JPH0360463A - 圧電磁器 - Google Patents

圧電磁器

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JPH0360463A
JPH0360463A JP1192062A JP19206289A JPH0360463A JP H0360463 A JPH0360463 A JP H0360463A JP 1192062 A JP1192062 A JP 1192062A JP 19206289 A JP19206289 A JP 19206289A JP H0360463 A JPH0360463 A JP H0360463A
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谷山 重光
Yuichi Hori
雄一 堀
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松藤 伊三雄
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の利用分野] 本発明は高周波共振子等に用いられる圧電磁器に関し、
より詳細には3倍波振動に対して有用な圧電磁器に関す
る。
[従来技術1 従来から、圧電磁器[放物としてはPbTi0iをはじ
めとしてこれにPb(Nt+zzNbzzz)Osなど
を固溶させたものや、これらの系に第3戒分を加えたも
の等が知られており、これらによって圧電特性や電気特
性を改善し、焦電素子、圧電振動子、共振子、発振子、
フィルタなどの電子部品に適用されている。
近年に至って、上述のような電子部品は小型化が求めら
れているが、圧電磁器素子を電子部品に適用する場合、
圧電磁器の性質上小型化には限界がある。そこで特に高
周波用電子部品においては3倍波振動を適用することに
よって更に小型化、高性能化を図る試みがなされている
このように3倍波振動を適用し得る圧電磁器としてはP
bLaTtO,系が主として用いられ、各特性を改善す
るために各種の添加物の検討がなされている。
例えば、特開昭57−129869号によればMnO□
を添加することにより周波数温度特性を改善する試みが
なされ、また、特開昭63−151667号よればさら
にCa、 Ba等のアルカリ金属を添加することにより
スプリアスの発生防止等安定性を向上させる試みがなさ
れている。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、これらPbLaTi0a系の圧電磁器に
おいては前述した改善を行っても、3倍波振動近傍のス
プリアスの発生やP/Vのバラツキ等が十分に解消され
ないという問題があり、この傾向は磁器の厚みが厚くな
る程、即ち低周波用によるに従い顕著であった。
[問題点を解決するための手段1 本発明者等はPbLaTtO,系における上記問題点に
対し、その不良品の発生原因について追求したところ、
焼結体中に存在する粗大ボイドがこれらの特性に大きく
影響を及ぼしていることを突き止めた。そこで、さらに
粗大ボイドと各特性との相関について実験を繰り返した
結果、焼結体中の基本成分として全量中にいずれも酸化
物換算でPbが43〜48モル%、Tiが47〜50モ
ル%およびLaが2〜15モル%の割合で含有されてい
ることにより、さらに焼結体の対理論密度比を96%以
上の緻密質となすことにより、3倍波振動においてP/
Vのバラツキ、スプリアス発生等が顕著に低減された優
れた圧電磁器が得られることができた。
以下、本発明をさらに詳述する。
本発明における特徴は、酸化物換算でPbが43〜48
モル%、特に44〜46モル%、Tiを47〜50モル
%、特に49〜51モル%、1、aを2〜15モル%、
特に4〜10モル%を基本成分とする焼結体の緻密度を
高める点にある。
従来からPbLaTiO3系圧電磁器は一般にPbO,
LazO=。
TiO□を主体とする混合粉末を成形後、大気中で12
50〜1350°Cの温度で焼成されることによって得
られているが、これらは、焼結が十分に進行したとして
も対理論密度比は95%前後であり、これ以上の緻密化
はできない。
そこで本発明によれば、緻密化させる具体的方法として
は、用いる原料として焼結性に優れた液相合成、例えば
共沈法、アルコキシド法あるいはゾルゲル法等で合成さ
れた粉末を用いるか、磁器の焼成に際しホットプレス法
あるいは熱間静水圧焼成法を採用するか、あるいはこれ
らの焼成を酸素雰囲気で行う等の手法を採用しうるが、
これらの中でも特に熱間静水圧焼成法(以下、単に旧P
法という)が製造の安定性の点で優れている。
よって、ここでは)IIP法を例にとって説明する。
この旧P法によれば、前述した組成に調合されたPbO
,LazO,Ti0zの混合粉末あるいはこれらの仮焼
物あるいは前述した液相合成法にて得られた粉末を所定
の形状に成形後、前述した従来の焼成方法で一旦焼成し
て対理論密度比が90%以上の予備焼結体を得る。その
後、この予備焼結体を10〜2000気圧の高圧下で9
00〜1300°Cの温度でHIP焼成する。HIP焼
成する際、圧力媒体ガスとしては通常Arガスが用いら
れるが、このような不活性ガスを用いる場合、焼成中に
磁器の酸素の抜けにより磁器中に金属が析出し、磁器の
絶縁抵抗の劣化を招く恐れがある。そこで旧P焼成に当
