JPH0359812A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

薄膜磁気ヘッド

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JPH0359812A
JPH0359812A JP19601589A JP19601589A JPH0359812A JP H0359812 A JPH0359812 A JP H0359812A JP 19601589 A JP19601589 A JP 19601589A JP 19601589 A JP19601589 A JP 19601589A JP H0359812 A JPH0359812 A JP H0359812A
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JP
Japan
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core
insulating layer
magnetic head
gap
film magnetic
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JP19601589A
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English (en)
Inventor
Shuichi Sawada
修一 沢田
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Yamaha Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、固定磁気ディスク装置等に適用される薄膜
磁気ヘッドに関する。
「従来の技術」 第14図は従来の薄膜磁気ヘッド素子2の平面図であり
、第15図は第14図に示す一点鎖線Y−Ylで切断し
た薄膜磁気ヘッド素子2の断面図である。
これらの図において、lはアルミナヂタンカーバイト等
の非磁性体による基板である。この基板l上にはNi−
Fe合金材料による下部コア10が形成されており、そ
の下部コア10上に、S iOtによるギャップ層II
、レジスト膜を熱硬化処理した下部絶縁層12が順次形
成されている。そして、その下部絶縁層12上には、銅
を渦巻き状に形成したコイル導体13が形成されており
、このコイル導体13上に上部絶縁層14を介して上部
コア15が形成されている。
こρような薄膜磁気ヘッド素子2を第16図に示すよう
に、基板l上に縦および横方向に多数形成し、第17図
に示すように、横方向に整列した薄膜磁気ヘッド素子2
を、横一列ごとにまとめて基板ブロックIA、IB、I
C,・・・とし、この基板ブロックI A、I B、I
 C,・・・ごとに切断し、これら切断された基板ブロ
ックIA、IB、IO,・・・の各薄膜磁気ヘッド2の
矢印で示したギャップ面A。
B、c、・・・をそれぞれ研摩し、各薄膜磁気ヘッド素
子2のギャップの深さ(デプス)が予め定められた深さ
となるようにする。
次に、ギャップ面A、B、C,・・・が研磨された基板
ブロックIA、I B、I C,・・・を直方体形状に
切断し、個々の薄膜磁気ヘッド素子2に分割する。
ところで、上述した薄膜磁気ヘッド素子2を製造する場
合、そのギャップの深さL(第15図に示す)を規定の
寸法にするために、第17図に示す基板ブロックI A
、l B、I C,・・・のそれぞれについてギャップ
面A、B、C,・・・を研摩し、各ギャップの深さLが
規定の寸法となるようにするので、その研磨作業に膨大
な工数がかかる問題がある。
そこで本発明者は、第18図に示す薄膜磁気ヘッド素子
Maを開発して、上述した問題を解決してし〕 る 。
即ち、第18図において、lは基板、10は基板l上に
形成された下部コアである。I2は下部コアlO上に形
成された下部絶縁層、13は下部絶縁層12上に渦巻き
状に形成された薄膜コイル導体、14は薄膜コイル導体
I3を被服して形成された上部絶縁層である。30は下
部コア10に接合し、かつ上部絶縁層14の定められた
上面部分を被覆して形成された第1上部コアである。2
0は第1上部コア30の上面左端部に基板l上面に対し
てほぼ垂直に形成された垂直コア、11はこの垂直コア
20の一垂直面に形成されたギャップ層である。31は
下部コア■0に接合し、かつ上部絶縁層14を被覆して
形成された第2上部コアであり、この第2上部コア31
