JPH0364354A - 導電性フィルム及びその製造方法 - Google Patents
導電性フィルム及びその製造方法Info
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は新規な導電性フィルム及びその製造方〆去に関
するものである。
するものである。
電気電導性を示すポリマー(有機重合体)の研究が活発
に進められている。しかし、それらのほとんどが空気中
では不安定で、空気中では使用することが出来ず、又機
械的物性が低いため取扱に特別な注意が必要であり、用
途的にも限定されている。
に進められている。しかし、それらのほとんどが空気中
では不安定で、空気中では使用することが出来ず、又機
械的物性が低いため取扱に特別な注意が必要であり、用
途的にも限定されている。
一方、芳香族ポリアミドは優れた結晶性や高い融点のた
め良好な耐熱性を有しており、特にバラ配向の芳香族ポ
リアミドは剛直な分子構造により高い機械的性能を有す
ることが期待され注目されている。しかし、バラ配向の
芳香族ポリアミドは、その分子構造故に、強酸にしか溶
けず、しかも、その溶液中では液晶を形成することが知
られている。しかも、液晶特有の性質から、これを成形
すると一軸配向しやすく、従って繊維のように一軸配向
がそのまま活かせる場合は問題ないが(特開昭47−3
9458号公報)が、例えばフィルムの成形は特別な工
夫をしないと裂は易い物しか得られない(特公昭57−
17886号公報)、。
め良好な耐熱性を有しており、特にバラ配向の芳香族ポ
リアミドは剛直な分子構造により高い機械的性能を有す
ることが期待され注目されている。しかし、バラ配向の
芳香族ポリアミドは、その分子構造故に、強酸にしか溶
けず、しかも、その溶液中では液晶を形成することが知
られている。しかも、液晶特有の性質から、これを成形
すると一軸配向しやすく、従って繊維のように一軸配向
がそのまま活かせる場合は問題ないが(特開昭47−3
9458号公報)が、例えばフィルムの成形は特別な工
夫をしないと裂は易い物しか得られない(特公昭57−
17886号公報)、。
耐熱性とa械的性能の良さを兼ね備えた芳香族ボリアご
ドにフタロシアニンを含有させることにより、導電性繊
維が得られることがMacromolecules第1
7巻、第260頁(1984)に記載されていて、これ
らが空気中でも安定であることが記載されている。しか
し、導電性などの電気的性能は十分でない。
ドにフタロシアニンを含有させることにより、導電性繊
維が得られることがMacromolecules第1
7巻、第260頁(1984)に記載されていて、これ
らが空気中でも安定であることが記載されている。しか
し、導電性などの電気的性能は十分でない。
〔発明が解決しようとする課題]
本発明の目的は、機械的性能に優れ、耐熱安定性、空気
中での安定性に優れた導電性芳香族ボリア旦ドフィルム
、及びその製法を提供することにある。
中での安定性に優れた導電性芳香族ボリア旦ドフィルム
、及びその製法を提供することにある。
本発明者らは、゛安定性及び機械的性能、電気的性能を
兼ね備えた導電性フィルムを芳香族ボリア主ドから作る
ことを研究するうちに、ポリ(p−フェニレンビニレン
)を含有することにより目的とするフィルムが得られる
ことを見いだし、更に検討を重ね本発明として完成させ
たものである。
兼ね備えた導電性フィルムを芳香族ボリア主ドから作る
ことを研究するうちに、ポリ(p−フェニレンビニレン
)を含有することにより目的とするフィルムが得られる
ことを見いだし、更に検討を重ね本発明として完成させ
たものである。
即ち本発明の第一は、ポリ(p−フェニレンビニレン)
を含有し、電導度がIS/CI以上である芳香族ポリア
ミドフィルム、であり、本発明の第二は、芳香族ポリア
ミド溶液を凝固させて得られた膨潤フィルムに(p−キ
シレン−ビス(ジメチルスルフオニウムクロライド))
またはポリ(p−キシリレン−α−ジメチルフルフオニ
ウムクロライド)の水溶液を接触させ含浸させた後、収
縮を制限しつつ乾燥、熱処理することを特徴とする導電
性芳香族ポリアミドフィルムの製造方法、である。
