JPH0363309B2 - - Google Patents

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JPH0363309B2
JPH0363309B2 JP57191463A JP19146382A JPH0363309B2 JP H0363309 B2 JPH0363309 B2 JP H0363309B2 JP 57191463 A JP57191463 A JP 57191463A JP 19146382 A JP19146382 A JP 19146382A JP H0363309 B2 JPH0363309 B2 JP H0363309B2
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JP
Japan
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gate
current
circuit
gto
voltage
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JP57191463A
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JPS5983569A (ja
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Nagataka Seki
Shunichi Koike
Yukio Watanabe
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0812Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/08124Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in thyristor switches
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/06Circuits specially adapted for rendering non-conductive gas discharge tubes or equivalent semiconductor devices, e.g. thyratrons, thyristors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/10Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
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    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/73Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for dc voltages or currents
    • H03K17/732Measures for enabling turn-off

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、ゲートターンオフサイリスタの短絡
故障をゲート・カソード間で検出する、ゲートタ
ーンオフサイリスタの故障検出回路に関するもの
である。
〔発明の技術的背景〕
ゲートターンオフサイリスタ(以下GTOを略
す)の短絡故障は従来短絡電流またはアノードカ
ソード間電圧の低下により検出していた。しか
し、GTOを複数個直列で使用した場合一部の
GTOの故障では短絡電流は流れず、複数個直列
に接続したGTOの両端電圧は低下しない。従つ
て直列に接続したGTOの故障を検出するには第
1図に示す回路が用いられていた。図中11〜1
6はGTOであり、ここでは直列数6の場合を示
している。17,18は分圧用抵抗、19は電流
検出器である。GTO11〜16が全て正常な時
は、C−B間の電圧はA−B間の電圧の1/2であ
り、D−B間の電圧もA−B間の電圧の1/2であ
る為、C点とD点は同電位であり、C−D間に
は、電流は流れない。しかしながらGTO11が
短絡故障をおこした時は、C−B間の電圧はA−
B間の電圧の1/2より上昇し、C点からD点へ電
流が流れる。電流検出器19は上記C点からD点
へ流れる電流を検出してGTO故障を判定する。
GTO14が短絡故障をおこした時はD点からC
点へ流れる電流により素子故障を検出する。
〔背景技術の問題点〕
以上述べた故障検出法は上半分(A−C間)と
下半分(C−B間)の電圧差により素子故障を検
出する為、上半分と下半分で同数のGTOが短絡
故障をおこした時は原理的にGTOの故障を検出
できない欠点をもつ、またGTOの直列数が増え
る程高耐圧の抵抗を必要とする。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、主回路に何も手を加えること
なく、ゲート回路でGTOの故障を検出し、また
GTO直接接続時にどのGTOが故障をおこしても
検出することができるゲートターンオフサイリス
タの故障検出回路を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、この目的を達成するために、GTO
が正常時と故障時とでは、そのゲート・カソード
間のインピーダンスは大幅に異ることに着目し、
このインピーダンス変化を検出することにより、
GTOの故障を判別するようにしたものである。
〔発明の実施例〕
本発明の一実施例を第2図に示す。図におい
て、20はGTOである。21はオフゲート信号、
22は点検用パルス発生回路であり、オア回路2
3でオフゲート信号21と点検用パルス24の論
理和をとり、パルスアンプ25を駆動する。パル
スアンプ25の出力はオフゲート用パルストラン
ス26で増幅された後、ゲートパルス合成回路2
7を経由し、GTO20のゲートに印加される。
ゲートパルス合成回路27とは、前記オフゲート
パルスとオンゲートパルス28および負バイアス
29を合成する回路である。オフゲート用パルス
トランス26の一次電流を電流検出器30で電圧
信号31に変換し、電流レベル検出器32に入力
する。電流レベル検出器32で電圧信号31があ
るレベル以上になつたことを検出し、GTO故障
信号33を出力する。
第3図は、本発明の原理を説明するための特性
図であり、GTO正常時のオフゲート用パルスト
ランス26の一次電流が34である。図において
