器
８６はめつき区域７６を同じ周辺区域８４に結合する。

タブ４２の下面に形成した第１の電極端子８８すなわち
接触子はみそ穴４４を貫いて内方に延びめっき区域８４
に接合しである。タブ４２の下面に形成した第２の電気
端子９０はみぞ穴４４を貫いて延びめっき区域７６に接
合しであるが、タブ４２の下面に形成した第６の端子９
２はみぞ穴４４を貫いて内方に延びめっき区域８０に接
合しである。各端子８Ｂ、９０．９２は、これ等が接合
するめつき区域と同じ材料から形成するのがよい。環状
のめつき区域８４と大体同じ長さの導電性エポキシ層９
４は、区域８４を基体２２従ってキャップ２４に電気的
に結合し区域８４がアース又は共用線として作用できる
ようにする。第４図に示すように端子９２は共通のめつ
き区域８４への外部結線になるが、端子９０．９２はそ
れぞれＦＥＴ　７２のソース及びドレインに対する外部
結線を形成する。非導電性エポキシ層９６は端子９０゜
９２の内方に延びる部分を基体２２の上部リムから隔離
して短絡のおそれを阻止する。

機械的寸法、電気的パラメータ等に対する適当な値は当
業者には明らかである。満足できる成績は次の選択によ
り得られた。

基板５０の厚さ　　　　　　　　　０．０２０ｉｎ基板
５０の直径　　　　　　　　　０．２８５ｉｎタブ４２
の幅　　　　　　　　　　　０．１４８ｉｎタブ４２の
長さ　　　　　　　　　　０．１２５ｉｎ電極５２の直
径　　　　　　　　　０．２００：ｔｎリング５６より
　　　　　　　　　０．２２５ｉｎリング５６０Ｄ　　
　　　　　　　　０．２７５ｉｎ音響穴６４の直径　　
　　　　　　口、０４１ｉｎ電気穴６６の直径　　　　
　　　　０．０１０　ｉｎめっき厚　　　　　　　　　
　　　０．０００５　ｉｎダイヤフラム６０の厚さ　　
　　　　　　　　０．ＯＤ　０２５　ｉｎスペーサ５８
の厚さ　　　　０．００２〜０．００３　ｉｎソース抵
抗器８６　　　　　　　４７〜ＩＱ　　ＫＱＱ１０ト抵
抗器８２　　　　　　　　１０００ＭΩＦＥＴ　　７２
　　　　　　　　　　　　　　　　　　２Ｎ４３３８金
網３０．３６メツシユ寸法　　　　　　　　　　５　μ
ｍ第５図及び第６図に示すように複数の回路板４０は、
これ等の板の円形部分とタブ４２の側部とをレーずカッ
ト１０２により形成した単一のウェハ１００から形成し
である。各別の板４０はウェハ１００に、タブ４２の端
部がウェハ１００の下面に形成したスクライプにより形
成された線１０４に沿って位置するように配置しである
。展型的にはウェハ１００は、約２．５　ｉｎ２であり
３６個の各別の板４０を含む。

エレクトレット５４を含む回路板４０を形成するには、
セラミック材ウェハ１００は、先ず、各別の板の穴６４
．６６を形成するようにせん孔されレーザカット１０２
及びスクライブ線１０４を形成して各別の板４０をスク
ライブ線に沿いウェー・の残りの部分から折シ取ること
ができる。ウェー１００の各別の版４０の上面及び下面
に次いで、前記したようにパラジウム−銀及び金のめつ
き区域を生成する。このめっき工程後にケ９−ト抵抗器
８２及びソース抵抗器８６は第２図に示すように各版の
下面に対し遮蔽される。

次にＴＥＦＬＯＮフルオロカーボン誘電体を、散布機１
１０を使いマスク１０６を経てウェー・１００の上面に
吹付けすることにより各別の回路板４０の前面に施す。

第７図及び第８図に示すように吹付は中にウェー・１０
０の表面に当てがうマスク１０６は、各リング５６と同
心で各リング５６の外径に直径が対応する複数の穴１０
８を形成した扁平な金属（たとえば黄銅）ステンシルか
ら成っている。各人１０８は化学的エツチングのような
任意適当な方法により形成する。２５ないし３００セン
チポアズ（ＯＦ　）の粘度を持つＦＥＰ　（ふっ素化エ
チレン−プロピレン共重合体）の水溶液であるＤｕ　Ｆ
ｏｎｔ　８５６−２００　ＴＥＦＬＯＮ　ＦＩＰ透明コ
ーティングを使うのがよい。プライマー（下塗剤）を使
わないで溶液を希釈しないのがよい。施す前にこの材料
は、その容器を１５ないし３０　ｍｉｎにわたシ転がす
ことにより室温で静かにかきまぜ、次いで１００メツシ
ユのステンレス鋼スクリーンでろ過するのがよい。散布
機１１０は塗装に使われる種類の標準の圧縮空気吹付は
ガンを備えている。

