JPH0358501A - 共振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、自動車無線又は船舶照線等の基地局における
送信空中線共用装置の構成素子等に好適な共振器に関す
るものである． 従来の技術 第７５図は、従来の共振器より成る帯域通過ろ波器の一
例を示す平面図、第７６図は正面図で、両図において、
２９はプリント基板、３０，乃至３０４は、エッチング
等の手段によってプリントｉ板２９の表面に形成した金
属薄膜より成るインダクタンス形成部、３１，乃至３Ｌ
は間隙で、インダクタンス形成部３０，乃至３０４の各
周方向の長さを、電気長で共振波長の％又はその整数倍
に形成してインダクタンス部分とし、間隙３１，乃至３
１，によって形成される容量部分と共にそれぞれ直列共
振回路を構或せしめてある．　３２．．及び３２４ｓは
入出力結合容量素子である。

第７７図は、上記従来の帯域通過ろ波器の等価回路図で
、Ｒ，乃至Ｒ４は、インダクタンス形成部３０乃至３０
４及び間隙３１．乃至３１．によって形成される共振回
路、ＣＴ＋乃至ＣＴ４は間隙３１，乃至３１４によって
形成される容量、ｕ＋ｚ　Ｉ　Ｍ２ｍ及びＬ４は磁界結
合係数、Ｃｏｔ及びｃｐｓは入出力結合容量で、共振回
路ＬとＲ２間、Ｒ２とＲ３間及びＲ３とＲ，間は分布定
数的に結合され、各共振回路Ｒ１乃至Ｒ４の各間隔を適
当に変えることによって各段間結合度を調整することが
出来る。

発明が解決しようとする課題 上記従来の共振器より成る帯域通過ろ波器は，極超短波
帯以上の周波数領域用としては好適なものであるが、プ
リント基板２９が薄く、このプリント基板における損失
のために共振器のＱを或る程度以上に高めることが出来
ず、又，共振器のインダクタンス形成部３０，乃至３０
４の各面積が小で、厚さも薄いため大電力用の帯域通過
ろ波器としては不適である。

課題を解決するための手段 本発明は、側壁に軸方向の間隙を設けた筒状導体を以て
形成したインダクタンス形成部と、このインダクタンス
形成部の側壁に軸方向に設けた間諌部分に介装せしめた
容量形成部とより成る共振素子を以て共振器を構成する
ことにより、従来の欠点を除こうとするちのである。

作用 本発明共振器においては、インダクタンス形成部と容量
形成部によって構成される直列共振回路の機械的強度が
大なると共に、インダクタンス形成部の表面積を大なら
しめ得るので、放熱作用が効果的に行われることとなる
。

実廁例 第１図は、本発明の一実施例の要部を示す正面図、第２
図は、第ｌ図のＡ−Ａ断面図、第３図は、第１図のＢ−
Ｂ断面図で、各図において、■は側壁に軸方向の間隙を
設けた角筒状導体より成るインダクタンス形成部で、そ
の周方向の長さＬい即ち、第１図におけるＬ　＋　＋　
Ｌ２　＋　Ｌｍ　＋　Ｌ．４＋　Ｌｓ　＝ＬＬを、電気
長で共振波長の％以下に形成することによりインダクタ
ンス素子として作用せしめ得る。２は容量形成部で、例
えばＱの高いセラミック板等の誘電体板の両面に銀メッ
キ又は銅メッキ等を施すことによって金属薄膜を付着せ
しめ、両面に各別に付着せしめた金属薄膜を、インダク
タンス形成部ｌの側壁に軸方向に設けた間隙を介して対
向する軸方向の両縁部に各別に接続し、半田付け等の手
段によって電気的機械的結合を確実ならしめてある． 尚，第１図乃至第３図において、矢印を付した実線は電
界又は電流分布を示し、矢印を付した破線は磁界分布を
示す． 又、図には本発明に直接関係のある構成素子のみを示し
、他の構成素子はこれを図示するのを省いてあるが、実
際にはインダクタンス形成部１及び容量形成部２より成
る共振素子の外周に電Ｋｎシールドケースを設け、入出
力結合素子及び共振周波数の微調整素子等が設けられる
． このように構成した本発明共振器においては、インダク
タンス形成部ｌのインダクタンスをし、容量形成部２の
容量をＣとすると、共振周波数ｆ。