を含有し、電導度がIS/CI以上である芳香族ポリア
ミドフィルム、であり、本発明の第二は、芳香族ポリア
ミド溶液を凝固させて得られた膨潤フィルムに(p−キ
シレン−ビス(ジメチルスルフオニウムクロライド))
またはポリ(p−キシリレン−α−ジメチルフルフオニ
ウムクロライド)の水溶液を接触させ含浸させた後、収
縮を制限しつつ乾燥、熱処理することを特徴とする導電
性芳香族ポリアミドフィルムの製造方法、である。
本発明に用いられる芳香族ポリアミドは、次の構成単位
からなる群より選択された単位から実質的に構成される
。
からなる群より選択された単位から実質的に構成される
。
−NH−Ar、−NH−(1)
Co Art co (2)NHArz
Co (3) ここでAr1.Art lおよびArsは各々2価の芳
香族基であり、(1)と(2)はポリマー中に存在する
場合は実質的に等モルである。
Co (3) ここでAr1.Art lおよびArsは各々2価の芳
香族基であり、(1)と(2)はポリマー中に存在する
場合は実質的に等モルである。
本発明の芳香族ポリアミドフィルムにおいて、良好な機
械的性能を確保するためには、Ar、。
械的性能を確保するためには、Ar、。
Arc、およびAr=は各々、いわゆる、直線配向性の
基が好ましい。
基が好ましい。
ここで、直線配向性とは、前述のようにその分子鎖を成
長させている結合が芳香族の反対方向に同軸または平行
的に位置していることを意味する。
長させている結合が芳香族の反対方向に同軸または平行
的に位置していることを意味する。
このような2価の芳香族基の具体例としては、パラフェ
ニレン、4.4’−ビフェニレン、1.4−−J−フチ
レン、1.5−ナフチレン、2.5−ビリジレン等があ
げられる。それらはハロゲン、低級アルキル、ニトロ、
メトキシ、シアノ基などの非活性基で1または2以上置
換されていてもよい。またこれらの2価の芳香族の特別
なものとして、で表される形の2価の基があげられる。
ニレン、4.4’−ビフェニレン、1.4−−J−フチ
レン、1.5−ナフチレン、2.5−ビリジレン等があ
げられる。それらはハロゲン、低級アルキル、ニトロ、
メトキシ、シアノ基などの非活性基で1または2以上置
換されていてもよい。またこれらの2価の芳香族の特別
なものとして、で表される形の2価の基があげられる。
ここでXは、4以下の偶数個の原子の連鎖により構成、
かして実質的に共役二重結合性を持つものである。
かして実質的に共役二重結合性を持つものである。
Xとしては具体的には、トランス−CH=CH−などが
あげられる* A r l+ A r z *およびA
r3はいずれも2種以上であってもよく、また相互に同
じであっても異なっていてもよい。
あげられる* A r l+ A r z *およびA
r3はいずれも2種以上であってもよく、また相互に同
じであっても異なっていてもよい。
本発明に用いられるポリマーは、これまでに知られた方
法により、各々の単位に対応するジアミン、ジカルボン
酸、アミノカルボン酸より製造することが出来る。具体
的には、カルボン酸基をまず酸ハライド、酸イミダシラ
イド、エステル等に誘導した後にアミノ基と反応させる
方法が用いられ、重合の形式もいわゆる低温溶液重合法
、界面重合法、溶融重合法、固相重合法等を用いること
が出来る。
法により、各々の単位に対応するジアミン、ジカルボン
酸、アミノカルボン酸より製造することが出来る。具体
的には、カルボン酸基をまず酸ハライド、酸イミダシラ
イド、エステル等に誘導した後にアミノ基と反応させる
方法が用いられ、重合の形式もいわゆる低温溶液重合法
、界面重合法、溶融重合法、固相重合法等を用いること
が出来る。
本発明に用いる芳香族ポリアミドには、上記した以外の
基が約10モル%以下共重合されたり、他のポリマーが
ブレンドされたりしていてもよい。
基が約10モル%以下共重合されたり、他のポリマーが
ブレンドされたりしていてもよい。
本発明の芳香族ボリアくドとして最も代表的なものは、
ポリ−p−フェニレンテレフタルアミド(以下PPT^
と略称する。)やポリ−p−ペンズアミドである。
ポリ−p−フェニレンテレフタルアミド(以下PPT^