適当な吹付はガンの１例としてＦチップを持つ≠３０空
気キャップを備え４０　ｐｓｉの圧力で作動するＤｅ　
Ｖｉｌｂｉｓｓ　ＭＢＣ型がある。施される誘電体層５
４の厚さは、コーティングの回数により制御する。施し
ごとにわずか１ミルのコーティングを形成するのがよい
。

誘電体の各コーティングをこのようにしてウェハ１００
の前面に施した後、このコーティングは溶媒を蒸発させ
るために製造業者の仕様に従って熱により硬化させる。

１．５ミルの全コーティング厚さにより満足できる結果
が得られた。各コーティングは１　ｈｒにわたシフ００
°Ｆでか焼した。所望数の誘電体層をこのようにして施
した後、ＦＥＴ７２を各別の板４０の下面に施し、その
リード線を金めつき区域７０．７４．７８に接着し、エ
ポキシ（図示してない）でＩＴのポツティングを行う。

次いで各別の板を、−これ等をスクライブ線１０４に沿
いタブ４２の端部で折取ることにより、後述の給電工程
の準備にウェーハから分離する。

第９図及び第１０図に示すように給電装置１１２は導電
性支持体１１４を備えている。支持体１１４の上面には
各別の回路板４０をその下面を下向きにして受入れるよ
うに凹入部１１６を形成しである。第１０図に示すよう
に凹入部１１６にはさらにくぼみ１１８を形成して板４
ｏの下面に電子部品を受入れるようにしである。支持体
１１４は、導電性基体１２２を持つ黄銅製作業場所１２
０に乗せである。作業場所１２０内に配置した抵抗素子
１２４は電位源■１に結合して、給電中に回路板４０を
適当な温度に加熱するようにしである。

支持体１１４及び作業場所１２０の間に配置した熱遮蔽
１２６は、後述の電極を作業場所１２０がらの熱から遮
蔽する。

導電性支持体１１４は回路板４０を支えるだけでなく第
１の電極としても作用する。この第１電極には、エレク
トレット５４を支える電極５２を版下面の電子部品を経
て結合してちる。支持体１１４から所定の距離ｄに配置
した給電電極１２８は、高い負電位源■２に結合され電
極１２８及び支持体１１４間の領域に電位の傾きを生成
するようにしである。電極１２８は、幅ｄのすきま又は
ギャップをおいて作業場所１２０及び支持体１１４に整
合する作動位置（第９図及び第１０図）と支持体１１４
に対し整合のはずれた非作動位置との間で枢動運動する
ように適当な手段（図示してない）により叉えた金属製
（たとえば黄銅製）の円板を備えている。電極１２８の
下面に固着したイオン発生器１３０は、電極１２８に隣
接する領域の空気をイオン化し、正イオン１３２、負イ
オン１３４及び電子１３６を含む荷電粒子を生ずる。

イオン発生器１３０は、近距離短寿命の材料であるポロ
ニウム２１０のようなα線放出体から成っている。

前記したように電極１２８は支持体１１４に対して高い
負電位に保っであるから、ギャップに生成した正イオン
１３２は電極１２８に引付けられるが、負イオン１３４
及び電子１３６は支持体１１４従って誘電体５４の層に
向かい引付けられる。正イオンと再結合しないで誘電体
５４の層に達するこれ等の゛電子及び負イオンは誘電体
５４の層の表面に当たる。誘電体５４の層の熱的活性に
よってこれ等の電子及び負イオンはこの材料上に又はそ
の中に吸収され、誘電体５４の層の上面に又はこの上面
に隣接して負の電荷を持つ層（別個には示してない）を
生ずる。この電荷は、給電電極１２８を除き誘電体層５
４が冷却したときにも残っている。

作動時には誘電体層５４を形成した各別の回路板４０を
支持体１１４の凹入部１１６内に入れ適当な温度に達す
るようにする。次いで電極１２８及びイオン発生器１３
０を支持体１１４に対向する位置にこれから間隔ｄを離
して揺動させる。次いで回路板４０の誘電体５４０層に
所定の時間にわたシ給電する。次いで電極１２８及びイ
オン発生器１３０を除き板４０を迅速に冷却する。給電
レベルを確認するように、板４０を静電電圧計（図示し
てない）の下方に°置く。計測電圧が承認できれば、板
４０を使い第１図ないし第４図に示すようにマイクロホ
ンを組立てる。