の右端部は、ギャップ層11を介して垂直コア20に接
合している。
21は上述した全ての層を被覆する保護層であり、その
上面は平面状に研摩されている。また、その平面研摩の
際に、上部絶縁層14の上面Eとスライダ面Slとの間
のギャップの深さLを定められた深さにしである。そし
て、平面状のスライダ面Slには、ギャップGを挾んで
第2上部コア31と垂直コア20の端部が露出しており
、これらの端部が各々磁気読み取りおよび書込のための
リーディングボールRおよびトレーリングポールTを形
成している。
このような薄膜磁気ヘッドMaを第19図に示すように
、基板I上に縦および横方向に、定められた間隔で多数
形成し、次に、第20図に示すように、基板i上に横一
列に整列した薄膜磁気ヘッド素子と薄膜磁気ヘッド素子
との中間に溝Kを形成し、次に、縦線L1および横線L
2をけがき、それらの縦線L1および横線L2に沿って
切断して第21図に示すlチップの薄膜磁気ヘッドMに
切り離す。
このような製造方法によれば、多数の薄膜磁気ヘッド素
子Maが形成されたウェハ面を1同率面研磨するだけで
、各薄膜磁気ヘッド素子Maのギャップの深さLを規定
の深さとすることができる。
「発明が解決しようとする課題」 ところで、上述した薄膜磁気ヘッドMにおいては、第2
2図に示すように、ギャップ層11が垂直方向に長く形
成されているため、コア内部を流れギャップ層11を通
過する磁束φiが多くなり、記録に必要な、スライダ面
Slに発生する漏れ磁束φ0が減少し、記録磁界が弱く
なる問題がある。
従って、保磁力の高い磁性媒体には適用できなくなる。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、スラ
イダ面に多くの漏れ磁束を発生させることにより、記録
磁界を強くすることができる薄膜磁気ヘッドを提供する
ことを目的としている。
「課題を解決するための手段」 この発明は、基板上に形成された下部コアと、前記下部
コア上に形成された下部絶縁層と、前記下部絶縁層上に
形成されたコイルと、前記コイルを被覆して形成された
上部絶縁層と、前記上部絶縁層上に形成された凸部と、
前記凸部の上においてギャップ層を挾んで対向する第1
.第2のコアからなる上部コアとを有してなることを特
徴としている。
「作用」 この発明によれば、コイルを被覆する絶縁層上に凸部が
形成され、その凸部の頂部に2つの上部コアの端部に挾
まれたギャップ層が形成されているので、凸部の高さだ
けギャップ層が短くなる。
従って、ギャップの面積が小さくなるので、コア内部を
流れギャップ層を通過する磁束が減少し、記録に必要な
スライダ面に漏れる漏れ磁束が増加する。
「実施例」 以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明す
る。第1図はこの発明の第1の実施例による薄膜磁気ヘ
ッドMlの断面図である。この図において第18図の各
部に対応する部分には同一の符号が付しである。
第1図において、■は基板、lOは基板l上に形成され
た下部コアである。12は下部コア10上に形成された
下部絶縁層、13は下部絶縁層12上に渦巻き状に形成
されたコイル導体、14はコイル導体13を被服して形
成された上部絶縁層である。30は下部コアIOの右端
部に接合し、かつ上部絶縁層14の定められた上面部分
を被覆して形成された第1コア、31は下部コア10の
左端部に接合し、かつ上部絶縁層I4の定められた上面
部分を被覆して形成された第2コアである。
14aは第1および第2コア30.31の間Hbの露出
した上部絶縁層14a上に形成された凸部であり、上部
絶縁層14と同材料によって形成されている。
30aは第1上部コアであり、平滑に研摩された第1コ
ア30の上面と凸部14aの頂部までを覆い、右端部が
第1コア30に結合されており、左端部に垂直面が形成
されている。31aは第2上部コアであり、第2コア3
1の上面から第1上部コア30aの垂直面に形成された
ギャップ層llまでを覆っている。
21.21aは上述した全ての層を被覆する保護層であ
り、その上面は平面状に研摩されている。
また、その平面研摩の際に、凸部14aの頂部Eとスラ
イダ面Stとの間のギャップの深さLが定められた深さ
に形成される。そして、平面状のスライダ面Stには、
ギャップGを挾んで第1上部コア30aと第2上部コア
31aとの端部が露出しており、これらの端部が各々磁
気読み取りおよび書込のためのリーディングボールRお
よびトレーリングポールTを形成しており、それらボー
ルT。