は， ？表わされ，インダクタンス形成部ｌにおける損失が比
較的小で、容量形成部２をＱの高いセラミック板等を基
板として形成してあるので、Ｑの高い共振器として作動
せしめ得る６ 第４図は、本発明の他の実施例の要部を示す正面図、第
５図は、第４図のＡ−Ａ断面図、第６図は、第４図のＢ
−Ｂ断面図で、各図において、ｌはインダクタンス形成
部で、前実施例と同様の構成である．２．及び２■は容
量形成部を形成する対向電極で、それぞれインダクタン
ス形成部１の側壁に設けた軸方向の間隙を介して対向す
る軸方向の両縁部に各別に結合せしめてある． 第７図ち亦本発明の他の実施例の要部を示す正面図、第
８図は、第７図のＡ−Ａ断面図、第９図は、第７図のＢ
−Ｂ断面図で、各図において、ｌ１はインダクタンス形
成部、２は容量形成部である． 第１図乃至第３図に示した実施例においてはインダクタ
ンス形成部ｌを、横断面の形状がほぼ正方形をなす筒体
に形成してあるに対して、第７図乃至第９図に示した実
施例においではインダクタンス形成部ｈの横断面の形状
をほぼ長方形に形成した点が第１図乃至第３図に示した
実施例と異なり、他の構成は第１図乃至第３図に示した
実施例と全く同様である。

第ｌＯ図は、本発明の他の実施例の要部を示す正面図、
第１１図は、第１０図のＡ−Ａ断面図、第１２図は、第
ｌＯ図のＢ−Ｂ断面図で、各図において、ｈ？インダク
タンス形成部、２．及び２■は容量形成部を形成する対
向電極で、本実施例においてらインダクタンス形成部１
１の横断面の形状をほぼ長方形に形成した他は、第４図
乃至第６図に示した実施例と全く同様の構成である。

第１３図も亦本発明の他の実施例の要部を示す正面図、
第１４図は、第１３図のＡ−Ａ断面図、第ｌ５図は、第
１３図のＢ−Ｂ断面図で、各図において、ｌ２はインダ
クタンス形成部、２は容量形成部で、本実施例において
はインダクタンス形成部ｌ２を側壁に軸方向の間隙を設
けた円筒状導体を以て形成し、その円周方向の長さを、
電気長で共振波長のＡ以下に形成した他は、第１図乃至
第３図に示した実施例と全く同様の構成である． 第１６図は，本発明の他の実施例の要部を示す正面図、
第ｌ７図は、第１６図のＡ−Ａ断面図、第１８図は、第
１６図のＢ−Ｂ断面図で，各図において、ｌ２はインダ
クタンス形成部、２，及び２■は対向電極で、本実施例
においては，インダクタンス形成部？２を第ｌ３図乃至
第１５図に示した実施例におけるインダクタンス形成部
と同様に形成し、対向電極２及び２■を第４図乃至第６
図に示した実施例における対向電極と同様に形成してあ
る． 第ｌ９図は、第１図乃至第ｌ２図に示した本発明共振器
の等価回路図で、これは第２０図の形で示すことが出来
る。

第２１図は、第１３図乃至第ｌ８図に示した本発明共振
器の等価回路図で，これも亦第２２図の形で表わすこと
が出来る。

次に、本発明共振器におけるインダクタンス形成部及び
電磁シールドケースの寸法の比と無負荷Ｑ　（ＱＬｌ）
の関係を実測値に基づいて説明する。

第２３図は、第４図乃至第６図に示した共振素子の外周
に、インダクタンス形成部の包絡面とほぼ相似の立方体
より成る電磁シールドケースを設けて形成した本発明共
振器の要部断面図、第２４図は、第２３図のＡ−Ａ断面
図で，両図において、１はインダクタンス形成部、２１
及び２２は容量形成？対向電極、３は電磁シールドケー
ス、Ｓｃは電Ｇｌ主シールドケース３の断面における一
辺の長さ、Ｓはインダクタンス形成部ｌの断面における
一辺の長さである。

第２５図は、第１６図乃至第１８図に示したインダクタ
ンス形成部ｌ２及び対向電極２，並びに２■より成る共
振素子の外周に有底円筒形の電６１１シールドケス３ｌ
を設けて形成した本発明共振器の要部断面図，第２６図
は、第２５図のＡ−Ａ断面図で、第２５図におけるＤは
電磁シールドケース３，の直径、ｄはインダクタンス形
成部１２の直径である。

