JPH0364048A - パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［ｆｒ：業１・、の利用分野］ 本発明は７ＨＴ−および／またはオプトエレクトロニク
ス組α体用のパッケージ配列に関する。更に詳細には、
多層セラミック（ＭＩＣ）集積回路半組立体部材をＬ手
く用いるパッケージに関する。

［従来の技術］ ハイブリッドパッケージは、１個以上の集積回路または
チップおよびその他のｍｒｈ構成部品を囲い込むのに使
用されるパッケージと定義される。

前記のその他の構成部品は、レーザ、ＬＥ■）またはホ
トダイオードのようなオプトエレクトロニクス素ｒ類か
らなる。パッケージと外部の構成部品類（例えば、人力
／出力４９１号、電源、アース、テストポイントなど）
の間の多数の接続と同様に、ハイブリ、ノドパ・ソケー
ジ内部の素子間にはしばしば多数の相−ＩＬ接続が存在
する。ハイブリッドパッケージはメタルとセラミックの
２柿類のシ要なタイプに大別できる。

メタルハイブリッドパッケージ（しばしば、′バスタブ
パッケージ”とＩｌｌばれる）は、機械的に棒めて頑丈
であり、固ｆ「の電磁干渉（ＥＭＩ）シールド、良好な
放熱性およびインピーダンス整合フィードスルーをり、
える。このタイプのパッケージは任意の所望形状に成形
することができ、また、注型、型打ち、ろう付け、二次
成形および射出成形のような様々な標準的技術により製
造される。

これらの利点にも拘らず、総メタルハイブリッドパッケ
ージには多数の問題点が存在する。第１に、最も一般的
な用途である、ハイプリント集積回路（ＨＩ　Ｃ）のハ
ウジングに使用する場合、ＨＩＣをパッケージの底部に
接着するのにエポキシ樹脂接着またはハンダ付は操作が
必要である。メタルパッケージ、接着材料（通常はエポ
キシ樹脂）およびＨＩＣ基板（通常はセラミック）の熱
不整合に関する問題が生じる。この熱不整合はＨＩＣに
より発生された熱を放散するメタルの放熱能力を低下さ
せる。更に、このタイプのパッケージはパッケージ内部
の様々な構成部品を接続したり、ＨＩＣをパッケージ外
部のリードに接続したりするのに棲めて多数のワイヤボ
ンドを使用する必要がある。パッケージデバイスの仁頼
１’ｌがワイヤボンド接続の数に正比例することは周知
である。このような極めて多数のワイヤボンドは信頼性
を著しく低下する。誤った箇所に接続されたワイヤボン
ド、ワイヤボンド忘れ、断線したワイヤボンドおよび短
絡したワイヤボンドは公知の不良機構のよくある具体例
である。更に、密封しなければならないパッケージの場
合、外部のリードをパッケージに接続するのに使用され
るシーラントのタイプにより問題が起こる。このような
接続にはガラス・ツー・メタルシールが多用される。（
１９８９ＱＥ　１月に発行された“エレクトロニック　
パッケージング　アンド　プロダクション（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃＰａｃｋａｇｉｎｇ　ａｎｄ　Ｐｒｏｄｕｃ
ｔｌｏｎ）”の４８頁以下に記載された「最大の１１１
１路保護をもたらすノ）イブリソドパッケージ（Ｈｙｂ
ｒｉｄ　Ｐａｃｋａｇｅｓ　　ＭａｘｌＩＩＩｌｚｅ　
Ｃ１ｒｃｕｉｔ　Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ）Ｊを参！！（
１されたい。）特に、リード（通常は、ニノリル／金メ
ツキしたニソうル／鉄合令）はパッケージ（ボードＬ１
通用パッケージベースまたは表面実装用パッケージ側明
）内の開１」を通して押入され、この開１１部とリード
の周間を埋めるのにガラス材料が使用されている。整合
シール（パッケージ、ガラス、およびリードの熱膨張率
は整合されている）または圧縮シール（熱膨張率はパッ
ケージ〉ガラス〉リードの順になる）を形成するのに様
々なガラス材料が使用されている。■［縮シールのほう
が気密シール性に優れている。しかし、これらのシール
方法にも問題がある。