と略称する。)やポリ−p−ペンズアミドである。
本発明の芳香族ボリアごドの重合度は、あまりに低いと
本発明の目的とする8!械的性質の良好なフィルムが得
られなくなるため、通常2.5以上、好ましくは3,5
以上の対数粘度ηinh (硫酸100nilにポリマ
ー0.2 gを溶解して30 ’Cで測定した値)を与
える重合度のものが選ばれる。
本発明の目的とする8!械的性質の良好なフィルムが得
られなくなるため、通常2.5以上、好ましくは3,5
以上の対数粘度ηinh (硫酸100nilにポリマ
ー0.2 gを溶解して30 ’Cで測定した値)を与
える重合度のものが選ばれる。
本発明のフィルムは、ポリ(p−フェニレンビニレン)
を含有する事を特徴とするものである。
を含有する事を特徴とするものである。
ポリ(p−フェニレンビニレン)とは次に示す化合物で
あり p−キシリレンジクロライドのスルホニウム塩をアルカ
リで重合して得られるポリ(p−キシリレン−α−ジメ
チルスルフォニウムクロライド)を熱処理することによ
り通常得られるポリマーである(POLYMER,19
87,VoL 28.567)。
あり p−キシリレンジクロライドのスルホニウム塩をアルカ
リで重合して得られるポリ(p−キシリレン−α−ジメ
チルスルフォニウムクロライド)を熱処理することによ
り通常得られるポリマーである(POLYMER,19
87,VoL 28.567)。
本発明のフィルムにおいて、ポリ(p−フェニレンビニ
レン)は芳香族ポリアミドに対しI〜70重量%含まれ
ていることが好ましく、20〜50重量%含まれている
ことがより好ましい。ポリ(pフェニレンビニレン)の
量がこの範囲よす多いと芳香族ボリア雫ドの持つ良好な
機械的性能が失われ、一方この範囲より少ないと必要と
する導電性が得られないからである。
レン)は芳香族ポリアミドに対しI〜70重量%含まれ
ていることが好ましく、20〜50重量%含まれている
ことがより好ましい。ポリ(pフェニレンビニレン)の
量がこの範囲よす多いと芳香族ボリア雫ドの持つ良好な
機械的性能が失われ、一方この範囲より少ないと必要と
する導電性が得られないからである。
本発明のフィルムは、S 0311 z + H2S
Oa r P e C1s +ASFSなどの酸化剤を
ドープしておくことが電導度を高めるために好ましい。
Oa r P e C1s +ASFSなどの酸化剤を
ドープしておくことが電導度を高めるために好ましい。
ドーピングの量は通常ポリ(p−フェニレンビニレン)
1モルに対し0.5〜3モルの範囲である。本発明のフ
ィルムとして、Is/c11以上の電導度を有するもの
が特許請求される。電導度は、ポリ(p−フェニレンビ
ニレン)の含有量、ドーパントの蓋の他、製膜の条件に
依存し、特に熱処理、延伸によって変化する。電導度は
通常4端子法によって測定される。
1モルに対し0.5〜3モルの範囲である。本発明のフ
ィルムとして、Is/c11以上の電導度を有するもの
が特許請求される。電導度は、ポリ(p−フェニレンビ
ニレン)の含有量、ドーパントの蓋の他、製膜の条件に
依存し、特に熱処理、延伸によって変化する。電導度は
通常4端子法によって測定される。
本発明のフィルムは、好ましくは100 kg/mm”
以上の引張モジュラスを有している。このような高いモ
ジュラスのフィルムは、PPTAに代表される直線配向
性芳香族ポリアミドの液晶原液から湿式製膜することに
よって得られる。
以上の引張モジュラスを有している。このような高いモ
ジュラスのフィルムは、PPTAに代表される直線配向
性芳香族ポリアミドの液晶原液から湿式製膜することに
よって得られる。
本発明のフィルムは、フィルム面に平行に入射したX線
による2θ=15〜25度の範囲のピークの回折強度が
最大になる方向の結晶配向角が60度以下であることが
好ましい。結晶配向角の測定方法としては公知の方法が
採用でき、例えば次のように行う。所定の2θの角度に
計数管を置き、フィルムを180度回転することにより
回折強度曲線を得る。TVにおいては、最高強度を中心
とし、前後90度の間を回転させる。この曲線の半値幅
を求めてそれを試料の結晶配向角とする。フィルムは必
