JPH0364723A - レーザー走査光学装置 - Google Patents
レーザー走査光学装置Info
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- JPH0364723A JPH0364723A JP20198489A JP20198489A JPH0364723A JP H0364723 A JPH0364723 A JP H0364723A JP 20198489 A JP20198489 A JP 20198489A JP 20198489 A JP20198489 A JP 20198489A JP H0364723 A JPH0364723 A JP H0364723A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
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- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発囮は、直接変調可能な半２１メ体１ノーザーを光源
としで用い、感光媒体などの被走査媒体上を光走青する
高精却レーザー記録装置等で使用されるレーザー足前光
学装置に関する［従来の技術］ 従来、レーザー記！！装置は、通常、特公昭６２−３６
２１０号公報等に記載されている様に、第５図の如く構
成されている。同図の従来構成において１画像信号をＯ
Ｎ、ＯＦＦ信号に変換された信号が半導体レーザー２１
に印加され、半導体レーザー２１がＯＮ、ＯＦＦされる
。半導体レーザー２１より放出された光束はコリメータ
ーレンズ２２により平行光とされ、更にシリンドリカル
レンズ２３により副走査方向（走査面と垂直な方向）に
収束されポリゴンミラー２４の偏向反射面２５に入射す
る。ポリゴンミラー２４はモータ２６によって矢印２７
の方向に回転しているので、ポリゴンミラー２４に入射
した光束も矢印の方向に偏向走査される。
としで用い、感光媒体などの被走査媒体上を光走青する
高精却レーザー記録装置等で使用されるレーザー足前光
学装置に関する［従来の技術］ 従来、レーザー記！！装置は、通常、特公昭６２−３６
２１０号公報等に記載されている様に、第５図の如く構
成されている。同図の従来構成において１画像信号をＯ
Ｎ、ＯＦＦ信号に変換された信号が半導体レーザー２１
に印加され、半導体レーザー２１がＯＮ、ＯＦＦされる
。半導体レーザー２１より放出された光束はコリメータ
ーレンズ２２により平行光とされ、更にシリンドリカル
レンズ２３により副走査方向（走査面と垂直な方向）に
収束されポリゴンミラー２４の偏向反射面２５に入射す
る。ポリゴンミラー２４はモータ２６によって矢印２７
の方向に回転しているので、ポリゴンミラー２４に入射
した光束も矢印の方向に偏向走査される。
ポリゴンミラー２４により偏向された光束は、球面レン
ズ２８とトーリックレンズ２９より成るｆ・θ特性を持
つ結像レンズ３０によって感光媒体３１を等速でライン
３２の如く結像走査することになる。感光媒体３１は矢
印３３ｑ）方向に回転しているので、走査ライン３２は
感光媒体３１上を副走査方向に順次走査露光し、こうし
て２次元的に形成された画像は、その後、通常、よく知
らされた電子写真プロセスにより紙などに記録される。
ズ２８とトーリックレンズ２９より成るｆ・θ特性を持
つ結像レンズ３０によって感光媒体３１を等速でライン
３２の如く結像走査することになる。感光媒体３１は矢
印３３ｑ）方向に回転しているので、走査ライン３２は
感光媒体３１上を副走査方向に順次走査露光し、こうし
て２次元的に形成された画像は、その後、通常、よく知
らされた電子写真プロセスにより紙などに記録される。
こうした装置において、半導体レーザー２１の駆動は、
半導体レーザー２１の電流■と光量り関係が第６図の様
になっているので（Ｔ−Ｌカーブ）、レーザー２１を発
光させるときは決められた光量Ｅ、に対応する１、に注
入電流がなり、発光しないときは注入電流がＯになる様
に行なわれる。
半導体レーザー２１の電流■と光量り関係が第６図の様
になっているので（Ｔ−Ｌカーブ）、レーザー２１を発
光させるときは決められた光量Ｅ、に対応する１、に注
入電流がなり、発光しないときは注入電流がＯになる様
に行なわれる。
［発明が解決しようとする課題］
しかし乍ら、上記従来例の様な半導体レーザーの駆動方
法では次の如き欠点があった。
法では次の如き欠点があった。
すなわち、半導体レーザーは温度に依存してＩ−Ｌカー
ブが変化し、第６図に示す如く、”ｒ ＝ＡのときＡ′
の様な特性を示し、Ｔ＝口（ＢＡＡ）のときはＢ′の様
