JPH0360178B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0360178B2 JPH0360178B2 JP59098547A JP9854784A JPH0360178B2 JP H0360178 B2 JPH0360178 B2 JP H0360178B2 JP 59098547 A JP59098547 A JP 59098547A JP 9854784 A JP9854784 A JP 9854784A JP H0360178 B2 JPH0360178 B2 JP H0360178B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- collector
- emitter
- base
- gaas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
- H10D10/80—Heterojunction BJTs
- H10D10/821—Vertical heterojunction BJTs
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59098547A JPS60244065A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | ヘテロ接合バイポ−ラ半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59098547A JPS60244065A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | ヘテロ接合バイポ−ラ半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60244065A JPS60244065A (ja) | 1985-12-03 |
| JPH0360178B2 true JPH0360178B2 (cs) | 1991-09-12 |
Family
ID=14222713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59098547A Granted JPS60244065A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | ヘテロ接合バイポ−ラ半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60244065A (cs) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0671007B2 (ja) * | 1986-12-19 | 1994-09-07 | 富士通株式会社 | ヘテロ接合半導体装置の製造方法 |
| JP2906407B2 (ja) * | 1987-11-18 | 1999-06-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JP2811327B2 (ja) * | 1989-08-31 | 1998-10-15 | 富士通株式会社 | ヘテロ接合バイポーラ半導体装置 |
| US5648294A (en) * | 1989-11-29 | 1997-07-15 | Texas Instruments Incorp. | Integrated circuit and method |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58130559A (ja) * | 1981-11-02 | 1983-08-04 | テキサス・インスツルメンツ・インコ−ポレイテツド | 3−5族バイポ−ラ集積回路装置 |
| JPS5961073A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP59098547A patent/JPS60244065A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60244065A (ja) | 1985-12-03 |
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