特に、リードがｆｌ　１１ｉ１もｊＩＩ曲されたり、パ
ッケージが棒端な１１１１１１度変動に禦露されたりし
たＩＳに問題が起こる。これらの条件はリードとガラス
シーラントの間に出現する亀裂を起こすことが知られて
いる。この亀裂はその後、開■部を通して広がり、気密
ｒｌを損なう結果となる。

総メタルハイブリッドパッケージの代わりとして、セラ
ミックパッケージ（しばしば、′フラットパッケージ”
と呼ばれる）が使用される。このデザインでは、パッケ
ージの底部支持片としてセラミックベースまたは多層セ
ラミック（ＭＬＣ）が使用され、ハイブリッド集積四Ｎ
　（ＨＩ　Ｃ）はこのベースに取付られる。別法として
、ベースは実際にＨＩ　Ｃｒｌ体であることもできる。

１１ｑ者の場合、ＨＩＣはＭＬＣに接合され、ＭＬＣの
各種の層に形成された金属通路は総メタルパッケージに
必要な極めて多数のウィンドウの代わりに使用される。

従って、セラミックパッケージはワイヤボンディングの
数を減少させることによりメタルパッケージよりも信頼
性の点で優れている。セラミックパッケージの側壁は金
属からなる。この金属はセラミックベースの物性（例え
ば、塾膨張牛）に出来るだけ近くまで整合するものが選
択される。

大抵の場合、この目的には、カーペンタ−テクノロジー
社の商標名“コバール（Ｋｏｖａｒ）”で知られている
、ニラゲル−鉄−コバルト合金が使用される。このタイ
プのパッケージに什う１：、な欠点は、電ｆｉｌｒ渉（
ＥＭＩ）および機械的脆性に対する保護が欠けているこ
とである。このセラミックパラう一ジの保、１ｔ／１．
、欠如は、このパッケージの用途を、ＥＭＩおよび機械
的頑丈さが費求されない用途に限定してしまう。

［発明が解決しようとする課題］ ＋１ｉｊ記の観点から、メタルパッケージよりも優れた
信頼性を有し、更に、公知のセラミックパッケージを凌
駕する優れたＥＭＩシールド性をもたらす、新たなパッ
ケージ配列の開発が強く求められている。

［課題を解決するための手段］ 本発明により、電子および／またはオプトエレクトロニ
クス組α体用の新規なパッケージ配列が提供される。更
に詳細には、多層セラミック（ＭＬＣ）半組１デ体部材
をＬ丁：く使用する新規なパッケージが提供される。

本発明の・夫胞例によれば、パッケージは少なくとも４
電ｆ’ｌ　ｌ而をイ１゛するベースプレートを含む。

この導電ｒｌ−Ｌ而には各種構成部品間の相性接続を行
うためのＭ　Ｌ　Ｃ部材が取付られている。パッケージ
壁を構成する金属（または金属被覆が施された）リング
はＭＬＣ部材のＬ而に取付られ、ベースプレートのどの
部分もＭＬＣにより露出されたままであり、リングは、
ボンドバンド箇所を含むＭＬＣの部分がリングの周縁部
を超えて延びるような人きさに作製されている。これら
の露出ボンドパッド箇所は外部リードと接続するのに使
用される。好ましい実施例では、金属製ベースプレート
および金属製リングを使用した時に最良の気密性とＥＭ
Ｉ保護性が得られる。