な・特性（しきい値電流１．が上昇する）を示す、従っ
て、注入電流を一定にして半導体レーザーを発光しよう
とすると、温度の上昇と共に徐々に発光光量が下がり、
半導体レーザーの熱が平衡状態に達して温度が一定とな
ったところで始めて一定の光量となる。この様子が第７
図に示されている。
ブが変化し、第６図に示す如く、”ｒ ＝ＡのときＡ′
の様な特性を示し、Ｔ＝口（ＢＡＡ）のときはＢ′の様
な・特性（しきい値電流１．が上昇する）を示す、従っ
て、注入電流を一定にして半導体レーザーを発光しよう
とすると、温度の上昇と共に徐々に発光光量が下がり、
半導体レーザーの熱が平衡状態に達して温度が一定とな
ったところで始めて一定の光量となる。この様子が第７
図に示されている。
よって１例えば、第８図の如き画像を出力した場合には
次の様になってしまう、第８図において、ハツチングの
部分は黒（すなわち半導体レーザー２１がＯＮとされて
感光媒体３１上にビームが照射される部分）で他は白（
すなわち半導体レーザー２１がＯＦＦでビームが照射さ
れない部分）とすると、八ツチング部りの部分では、各
走査において半導体レーザー２１がＯＦＦからＯＮとさ
れて短い期間だけビームが照射されるので熱平衡状態に
達する前の比較的光量の多いビームで照射されて濃度が
比較的大となり、反面、八ツチング部Ｃの部分では、各
走査に・おいて半導体レーザー２１が長い期間ＯＮとさ
れてビームが照射されるので熱平衡状態での比較的光量
の少ない一定のビームで照射されて濃度が比較的小とな
る。こうしてＣとＤの部分の濃度が変わってしまい、均
一な黒の部分を有する画像が得られないことになる。
次の様になってしまう、第８図において、ハツチングの
部分は黒（すなわち半導体レーザー２１がＯＮとされて
感光媒体３１上にビームが照射される部分）で他は白（
すなわち半導体レーザー２１がＯＦＦでビームが照射さ
れない部分）とすると、八ツチング部りの部分では、各
走査において半導体レーザー２１がＯＦＦからＯＮとさ
れて短い期間だけビームが照射されるので熱平衡状態に
達する前の比較的光量の多いビームで照射されて濃度が
比較的大となり、反面、八ツチング部Ｃの部分では、各
走査に・おいて半導体レーザー２１が長い期間ＯＮとさ
れてビームが照射されるので熱平衡状態での比較的光量
の少ない一定のビームで照射されて濃度が比較的小とな
る。こうしてＣとＤの部分の濃度が変わってしまい、均
一な黒の部分を有する画像が得られないことになる。
この欠点を克服する為に、半導体レーザーに常にしきい
値電流以下の電流を印加しておいて半導体レーザーを常
に熱平衡状態に保っておくというバイアス電流の方法が
知られているが、この方法では、上記の問題点は解消さ
れるが、第６図のしきい値電流Ｉ ｔｉｔ以下のバイア
ス電流によるレーザー発光以外のＬＥＤ光量が生じてい
る為、出力画像にカブリを生じるという問題があった。
値電流以下の電流を印加しておいて半導体レーザーを常
に熱平衡状態に保っておくというバイアス電流の方法が
知られているが、この方法では、上記の問題点は解消さ
れるが、第６図のしきい値電流Ｉ ｔｉｔ以下のバイア
ス電流によるレーザー発光以外のＬＥＤ光量が生じてい
る為、出力画像にカブリを生じるという問題があった。
従って、本発明の目的は、上記課題を解決すべく、濃度
が安定し且つカブリを生じない様なレーザー走査光学装
置を提供することにある。
が安定し且つカブリを生じない様なレーザー走査光学装
置を提供することにある。
［課題を解決する為の手段］
ヒ記目的を達成する為の本発明では、半導体レーザーか
ら放射される光束を感光媒体などの被走査媒体上に走査
するレーザー走査光学装訛において、半導体レーザーに
常に−へ定で１１つし色い偵電流以下のバイアス電流を
印加し、半導体レーザーε被走査媒体の間に、半導体レ
ーザーより出るレーザー発光以外の光を被走査媒体上に
導かない様にする光学部材が挿入されている。
ら放射される光束を感光媒体などの被走査媒体上に走査
するレーザー走査光学装訛において、半導体レーザーに
常に−へ定で１１つし色い偵電流以下のバイアス電流を
印加し、半導体レーザーε被走査媒体の間に、半導体レ
ーザーより出るレーザー発光以外の光を被走査媒体上に
導かない様にする光学部材が挿入されている。
こうした光学部材は、半導体レーザーのしきい値１４流
Ｉ ｔｈ以下の注入電流で出力される児がＬ Ｅ Ｉ）
光である為、ｉ／−ザー発先尤の様に偏光特性がないこ
と、レーザー発光光り波長が異なることを１＋１用する
ものである。具体的には、略し−ザー発３Ｉ！′：光の
みを通す偏光フィルタであったり、略レーザー発光光の
波長を中心とした波長の光のみを通す干渉フィルタであ
