JPH0360493A - バブラーとその温度制御方法 - Google Patents
バブラーとその温度制御方法Info
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- JPH0360493A JPH0360493A JP19364389A JP19364389A JPH0360493A JP H0360493 A JPH0360493 A JP H0360493A JP 19364389 A JP19364389 A JP 19364389A JP 19364389 A JP19364389 A JP 19364389A JP H0360493 A JPH0360493 A JP H0360493A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 4
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000002528 anti-freeze Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、主に■族、■族の飽和蒸気を反応系に供給す
るためのバブラーとその温度制御方法に関するものであ
る。
るためのバブラーとその温度制御方法に関するものであ
る。
ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）において、エピタ
キシアル膜を成長させる際、■族、■族系の室温で固体
又は液体である有機金属材料をＮ２やＮ２などのキャリ
アガスにょリバプリングすることにより気化させ、その
飽和蒸気をリアクターに供給して反応を行なっている。
キシアル膜を成長させる際、■族、■族系の室温で固体
又は液体である有機金属材料をＮ２やＮ２などのキャリ
アガスにょリバプリングすることにより気化させ、その
飽和蒸気をリアクターに供給して反応を行なっている。
エピタキシアル膜の膜厚や結晶組成の制御のためには、
バブリングされて気化した有機金属の飽和蒸気が外乱に
影響されず、常に一定に制御されていなければならない
。特に膜厚の制御性はデバイスの歩留に大きく影響する
ため、正確な制御が要求されている。また組成の制御性
も特にＩｎＰ系の様に厳密な格子整合が必要であるため
、必須の条件となっている。
バブリングされて気化した有機金属の飽和蒸気が外乱に
影響されず、常に一定に制御されていなければならない
。特に膜厚の制御性はデバイスの歩留に大きく影響する
ため、正確な制御が要求されている。また組成の制御性
も特にＩｎＰ系の様に厳密な格子整合が必要であるため
、必須の条件となっている。
このためバブラーでは第５図に示すように有機金属（５
）を装入した容器（３）内のバブリングによる気化量を
一定にするため、容器（３）を恒温槽（４）に入れて一
定温度に制御し、またキャリアガス（１）の流量をマス
フローコントローラ（２）により一定にコントロールし
て飽和蒸気量を制御している。容器（３）を一定温度に
保持するためには、第６図に示すように恒温層（４）に
水や不凍液を入れ、その中に容器（３）を入れ、その温
度を槽（４）の外壁に設けた測温用測定点（７）で測定
し、その温度に基づいて温度調節器（８）により、槽（
４）の外壁上に設けたヒータ又はクーラ（６）を作動さ
せている。
）を装入した容器（３）内のバブリングによる気化量を
一定にするため、容器（３）を恒温槽（４）に入れて一
定温度に制御し、またキャリアガス（１）の流量をマス
フローコントローラ（２）により一定にコントロールし
て飽和蒸気量を制御している。容器（３）を一定温度に
保持するためには、第６図に示すように恒温層（４）に
水や不凍液を入れ、その中に容器（３）を入れ、その温
度を槽（４）の外壁に設けた測温用測定点（７）で測定
し、その温度に基づいて温度調節器（８）により、槽（
４）の外壁上に設けたヒータ又はクーラ（６）を作動さ
せている。
このため有機金属の温度測定及び温度制御は間接的とな
るため、有機金属とその蒸気自体が目標の温度になって
いるか、否かの判断は困難であった。また室温の変化や
配管の温度上昇等による外乱やキャリアガスの温度変化
に対し、飽和蒸気の温度はそれぞれの場合の平衡温度に
なると考えられる。そのため一定温度に制御しているは
ずの飽和蒸気の温度が環境の変化により左右され、これ
がデバイスの歩留低下の原因となっている。
るため、有機金属とその蒸気自体が目標の温度になって
いるか、否かの判断は困難であった。また室温の変化や
配管の温度上昇等による外乱やキャリアガスの温度変化