本発明の代表的なパッケージの利点は、壁を４通する接
続が不要なリート取付体系が提供されることである。本
発明の・例によれば、リードはＭＬＣの内層上の金属製
パッドに接続させることができる。その後、ＭＬＣ部材
りのメタライズドランナをパッケージ内の必要な箇所と
電気的に接続する。従って、リードをパッケージに接合
するのにシーラント（すなわち、ガラス・ツー・メタル
）は不要である。従って、従来の総メタルパッケージに
イ゛Ｖう気密ｆ／ｌ：の問題は多少なりとも解決される
。

本発明による別の利点は、リード接続の数に厄して、デ
ザインを変更りる際の柔軟ｔ’ｌである。即ち、ボンド
バンドの数および付置は、異なる構成部品のハウジング
用に使用されるパッケージの必要に応じて調整できる。

本発明のパッケージの更に別の利点は、金属製リングを
金属製ベースに直接接合し、ＥＭＩ保護を形成すること
である。このような保護は従来のセラミノクパッケージ
では容易に連成できない。

オプトエレクトロニクス用途に特に適した本発明の　実
施例では、光ファイバの壁貫通押入を見越して、銅から
なる別個のファイバフィードスルー片がリングにろう付
けされる。このフィードスルーｎｍに他の林料を用いた
従来のパッケージは、極端な温度サイクーしに暴露され
ると、ハンダ何首（使用されているハンダとフィードス
ルー片の熱膨張；トの間に幣合ヤ１゛がない）の部分に
ｆα裂が発／卜することが発見された。

［実施例コ 以ド、図面を参照しながら本発明を更にＩｌ’Ｆ細に説
明する。

本発明により製造されたパッケージ１０の一例を第１図
に小す。図中されているように、パッケージ内Ｏは、導
電ｔ／ＬのＬ面１１をイ１″するベースプレート１２を
含む。図示されたベースプレート１２は所定の幅Ｗと長
さＬをイｊ゛する。好ましい大施例では、ベースプレー
ト１２は金属素材から形成されている。この場合、導電
性上面１１を含めることは不要である。多層セラミック
（ＭＬＣ）構成部品半組立体部材１４がベースプレート
１２の導電性」二面１１に取付られている。ＭＬＣ部材
１４の下面部分はメタライズ化されており、これにより
ベース１２とＭＬＣ１４は　緒にろう付けすることがで
きる。図示されているように、ＭＬＣ部材１４はベース
１２と人体同じ幅Ｗを有するが、長さは若干短いＬ゛を
イ［°する。ＭＬＣ１４の長さは中に設置１！Ｌの問題
であり、ＭＬＣ部材１４に取付られる構成部品の数およ
びＭＬＣ部材内に形成されるボンドパ、１ドの数をＪＪ
慮して決定される。

ＭＬＣ部材１４は４ｆ　、Ｃ＜の数の別々のセラミック
居から構成できる。これらは、音種の表面りおよび適゛
１１に配置された管路（Ｋ・１を１１通ｒる電気的に４
電性のホール）により居間に形成された適当なメタライ
ズドランナを（ｒする。ＭＬＣ技法によりハイブリッド
集積回路（ＨＩ　Ｃ）を形成する技術は周知であり、本
発明のパッケージ挾術をｆｌｔ！解するために詳細に説
明する必要はない。

第１図に示されるように、金属！！！（または、金属メ
ツキ）リング１６を、ＭＬＣ部材１４のＬ而および露出
側面ならびにベース１２の露出上面部分に接触するよう
に、配置する。気密パッケージの形成を所望する場合、
リング１６はベース１２およびＭＬＣ部村１４にろう付
けしなければならない。第１図に示されるように、リン
グ１６は、ベースおよびＭＬＣ部材１４の幅Ｗよりも狭
い、輔Ｗ゛をイＴするように成形されている。従って、
ベース１２およびＭＬＣ部材１４の・部分は露出された
ままである。前記のように、この露出部分は、リング１
６により形成されるパ、ソケージ側ｌＩ：Ｆをｎ通する
ことなく複数のリード１８をＭＬＣに接続させるために
、本発明により都合良く使用される。ド記の第３図にお
いて説明ｒるように、リード１８はＭＬＣ部材１４の内
層に接続されている。これにより、セラミック材料の少
なくとも１枚のＬ層はリード１８とリングミ６の間の電
気的絶縁を形成する。