要により何枚か重ねて測定することが出来る。
による2θ=15〜25度の範囲のピークの回折強度が
最大になる方向の結晶配向角が60度以下であることが
好ましい。結晶配向角の測定方法としては公知の方法が
採用でき、例えば次のように行う。所定の2θの角度に
計数管を置き、フィルムを180度回転することにより
回折強度曲線を得る。TVにおいては、最高強度を中心
とし、前後90度の間を回転させる。この曲線の半値幅
を求めてそれを試料の結晶配向角とする。フィルムは必
要により何枚か重ねて測定することが出来る。
本発明のフィルムとしては、等方向な機械的性能を持っ
た物が好ましいが、必要に応じて製膜過程での延伸条件
のコントロールにより機械的性能の異方的なフィルムで
あってもよい。
た物が好ましいが、必要に応じて製膜過程での延伸条件
のコントロールにより機械的性能の異方的なフィルムで
あってもよい。
次に、このようなフィルムの製法について述べる。
本発明のフィルムを作るためには、まず芳香族ボリアく
ドを溶剤に溶解する。溶剤としては、濃硫酸、クロル硫
酸、フルオル硫酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメ
タンスルホン酸、などの強酸が用いられる。原液中のポ
リマー濃度は、常温、またはそれ以上の温度で光学異方
性をしめず濃度以上の物が好ましく用いられ、具体的に
は約IO重量%以上、好ましくは約12重量%以上15
重量%以下で用いられる。原液の調製に当たっては、空
気を断つのが好ましく、通常窒素、アルゴンなどの不活
性ガス雰囲気中で行う。原液は、必要に応し加熱して調
製することが出来、脱泡、濾過などを受けることもでき
る。
ドを溶剤に溶解する。溶剤としては、濃硫酸、クロル硫
酸、フルオル硫酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメ
タンスルホン酸、などの強酸が用いられる。原液中のポ
リマー濃度は、常温、またはそれ以上の温度で光学異方
性をしめず濃度以上の物が好ましく用いられ、具体的に
は約IO重量%以上、好ましくは約12重量%以上15
重量%以下で用いられる。原液の調製に当たっては、空
気を断つのが好ましく、通常窒素、アルゴンなどの不活
性ガス雰囲気中で行う。原液は、必要に応し加熱して調
製することが出来、脱泡、濾過などを受けることもでき
る。
このようにして調製した原液を、ドクターナイフを使っ
て、あるいはグイから押しだしてフィルム状に流延し、
そのまま凝固させてもよいが、特に液晶原液を使った場
合には、加熱や吸湿によって流延原液を光学等方性に変
え、ついで凝固させるのが好ましい。流延中あるいは液
晶から光学等力比している間は、原液は空気あるいは酸
素との接触を避けるのが好ましい。
て、あるいはグイから押しだしてフィルム状に流延し、
そのまま凝固させてもよいが、特に液晶原液を使った場
合には、加熱や吸湿によって流延原液を光学等方性に変
え、ついで凝固させるのが好ましい。流延中あるいは液
晶から光学等力比している間は、原液は空気あるいは酸
素との接触を避けるのが好ましい。
凝固液としては、水、希硫酸、水酸化ナトリウム溶液、
塩化ナトリウム溶液などを用いることが出来る。凝固浴
の温度は特に制限されるものではなく、通常約−10°
C〜50°Cの範囲で行われる。
塩化ナトリウム溶液などを用いることが出来る。凝固浴
の温度は特に制限されるものではなく、通常約−10°
C〜50°Cの範囲で行われる。
凝固されたフィルムは、必要に応じて水洗及び中和を受
けたのち乾燥させる事なく、少なくとも50%以上、好
ましくは80重量%以上の水分率を有する膨潤状態で、
(ρ−キシレンービスー(ジメチルスルフオニウムクロ
ライド))(1)またはポリ(p−キシリレン−α−ジ
メチルスルフォニウムクロライド)(■)の水溶液と接
触させることにより、フィルムに含浸させる必要がある
。
けたのち乾燥させる事なく、少なくとも50%以上、好
ましくは80重量%以上の水分率を有する膨潤状態で、
(ρ−キシレンービスー(ジメチルスルフオニウムクロ
ライド))(1)またはポリ(p−キシリレン−α−ジ
