JPH0360582B2 - - Google Patents

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JPH0360582B2
JPH0360582B2 JP58161791A JP16179183A JPH0360582B2 JP H0360582 B2 JPH0360582 B2 JP H0360582B2 JP 58161791 A JP58161791 A JP 58161791A JP 16179183 A JP16179183 A JP 16179183A JP H0360582 B2 JPH0360582 B2 JP H0360582B2
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JP
Japan
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target
solder
plate
vacuum
cooling
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JP58161791A
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JPS5964154A (ja
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Keraa Harutomuuto
Shinharoi Aruun
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Siemens AG
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Siemens AG
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/001—Interlayers, transition pieces for metallurgical bonding of workpieces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、スパツタリング装置用冷却皿上に円
盤状または板状のターゲツト材料を固定するため
の方法に関する。
〔従来の技術〕
ターゲツト円盤またはターゲツト板にターゲツ
ト材料となじむ付着層を設け、続いてプラズマ溶
射により表面層（例えば銅層、銅、ガラス層また
は銀層）を設け、このようにして被覆されたター
ゲツト円盤またはターゲツト板および冷却皿を互
いに別々に予備ろう被覆し、続いてフラツクスを
使用することなく再融解ろう付けにより相互にろ
う付けすることによりスパツタリング装置用冷却
皿上に円盤状または板状のターゲツト材料を固定
する方法は本出願人によりすでに提案されている
（特開昭56−33476号公報）。この方法により、実
際に使用される全ターゲツト材料を強い付着力で
かつ良好な熱接触でもつて結合することができ
る。しかしながら、この方法で形成された結合部
は、必ずしも完全に無気泡、無空孔ではないこと
が分かつた。しかも予備ろう被覆された面上の酸
化膜が結合断面中に空洞を生ぜしめることがあつ
た。
また「ザ、レビユー、オブ、サイアンテイフイ
ツク、インスツルメント（The Review of
Scientific Instruments）」第44巻第４号（1973年
４月）、第522〜523ページから、同様の方法が公
知である。しかしこの方法においては再融解ろう
付けは使用されていない。その第523ページ右欄
には、ターゲツトおよび冷却皿を150℃以下に加
熱し、127℃で融解するろうを両表面上に設け、
次いで両部分を結合し、冷却することが記載され
ている。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明の目的は、特開昭56−33476号公報に示
した従来方法を改良し、結合部が気泡および空孔
を有するのを確実に阻止するとともに、予備ろう
被覆上に場合によつては存在する酸化膜を確実に
除去するとにある。
〔課題を解決するための手段〕
上述の目的を達成するため、本発明において
は、 ａ 予備ろう被覆されたターゲツト円盤またはタ
ーゲツト板および冷却皿を脱ガスおよび酸化膜
の除去のために真空中でろうの融点より高い温
度にさらし、 ｂ 再融解ろう付けの前に、冷却皿の周りに、冷
却皿とその上に載せられたターゲツト円盤また
はターゲツト板との間のろう間隙を囲む凹所を
有する枠を置き、 ｃ 続く再融解ろう付けを真空中で行う ものである。
〔実施例〕
次に本発明方法を図面について詳細に説明す
る。
第１図は円盤状のターゲツト、第２図は板状の
ターゲツト、第３図は第２図に示したターゲツト
に枠をつけたものの上面図、第４図は第３図の
−線に沿う断面図をそれぞれ示す。
１は任意の材料からなるターゲツト円盤を示
し、それは冷却皿２の上にろう付けによつて固定
されている。第２図は方形の冷却皿４上にろう付
けされたターゲツト板３を示す。
第１図および第２図に示されたターゲツトは次
のようにして製作される。先ずターゲツト円盤１