たり、予備焼結体をほぼ同一の組成から成る粉末中に埋
めた状態で焼成することによって前述した特性の劣化は
回避できる。また、他の方法として、不活性ガス中に酸
素ガスを0.01〜20%の割合で含有するガスを圧力
媒体として用いることより、前記埋め焼きを行うことな
く焼成することができる。
このHIP法によれば、圧力を高めることにより高緻密
化が図れるが、このような圧電磁器においては完全緻密
化させなくとも十分な効果が得られ、対理論密度ひ96
%以上、特に97〜99%程度が望ましく、一方、II
IP条件において圧力を高め過ぎると逆に効果が低下す
る(噴量にあり、200〜1500気圧が最も望ましい
本発明において、基本成分を前述した範囲に特定したの
はPbが酸化物換算で42モル%を下回ると機械的品質
係数が低下し、48,5モル%を越えると分極が困難と
なり、Tiが酸化物換算で48モル%を下回っても分極
が難かしくなる。Laの酸化物換算量が2.5モル%を
下回ると3倍波振動の周波数の温度係数が大きく、15
モル%を上回るとキュリー点が低下し、P/Vが低下す
る。
本発明によれば、上記範囲のPbLaTi、Osの基本
成分に対し、Pb、、La、 Tiの一部を他の金属、
例えばLaに対してはPr、 Ce、 Sm、 Ndで
置換してもよく、さらに他の添加成分、具体的には、M
nO□を0.1〜2.0モル%、あるいはSr、 Ca
、 Ba等のアルカリ土類金属酸化物やA1.、Fe、
 Co、、Ni、 St、、Mg、 Cr、 Nb。
−等の酸化物を2.0モル%以下の割合で添加すること
によりさらに優れた特性の圧電磁器を得ることができる
以下、本発明を次の例で説明する。
[実施例1 原料として、PbO、Tie、、LazOi 、MnC
0,の他各種金属酸化物を用い、第1表の組成になるよ
う秤量し、ボットミル中で湿式混合した。混合後、脱水
乾燥し850〜1100°Cで2時間仮焼した。次いで
仮焼粉末を粉砕し、有機結合剤を混合して造粒を行った
。このように得られた造粒粉末を約1000kg、/ 
cnlの圧力で直径18+u+、厚さ1.5mmの円板
に成形した。この成形円板を1200〜1300°Cの
温度で2時間大気中で予備焼成した。この焼成後の対理
論密度比はほぼ90〜95%であった。
その後、0□5%含有アルゴン雰囲気で圧力を変えて1
100’Cの温度で1時間開P焼成し、圧電磁器を得た
この圧電磁器を測定用として0.5mmに研磨した後、
銀蒸着により電極を形成したものを夫々80〜100°
C”t?7.0〜5.OKV/am(7)電圧テlO分
間分極処理を行った。得られた各試料についてそれぞれ
20個に対し、アルキメデス法により対理論密度比を算
出するとともに、インピーダンスアナライザーによって
厚み縦3倍波振動の電気機械結合係数(KL3)、同じ
く機械的品質係数(0M2)を測定しその平均値を算出
した。なお、第1表P/VはRA / RO(3倍波の
共振、反共振のインピーダンス比率)を表す。
さらに、波形観察からスプリアスの発生状況を判断した
。また最終的に各特性の評価から良品率を算出した。
結果を第1表に示す。
(以下余白) [発明の効果] 以上、詳述した通り、本発明によればPbLaTi0゜
系の圧電磁器において、その対理論密度比を高めること
により、磁器中の粗大ボイドを解消すると同時に圧電磁
器の振動の乱れや電極間の電界の乱れ等を防止し、優れ
た特性を有するとともに歩留りの高い圧電磁器を提供す
ることができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  全量に対し、Pbを酸化物換算で43〜48モル%、
    Tiを酸化物換算で47〜50モル%およびLaを酸化
    物換算で2〜15モル%の割合で含有するとともに対理
    論密度比が96%以上の緻密質から成る圧電磁器。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5440125A (en) * 1991-05-16 1995-08-08 U.S. Philips Corporation Radiation detector having a pyroelectric ceramic detection element
US6090306A (en) * 1998-02-12 2000-07-18 Tdk Corporation Piezoelectric ceramics
KR100450010B1 (ko) * 2001-04-13 2004-10-02 장재석 차량용 백미러 쉴드
US7855488B2 (en) 1999-12-16 2010-12-21 Epcos Ag Piezoceramic device

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US8209828B2 (en) 1999-12-16 2012-07-03 Epcos Ag Method for making a piezoceramic device
KR100450010B1 (ko) * 2001-04-13 2004-10-02 장재석 차량용 백미러 쉴드

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