第２３図及び第２５図におけるＳ及びｄと、インダクタ
ンス形成部ｌ及びｌ２の各軸長εとの間にｓまβ、ｄ＝
２なる条件を保って、パラメータ　ＳＣＳ 無負荷Ｑ　（ＱＵ）値を実測した結果，第２７図に示す
効率曲線が得られた。

は効率ηである． 第２７図に示した実測値から本発明共振器の無負荷Ｑ　
（ＱＵ）は、近似的に次式で表わすことが出来る。

断面形状がほぼ正方形のインダクタンス形成部より成る
場合、 Ｑ諌２０　　ｆ　ｔＭＨｚｌ　Ｓｅ　ｎ断面形状がほぼ
円形のインダクタンス形成部より成る場合、 Ｑｕ’＝，　２０「■慴ｚｌＤＴ１ ほぼ１．２乃至ほぼ２．４の範囲に選ぶことによって共
振器の無負荷Ｑ　（Ｑ．）を効率よく高めることが出来
る． 上記本発明共振器は、ｌ段の帯域通過ろ波器として作用
すること勿論であるが、第２８図は，本発明共振器を多
段に縦続接続して構成した帯域通過ろ波器の一例の要部
を示す断面図、第２９図は、第？８図のＡ−Ａ断面図、
第３０図は、第２８図のＢ−Ｂ断面図で、各図において
、３■は共通の電磁シールドケー又、４，乃至４，，（
ｎは任意の正の整数）は本発明共振素子、５．及び５■
は導体板より成る結合線路で、結合線路５，と共振素子
４，とによって結合変成器が形成され，結合線路５■と
共振素子４ｏとによって結合変成器が形成される。６１
及び６■は同軸端子である。

第２８図乃至第３０図に示した変成器形人出力結合回路
は、伝送周波数が比較的高い場合又は伝送周波数が比較
的低く、負荷Ｑが比較的高い場合に好適である． 第３１図は、本発明共振素子を共通の電磁シールドケー
ス内の所要位置に固定する手段の一例を示す要部の断面
図、第３２図は、第３１図のＡ−Ａ断面図、第３３図は
、第３１図のＢ−Ｂ断面図で、各図において、３■は共
通の電磁シールドケース、４ｋ（ｋはｌからｎまで）は
本発明共振素子、７１及び７■は断面Ｌ字形の絶縁支持
体で、各支持体の上部？共振素子４ｋのインダクタンス
形成部間及び各支持体の下部折曲部と共通の電磁シール
ドケース３．間を螺子止め等の手段によって固定する．
第３４図は、本発明帯域通過ろ波器の他の例の要部を示
す断面図、第３５図は，第３４図のＡ−Ａ断面図，第３
６図は、第３４図のＢ−Ｂ断面図で、各図において、８
１及び８■は人出力結合容量素子で、接続導体９■及び
９１２を介して入出力結合容量素子８１を共振素子４１
を構成するインダクタンス形成部と同軸端子６、間に挿
入接続し、接続導体９２ｌ及び９■２を介して入出力結
合容量素子８■を共振素子４ｎを構成するインダクタン
ス形成部と同軸端子６■間に挿入接続してある。

第３４図乃至第３６図に示した容量形入出力結合回路は
、伝送周波数及び負荷Ｑに関係なく相当広範囲に亙って
使用可能である． 第３４図乃至第３６図における他の符号は、第２８図乃
至第３０図と同様である． 以下、各図を通して既出の符号と同一の符号は、既出の
図面において既出の符号が示す構成素子と同一の素子を
示すものとする． 第３７図は、本発明帯域通過ろ波器の段間結合作用を説
明するための要部断面図、第３８図は、第３７図のＡ−
Ａ断面図、第３９図は、第３７図のＢ−Ｂ断面図で、各
図において、矢印を付した実線は電界分布を示し、矢印
を付した破線は磁界分布を示す。

図から明らかなように、この場合は共振素子４Ｋ及び４
Ｋ＋＋を構成するインダクタンス形成部と交鎖する磁界
による結合である。

第３７図乃至第３９図に示した帯域通過ろ波器において
、第４０図乃至第４２図に示すように、共振素子間に結
合調整螺子を挿入することによって段間結合度を調整変
化せしめることが出来る。