本発明のこの点に関する利点は、リードの本数およびそ
の位置を、パッケージの他の部分を変更することなく、
必要に応じて変化させることができることである。第１
図のパッケージ１０は、パッケージの両方の側壁に接続
されたり一部１８を示す。言うまでもなく、その他の様
々なデザインも可能である。例えば、第５図に示される
ように、パフう一ジの前および／または育面壁を超えて
露出されているＭＬＣ部材１４の部分にリードを接続す
ることもできる。

第２図以パッケージ１０の分解組立図である。

ここでは、明確にするために、リード１８が省略されて
いる。第２図のパ、１ケージでは、ベースプレート１２
は銅−タングステンのような合金から構成されているの
で、１面の導重姓層は不要である。ろう付けＪｔ’１ｌ
１３（例えば、銅−銀合金からなる）がベースプレート
１２のＬ曲に被青されており、この屑は前記のように、
ＭＬＣ部材１４をベース１２に接合するのに使用される
。ベース１２は角形に図示されているが、その他の適当
な扛意の形状も使用できることは５然である。例えば。

■環状パッケージを使用する具体例を下記の第７図およ
び第８図で詳細に説明する。

再び第２図を参照する。ＭＬＣ部材１４は集積回路構成
部品用の多数の開１１を有するように図示されている。

ＭＬＣ１４１１の導電性領域を用いて、電気的接続を形
成する。ここでは、前記のように、セラミック層間の！
Ｉ！１白接続を形成するのに金充■ｎ管銘が使用されて
いる。　・般的に、ＭＬＣ部材１４を構成する各セラミ
ック層の層数は、接続数によりコントロールされるので
、追加の層は甲・表面りの電気的クロスオーバーまたは
クロスアンダ−を避けるために使用される。第２図に后
されているように、ＭＬＣ部材１４の上層（符号１４３
で示されている）は下層から若干引っ込められている。

これにより、リード１８（図示されていない）はパフケ
ージ部材１４の１枚以上の内側セラミック層上に形成さ
れたポンドパッド箇所１５に接合（ろう付け、または、
／）ンダ付け）される。

ＭＬＣ部材１４の上層は環状ろう付は材料１７も存する
。これはリング１６をＭＬＣ部材１４に接合するのに使
用される。前記のように、リング１６は、ボンドパッド
箇所を有するＭＬＣ部材１４の部分を露出させることが
できるような大きさに形成されている。その後、カバー
プレート１９（紅ましくは、リング１６と同じ材料で形
成されている）をリングに接合し、完全なパ、ソケージ
を形成する。気密性を付１ｊするために、カバープレー
ト１９をリング１６に超音波溶首または／１ンダ付けす
ることもできる。別法として、リング１６およびカバー
１９ζ１１・の構成部品として形成することもできる。

第３図は、第１図の３−３線に沿ったパフケージ１０の
断面図である。図示されているように、リング１６はベ
ースプレート１２の上面およびＭＬＣ部材１４の側面と
１面と端がきちんと揃うように形成されている。前記の
ように、ベース１２は銅−タングステン合金から形成さ
れ、リングはコバール（登録商標）から形成されている
ことが好ましい。これらの材料は、ＭＬＣ部材のセラミ
ック材料にｍ裂を生じることなく、広範囲（例えば、−
６５℃〜１５０℃）の温度循環に耐えることが発見され
た。符号１３および１７は、ＭＬＣ部材１４とベース１
２のろう付け、および、リング１６のＭＬＣ部材１４と
ベース１２へのろう付けをそれぞれ后す。