ったり、略レーザー発光光の波長な中心とした波長の光
のみを反射する反射ミラーであったりする、 ［作用］ 」二足構成により、半導体１．／−ザーを一定電流で駆
動しても光量が略安定化し、且つ画像にカブリを生じる
有害なＬ Ｅ Ｄ成分が被走査媒体上に到達しない様に
なる。
Ｉ ｔｈ以下の注入電流で出力される児がＬ Ｅ Ｉ）
光である為、ｉ／−ザー発先尤の様に偏光特性がないこ
と、レーザー発光光り波長が異なることを１＋１用する
ものである。具体的には、略し−ザー発３Ｉ！′：光の
みを通す偏光フィルタであったり、略レーザー発光光の
波長を中心とした波長の光のみを通す干渉フィルタであ
ったり、略レーザー発光光の波長な中心とした波長の光
のみを反射する反射ミラーであったりする、 ［作用］ 」二足構成により、半導体１．／−ザーを一定電流で駆
動しても光量が略安定化し、且つ画像にカブリを生じる
有害なＬ Ｅ Ｄ成分が被走査媒体上に到達しない様に
なる。
［実施例１
第１図は本発明の第ｉ実施例の概略構成を示す。
同図において、ｌは半導体レーザーでありｙ＄＆こ第２
図で示す一定のバイア入電流■８が印加されており、半
導体レーザーｌにＯＮの信号が来たＪ二きには印加［流
はＩ、の値になり、Ｅｓの光量の光が半導体Ｉ／−ザー
１から出力される。
図で示す一定のバイア入電流■８が印加されており、半
導体レーザーｌにＯＮの信号が来たＪ二きには印加［流
はＩ、の値になり、Ｅｓの光量の光が半導体Ｉ／−ザー
１から出力される。
半導体１）−ザーｌより出た光束はコリメータ１ノンズ
２により平行光ヒされ、更に偏光フィルタ３（半導体レ
ーザー１の）／−ザー発先光の偏光方向の光のみを通す
様に配向されている）な通るこヒにより、光束に含まれ
て譬ハたＬＥｐ成分が略カットされで、第２図の破線の
カーブに沿ってＥ８の光量ヒなって偏光フ、Ｃルナ３か
ら出射きれる。
２により平行光ヒされ、更に偏光フィルタ３（半導体レ
ーザー１の）／−ザー発先光の偏光方向の光のみを通す
様に配向されている）な通るこヒにより、光束に含まれ
て譬ハたＬＥｐ成分が略カットされで、第２図の破線の
カーブに沿ってＥ８の光量ヒなって偏光フ、Ｃルナ３か
ら出射きれる。
偏光フィルタ３を出た光束はポリゴンミラー４の偏向反
射面５に入射する。ポリゴンミラー４はモータ６により
矢印７の方向に回転しているので、この大射光束は偏向
されて、結像レンズ８により、矢印１３である副走査方
向に回転している感光媒体１１の−Ｌを走査［１２の様
に順次結像走査きれる。
射面５に入射する。ポリゴンミラー４はモータ６により
矢印７の方向に回転しているので、この大射光束は偏向
されて、結像レンズ８により、矢印１３である副走査方
向に回転している感光媒体１１の−Ｌを走査［１２の様
に順次結像走査きれる。
こうした構成により、半導体レーザー東が熱平衡状態に
保たれてこれからの出力が常に安定化され、また、Ｌ
Ｅ Ｄ成分が偏光フィルタ３で除去きれるので、濃度の
均一で且つカブリのない画像が感光媒体ｌｌ上に形成さ
れる。
保たれてこれからの出力が常に安定化され、また、Ｌ
Ｅ Ｄ成分が偏光フィルタ３で除去きれるので、濃度の
均一で且つカブリのない画像が感光媒体ｌｌ上に形成さ
れる。
第１実施例では、Ｌ Ｅ Ｄ成分を除去する手段ヒして
偏光フィルタ３が用いられていたが、干渉フィルタも除
去ｆ段ヒして用いられ得る。第３図はこの干渉フィルタ
の特性を示すもので、え、はレーザー発光光の波長を示
しんえはｌ Ｅ Ｄ先の中心の波長な示す。こうした分
光特性のフィルタを光路中に挿入することによっても、
半導体レーザー１かものＬＥＤ成分荀カットするこヒが
出来る。
偏光フィルタ３が用いられていたが、干渉フィルタも除
去ｆ段ヒして用いられ得る。第３図はこの干渉フィルタ
の特性を示すもので、え、はレーザー発光光の波長を示
しんえはｌ Ｅ Ｄ先の中心の波長な示す。こうした分
光特性のフィルタを光路中に挿入することによっても、
半導体レーザー１かものＬＥＤ成分荀カットするこヒが
出来る。
また、第１実施例ではＩ／−ザー走査光学系を倒れ補正
系（ポリゴンミラー４の偏光反射面５が所定の配回状態
から傾斜してイ）、光束が被走査媒体上の同一地点に集
光きれる様にした系）ヒして説明しなかったが、レーザ
ー走査光学系は倒れ補正系であってもよいゆ次に、第４
図は第２の実施例を示す。同図において、半導体レーザ
ーｌから出た光束はコリメータレンズ５によりロリメー
トされ、シリンドリカルレンズ１５により走査簡に垂直
な方向である副走査方向にのみ結像され、ポリゴンミラ
ー４の偏向反射面５に入射する、大射光束はポリゴンミ
ラー４により偏向され、球面レンズ１６と１ヘーリヴク
レンズ１７より成る結像レンズ１８を通り反射ミラー１