メチルスルフォニウムクロライド)(■)の水溶液と接
触させることにより、フィルムに含浸させる必要がある
。
ここで、(p=キシリレンビス(ジメチルスルフオニウ
ムクロライド))(1)はp−キシリレンジクロライド
とジメチルサルファイドとの反応により得られ、ポリ(
p−キシリレン−α−ジメチルスルフォニウムクロライ
ド)(■)は(1)をさらにアルカリ性において重合さ
せることにより得られる(POLYMER,1987,
VoL 28.567参照)。
ムクロライド))(1)はp−キシリレンジクロライド
とジメチルサルファイドとの反応により得られ、ポリ(
p−キシリレン−α−ジメチルスルフォニウムクロライ
ド)(■)は(1)をさらにアルカリ性において重合さ
せることにより得られる(POLYMER,1987,
VoL 28.567参照)。
これらの溶液の濃度は、通常1]を量%〜20重量%の
範囲が用いられ、3重量%〜10重量%の範囲が好まし
く用いられる。溶液には、上記の化合物の他、含浸及び
反応を促進するために有機溶媒、触媒などを添加するこ
とが出来る。
範囲が用いられ、3重量%〜10重量%の範囲が好まし
く用いられる。溶液には、上記の化合物の他、含浸及び
反応を促進するために有機溶媒、触媒などを添加するこ
とが出来る。
これらのン容ン夜とフィルムとの接触において、温度、
時間、濃度などのコントロールにより含浸量を変化させ
ることが出来、乾燥フィルム中の量が1〜70重景%重
量るように条件を選ぶべきである。
時間、濃度などのコントロールにより含浸量を変化させ
ることが出来、乾燥フィルム中の量が1〜70重景%重
量るように条件を選ぶべきである。
このように処理されたフィルムは、必要に応じて所定時
間反応させ、更にフィルム表面の付着物を洗浄した後、
乾燥されるが、望むならば乾燥に先立って湿潤状態で1
方向又は2方向に1.01〜1.4倍程度延伸すること
により機械的性能を向上させることが出来る。
間反応させ、更にフィルム表面の付着物を洗浄した後、
乾燥されるが、望むならば乾燥に先立って湿潤状態で1
方向又は2方向に1.01〜1.4倍程度延伸すること
により機械的性能を向上させることが出来る。
フィルムの乾燥は、緊張下、定長下または僅かに延伸し
つつ、フィルムの収縮を制限して行う必要がある。なぜ
なら、収縮を何等制限せずに乾燥させると、しわが多く
、機械的性能の低いフィルムになってしまうからである
。収縮の制限は、フィルムを枠にはさむ、テンターで行
うなどにより実施できる。
つつ、フィルムの収縮を制限して行う必要がある。なぜ
なら、収縮を何等制限せずに乾燥させると、しわが多く
、機械的性能の低いフィルムになってしまうからである
。収縮の制限は、フィルムを枠にはさむ、テンターで行
うなどにより実施できる。
本発明においては、フィルムの乾燥に引き続いてさらに
高温での熱処理を行う必要がある。熱処理は、通常10
0 ’C以上、450°C以下、好ましくは300°C
以上、400°C以下で行われ、電導度の向上のために
は、芳香族ボリアミドの分解が起こらない範囲でなるべ
く高い温度で行うのが望ましい。熱処理は、緊張下、非
緊張下のいずれで実施することも可能である。又、乾燥
及び熱処理は同一の装置を用いて1段階で行うこともで
き、装置を変えて2段階以上で行うこともできる。
高温での熱処理を行う必要がある。熱処理は、通常10
0 ’C以上、450°C以下、好ましくは300°C
以上、400°C以下で行われ、電導度の向上のために
は、芳香族ボリアミドの分解が起こらない範囲でなるべ
く高い温度で行うのが望ましい。熱処理は、緊張下、非
緊張下のいずれで実施することも可能である。又、乾燥
及び熱処理は同一の装置を用いて1段階で行うこともで
き、装置を変えて2段階以上で行うこともできる。
このようにして得られたフィルムに、必要ならsob、
h+ FI2SO41FeC1a+AsF5等の酸化
剤をドーピングすることが出来る。この場合、酸化剤を
ベンゼン等の有機溶剤に溶かしてフィルムを浸漬する、
酸化剤の蒸気の存在する雰囲気中にフィルムを放置する
などの方法で実施することが出来る。
h+ FI2SO41FeC1a+AsF5等の酸化