ギャップ幅ｄにより、与えられた時間、温度及び給電電
圧■２に対する誘電体５４の層の表面の電荷の割合すな
わち量を制御する。給電電圧■２、温度、時間及びギャ
ップ幅ｄに対する適当な選択は当業者には明らかである
。満足できる成績は、３０００Ｖの電圧Ｖ２．２０　ｓ
ｅｃの時間、１７５℃の温度及び０．５　ｉｎのギャッ
プ幅ｄを使うと得られる。

前記した処理の若干の変更は当業者には明らかである。

すなわち給電工程中の誘電体の加熱が望ましいが、この
加熱は必ずしも必要なわけではない。回路板のタブ４２
への誘電体の付着を防ぐのにマスクの使用が望ましいが
、このような工程も必ずしも必要なわけではない。

本発明の目的が達成できたことは明らかである。

本発明のエレクトレットは、湿気のある環境でも長時限
の分極状態を保ち、本発明によりエレクトレットを施し
た基板に満足できる状態で接着する。

さらに前記した工［／クトレットの製法ではオゾンの発
生は起らない。

以上本発明をその実施例について詳細に説明したが本発
明はなおその精神を逸脱しないで種種の変化変型を行う
ことができるのはもちろんである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明により構成したエレクトレットを備えた
マイクロホンを示す後述第２図の１−１線に沿う断面図
である。 第２図は第１図のエレクトレットマイクロホンの２−２
線に沿う断面図である。 第３図は第１図に示したマイクロホンの回路板をそのエ
レクトレットの形成に先だって示す平面図である。 第４図は第１図のエレクトレットマイクロホンとこれに
協働する前置増幅器回路との電気配線図である。 第５図は各別の回路板を形成した基板の平面図である。 第６図は第５図に示した基板の上部左部分の拡大平面図
である。 第７図は第５図に示した基板に誘電体を吹付ける間に使
うマスクの平面図である。 第８図は基板の表面への誘電体の吹付けを示す横断面図
である。 第９図は第８図に示した吹付は処理により形成した誘電
体を恒久的に分極させるのに使う装置の線図的側面図で
ある。 第１０図は第９図に示した装置の要部の拡大側面図であ
る。 ４０−・・回路板、５２・・・電極、５４・・誘電体（
エレクトレット）、１１４・・支持体、１２８・・・電
極４ ６２− 手続補正書 補正の内容（特願平２−１２７０３３）平成 ２年 ８月１５日 許庁長 １、事件の表示 ３、補正をする者 平成２年特許願第１２７０３３号 事件との■■系 判餌午出臥 ジエンチフス、コーパレイシャン 明細書を次のとおり補正致します。 １、特許請求の範囲を次のとおり補正します（請求項の
数は１３減って１５になります）。 特許請求の範囲 １゜導電性支持体の表面に液体溶媒中で誘電体のコーテ
ィングを施す段階と、この施されたコーティングから前
記溶媒を除く段階と、前記溶媒の除去に次いでエレクト
レットを形成するように前記誘電体を分極させる段階と
から成る、導電性支持体上にエレクトレットを形成する
方法。 ５、補正命令の日付　　　　　　　　自　　　　発３、
補正により減少する請求項の数　　　１３７、補正の対
象　　　　　　明細書の（１）特許請求の範囲（２）発
明の名称 ８、補正の内容 □［。 ２、請求項１記載の方法で作った製品。 ３、分極可能な誘電体材料で絶縁基板（１００）の金属
化表面にコーティングを施す段階と、前記絶縁基板を、
イオン化可能なガス中に配置した互いに間隔を置いた１
対の電極（５２，１１４）の一方の上に配置する段階と
、前記ガスに（イオン発生器１３０（１） からの）α線の作用を受けさせて、前記両電極間の空間
内にイオンを生じさせる段階と、前記画電極を横切って
電位（Ｖ２）を印加して、イオンを前記誘電体材料の方
に移動させ前記誘電体材料を分極させる段階とから成る
、キャパシタマイクロホンのエレクトレット素子を形成
する、エレクトレット素子形成方法。 ４、前記コーティングを前記絶縁基板により支えられた
複数の導電性支持体に施す請求項３記載のエレクトレッ
ト素子形成方法。 ５、前記誘電体材料が、フルオロカーボンから成る請求
項３記載のエレクトレット素子形成方法。 ３、前記誘電体材料が、ぶつ化エチレン−プロピレン共
重合体から成る請求項３記載のエレクトレット素子形成
方法。 ７、前記溶媒が、水から成る請求項３記載のエレクトレ
ット素子形成方法。 旦、前記誘電体材料から成る複数のコーティングを前記
導電性支持体の前記表面に施す請求項３記載のエレクト
レット素子形成方法。 旦、前記コーティングをマスクを経て前記導電性支持体
の表面に施す請求項３記載のエレクトレット素子形成方