第４０図は、段間結合作用を説明するための要部断面図
、第４１図は、第４０図のＡ−Ａ断面図、第４２図は、
第４０図のＢ−Ｂ断面図で、各図において、１０は段間
結合調整螺子で、共通の電磁シールド？ース３■の土壁
又は下壁のうち、共振素子４Ｋ及び４つ．，の各対向間
隙に対応する個所から垂直にケース内に挿入し、その挿
入長を変化せしめ得ると共に、ロックナット１１によっ
て任意の挿入長において固定し得るように形成してある
， 段間結合調整螺子ｌＯの挿入長を変化せしめると，その
挿入長に応じて、カットオフ導波管モードの電界成分に
よって段間結合調整螺子ＩＯに電界が集中して電界が強
くなり、これに応じて結合磁束密度ち大となるので、段
間結合調整螺子ｌＯの挿入長を変化せしめて、任意所望
の伝送特性を得ることが出来る． 段間結合調整螺子を設ける代りに、第４３図に要部断面
図を、第４４図に第４３図のＡ−Ａ断面図を、第４５図
に第４３図のＢ−Ｂ断面図をそれぞれ示すように、段間
結合調整板を設けるようにしても段間結合度を変化せし
めることが出来る． 第４３図乃至第４５図において、ｌ２は段間結合調整板
、１３はその固定具で、段間結合調整板ｌ２の挿入？を
変化せしめることによって、前実施例における段間結合
調整螺子ｌＯと同様の作用を呈せしめることが出来る． 第４６図は，段間結合調整の他の手段を示す要部断面図
，第４７図は、第４６図のＡ−Ａ断面図で、両図におい
て、ｌ４は磁界結合窓ｌ５を穿った仕切り導体板で，共
通の電磁シールドケース３■の断面積と結合窓ｌ５の面
積との比を変えることによって共振素子４Ｋと４Ｋ．１
間の結合度を変化せしめることが出来る． 磁界結合窓ｌ５を円形に形成する代りに、第４８図に要
部の断面を示すように長方形又は楕円形の６ｎ界結合窓
１５．を設けるようにしてもよい．結合窓を設ける代り
に、第４９図に要部の断面図を、第５０図に第４９図の
Ａ−Ａ断面図を示すように，共振素子４Ｋと４Ｋ＋１と
の間の各間隙に導体板１６．及びｌ６■を設けて絞り形
磁界結合窓ｌ７を形成せしめてもよい。

このように構成するときは、共通の電磁シール？ケース
３■の横幅と窓ｌ７の横幅との比を変えることにより、
段間結合度を変化せしめることが出来る． 又、第５１図に要部断面を示すように、第４０図に示し
た段間結合調整螺子ｌＯを窓ｌ７と組合わせて設けるよ
うにしてちよい。

第５０図及び第５１図の何れの場合にも、導体板＋６，
又は１Ｇ．の何れか一方、例えば１６■を省き、！６．
のみによってＨｉ界結合窓を形成せしめてもよい。

第５２図に要部断面図を、第５３図に第５２図のＡ−Ａ
断面図を示すように、共振素子４Ｋ及び４Ｋ．，間の各
間隙に段間結合阻止棒１８，及び１８■を設け、阻止捧
の設置本数又は直径を適当ならしめることにより、隣接
共振素子間の間隙を大ならしめることなく隣接共振素子
間の磁界結合を適当に疎ならしめることが出来、又、第
５４図に要部断面を示すように、段間結合阻止棒１８．
及びｌ８■と第４０図に示した段間結合調整螺子ｌＯと
を組合わせて設けるようにしてちよい。

以上は共振素子を縦続接続するに当って、容撹形成部が
すべて共通の電磁シールドケースの例えば底壁と対向す
るように揃えて配列した場合を例示したもので、同軸共
振器の極性を同一に保って縦続接続して成るコムライン
形帯域通過ろ波器に対応するちのであるから、以下、本
発明帯域通過ろ波器においてもコムライン形帯域通過ろ
波器と称することとする。

