JPH0359593B2 - - Google Patents
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- JPH0359593B2 JPH0359593B2 JP58188069A JP18806983A JPH0359593B2 JP H0359593 B2 JPH0359593 B2 JP H0359593B2 JP 58188069 A JP58188069 A JP 58188069A JP 18806983 A JP18806983 A JP 18806983A JP H0359593 B2 JPH0359593 B2 JP H0359593B2
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- thermal resistance
- circuit board
- low thermal
- resistance circuit
- magnesia
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Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は低熱抵抗回路基板、特に厚膜混成集積
回路に用いられる低熱抵抗回路基板に関する。
回路に用いられる低熱抵抗回路基板に関する。
(ロ) 従来技術
本願出願人はすでに特公昭46−13234号公報に
厚膜混成集積回路の組み込みに適した金属基板を
用いた低熱抵抗回路基板を開発した。斯る基板は
アルミニウム板の表面を陽極酸化して酸化アルミ
ニウム被膜で被覆したものであり、その表面に約
30μの厚さのエポキシ樹脂で銅箔を接着している
構造なので、熱抵抗は１cm2の面積当り1.3℃／Ｗ
程度であつた。
厚膜混成集積回路の組み込みに適した金属基板を
用いた低熱抵抗回路基板を開発した。斯る基板は
アルミニウム板の表面を陽極酸化して酸化アルミ
ニウム被膜で被覆したものであり、その表面に約
30μの厚さのエポキシ樹脂で銅箔を接着している
構造なので、熱抵抗は１cm2の面積当り1.3℃／Ｗ
程度であつた。
最近高密度集積化の要請より更に大出力回路を
も組み込みできる低熱抵抗基板が提案された。こ
の基板は第１図に示す如く、アルミニウム等の良
熱伝導性金属基板１の一主面に多量のアルミナ
（Al2O3）を含有したエポキシ樹脂層２を薄く付
着した構造を有し、樹脂層２の厚さが60μと２倍
になつたにも拘らず、熱抵抗は0.8℃／Ｗと改善
されている。
も組み込みできる低熱抵抗基板が提案された。こ
の基板は第１図に示す如く、アルミニウム等の良
熱伝導性金属基板１の一主面に多量のアルミナ
（Al2O3）を含有したエポキシ樹脂層２を薄く付
着した構造を有し、樹脂層２の厚さが60μと２倍
になつたにも拘らず、熱抵抗は0.8℃／Ｗと改善
されている。
しかしながら斯上の低熱抵抗回路基板を用いて
混成集積回路を再生すると大きな問題が生じた。
これは一枚の基板に多数個の混成集積回路を形成
した後にプレスで各混成集積回路に打抜く工程
で、プレス金属の寿命が従来の基板が100万シヨ
ツトであるのに対してこの基板では5000シヨツト
で摩耗してしまうのである。この原因はアルミナ
にある。即ちアムミナのモース硬度は９であり、
プレス金型を形成する焼入れ鋼のモース硬度は約
6.5であり、プレス金型の側面を削るのである。
混成集積回路を再生すると大きな問題が生じた。
これは一枚の基板に多数個の混成集積回路を形成
した後にプレスで各混成集積回路に打抜く工程
で、プレス金属の寿命が従来の基板が100万シヨ
ツトであるのに対してこの基板では5000シヨツト
で摩耗してしまうのである。この原因はアルミナ
にある。即ちアムミナのモース硬度は９であり、
プレス金型を形成する焼入れ鋼のモース硬度は約
6.5であり、プレス金型の側面を削るのである。
(ハ) 発明の目的
本発明は斯点に鑑みてなされ、従来の欠点を大
巾に改善した低熱抵抗回路基板を提供することを
目的とする。
巾に改善した低熱抵抗回路基板を提供することを
目的とする。
(ニ) 発明の構成
本発明に依る低熱抵抗回路基板は第２図に示す
如く、良熱伝導性金属基板１１とその一主面に付
着したマグネシアを含有したポリイミド樹脂薄層
１２より構成されている。
如く、良熱伝導性金属基板１１とその一主面に付
着したマグネシアを含有したポリイミド樹脂薄層
１２より構成されている。
(ホ) 実施例
本発明に依る低熱抵抗回路基板は良熱伝導性金
属基板１１とその一種面に設けたマグネシア
（MgO）を含有したポリイミド樹脂層１２より成
る。
属基板１１とその一種面に設けたマグネシア
（MgO）を含有したポリイミド樹脂層１２より成
る。
金属基板１１としてはプレス等の加工容易な良
熱伝導性のアルミニウムを用いる。
熱伝導性のアルミニウムを用いる。