法。 耳、前記コーティングを前記導電性支持体の前記表面に
吹付けする請求項３記載のエレクトレット素子形成方法
。 旦、前記コーティングを加熱してこれから前記溶媒を除
く請求項３記載のエレクトレット素子形成方法。 １２、活性回路素子を前記コーティングの施しに次いで
前記絶縁基板に付加する請求項３記載のエレクトレット
素子形成方法。 １３、請求項３ないし１２のいずれか１つに記載のエレ
クトレット素子形成方法で作った製品。 １４、前記誘電体材料を加熱する段階を包含する請求項
３記載のエレクトレット素子形成方法。 １５、前記金属化表面にコーティングを施す段階が、溶
媒に溶解した前記誘電体材料でコーティングを施す段階
と、次いでこの溶媒を除去する段階との複数の段階から
成る請求項３記載のエレクトレット素子形成方法。 ２、発明の名称を「導電性支持体上にエレクトレットを
形成する方法及びキャパシタマイクロホンのエレクトレ
ット素子形成方法」と補正します。 （４）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、誘電体をイオン化できるガスに隣接する位置に配置
   し、前記ガスをα放照線に露出しこのガスから与えられ
   た極性を持つ荷電粒子を発生し、これ等の荷電粒子を前
   記誘電体に静電付着させることから成る、誘電体を恒久
   的に分極させる方法。 ２、前記誘電体をこれに前記粒子を付着させる間に加熱
   する請求項１記載の方法。 ３、前記粒子を負に帯電させる請求項１記載の方法。 ４、前記誘電体としてフルオロカーボンを使う請求項１
   記載の方法。 ５、前記誘電体としてふつ素化エチレン−プロピレン共
   重合体を使う請求項１記載の製法。 ６、前記ガスとして空気を使う請求項１記載の方法。 ７、前記ガスをポロニウム２１０源からのα放射線に露
   出する請求項１記載の方法。 ８、イオン化できるガスを含むことのできる領域を間に
   仕切る１対の互いに間隔を隔てた電極と、前記領域をα
   放射線に露出して前記ガスから与えられた極性を持つ荷
   電粒子を生ずるα放射線手段と、前記各電極に電位を印
   加し前記領域内に配置した誘電体に前記粒子を静電付着
   させる印加手段とを包含する、誘電体を恒久的に分極さ
   せる分極装置。 ９　前記電極の一方により前記誘電体を支えるようにし
   た請求項８記載の装置。 １０、前記の一方の電極を加熱する加熱手段を備えた請
   求項９記載の装置。 １１、前記領域内で前記誘電体を加熱する加熱手段を備
   えた請求項８記載の装置。 １２、前記α放射線手段を前記加熱手段から遮蔽する遮
   蔽手段を備えた請求項１１記載の装置。 １３、前記α放射線手段を前記電極の一方に比較的隣接
   して配置した請求項８記載の装置。 １４、前記α放射線手段としてポロニウム２１０源を使
   つた請求項８記載の装置。 １５、導電性支持体の表面に液体溶媒中で誘電体のコー
   ティングを施し、この施されたコーティングから前記溶
   媒を除き、前記溶媒の除去に次いでエレクトレットを形
   成するように前記誘電体を分極させることから成る、導
   電性支持体にエレクトレットを形成する方法。 １６、請求項１５記載の方法の製品。 １７、絶縁基板に支えた導電性支持体の表面に液体溶媒
   中で誘電体のコーティングを施し、この施されたコーテ
   ィングから前記溶媒を除き前記誘電体の層を形成するよ
   うにすることから成る、分極できる誘電体層を形成する
   方法。 １８、前記コーティングを前記基板に支えた複数の導電
   性支持体に施す請求項１７記載の方法。 １９、誘電体としてフルオロカーボンを使う請求項１７
   記載の方法。 ２０、前記誘電体としてふつ素化エチレン−プロピレン
   共重合体を使う請求項１７記載の方法。 ２１、前記溶媒として水を使う請求項１７記載の方法。 ２２、前記誘電体から成る複数のコーティングを前記支
   持体の前記表面に施す請求項１７記載の方法。 ２３、前記コーティングをマスクを経て前記支持体の表
   面に施す請求項１７記載の方法。２４、前記コーティン
   グを前記支持体の前記表面に吹付けする請求項１７記載
   の方法。 ２５、前記コーティングを加熱してこれから溶媒を除く
   請求項１７記載の方法。 ２６、活性回路素子を前記コーティングの施しに次いで
   前記基板に加える請求項１７記載の方法。 ２７、前記誘電体をこれからの前記溶媒の除去に次いで
   分極させてエレクトレットを形成する請求項１７記載の
   方法。 ２８、請求項１７ないし２７のいずれかに記載の方法に
   よる製品。