９によって反射されて感光媒体１１上に結像走査される
。
系（ポリゴンミラー４の偏光反射面５が所定の配回状態
から傾斜してイ）、光束が被走査媒体上の同一地点に集
光きれる様にした系）ヒして説明しなかったが、レーザ
ー走査光学系は倒れ補正系であってもよいゆ次に、第４
図は第２の実施例を示す。同図において、半導体レーザ
ーｌから出た光束はコリメータレンズ５によりロリメー
トされ、シリンドリカルレンズ１５により走査簡に垂直
な方向である副走査方向にのみ結像され、ポリゴンミラ
ー４の偏向反射面５に入射する、大射光束はポリゴンミ
ラー４により偏向され、球面レンズ１６と１ヘーリヴク
レンズ１７より成る結像レンズ１８を通り反射ミラー１
９によって反射されて感光媒体１１上に結像走査される
。
この構成においても、半導体レーザーｌは第２図で説明
した様に駆動され、また、反射ミラー１９は第３図のえ
、の波長の光は反射しえ２の波長の光は透過する様にな
っている従って、半導体レーザーｌの出力が安定化され
、且つＬＥＤ成分が感光媒体ｌｌ上に導かれない様にな
っており、濃度が均一・で且っカブリのない画像が感光
媒体Ｉｌ上に形成される。
した様に駆動され、また、反射ミラー１９は第３図のえ
、の波長の光は反射しえ２の波長の光は透過する様にな
っている従って、半導体レーザーｌの出力が安定化され
、且つＬＥＤ成分が感光媒体ｌｌ上に導かれない様にな
っており、濃度が均一・で且っカブリのない画像が感光
媒体Ｉｌ上に形成される。
［発明の効果］
以上説明した様に、本発明によれば、半導体レーザーを
一定電流で駆動しても該レーザーからの光量が安定化す
る様にバイアス電流が半導体レーザーに常に印加され、
且つ画像にカブリを生じる有害な半導体レーザーのＬＥ
Ｄ成分を除去する光学部材が光路中に挿入されているの
で、被走査媒体上に形成される画像の濃度が安定しそし
てカブリが生じなくなる。
一定電流で駆動しても該レーザーからの光量が安定化す
る様にバイアス電流が半導体レーザーに常に印加され、
且つ画像にカブリを生じる有害な半導体レーザーのＬＥ
Ｄ成分を除去する光学部材が光路中に挿入されているの
で、被走査媒体上に形成される画像の濃度が安定しそし
てカブリが生じなくなる。
第１図は本発明の第１実施例の概略構成図、第２図は半
導体レーザーの用い方を説明する為のＴ−Ｌカーブの図
、第３図は干渉フィルタの透過率分光特性を示す図、第
４図は第２実施例を説明する為の図、第５図は従来例を
示す図、第６図は半導体レーザーのＩ−Ｌカーブを示す
図、第７図は半導体レーザーの発光光量の時間変化の様
子を示す図、第８図は濃度のムラがある画像を示す図で
ある。 １・・・・・半導体レーザー、２・・・・・コリメータ
レンズ、３・・・・・偏光フィルタ、４・・・・・ポリ
ゴンミラー、５・・・・・偏向反射面、８．１８・・・
・・結像レンズ、１１・・・・・感光媒体、１５・・・
・・シリンドリカルレンズ、１９・・・・・反射ミラー 入２ 入１５皮長 殆４図 第５図 ８面の浄書 が神罰 手 続 補 正 書（方式） ％式％ ■、事件の表示 平成１年特許願第２０１９８４号 ２、発明の名称 レーザー走査光学装置 名 称 （１００）キャ ノン株式会社 平成１年１１月１３日（発送日：平成工年１１月２８日
）（１）別紙の通り、図面第８図を差し替えます。
導体レーザーの用い方を説明する為のＴ−Ｌカーブの図
、第３図は干渉フィルタの透過率分光特性を示す図、第
４図は第２実施例を説明する為の図、第５図は従来例を
示す図、第６図は半導体レーザーのＩ−Ｌカーブを示す
図、第７図は半導体レーザーの発光光量の時間変化の様
子を示す図、第８図は濃度のムラがある画像を示す図で
ある。 １・・・・・半導体レーザー、２・・・・・コリメータ
レンズ、３・・・・・偏光フィルタ、４・・・・・ポリ
ゴンミラー、５・・・・・偏向反射面、８．１８・・・
・・結像レンズ、１１・・・・・感光媒体、１５・・・
・・シリンドリカルレンズ、１９・・・・・反射ミラー 入２ 入１５皮長 殆４図 第５図 ８面の浄書 が神罰 手 続 補 正 書（方式） ％式％ ■、事件の表示 平成１年特許願第２０１９８４号 ２、発明の名称 レーザー走査光学装置 名 称 （１００）キャ ノン株式会社 平成１年１１月１３日（発送日：平成工年１１月２８日
）（１）別紙の通り、図面第８図を差し替えます。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザーから出る光束を被走査媒体上に走査
するレーザー走査光学装置にいて、該半導体レーザーに
常に一定で且つしきい値電流以下のバイアス電流を印加
し、そして半導体レーザーと被走査媒体の間に、半導体