これに対して、第５５図に要部の断面図を、第５６図に
第５５図のＡ−Ａ断面図を、第５７図に第５５図のＢ−
Ｂ断面図をそれぞれ示すように、隣接する共振素子の容
量形成部の位置が互いに逆方向となるように配列しても
本発明を実施することが出来、この場合には隣接する同
軸共振器の極性を互いに逆向きに配列して成るインタデ
ィジタル形帯域通過ろ波器に対応するから、以下、本発
明帯域通過ろ波器においてちインクディジクル形帯域通
過ろ波器と称することとする。

？の場合は、共振素子間の磁界結合と共振素子を形成す
るインダクタンス形成部間の容量結合とによる結合、即
ち、電磁界結合によって段間結合が行われる． 同一寸法形状の共振素子を用いて構成した本発明コムラ
イン形帯域通過ろ波器とインクディジタル形帯域通過ろ
波器において、ろ波器の次数及び隣接共振素子間の間隙
の長さを等しく形成した場合、インクディジタル形帯域
通過ろ波器に比しコムライン形帯域通過ろ波器の通過帯
域幅を広くすることが出来る。

第５８図及び第５９図は、本発明の他の実施例、即ち、
段間を容量を以て結合した実施例の要部を示す図で、第
５８図において、ｌ９は段間結合容量素子で、例えば誘
電体板の両面に金属薄膜を付着せしめた容量素子より成
る。２０は接続導体である．第５９図において、２１，
及び２１■は適宜長の間隙を介して対向せしめた容量形
成電極である．第５８図及び第５９図において破線で示
したよう？、段間結合阻ｌＬ用磁気シールド板２２を介
装し、その挿入面積を変化せしめることにより、容量結
合素子ｌ９又は対向電極２１，及び２１．間の容量によ
る結合作用と相俟って結合度を変化せしめ、隣接共Ｓ器
間の間隙を狭く形成した場合でち任意所望の伝送特性を
呈せしめることが出来る。

第６０図は、他の容量結合素子を用いた実施例の要部を
示す断面図、第６ｌ図は、第６０図のＡ−Ａ断面図で、
両図において、２４は仕切り導体板、２５は容量結合窓
で、図には仕切り導体板２４に長方形の窓を穿った場合
を例示してあるが、細長い楕円形に形成しても容量性結
合窓として作用せしめることが出来る。

第６２図も亦容量結合形段間結合の他の実施例の要部を
示す断面図、第６３図は、第６２図のＡ−Ａ断面図で、
両図において、２６，及び２６２は導体板、２７は両絞
り形容量性アイリスである。

導体板２６、又は２６■の何れか一方、例えば２６■を
省いて第６４図に要部断面図を、第６５図に第６４図？
Ａ−Ａ断面図を示すように、導体板２６．によって片絞
り形容量性アイリス２７１を形成してもよレ）。

上記各実施例に示したように容量を介して段間な電界結
合せしめることによって伝送特性を広帯域ならしめるこ
とが出来る。

以上、何れの実施例においても共振素子を一列に配列し
た場合を例示したが、第６６図及び第６７図に略図を以
て示すように、共通の電磁シールドケース３■の内部に
仕切り導体壁２８を設けて、共振素子４，乃至４８をコ
の字形に縦続接続せしめることにより帯域通過ろ波器全
体を機械的に小形化することが出来る． 第６６図は、共振素子をコムライン形に配設した場合で
、段間結合は、磁界結合又は電界結合の何れによっても
行わしめ得る。

第６７図は、共振素子をインクディジタル形に配設した
場合で、段間結合は電磁界結合によって行われる。

？６６図及び第６７図には、結合線路５，及び５■を用
いて変成器結合によって入出力結合を行うように構成し
た場合を例示したが、人出力結合を容量結合によって行
い得ること勿論である。

第６８図は、共振素子をコムライン形に配設し，磁界に
よって段間結合を行うように構成した本発明帯域通過ろ
波器の等価回路図、第６９図は、共振素子をコムライン
形に配設し、電界によって段間結合を行うように構成し
た本発明帯域通過ろ波器の等価回路図、第７０図は、共
振素子をインクディジタル形に配設し、電磁界によって
段間結合を行うように構成した本発明帯域通過ろ波器の
等価回路図である。

上記本発明帯域通過ろ波器の伝送特性、即ち、通過域が
チェビシエフ形特性、減衰域がワグナ特性の場合におけ
る伝送特性は、通過域内の許容電圧定在波比Ｓ及び次数
ｎを与えることにより次式で表わされる。