パッケージ１０の別の断面図を第４図に示す。

ここでは、１木のり一部１８のＭＬＣ部材１４への接続
を訂細に図示する。この特別な具体例では、ＭＬＣ部材
１４は３枚の別個のセラミック層からなる。間車された
第１の層１４／はベース１２に接合されている。第２の
層１４２は第１の居１４７を覆うように形成され、ボン
ドパーｌト箇所ｌ５およびその他のメタライゼーシｄン
（図示されていない）を含む。第３（駁Ｊ：部）のセラ
ミ・ノクＪ？−１１４３は第２の層１４２の一部分を覆
うように歴数される。第４因に小されるように、ボンド
バンド論断１５を含む月１４２の端面は門出されたまま
である。図４＜されているように、リード１８はボンド
パッド箇所１５に接続（例えば、ろう付け）される。開
示されているように、りフグ１６は層１４３の上面のろ
う付は材料１７に接合される。図示されているように、
りフグ１６はＭＬＣ部材１４の・部分かりフグ１６の周
縁外側に向かって長さＸ（例えば、０．０３０インチ）
だけ延びるように形成されている。前記のように、本発
明のこのような構成の利点は、パッケージ１０の“側壁
”と見做すことができるような場合に、リング１６中に
０人することなく、リード１８をパッケージ１０に接続
させることができることである。このような構成におい
て、最１１部のセラミック居１４３はリード１８とリン
グ１６の間で電気的絶縁を形成するのにｆ１用である。

特に光波通（、ζ用途に適した本発明の別の実施例が第
５図に図示されている。図示されているように、バノリ
ージ２０はベースプレー）２２　（およびベースプレー
ト２２が非余屈製である場合、導電性最−１−居２３）
　、ＭＬＣ’ｌ’＝組立体部材２４および金属製（また
は金属メノキ）リング２６からなる。これらの構成部品
はｌｒｆ記の第１図〜第４図に記載した対応部品と同様
な組成とデザインを有する。光波用途へ適応するために
、リング２６はファイバフィードスルー３０を含むよう
に形成されている。このファイバフィードスルー３０は
リング２６の壁３２を貫通して配置されるように図示さ
れている。ファイパフナートスルー３０は、光ファイバ
（開示されていない）がパッケージ２０内に走入し、そ
して、パブう−ジ２０内に配（笛されたオプトエレクト
ロニクス素子（図示されていない）に接続するために使
用される。８゛うまでもなく、このようなフィードスル
ー３０はパッケージ２０の側壁３４中に形成することも
できる。パッケージ２０はフィードスルー３０とＭＬＣ
部材２４の間にキャビティー３６を更に含むので、別の
光ｆＭ送体（図示されていない）の挿入および接続がで
きる。特に、送信機パフウージの場合、光゛１１組Ｘ′
１体は適：′５なレンズ系および測定系と共に実装レー
ザダイオードまたは発光ダイオード（ＬＥ　Ｉ）　）と
、これに接続されたファイバを含むことができる。次い
で、ワイヤボンディングによりレーザまたはＬＥＤをＭ
ＬＣ部材２４　ｋに形成された様々なドライバおよび測
定回路に接続する。光波受（ニパブケージはレーザまた
はＬＥＤの代わりに、受光素子（例えば、ホトダイオー
ド）を使用できる。別法として、ＭＬＣ部材２４は先生
組立体をその中に直接実装できるような大きさにするこ
ともできる。

第５図に小されるように、リング２６はベース２２およ
びＭＬＣ２４よりも狭い幅ＷＲと短い長さＬＲの両方を
有するように形成されている。この特定の実施例は、ボ
ンドパッド箇所がパブケージのイテ後に形成される場合
に利用される。パッケージ１０の場合と同様に、リング
２６をＭＬＣ２４にろう付けすることにより気密ｆ１：
、をもたらすことができる。

第６図はファイバフィードスルー３０をりフグ２６に取
り付けた状態を第５図の６−６線に沿って、：を細に示
す断面図である。この特定の実施例では、フィードスル
ー３０はリング２６の壁３２にろう付けされ′ζいる。