ポリイミド樹脂層１２には30〜85％重量％のマ
グネシア（MgO）を混入する。30重量％は熱伝
導率から決められ、85重量％は基板への接着力か
ら夫々決められる。
グネシア（MgO）を混入する。30重量％は熱伝
導率から決められ、85重量％は基板への接着力か
ら夫々決められる。
マグネシア（MgO）は海水の食塩製造に伴な
い製造された濃縮苦汁より得られる塩化マグネシ
ウム（MgCl2）と高純度生石灰（CaO）の水和物
であるCa（OH）2とで以下の反応工程を行う。
い製造された濃縮苦汁より得られる塩化マグネシ
ウム（MgCl2）と高純度生石灰（CaO）の水和物
であるCa（OH）2とで以下の反応工程を行う。
MgCl2＋Ca（OH）2→Mg（OH）2＋CaCl2
この生成したMg（OH）2を約400℃で脱水反応
してMgOを得る。
してMgOを得る。
Mg（OH）2MgO＋H2O
なおこの反応は可逆反応であり、マグネシアは
吸湿してMg（OH）に戻り好ましくない。そこで
適当な粒度のマグネシア（MgO）とB2O3とを重
量比85：15程度の混合比で混合し約1000℃で焼成
すると、B2O3は液相または気相でMgOの表面に
反応し3MgO.B2O3または2MgO.B2O3の複酸化物
を形成する。この複酸化物はマグネシア（MgO）
表面を被覆しNDフイラー（商品名）を形成す
る。NDフイラーはマグネシア（MgO）と異な
り、吸湿せず安定したフイラーとして利用でき
る。
吸湿してMg（OH）に戻り好ましくない。そこで
適当な粒度のマグネシア（MgO）とB2O3とを重
量比85：15程度の混合比で混合し約1000℃で焼成
すると、B2O3は液相または気相でMgOの表面に
反応し3MgO.B2O3または2MgO.B2O3の複酸化物
を形成する。この複酸化物はマグネシア（MgO）
表面を被覆しNDフイラー（商品名）を形成す
る。NDフイラーはマグネシア（MgO）と異な
り、吸湿せず安定したフイラーとして利用でき
る。
本発明に依る低熱抵抗回路基板は斯るNDフイ
ラーを30〜85重量％含有したポリイミド樹脂１２
を銅箔１３の裏面に20〜100μ厚にロールコータ
ーして仮乾燥した後、アルミニウム板１１の一主
面にプレスで熱圧着して形成する。然る後銅箔１
３はエツチングされて導電路を形成する。なおア
ルミニウム基板１１にスクリーン印刷あるいは塗
布によつてポリイミド樹脂１２を付着する方法も
あるが、生産効率の点でロールコーター方法が最
良である。
ラーを30〜85重量％含有したポリイミド樹脂１２
を銅箔１３の裏面に20〜100μ厚にロールコータ
ーして仮乾燥した後、アルミニウム板１１の一主
面にプレスで熱圧着して形成する。然る後銅箔１
３はエツチングされて導電路を形成する。なおア
ルミニウム基板１１にスクリーン印刷あるいは塗
布によつてポリイミド樹脂１２を付着する方法も
あるが、生産効率の点でロールコーター方法が最
良である。
斯る本発明の構造に依れば、マグネシアの熱伝
導率86×10-3Cal／℃．cm．secであり、アルミナ
（Al2O3）の熱伝導率70×10-3Cal／℃．cm．sec
よりかなり放熱性が向上する。具体的には第３図
において点線で示すアルミナフイラーを配合した
エポキシ樹脂と実線で示すNDフイラーを配合し
た本発明のポリイミド樹脂との熱伝導率を比較し
ている。第３図から明らかな様に本発明の低熱抵
抗基板は従来のアルミナフイラーに比較して約60
％程度の熱伝導率の向上を図れる。
導率86×10-3Cal／℃．cm．secであり、アルミナ
（Al2O3）の熱伝導率70×10-3Cal／℃．cm．sec
よりかなり放熱性が向上する。具体的には第３図
において点線で示すアルミナフイラーを配合した
エポキシ樹脂と実線で示すNDフイラーを配合し
た本発明のポリイミド樹脂との熱伝導率を比較し
ている。第３図から明らかな様に本発明の低熱抵
抗基板は従来のアルミナフイラーに比較して約60
％程度の熱伝導率の向上を図れる。
またマグネシアのモース硬度は5.5〜６であり、
プレス金型を形成する焼入れ鋼のモース硬度6.5
に比べて小さいので、プレス金型の摩耗は少なく
プレス金型は従来の100万シヨツト以上に寿命を
延ばすことができる。
プレス金型を形成する焼入れ鋼のモース硬度6.5
に比べて小さいので、プレス金型の摩耗は少なく
プレス金型は従来の100万シヨツト以上に寿命を
延ばすことができる。
(ヘ) 発明の効果
本発明に依る低熱抵抗回路基板では良熱伝導率
のマグネシアを用いるので、従来より約60％以上
高い熱伝導率を有する基板を実現できる利点を有
する。またポリイミド樹脂を接着剤として用いる
ので熱的に安定しており耐熱性に秀れている。こ
の結果混成集積回路への高出力回路の組込みが可
能となり、更に集積化できる回路範囲を拡大でき
る。
のマグネシアを用いるので、従来より約60％以上
高い熱伝導率を有する基板を実現できる利点を有