Ｌ　（ｄＢｌ ＝１６９．ｏｇ｛１＋（Ｓ４Ｓｌ「Ｔ二（Ｘ）｝Ｌ：伝
送信号の減衰量 Ｔｎ（ｘｌ　　：チェビシエフの多項式Ｘ：基準化周波
数で， ｆ０：通過帯域の中心周波数 ｆ　：任意の伝送周波数 Ｂｗｒ：許容電圧定在波比を与える通過帯域幅Ｘ≦ｌの
場合、 Ｔ．（ｘｉ　＝ｃｏｓ（ｎ　ｃｏｓ　’ｘ）Ｘ≧１の場
合、 Ｔ．，（ｘｌ　＝ｃｏｓｈ（ｎ　ｃｏｓｈ−’ｘｉ以上
何れの実施例においても、２個又はその整数倍の個数の
共振素子を隔てた共振素子相互を間接結合せしめること
によって有極形帯域通過ろ波器を構成することが出来る
。

即ち、共振素子を一列に配設した場合には，適？な伝送
線路の両端をループ又は容量素子等より成る結合素子を
介して間接結合すべき共振素子に結合せしめ，第６６図
示のように共振素子をコの字形に配設した場合には、共
振素子４，及び４８の各々に容量形成電極を対向せしめ
、仕切り導体壁２８に穿った孔隙内に挿通した接続導体
を介して容量形成電極相互を接続することによって間接
結合を行わしめ、共振素子４■と４７の場合には、仕切
り導体壁２８に穿った磁界結合孔を介して間接結合を行
い、更に共振素子４，と４６間は、共振素子４１と４８
間と同様に容量を介して間接結合を行わしめるように構
成することが出来る。

尚、間接結合すべき共振素子相互をすべて容量を介して
間接結合せしめてちよく、間接結合すべき共振素子相互
をすべて磁界結合孔を介して間接結合せしめてもよい。

又、第６７図に示すように、仕切り導体壁２８に穿った
孔隙に設けたループを介して共振素子４，と４８間、４
■と４■間、４３と４８間をそれぞれ間接結合せ？めて
もよく、第６６図に示した間接結合手段と第６７図に示
した間接結合手段とを適宜組合わせるようにしてちよい
。

次に、間接結合を行った場合の作動について説明すると
、例えば共振素子を一列に配設すると共に、例えば共振
素子４■と４，間を、両端にループを設けた伝送線路よ
り成る間接結合回路によって間接結合せしめた場合には
、縦続接続された共振素子より成る主回路を伝送する信
号のうち、通過域より周波数の高い（又は低い）信号は
共振素子より成る各共振回路において電圧電流の各位相
が９０゜進み（又は送れ）、各共振回路間に形成される
移相回路において位相が２７０゜進む（又は遅れる）か
ら、共振素子４■より成る共振回路における信号の位相
と共振素子４５より成る共振回路における信号の位相は
同相となるが、間接結合回路を形成する伝送線路の両端
に設けたループ相互の極性を適当ならしめることにより
、間接結合回路を介して共振素子４■より成る共振回路
から共振素子４ｓより成る共振回路に伝送される信号の
位相は両共振回路間において１８０゜の位相差を生ずる
。

したがって、主回路と間接結合回路との結合度を適当に
調整し、間接桔合回路及び主回路を各別に伝送して共振
素子４，より成る共振回路に達する両信号の振幅が互い
に等しくなるように形成することによってこの信号の周
波数位置に減衰極を生せしめることが出来る。

共振素子をコの字形に配設して間接結合を行った場合に
も同様にして有極形帯域通過ろ波器を構成せしめること
が出来る。

第７１図は、共振素子をコムライン形に配設し、間接結
合回路を３組設けた本発明有極形帯域通過ろ波器の等価
回路図、第７２図は、共振素子をインクディジタル形に
配設し，間接結合回路を３組設けた本発明有極形帯域通
過ろ波器の等価回路図で、両国において、Ｍ１１ｌ）Ｍ
２７及びＭ３６は間接結合容量又は磁界の相互インピー
ダンスである。