この場合、リング２６はコバール（登録商標）からなる
ことが好ましい。コバール（登録商標）からフィードス
ルー３０を形成する代わりに、非常に広い温度範囲にわ
たって優れた気密ＰＬを形成するために、ハンダ材料の
熱膨張率に極めて近い熱膨張率を有する材料でフィード
スルー３０を形成することが奸ましい場合もあることが
発見された。殆どの用途では、使用されるハンダはスズ
６３ｗｔ％と鉛３７ｗｔ％からなる。

銅フィードスルー３０はハンダの熱膨張率と最適な幣合
性をイ４′するので、中し分のない気密シールを形成す
ることが発見された。

＋１ｉｉ記のように、パ・ブケージの周縁を超えて延び
る３屑セラミ、ンク部材を使用する本発明のバ、ケ−ジ
は各種の形状に成形することができる。第７図および第
８図に一例として用環状のパッケージ４０を示ｒ０第７
図はバソう−ジ４０の側面図である。図７％されている
ように、パフケージ４０はベースプレー１−４２（およ
び、ベースプレートが非金属製である場合、導電外最上
部Ｊｉ！１４３）　、ＭＬＣ部材４４および金属５！（
または金属メツキ）リング４６からなる。この特定の形
状において、リング４６は、ＭＬＣ部材の周辺全体が露
出されたままになるような大きさに成形されている。す
なわち、このような形状の場合、リング４６はベースプ
レート４２と直接接触していない。しかし、ＥＭＩ保護
を発神するために、リング４６およびプレート４２は電
気的に接続されていなければならない。この電気的接続
は、ＭＬＣ部材４４の上からドまで貫通する多数の管路
４８を包含することにより行われる（この技術は当分野
ではしばしば、′フェンシングとよばれている）。

外部の構成部品と電気的な接続を行うために、複数本の
リード５０をＭＬＣ部材４４の適′５な内層に接続する
。パッケージ２０の場合と同様に、■環状パッケージ４
０も、光ファイバ揮入用の壁１１通フィードスルーを含
むことができる。第８［Ｍ＋はパッケージ４０の＋、ｌ
ｔｕ図である。国軍されているように、リング４６は、
Ｆ部のベースプレーＩ・４２およびＭＬＣ部材４４から
ｉｓｘだけ内側に引っ込むように設計されている。（こ
の図では、ベースプレート４２は４二部のセラミック層
により隠蔽されている。）リードをボンドパッド箇所４
５に接続させるために、ＭＬＣ４４の最」二層４４丁は
、セラミック内層４４１の外周縁から引っ込められるよ
うに図示されている。

［発明の効果コ 以１−．説明したように、本発明によれば、メタルパッ
ケージよりも優れたイ、：頼性を６し、更に、公知のセ
ラミックパラゲージを凌駕する優れたＥＭＩシールドｆ
’ｌをもたらす、新たなバ・ソケージ配列が提供される
。