に対し、飽和蒸気の温度はそれぞれの場合の平衡温度に
なると考えられる。そのため一定温度に制御しているは
ずの飽和蒸気の温度が環境の変化により左右され、これ
がデバイスの歩留低下の原因となっている。
本発明はこれに鑑み種々研究の結果、有機金属のバブリ
ングによる気化量を正確に制御し、その飽和蒸気自体を
目標の温度に制御するバブラーとその温度制御方法を開
発したものである。
ングによる気化量を正確に制御し、その飽和蒸気自体を
目標の温度に制御するバブラーとその温度制御方法を開
発したものである。
即ち本発明バブラーは、有機金属からなる液体又は固体
原料を装入した容器を恒温槽内に保持し、容器内の原料
中にキャリアガスを流すことにより、有機金属を気化さ
せてその飽和蒸気を作り、これを反応系に供給するバブ
ラーにおいて、容器内の飽和蒸気部又は原料部に測温用
測定点を設け、容器内の飽和蒸気部又は原料部の温度を
直接測定することを特徴とするものである。
原料を装入した容器を恒温槽内に保持し、容器内の原料
中にキャリアガスを流すことにより、有機金属を気化さ
せてその飽和蒸気を作り、これを反応系に供給するバブ
ラーにおいて、容器内の飽和蒸気部又は原料部に測温用
測定点を設け、容器内の飽和蒸気部又は原料部の温度を
直接測定することを特徴とするものである。
また本発明制御方法は、有機金属からなる液体又は固体
原料を装入した容器を恒温槽内に保持し、容器内の原料
中にキャリアガスを流すことにより、有機金属を気化さ
せてその飽和蒸気を作り、これを反応系に供給するバブ
ラーにおいて、容器内の飽和蒸気部又は原料部に測温用
測定点を設け、容器内の飽和蒸気部又は原料部の温度を
直接測定し、これに基づいて恒温槽の温度制御を行なう
ことを特徴とするものである。
原料を装入した容器を恒温槽内に保持し、容器内の原料
中にキャリアガスを流すことにより、有機金属を気化さ
せてその飽和蒸気を作り、これを反応系に供給するバブ
ラーにおいて、容器内の飽和蒸気部又は原料部に測温用
測定点を設け、容器内の飽和蒸気部又は原料部の温度を
直接測定し、これに基づいて恒温槽の温度制御を行なう
ことを特徴とするものである。
本発明は上記の如く、容器内に■族、■族の室温におい
て固体又は液体である有機金属原料を装入し、バブリン
グすることにより原料を気化させ、容器内に飽和蒸気を
形成するバブラーにおいて、容器内の飽和蒸気部又は原
料部に測温用測定点を設け、直接容器内の飽和蒸気部又
は原料部の温度測定を可能にしたものである。
て固体又は液体である有機金属原料を装入し、バブリン
グすることにより原料を気化させ、容器内に飽和蒸気を
形成するバブラーにおいて、容器内の飽和蒸気部又は原
料部に測温用測定点を設け、直接容器内の飽和蒸気部又
は原料部の温度測定を可能にしたものである。
また直接容器内の飽和蒸気部又は原料部の温度を測定し
、これに基づいて恒温槽の温度を制御することにより、
容器内の原料の気化量を一定に保持し、室温の変化、配
管の温度変化、更にはキャリアガスの温度変化等の外乱
に左右されることなく、リアクターに供給する飽和蒸気
の温度をほぼ一定に保持するものである。
、これに基づいて恒温槽の温度を制御することにより、
容器内の原料の気化量を一定に保持し、室温の変化、配
管の温度変化、更にはキャリアガスの温度変化等の外乱
に左右されることなく、リアクターに供給する飽和蒸気
の温度をほぼ一定に保持するものである。
容器内の飽和蒸気部又は原料部に測温用測定点を設ける
には、容器の蓋に容器と同一の材料、例えばステンレス
合金からなる先端を閉じた細管を取付け、その内部に測
温用測定点例えば熱電対を挿入し、その先端を測温点と
する。細管の径は使用する熱電対が挿入可能な限り、で
きるだけ細いものとする。
には、容器の蓋に容器と同一の材料、例えばステンレス
合金からなる先端を閉じた細管を取付け、その内部に測
温用測定点例えば熱電対を挿入し、その先端を測温点と
する。細管の径は使用する熱電対が挿入可能な限り、で
きるだけ細いものとする。
このようにして容器内の飽和蒸気又は原料の温度を測定
すると共に、この温度に基づいて温度調節器により恒温
槽のヒータやクーラを制御し、容器内の温度を一定に保
持する。尚飽和蒸気の温度で制御するか、原料の温度で
制御するかは、制御の容易性によって選択する。また原
料の毒性が低く、容器の機密性を問わない場合には熱電
対等を直接容器内に挿入し、蓋の部分でＯリングにより
シールしても良い。
すると共に、この温度に基づいて温度調節器により恒温
槽のヒータやクーラを制御し、容器内の温度を一定に保
持する。尚飽和蒸気の温度で制御するか、原料の温度で