横軸は時間、縦軸は電流である。GTO正常時は
ゲートーカソード間は、あるインピーダンスを持
つ。GTOが短絡故障をおこした時は、ゲートー
カソード間のインピーダンスは極端に低下し、オ
フゲート用パルストランス26の一次電流は35
で示すように大きくなる。正常時のオフゲート電
流のピーク値I1と故障時のオフゲート電流のピー
ク値I2の間に電流検出器32の検出レベルを設け
ればGTOの正常と故障の状態を判別できる。装
置の運転前に点検用パルス24を加えることによ
り、主回路に電圧を印加する前にGTOの故障を
検出できる。また、運転中においてもオフゲート
信号21によるオフゲート電流の大小により、
GTOの故障発生を即座に検出できる。GTOに加
えるゲートパルスの電圧は、点検時のみ低下させ
ることが望ましい。その電圧値はGTOのゲー
ト・カソード間の逆降伏電圧(例えば15V)以下
にすれば、正常時の電流はほとんど無視できる値
となるので、正常、異常の判別が容易となる。
GTO直列接続時の本発明の構成例を第4図に
示す。図中第2図と同一符号は同一機能のものな
のでその説明は省略する。36,37,38はパ
ルスアンプ、39,40,41はパルストラン
ス、42,43,44はゲートパルス合成回路、
45,46,47はGTOであり、それぞれの機
能は第2図と同一である。48,49,50は電
流検出器であり、GTO45,46,47のオフ
ゲート電流をそれぞれ電圧信号51,52,53
に変換している。電流レベル検出器54では、電
圧信号51,52,53の大きさにより、GTO
の故障を検出し、故障信号55を出力する。個々
のGTOの故障を検出する場合には、電圧信号5
1,52,53を個々にレベル検出を行なう。
GTO1個以上の故障を検出する時は、電圧信号5
1,52,53をダイオードOR回路等の最大値
選択回路に通し、レベル検出を行なえば、レベル
検出はGTOの数によらず、1回路で済む。GTO
並列使用時も同様である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、主回路に
手を加えることなく、また主回路に電圧を印加す
る前にGTOの短絡故障をゲート回路のオフゲー
ト電流で検出できる。またGTOを直列あるいは
並列に複数個使用する場合にも簡単な回路の追加
で故障を検出できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のGTO直列接続時の故障検出回
路の構成図、第2図は本発明の一実施例を示す回
路図、第3図は本発明の原理を説明するための特
性図、第4図は本発明をゲートターンオフサイリ
スタを多数直列接続した回路に適用した回路図で
ある。 11〜16,20,45〜47……ゲートター
ンオフサイリスタ、17,18……分圧用抵抗、
19,54……電流レベル検出器、21……オフ
ゲート信号、22……点検用パルス発生回路、2
3……オア回路、24……点検用パルス、25,
36〜38……パルスアンプ、26,39〜41
……オフゲート用パルストランス、27,42〜
44……ゲートパルス合成回路、28……オンゲ
ートパルス、29……負バイアス、30,48〜
50……電流検出器、31,51〜53……電圧
信号、32,54……電流レベル検出器、33,
35……故障信号、34……正常時のオフゲート
電流。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 それぞれパルストランスを介してオフゲート
    電流が供給される複数個の直列接続されたゲート
    ターンオフサイリスタと、 前記パルストランスの1次巻線を介して前記ゲ
    ートターンオフサイリスタに点検用のオフゲート
    電流を供給する点検用オフゲート電流発生回路
    と、 前記パルストランスの1次側に設けられ前記ゲ
    ートターンオフサイリスタに供給されるオフゲー
    ト電流を検出する電流検出器と、 この電流検出器の出力信号が所定の値以上であ
    るか否かを検出する電流レベル検出器を具備し、 少なくとも前記ゲートターンオフサイリスタの
    運転に先だつて前記ゲートターンオフサイリスタ
    に点検用のオフゲート電流を供給することを特徴
    とするゲートターンオフサイリスタの故障検出回
    路。
JP57191463A 1982-10-30 1982-10-30 ゲ−トタ−ンオフサイリスタの故障検出回路 Granted JPS5983569A (ja)

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JP57191463A JPS5983569A (ja) 1982-10-30 1982-10-30 ゲ−トタ−ンオフサイリスタの故障検出回路
EP83306442A EP0112007B1 (en) 1982-10-30 1983-10-24 Gate turn-off thyristor failure detection circuit
DE8383306442T DE3370727D1 (en) 1982-10-30 1983-10-24 Gate turn-off thyristor failure detection circuit
US06/547,254 US4600917A (en) 1982-10-30 1983-10-31 Gate-turn-off thyristor failure detecting circuit

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JPS5983569A JPS5983569A (ja) 1984-05-15
JPH0363309B2 true JPH0363309B2 (ja) 1991-09-30

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ID=16275061

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DE (1) DE3370727D1 (ja)

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US4600917A (en) 1986-07-15
EP0112007B1 (en) 1987-04-01
EP0112007A1 (en) 1984-06-27
DE3370727D1 (en) 1987-05-07
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