レーザーより出るレーザー発光以外の光を被走査媒体上
に導かない様にする光学部材が挿入されていることを特
徴とするレーザー走査光学装置。 ２、前記光学部材は半導体レーザーからの光束の略レー
ザー発光光のみを通す偏光フィルタである請求項１記載
のレーザー走査光学装置３、前記光学部材は半導体レー
ザーからの光束の略レーザー発光光の波長を中心とした
波長の光のみを通す干渉フィルタである請求項１記載の
レーザー走査光学装置。 ４、前記光学部材は半導体レーザーからの光束の略レー
ザー発光光の波長を中心とした波長の光のみを反射する
反射ミラーである請求項１記載のレーザー走査光学装置
。 ５、前記半導体レーザーからの光束は偏向器、結像レン
ズを介して被走査媒体上に走査され、前記光学部材は半
導体レーザーと偏向器の間の光路中に挿入されている請
求項１記載のレーザー走査光学装置。 ６、前記半導体レーザーからの光束は偏向器、結像レン
ズを介して被走査媒体上に走査され、前記光学部材は偏
向器と被走査媒体の間の光路中に挿入されている請求項
１記載のレーザー走査光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20198489A JP2767618B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | レーザー走査光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20198489A JP2767618B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | レーザー走査光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364723A true JPH0364723A (ja) | 1991-03-20 |
| JP2767618B2 JP2767618B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=16450011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20198489A Expired - Fee Related JP2767618B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | レーザー走査光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2767618B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8313816B2 (en) | 2007-09-13 | 2012-11-20 | Hiromi Ikechi | Method for manufacturing reticulate contact body elements and a rotating circular reticulate contact body using them |
| US11802848B2 (en) | 2018-11-22 | 2023-10-31 | Tokyo Electron Limited | pH measuring device and pH measuring method |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP20198489A patent/JP2767618B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8313816B2 (en) | 2007-09-13 | 2012-11-20 | Hiromi Ikechi | Method for manufacturing reticulate contact body elements and a rotating circular reticulate contact body using them |
| US11802848B2 (en) | 2018-11-22 | 2023-10-31 | Tokyo Electron Limited | pH measuring device and pH measuring method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2767618B2 (ja) | 1998-06-18 |
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