上記本発明有極形帯域通過ろ波器（通過域がチェビシエ
フ形特性、 減衰域が有極形特性） の伝 送特性は、 次式で表わされる． 次数ｎが偶数の場合、 ｎが奇数の場合、 ρ．ｚ　４　（　ｌ−ｍ＋テ Δｆ．．，：中心周波数ｆ０と減衰極を生ずる周波数の
差 Δｆ，：中心周波数ｆ０と許容電圧定在波比を与えるバ
ンドエッジの周波数の差 Ｒ．二実数部をとるの意 ■．．：虚数部をとるの意 尚、減衰極の周波数位置が通過域から比較的離れている
場合には、通過域がチェビシエフ形特性、減衰域がワグ
ナ形特性の帯域通過ろ波器とほぼ等しい伝送特性となり
、減衰極が通過域に比較的近い周波数位置にある場合に
は、間接結合用のループ又は容量の影響等によって理論
値と実験値に差を生ずるのが一般で、前記ｍ．及びρ１
　等を求めるには適当な補正が必要となる。

第７３図は、本発明無極形帯域通過ろ波器の伝送特性の
一例を示す曲綿図、第７４図は、本発明有極形帯域通過
ろ波器の伝送特性の一例を示す曲線図で、両図において
、横軸は伝送周波数ｆ（ＭＨ｛ｚ）．　Ｒ軸は減衰量Ｌ
　（ｄＢ）である。

発明の効果 本発明共振器は、インダクタンス形成部における損失が
比較的小で、Ｑが比較的高く、容量形成部をＱの高いセ
ラミック板の両面に銀等の金属薄膜を付着せしめて形成
した場合には、更にＱを高めることが出来る。

又、本発明共振器における容量形成部の容量を大にして
共振周波数ｆ。を低下せしめた場合には、多少Ｑが低下
するが、極超短波帯以下の領域で広く用いられているヘ
リカル共振器と本発明共振器とを比較すると、両者の体
積をほぼ等しく形成した場合、本発明共振器はヘリカル
共振器と同等以上のＱが得られる。

更に、本発明共振器は、ヘリカル共振器に比しインダク
タンス形成部の断面積を大に、かつ周方向の長さを短く
形成し得るので、機械的な耐震特性に優れ、インダクタ
ンス形成部の表面積を大ならしめ得る結果、電力損失に
よる発熱を効率よく放射せしめ得るから特に送信用ろ波
器として好適である． インダクタンス形成部の支持体を熱伝導の良好な絶縁体
で形成することによって熱放射を更に効果的に行わしめ
ることが出来る． 本発明共振器における共振素子は板金作業によって形成
し得るから製作が容易で、特に温度特性の良好なちのが
要求される場合には、インダクタンス形成部をスーバア
ンバを基体とし、その表面に銅又は銀メッキを施すこと
により容易に所要の特性を有する共振素子を製作するこ
とが出来る。

本発明共振器における共振素子を構成する容量形成部は
、容量の異なるものを容易に形成し得るから、その容量
を大ならしめることによって共振周波数を自在に低下せ
しめ得るので、本発明共振器は，超短波帯以下の広い領
域における使用が可能である。