R間を磁束が通過する。
次に、上述した薄膜磁気ヘッドMlの製造方法を、第2
図〜第7図によって説明する。
まず、第2図(イ)に示すように、下部コアIOを形成
する。この場合、まず、アルミナチタンカーバイト等の
被磁性体の基板l上に、スパッタ法により、Ni−Fe
合金材料の膜(図示せず)を形成することによって、第
1図に示す下部コア10をメツキするための下地を形成
し、次に、そのNiFe合金材料の膜上に、レジストに
よってパターニングを行い、そのパターンに従って、メ
ツキ法によりNi−Fe合金材料による下部コアIOを
形成する。そして、希アルカリ溶液による溶解あるいは
プラズマアッシングによる分解等の方法によってレジス
トを除去する。
次に、同図(ロ)に示すように、下部コアIO上および
前記したNi−Fe合金材料の膜上にポジレジスト膜ま
たはポリイミド系感光性樹脂膜を形成し、この形成され
た膜を200℃以上で所定の時間加熱処理して硬化させ
、不溶不融化した有機系絶縁膜とすることによって下部
絶縁層12を形成する。
次に、同図(ハ)に示すように、下部絶縁層I2上にマ
スクメツキ法によって、銅を渦巻き状にメツキしたコイ
ル導体13を形成する。
次に、第3図(イ)に示すように、下部絶縁層12と同
様の方法で、コイル導体13を被覆した上部絶縁層14
を形成する。
次に、同図(ロ)に示すように、下部コアIOを形成し
たと同様な方法によって、下部コアIOの一端部に接合
し、かつ上部絶縁層14の定められた上面部分を被覆し
た第1コア30と、下部コア10の他端部に接合し、か
つ上部絶縁層14の定められた上面部分を被覆した第2
コア3Iを形成する。これによって、それら第1および
第2コア30.31の間Hbには上部絶縁層14が露出
する。
次に、同図(ハ)に示すように、上述した全ての層を覆
う保護層21aを形成する。
次に、同図(ニ)に示すように、保護層21aの上面を
平面研摩して、第1および第2コア30゜31の上面を
露出させる。
次に、第4図(イ)に示すように、凸部14 aを形成
する。この形成方法は保護層21a上の全面にレジスト
を厚く塗布し、この塗布されたレジストを、凸部14a
を残して除去し、次いで、220℃で所定の時間加熱処
理して硬化させ、不溶不融化させる。
次に、同図(ロ)に示すように、第1上部コア30aを
形成する。即ち、下部コアlOを形成したと同様に、レ
ジストによってパターニングを行い、このパターンに従
ってNi−Fe合金材料をメツキして、第1コア30に
接合し、凸部14aの頂部までの定められた表面を覆う
。そして、凸部14aの項部に垂直面を形成する。
次に、同図(ハ)に示すように、第1上部コア30aの
傾斜した表面および第2コア31上の定められた部分を
レジスト40によって被覆し、ギャップ層11を形成す
るためのパターンを形成する。
そして、そのパターニングに従って同図(ニ)に示すよ
うに、第1上部コア30aの垂直面および凸部14a表
面および第2コア31上面にメツキ法により、クローム
または銅または銀等の非磁性材による膜を形成する。そ
して、レジスト40を除去する。これによって、第1上
部コア30aの垂直面にギャップ層11が均一な厚さに
形成される。
次に、第5図(イ)に示すように、第2上部コア31a
を形成するためのパターンをレジスト41によって形成
し、そのパターンに従って、第2コア31に接合し、か
つ第1上部コア30aの垂直面にギャップ層11を介し
て接合した第2上部コア31aをメツキ法によって形成
する。そして、同図(ロ)に示すように、レジスト4I
を除去する。
次に、同図(ハ)に示すように、今まで説明した工程に
よって形成された各層を覆い保護するための保護層21
を形成する。この保護層21は、スパッタ法によりAb
 o 3M (アルミナ膜)またはSiO2膜(シリコ
ン酸化膜)等の硬質の膜を厚めに形成したものである。
最後に、前述した第1図に示すように、保護層21の表
面を平らに研摩し、ギャップGを挾んだ第1上部コア3
0aと第2上部コア31aとの端部を露出させると共に
、凸部14aの頂部Eとスライダ面Slとの間のギャッ
プの深さLを規定の深さにする。ここで、それらの露出
した各端部は各々磁気読み取りおよび書込のためのリー
ディングポールRおよびトレーリングボールTを形成し
ており、それらボールT、R間を磁束が通過する。
次に、第6図に示すように、上述した工程によって基板
!上に縦および横方向に、定められた間隔で多数形成さ
れた薄膜磁気ヘッド素子と薄膜磁気ヘッド素子との中間
に溝Kを形成し、次に、基板ウェハ上面に、lチップの