制御するかは、制御の容易性によって選択する。また原
料の毒性が低く、容器の機密性を問わない場合には熱電
対等を直接容器内に挿入し、蓋の部分でＯリングにより
シールしても良い。
以下本発明を実施例について説明する。
実施例（１）
飽和蒸気の温度で制御が容易なものについて、第１図に
示すようにステンレス製容器（３）の蓋部に、容器（３
）と同一材料でできた先端を閉じ、その先端部が飽和蒸
気の取り出し管（１１）の下面に達する長さの細管（９
）を取付け、その中に熱電対（７）を挿入し、その先端
の温度を測定できるようにした。
示すようにステンレス製容器（３）の蓋部に、容器（３
）と同一材料でできた先端を閉じ、その先端部が飽和蒸
気の取り出し管（１１）の下面に達する長さの細管（９
）を取付け、その中に熱電対（７）を挿入し、その先端
の温度を測定できるようにした。
このようにして容器（３）内に■族又は■族の有機金属
からなる原料（５）を装入し、これを第２図に示すよう
に恒温槽（４）内に保持し、細管（９）内に挿入した熱
電対（７）によって温度調整器（８）を作動させ、恒温
槽（４）のヒータやクーラ（６）を制御した。その結果
容器（３）内の温度をほぼ一定に保持することができ、
原料（５）の気化量を一定に保持することができた。
からなる原料（５）を装入し、これを第２図に示すよう
に恒温槽（４）内に保持し、細管（９）内に挿入した熱
電対（７）によって温度調整器（８）を作動させ、恒温
槽（４）のヒータやクーラ（６）を制御した。その結果
容器（３）内の温度をほぼ一定に保持することができ、
原料（５）の気化量を一定に保持することができた。
実施例（２）
原料の温度で制御が容易なものについて、第３図に示す
ように容器（３）の蓋に原料（５）部に達する長さの先
端を閉じた細管（９）を取り付けその中に熱電対（７）
を挿入し、その先端の温度を測定できるようにした。
ように容器（３）の蓋に原料（５）部に達する長さの先
端を閉じた細管（９）を取り付けその中に熱電対（７）
を挿入し、その先端の温度を測定できるようにした。
このようにして容器（３）内に有機金属からなる原料（
５）を装入し、これを実施例（１） と同様に恒温槽
内に保持し、細管（９）内に挿入した熱電対（７）によ
って温度調整器を作動させ、恒温槽のヒータやクーラを
制御した。その結果容器（３）内の温度をほぼ一定に保
持し、原料（５）の気化量を一定に保持することができ
た。
５）を装入し、これを実施例（１） と同様に恒温槽
内に保持し、細管（９）内に挿入した熱電対（７）によ
って温度調整器を作動させ、恒温槽のヒータやクーラを
制御した。その結果容器（３）内の温度をほぼ一定に保
持し、原料（５）の気化量を一定に保持することができ
た。
実施例（３）
原料の毒性が低く、容器の気密性をあまり問題にしない
ものについて、第４図に示すように直接熱電対（７）を
容器（３）内に挿入し、蓋部に０リング（１０）等でシ
ールし、その先端の温度を測定できるようにした。
ものについて、第４図に示すように直接熱電対（７）を
容器（３）内に挿入し、蓋部に０リング（１０）等でシ
ールし、その先端の温度を測定できるようにした。
このようにして容器（３）内に有機金属からなる原料を
挿入し、これを実施例（１）と同様に恒温槽内に保持し
、熱電対（７）によって温度調整器を作動させ、恒温槽
を制御した。その結果容器（３）内の温度をほぼ一定に
保持し、原料の気化量を一定に保持することができた。
挿入し、これを実施例（１）と同様に恒温槽内に保持し
、熱電対（７）によって温度調整器を作動させ、恒温槽
を制御した。その結果容器（３）内の温度をほぼ一定に
保持し、原料の気化量を一定に保持することができた。
このように本発明バブラーとその温度制御方法によれば
、実際に飽和蒸気の温度で有機金属原料の気化量が制御
できかつ飽和蒸気部又は原料部の温度を配管温度変化や
キャリアガス温度変化に影響されることなく一定に制御
することが可能となる等工業上顕著な効果を奏するもの
である。
、実際に飽和蒸気の温度で有機金属原料の気化量が制御
できかつ飽和蒸気部又は原料部の温度を配管温度変化や
キャリアガス温度変化に影響されることなく一定に制御
することが可能となる等工業上顕著な効果を奏するもの
である。
第１図は本発明バブラーの容器の一例を示す側面図、第
２図は同容器を用いたバブラーの温度制御の説明図、第
３図は本発明バブラーの容器の他の一例を示す側面図、
第４図は本発明バブラーの容器の更に他の一例を示す側
面図、第５図は従来バブラーの一例を示す説明図、第６
図は従来ブブラーの温度制御の一例を示す説明図である