する。またポリイミド樹脂を接着剤として用いる
ので熱的に安定しており耐熱性に秀れている。こ
の結果混成集積回路への高出力回路の組込みが可
能となり、更に集積化できる回路範囲を拡大でき
る。
またマグネシアをNDフイラーとして用いるの
で、吸湿性のあるマグネシアを低熱抵抗回路基板
のフイラーとして利用できるようになつた。
で、吸湿性のあるマグネシアを低熱抵抗回路基板
のフイラーとして利用できるようになつた。
更にマグネシアのモース硬度の低さにより良熱
伝導性で且つプレス加工容易な低熱抵抗回路基板
を実現できた。
伝導性で且つプレス加工容易な低熱抵抗回路基板
を実現できた。
第１図は従来の低熱抵抗回路基板を説明する断
面図、第２図は本発明の低熱抵抗回路基板を説明
する断面図、第３図は従来と本発明の低熱抵抗回
路基板の熱伝導率を比較する特性図である。 １１は良熱伝導性金属基板、１２は絶縁樹脂薄
層、１３は銅箔である。
面図、第２図は本発明の低熱抵抗回路基板を説明
する断面図、第３図は従来と本発明の低熱抵抗回
路基板の熱伝導率を比較する特性図である。 １１は良熱伝導性金属基板、１２は絶縁樹脂薄
層、１３は銅箔である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 良熱伝導性金属基板の一主面に酸化ボロンで
その表面が被覆されたマグネシアを含有したポリ
イミド樹脂薄層が付着された低熱抵抗回路基板を
準備する工程と、 焼入れされたプレス金型で前記低熱抵抗回路基
板をプレスする工程と、 前記低熱抵抗回路基板上に高出力回路を組込む
工程とを備えたことを特徴とする混成集積回路の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18806983A JPS6079797A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 低熱抵抗回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18806983A JPS6079797A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 低熱抵抗回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079797A JPS6079797A (ja) | 1985-05-07 |
| JPH0359593B2 true JPH0359593B2 (ja) | 1991-09-11 |
Family
ID=16217159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18806983A Granted JPS6079797A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 低熱抵抗回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6079797A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH082612B2 (ja) * | 1985-05-30 | 1996-01-17 | 三井東圧化学株式会社 | 金属ベースプリント配線基板及びその製造方法 |
| US5125508A (en) * | 1989-07-06 | 1992-06-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Tape-form electronic component package |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS576755B2 (ja) * | 1973-07-26 | 1982-02-06 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS576755U (ja) * | 1980-06-12 | 1982-01-13 | ||
| JPS57148870U (ja) * | 1982-02-24 | 1982-09-18 |
-
1983
- 1983-10-06 JP JP18806983A patent/JPS6079797A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS576755B2 (ja) * | 1973-07-26 | 1982-02-06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6079797A (ja) | 1985-05-07 |
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