又はターゲツト板３上にターゲツト材料になじむ
付着層をプラズマ溶射により設ける。次いでこの
付着層の上に同様にプラズマ溶射により、ターゲ
ツト円盤１又はターゲツト板３をろう付け可能に
するために表面層を設ける。表面層として銅層、
銅−ガラス層または銀層を用いると特に有利なこ
とが分かつている。付着層およびろう付可能な表
面層を設けた後、ターゲツト円盤１もしくはター
ゲツト板３ならびに円形もしくは方形の冷却皿２
もしくは４に、適当な軟ろうフラツクスを使用し
て予備ろう被覆する。脱ガスおよび場合によつて
はなお存在する酸化膜の除去のために、予備ろう
被覆されたターゲツト円盤１もしくはターゲツト
板３および冷却皿２および４を真空中でろう融点
より高い温度に加熱する。結合断面中の気泡およ
び空孔の発生を防止するために再融解ろう付けを
同様に真空中で実施する。この点を第３図および
第４図により詳細に説明する。再融解ろう付けの
前に、第４図に示した冷却皿４の周りに、冷却皿
４とこの上に載せられたターゲツト板３との間の
ろう間隙６を囲む凹所７を有する一種の枠５を置
く。それによつて槽状の溝が形成される。この場
合凹所の底は長方形の冷却皿４の表面の僅か下に
位置する。そのように組み合わせられた各部分を
真空中で再融解ろう付けによつて結合する。ろう
付工程中、過剰のろうは間隙６から流れ出て、凹
所７により形成された槽中で上昇する。従つてろ
う間隙全体は凝固するまでろうにより覆われたま
まである。このようにしてろう間隙全体を軟ろう
で充てんすることができる。真空中でろう付けす
ることによつて、最適な熱伝導性を有し、しかも
十分な無気泡および無空孔性の結合を得ることが
できる。
〔発明の効果〕
本願発明によれば、枠を使用して再融解ろう付
けを行うことにより、ろう付け中結合断面が完全
にろうで満たされているから、結合断面に気泡や
空孔が生じるのを確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図はそれぞれ本発明方法により結
合されたターゲツトと冷却皿との組合せを示す斜
視図、第３図は第２図に示すターゲツトに本発明
方法で用いられる枠を取り付けたものの上面図、
第４図は第３図の−線に沿う断面図である。 １…ターゲツト円盤、２，４…冷却皿、３…タ
ーゲツト板、５…枠、６…ろう間隙、７…凹所。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ターゲツト円盤１またはターゲツト板３にタ
    ーゲツト材料となじむ付着層を設け、続いてプラ
    ズマ溶射により表面層を設け、このようにして被
    覆されたターゲツト円盤１またはターゲツト板３
    および冷却皿２，４を互いに別々に予備ろう被覆
    し、次いでフラツクスを使用することなく再融解
    ろう付けにより相互にろう付けすることによりス
    パツタリング装置用冷却皿２，４上に円盤状また
    は板状のターゲツト材料を固定するための方法に
    おいて、 ａ 予備ろう被覆されたターゲツト円盤１または
    ターゲツト板３および冷却皿２，４を脱ガスお
    よび酸化膜の除去のために真空中でろうの融点
    より高い温度にさらし、 ｂ 再融解ろう付けの前に、冷却皿２，４の周り
    に、冷却皿２，４とその上に載せられたターゲ
    ツト円盤１またはターゲツト板３との間のろう
    間隙６を囲む凹所７を有する枠５を置き、 ｃ 続く再融解ろう付けを真空中で行う ことを特徴とするターゲツト材料の固定方法。
JP58161791A 1982-09-07 1983-09-02 タ−ゲツト材料の固定方法 Granted JPS5964154A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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DE3233215.7 1982-09-07
DE3233215A DE3233215C1 (de) 1982-09-07 1982-09-07 Verfahren zum Befestigen von in Scheiben- oder Plattenform vorliegenden Targetmaterialien auf Kuehlteller fuer Aufstaeubanlagen

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Publication Number Publication Date
JPS5964154A JPS5964154A (ja) 1984-04-12
JPH0360582B2 true JPH0360582B2 (ja) 1991-09-17

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EP (1) EP0102613B1 (ja)
JP (1) JPS5964154A (ja)
AT (1) ATE35558T1 (ja)
DE (1) DE3233215C1 (ja)

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