４、間両の簡ｔｐな説明 第１図は本発明により製造されたパ、フリージの一例の
等距離図法で描かれた斜視図である。

第２図は第１図のパッケージの分解組立図である。

第３図は箒１図のパッケージの３−３線に沿った側面図
である。

第４図は第１図のパッケージの３−３線に沿った部分断
面図である。

第５図はオプトエレクトロニクス用に特に適した、本発
明の別のパッケージ配列の斜視図である。

第６図は第５図の６−６線に沿った部分断面図である。

第７図は本発明により製造されたハイブリッドパッケー
ジの他の例の側面図である。

第８図は第７図のパッケージのＬ面図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）パッケージ内部に配設された少なくとも１個の構
   成部品を接続し、また、前記少なくとも１個の内部構成
   部品と少なくとも１個の外部構成部品とを接続するため
   のパッケージ（例えば、１０）であり、内部構成部品と
   外部構成部品とを接続するのに複数本のリード（例えば
   、１８）が使用され、前記パッケージは、 少なくとも導電性の上面（例えば、１３）を有するベー
   スプレート（例えば、１２）； 前記ベースプレート上に配設され、前記少なくとも１個
   の内部構成部品を配置するためのスペースを有する多層
   セラミック（ＭＬＣ）部材（例えば、１４）、前記ＭＬ
   Ｃ部材は、該部材の周縁に沿って配置された複数個のボ
   ンドパッド箇所と前記内部構成部品の接続を行うための
   メタライズド部分（例えば、１５）を有し、前記複数個
   のボンドパッド箇所は前記内部構成部品と外部構成部品
   の接続を行うために使用され； リングの周縁が前記パッケージの内側部分を画成するよ
   うに前記ＭＬＣ部材および前記ベースプレート上に配設
   された、少なくとも導電性外部被覆を有するリング側壁
   （例えば、１６）、前記リングは、内側の構成部品含有
   箇所を全く露出することなく、前記ＭＬＣ部材の少なく
   ともボンドパッド箇所含有部分を露出するように成形さ
   れていることを特徴とするパッケージ。 （２）ベースプレートは金属からなる請求項１のパッケ
   ージ。 （３）金属製ベースプレートは銅−タングステン合金か
   らなる請求項２のパッケージ。 （４）リングは金属からなる請求項１のパッケージ。 （５）金属製リング側壁はコバルト、ニッケルおよび鉄
   の組み合わせからなる請求項４のパッケージ。 （６）パッケージは光ファイバの接続が必要な光波シス
   テムで使用され、前記パッケージはリングの側壁部分に
   形成されたファイバフィードスルー部分を更に含む請求
   項１のパッケージ。 （７）ファイバフィードスルーは銅からなる請求項６の
   パッケージ。 （８）パッケージはリングに取付られたカバープレート
   を更に含む請求項１のパッケージ。 （３）カバープレートはリングと同じ材料からなる請求
   項８のパッケージ。 （１０）ベースプレート、ＭＬＣ部材、リングおよびカ
   バープレートを一緒に超音波溶着またはハンダ付けする
   ことにより気密性が得られる請求項８のパッケージ。 （１１）パッケージは露出されたボンドパッド箇所に接
   続された複数本のリードを更に有する請求項１のパッケ
   ージ。 （１２）パッケージ内部に配設された複数個の内部構成
   部品を接続し、また、前記内部構成部品と複数個の外部
   構成部品とを接続するためのハイブリッドパッケージ（
   例えば、１０）であり、内部構成部品と外部構成部品と
   を接続するのに複数本のリード（例えば、１８）が使用
   され、前記パッケージは、 金属製ベースプレート（例えば、１２）； 前記ベースプレート上に配設され、前記複数個の内部構
   成部品を配置するためのスペースを有する多層セラミッ
   ク（ＭＬＣ）部材（例えば、１４）、前記ＭＬＣ部材は
   、該部材の周縁に沿って配置された複数個のボンドパッ
   ド箇所と前記内部構成部品の接続を行うためのメタライ
   ズド部分（例えば、１５）を有し、前記複数個のボンド
   パッド箇所は、前記内部構成部品と外部構成部品の接続
   を行うために使用され； 金属製リングの周縁が前記ハイブリッドパッケージの内
   側部分を画成するように前記ＭＬＣ部材および前記ベー
   スプレート上に配設された、金属製リング側壁（例えば
   、１６）、前記金属製リングは、内側の構成部品含有箇
   所を全く露出することなく、前記ＭＬＣ部材の少なくと
   もボンドパッド箇所含有部分を露出するように成形され
   ており、前記金属製リングの上面に取付られた金属製カ
   バープレート（例えば、１９）；および、 露出ボンドパッド箇所に取付られた複数本のリード； からなることを特徴とするハイブリッドパッケージ。