薄膜磁気ヘッドに切り離すための縦線Llおよび横線L
2をけがき、それらの縦線Llおよび横線L2に沿って
切断してlチップの薄膜磁気ヘッドMlに切り離す。こ
のlチップに切り離された薄膜磁気ヘッドMlの斜視図
を第7図に示す。
次に、第8図を参照して、この発明の第2の実施例によ
る薄膜磁気ヘッドM2について説明する。
この図において第1図の各部に対応する部分には同一の
符号が付しである。
この第2の実施例による薄膜磁気ヘッドM2が第1図の
ものと異なる点は、凸部14aの頂部でギャップ層11
を挾んで形成された第1および第2上部コア30a、3
1aが、それぞれ下部コア10の右端部と左端部とに接
合して形成されていることである。
以下、この薄膜磁気ヘッドM2の製造方法について第9
図〜第12図を参照して説明する。
まず、第9図(イ)に示すように、基板l上にNi−F
e合金材料の膜(図示せず)を形成した下地を形成し、
その下地上にNi−Fe合金材料による下部コアIOを
形成する。
次に、同図(ロ)に示すように、下部コア10上および
前記したNi−Fe合金材料の膜上にポジレジストまた
はポリイミド系感光性樹脂による下部絶縁層12を形成
する。
次に、同図(ハ)に示すように、下部絶縁層12上に銅
を渦巻き状にメツキしたコイル導体I3を形成する。
次に、第1O図(イ)に示すように、コイル導体13を
被覆した上部絶縁層14を形成する。
次に、同図(ロ)に示すように、上部絶縁層14を被覆
してレジスト50を厚く塗布する。そして、同図(ハ)
に示すように、凸部14aを前述した場合と同様の方法
で形成する。
次に、同図(ニ)に示すように、上述した全ての層を覆
って、レジスト60を塗布する。但し、このレジスト6
0を塗布する前に、その塗布面にNi−Fe合金材料の
膜(図示せず)を形成した下地を形成しておく。
次に、第11図(イ)に示すように、レジスト60を露
光してパターニングを行う。
そして、そのパターンに従って、同図(ロ)に示すよう
に、Ni−Fe合金材料をメツキして第1上部コア30
aを形成し、次に、同図(ハ)に示すように、レジスト
60を除去する。この第1上部コア30aは、同図(ハ
)に示すように、下部コアIOの右端部に接合し、凸部
14aの頂部までの定められた表面を覆い、凸部14a
の頂部に垂直面が形成されており、また、その平面形状
は、同図(ニ)に示すように下部コア10との接合部か
ら凸部14aの頂部方向に向って徐々にその幅が狭く形
成されている。
次に、同図(ホ)に示すように、第1上部コア30aの
垂直面に、クロームまたは銅または銀等の非磁性材によ
る膜を均一に形成したギャップ層Ilを形成し、次に、
レジスト70によって第2上部コア31aを形成するた
めのパターンを形成し、そのパターンに従って、Ni−
Fe合金材料をメツキし、次に、第12図(イ)に示す
ように、レジスト70を除去する。
次に、同図(ロ)に示すように、今まで説明した工程に
よって形成された各層を覆い保護するための保護層21
を形成する。この保護層21は、スパッタ法によりAl
p’s膜(アルミナ膜)またはSiO2膜(シリコン酸
化膜)等の硬質の膜を厚めに形成したものである。
最後に、前述した第8図に示すように、保護層21の表
面を平らに研摩し、ギャップGを挾んだ第1上部コア3
0aと第2上部コア31aとの端部を露出させると共に
、凸部14aの頂部Eとスライダ面Slとの間のギャッ
プの深さLを規定の深さにする。
次に、第1の実施例の薄膜磁気ヘッドMlの製造方法と
同様に、第6図に示すように、上述した工程によって基
板l上に縦および横方向に、定められた間隔で多数形成
された薄膜磁気ヘッド素子と薄膜磁気ヘッド素子との中
間に溝Kを形成し、次に、基板ウェハ上面に、lチップ
の薄膜磁気ヘッドに切り離すための縦線Llおよび横線
L2をけがき、それらの縦線Llおよび横線L2に沿っ
て切断してlチップの薄膜磁気ヘッドM2に切り離す。
以上がこの発明の実施例の詳細である。上記実施例によ
れば、第13図に示すように、上部絶縁層14に凸部1
4aを形成し、その凸部14aの頂部に第1上部コア3
0aと第2上部コア30bとの垂直面に挾まれたギャッ
プ層11を形成したので、従来のギャップ層(第22図
参照)に比べて凸部14aの高さだけギャップ層11が
短く形成される。
このため、ギャップ層11を通過する磁束φiが少なく
なり、その分配線に必要なスライダ面Stに発生する漏
れ磁束φ0が増加する。
「発明の効果」 以上説明したように、この発明によれば、コア内部を流
れギャップ層を通過する磁束φiを減少させ、記録に必