剤をドーピングすることが出来る。この場合、酸化剤を
ベンゼン等の有機溶剤に溶かしてフィルムを浸漬する、
酸化剤の蒸気の存在する雰囲気中にフィルムを放置する
などの方法で実施することが出来る。
以下に実施例を示すが、これらの実施例は本発明の実施
B様を説明するものであって、本発明を限定するもので
はない。なお、フィルムの厚さは、直径21!!11の
測定面を持ったダイヤルゲージで測定した。強伸度及び
モジュラスは、100+wX10皿の大きさのサンプル
を定速伸張型強伸度試験機を用い、測定長301TlI
11、引張速度30肺/分で測定したものである。
B様を説明するものであって、本発明を限定するもので
はない。なお、フィルムの厚さは、直径21!!11の
測定面を持ったダイヤルゲージで測定した。強伸度及び
モジュラスは、100+wX10皿の大きさのサンプル
を定速伸張型強伸度試験機を用い、測定長301TlI
11、引張速度30肺/分で測定したものである。
参考例(ポリ(p−キシレン−α−ジメチルスルフォニ
ウムクロライド)水溶液の調製〕p−キシリレンジクロ
ライド1S1 g、ジメチルサルファイド140 g、
メタノール583 g。
ウムクロライド)水溶液の調製〕p−キシリレンジクロ
ライド1S1 g、ジメチルサルファイド140 g、
メタノール583 g。
水145gを還流冷却機付きのフラスコに入れ50°C
で20時間反応させたのち、ロータリーニバボレーター
で濃縮しアセトン中に沈澱させ、濾過して、(p−キシ
レン−ビス(ジメチルスルフオニウムクロライド))(
1)を得た。
で20時間反応させたのち、ロータリーニバボレーター
で濃縮しアセトン中に沈澱させ、濾過して、(p−キシ
レン−ビス(ジメチルスルフオニウムクロライド))(
1)を得た。
0゜2規定のNaO旧容ン夜980gに(r)を20g
入れ、0°Cで一時間撹拌した後1規定塩酸を用いてP
H6,8に中和し、てポリ(p−キシリレン−αジメチ
ルスルフオニウムクロライド)の水溶液を得た。
入れ、0°Cで一時間撹拌した後1規定塩酸を用いてP
H6,8に中和し、てポリ(p−キシリレン−αジメチ
ルスルフオニウムクロライド)の水溶液を得た。
実施例1
濃度99.5%の濃硫酸にη1nh=6.1のPPTA
を溶解し、ポリマー濃度12%の原液を調製した。
を溶解し、ポリマー濃度12%の原液を調製した。
この原ン夜を、ドクターナイフを用いてガラスキ反上に
流延し、ガラス板をナツトプレートに乗せて原液を光学
等方化し、温度0°C,濃度30%の希硫酸で凝固させ
た。1%NaOHで中和、水洗した後、参考例により調
製した約2重量%のポリ(p−キシリレン−α−ジメチ
ルスルフォニウクロライド)の水溶液中に10分間浸漬
し、ステンレス製の金枠に固定して、200 ’Cで1
0分間乾燥した後、350 ”Cで5分間熱処理し、こ
れをさらに50トールの減圧下でAsF、の蒸気に触れ
させ、厚さ10μm、電導圧2.3 S 7cmのフィ
ルムを得た。フィルムの機械的性質は、強度15kg/
圓2、伸度23%、モジュラス550kg/mm2で、
且”つ約2週間空気中で放置してもこ和らの性質は変化
しなかった。
流延し、ガラス板をナツトプレートに乗せて原液を光学
等方化し、温度0°C,濃度30%の希硫酸で凝固させ
た。1%NaOHで中和、水洗した後、参考例により調
製した約2重量%のポリ(p−キシリレン−α−ジメチ
ルスルフォニウクロライド)の水溶液中に10分間浸漬
し、ステンレス製の金枠に固定して、200 ’Cで1
0分間乾燥した後、350 ”Cで5分間熱処理し、こ
れをさらに50トールの減圧下でAsF、の蒸気に触れ
させ、厚さ10μm、電導圧2.3 S 7cmのフィ
ルムを得た。フィルムの機械的性質は、強度15kg/
圓2、伸度23%、モジュラス550kg/mm2で、
且”つ約2週間空気中で放置してもこ和らの性質は変化
しなかった。
フィルムは、赤外吸光度分析によりポリ(pフェニレン
ビニレン)が約6重量%含まれていることがわかった。
ビニレン)が約6重量%含まれていることがわかった。
実施例2
実施例工と同様に製膜、熱処理したフィルムに12の蒸
気を触れさせてドーピングしたフィルムは、電導圧1.