。 キャリアガス、 マスフローコントローラ 容 器 （４）恒温槽 原 料 （６）ヒータ又はクーラ 熱電対 （８）温度調整器 細 管 （１０）Ｏリング 第５図 第６図
２図は同容器を用いたバブラーの温度制御の説明図、第
３図は本発明バブラーの容器の他の一例を示す側面図、
第４図は本発明バブラーの容器の更に他の一例を示す側
面図、第５図は従来バブラーの一例を示す説明図、第６
図は従来ブブラーの温度制御の一例を示す説明図である
。 キャリアガス、 マスフローコントローラ 容 器 （４）恒温槽 原 料 （６）ヒータ又はクーラ 熱電対 （８）温度調整器 細 管 （１０）Ｏリング 第５図 第６図
Claims (2)
- （１）有機金属からなる液体又は固定原料を装入した容
器を恒温槽内に保持し、容器内の原料中にキャリアガス
を流すことにより、有機金属を気化させてその飽和蒸気
を作り、これを反応系に供給するバブラーにおいて、容
器内の飽和蒸気部又は原料部に測温用測定点を設け、容
器内の飽和蒸気部又は原料部の温度を直接測定すること
を特徴とするバブラー。 - （２）有機金属からなる液体又は固定原料を装入した容
器を恒温槽内に保持し、容器内の原料中にキャリアガス
を流すことにより、有機金属を気化させてその飽和蒸気
を作り、これを反応系に供給するバブラーにおいて、容
器内の飽和蒸気部又は原料部に測温用測温点を設け、容
器内の飽和蒸気部又は原料部の温度を直接測定し、これ
に基づいて恒温層の温度制御を行なうことを特徴とする
バブラーの温度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19364389A JPH0360493A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | バブラーとその温度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19364389A JPH0360493A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | バブラーとその温度制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360493A true JPH0360493A (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=16311356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19364389A Pending JPH0360493A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | バブラーとその温度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0360493A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8021302B2 (en) | 2007-03-07 | 2011-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ultrasonic apparatus and ultrasonic diagnostic method |
| JP2016104913A (ja) * | 1997-11-17 | 2016-06-09 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 有機薄膜の低圧気相蒸着 |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP19364389A patent/JPH0360493A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016104913A (ja) * | 1997-11-17 | 2016-06-09 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 有機薄膜の低圧気相蒸着 |
| US8021302B2 (en) | 2007-03-07 | 2011-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ultrasonic apparatus and ultrasonic diagnostic method |
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