要なスライダ面に発生する漏れ磁束を増加させることが
できる効果が得られる。これにより、記録磁界が強くな
り、保持力の高い磁性媒体にも適用可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の第1の実施例による薄膜磁気ヘッド
Mlの構成を示す断面図、第2図〜第7図は同実施例に
よる薄膜磁気ヘッドM1の製造方法を説明するための図
、第8図はこの発明の第2の実施例による薄膜磁気ヘッ
ドM2の構成を示す断面図、第9図〜第12図は同実施
例による薄膜磁気ヘッドM2の製造方法を説明するため
の図、第13図は同実施例による薄膜磁気ヘッドM2の
ギャップ層11を通過する磁束φiとスライダ面Slに
発生する漏れ磁束φ0とを示した図、第14図は従来の
薄膜磁気ヘッド素子2の平面図、第15図は第14図に
示す一点鎖線Y−Y 1で薄膜磁気ヘッド素子2を切断
した断面図、第16図は第15図に示す薄膜磁気ヘッド
素子2を基板l上に多数形成した場合の斜視図、第17
図は第15図に示す基板l上に多数形成された薄膜磁気
ヘッド素子2を横一列ごとにまとめて切断した場合の斜
視図、第18図は第15図に示す薄膜磁気ヘッド素子2
の欠点を補うために開発された薄膜磁気ヘッド素子Ma
の断面図、第19図は第18図に示す薄膜磁気ヘッド素
子Maを基板l上に多数形成した場合の平面図、第20
図は第19図に複数の溝部Kを形成し、複数の縦線Ll
および横線L2をけがいた場合の平面図、第21図は第
20図に示す縦線Llおよび横線L2に沿って切断して
得たlチップの薄膜磁気ヘッドMの斜視図、第22図は
第18図に示す薄膜磁気ヘッド素子Maのギャップ層1
1を通過する磁束φiとスライダ面S1に発生する漏れ
磁束φ0とを示した図。 l・・・・・・基板、lO・・・・・・下部コア、12
・・・・・・下部絶縁層、13・・・・・・コイル導体
、14・・・・・・上部絶縁層、14a・・・・・・凸
部、30・・・・・・第1コア、30a・・・・・・第
1上部コア、31・・・・・・第2コア、31a・・・
・・・第2上部コア、11・・・・・ギャップ層、T・
・・・・・リーディングボール、R・・・・・・トレー
リングポール、G・・・・・・ギャップ、21.21a
・・・・・・保護層、Sl・・・・・・スライダ面、E
・・・・・・凸部14aの頂部、L・・・・・・ギャッ
プの深さ(デプス)、Ml・・・・・・薄膜磁気ヘッド

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 基板上に形成された下部コアと、 前記下部コア上に形成された下部絶縁層と、前記下部絶
    縁層上に形成されたコイルと、 前記コイルを被覆して形成された上部絶縁層と、前記上
    部絶縁層上に形成された凸部と、 前記凸部の上においてギャップ層を挾んで対向する第1
    、第2のコアからなる上部コアと、を有してなることを
    特徴とする薄膜磁気ヘッド。
JP19601589A 1989-07-28 1989-07-28 薄膜磁気ヘッド Pending JPH0359812A (ja)

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JP19601589A JPH0359812A (ja) 1989-07-28 1989-07-28 薄膜磁気ヘッド

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7100267B2 (en) 2000-03-30 2006-09-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic head, method for producing same, and magnetic recording and/or reproducing system

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7100267B2 (en) 2000-03-30 2006-09-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic head, method for producing same, and magnetic recording and/or reproducing system

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