8S/a+であった。
気を触れさせてドーピングしたフィルムは、電導圧1.
8S/a+であった。
実施例3
実施例1と同様に製膜し、ポリ(p−キシリレン−α−
ジメチルスルフォニウムクロライド)の水溶液を含浸し
た後、両方向に1.2倍に延伸し、その後は実施例1と
同様に処理し、てフィルムを得た。このフィルムは電導
圧5.8 S 7cm、強度22kg/llll112
、伸度16%、%’;ユラス860 kg/mm”であ
った。
ジメチルスルフォニウムクロライド)の水溶液を含浸し
た後、両方向に1.2倍に延伸し、その後は実施例1と
同様に処理し、てフィルムを得た。このフィルムは電導
圧5.8 S 7cm、強度22kg/llll112
、伸度16%、%’;ユラス860 kg/mm”であ
った。
本発明の導電性フィルムの特徴は、従来の導電性フィル
ムに比べ、耐熱性、空気中での安定性、取扱性に優れて
いる点であり、又機械的強度、モジュラスが大きい、寸
法安定性も非常に良く、さらに耐薬品性に優れている。
ムに比べ、耐熱性、空気中での安定性、取扱性に優れて
いる点であり、又機械的強度、モジュラスが大きい、寸
法安定性も非常に良く、さらに耐薬品性に優れている。
従って、このような特徴を活かして、ICやLSI等の
電子部品の包装剤、ハウジング、それらを製造する場所
の床、壁、天井、クリーンルームの窓ガラスなどの帯電
防止用途に用いることが出来る。
電子部品の包装剤、ハウジング、それらを製造する場所
の床、壁、天井、クリーンルームの窓ガラスなどの帯電
防止用途に用いることが出来る。
さらに、プリント配線盤の配線材料、湿度センサ、ガス
センサーなどのセンサー用途に用いることが出来る。
センサーなどのセンサー用途に用いることが出来る。
Claims (2)
- (1) ポリ(p−フェニレンビニレン)を含有し、電
導度が1S/cm以上である芳香族ポリアミドフィルム - (2) 芳香族ポリアミド溶液を凝固させて得られた膨
潤フィルムに(p−キシレン−ビス(ジメチルスルフォ
ニウムクロライド)またはポリ(p−キシリレン−α−
ジメチルスルフォニウムクロライド)の水溶液を接触さ
せ含浸させた後、収縮を制限しつつ乾燥、熱処理するこ
とを特徴とする導電性芳香族ポリアミドフィルムの製造
方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20031389A JPH0364354A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 導電性フィルム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20031389A JPH0364354A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 導電性フィルム及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0364354A true JPH0364354A (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=16422234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20031389A Pending JPH0364354A (ja) | 1989-08-03 | 1989-08-03 | 導電性フィルム及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0364354A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9003801B2 (en) | 2010-01-25 | 2015-04-14 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Control apparatus for gas turbine and start up method for gas turbine |
-
1989
- 1989-08-03 JP JP20031389A patent/JPH0364354A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9003801B2 (en) | 2010-01-25 | 2015-04-14 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Control apparatus for gas turbine and start up method for gas turbine |
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