本発明共振器を多段に縦続接続して構成した本発明帯域
通過ろ波器の試作器について検討した結果、その伝送特
性の実測値が理論計算値に極めてよく一致していること
を確かめることが出来た。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例を示す正面図、第２図及び
第３図は、その断面図、第４図は、本発明の他の実施例
を示す正面図、第５図及び第６図は，その断面図，第７
図は、本発明の他の実施例を示す正面図、第８図及び第
９図は、その断面図、第１０図は、本発明の他の実施例
を示す正面図、第１１図及び第１２図は、その断面図、
第１３図は、本発明の他の実施例を示す正面図、第１４
図及び第１５図は、その断面図、第ｌ６図は、本発明の
他の実施例を示す正面図、第１７図及び第１８図は、そ
の断面図、第ｌ９図．第２０図．第２１図及び第２２図
は、本発明共振器の等価回路図、第２３図．第２４図．
第２５図及び第２６図は、本発明共振器の機械的寸法と
無負荷Ｑの関係を説明するための断面図、第２７図は，
本発明共振器の機械的寸法と無負荷Ｑの関係を示す曲線
図、第２８図．第２９図及び第３０図は、本発明帯域通
過ろ波器の一例を示す要部断面図、第３１図．第３２図
及び第３３図は、本発明帯域通過ろ波器の要部の具体構
造の一例を示す断面図、第３４図．第３５図及び第３６
図は、本発明帯域通過ろ波器の他の一例を示す要部断面
図，第３７図．？３８図．第３９図．第４０図．第４ｌ
図，第４２図．第４３図．第４４図．第４５図，第４６
図，第４７図．第４８図．第４９図．第５０図．第５１
図．第５２図．第５３図及び第５４図は、本発明帯域通
過ろ波器の段間結合を説明するための要部断面図、第５
５図．第５６図及び第５７図は、本発明帯域通過ろ波器
の他の一例を示す要部断面図、第５８図．第５９図．第
６０図，第６１図．第６２図．第６３図．第６４図及び
第６５図は、本発明帯域通過ろ波器の段間結合を説明す
るための要部断面図、第６６図及び第６７図は、本発明
帯域通過ろ波器の他の一例を示す要部断面図，第６８図
．第６９図．第７０図．第７１図及び第７２図は、本発
明帯域通過ろ波器の等価回路図、第７３図及び第７４図
は、本発明帯域通過ろ波器の伝送特性の一例を示す曲線
図、第７５図は、従来の帯域通過ろ波器を示す平面図、
第７６図は、その正面図、第７７図は、従来の帯域通過
ろ波器の等価回路図で、１．１，及びｈ：インダクタン
ス形成部、２：容量形成部、２１及び２２：対向電極、
３．３１及び３■：電磁シールドケース、４，？至４ｎ
：共振素子，５，及び５２：結合線路，６，及び６■：
同軸端子、７ｌ及び７２：絶縁支持体、８１及び８■：
入出力結合容量素子、９ｚ　＋　Ｌａ　．　９ａｔ及び
９■２　：接続導体、ｌＯ：段間結合調整螺子、１１：
ロックナット、ｌ２：段間結合調整板、ｌ３：固定具、
ｌ４：仕切り導体板、ｌ５及び１５．　　：結合窓，１
（ｉ．及びｌ６■：導体板、ｌ７：結合窓、１８．及び
ｌ８■　：段間結合阻止棒、ｌ９：段間結合容量素子、
２０：接続導体、２１，及び２ｈ：容量形成用対向電極
，２２：段間結合阻止用磁気シールド板、２３：固定具
、２４：仕切り導体板、２５：容量結合窓、２６．及び
２６２：導体板、２７及び２７１：絞り形アイリス、２
８：仕切り導体壁、２９：プリント基板、３ロ，乃至３
０４：インダクタンス形成部、３１＋乃至３ｈ：間隙、
３２。１及び３２．．　：入出力結合容量素子である．

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. １．側壁に軸方向の間隙を設けた筒状導体より成るイン
   ダクタンス形成部と、このインダクタンス形成部の側壁
   に設けた前記間隙部分に介装せしめた容量形成部とより
   成る共振素子を備えたことを特徴とする共振器。
2. ２．インダクタンス形成部が、側壁に軸方向の間隙を設
   けた角筒状導体より成る請求項１に記載の共振器。
3. ３．インダクタンス形成部が、側壁に軸方向の間隙を設
   けた円筒状導体より成る請求項１に記載の共振器。
4. ４．容量形成部が、誘電体板の両面に各別に付着せしめ
   た金属薄膜を、インダクタンス形成部の側壁に軸方向に
   設けた間隙を介して対向する軸方向の縁部に各別に接続
   せしめて成る請求項１に記載の共振器。
5. ５．容量形成部が、インダクタンス形成部の側壁に軸方
   向に設けた間隙を介して対向する縁部に各別に接続され
   、間隙を介して対向せしめられた電極より成る請求項１
   に記載の共振器。
6. ６．インダクタンス形成部が側壁に軸方向の間隙を設け
   た角筒状導体より成り、共振素子を内装する電磁シール
   ドケースがインダクタンス形成部の包絡面とほぼ相似の
   立方体より成ると共に、インダクタンス形成部の中心軸
   に直角な断面における電磁シールドケース及びインダク
   タンス形成部の各一辺の長さＳｃ及びｓの比Ｓｃ／ｓを
   ほぼ１．２乃至ほぼ２．４に選び、インダクタンス形成
   部の軸長と一辺の長さｓをほぼ等しく形成した請求項１
   に記載の共振器。
7. ７．インダクタンス形成部が側壁に軸方向の間隙を設け
   た円筒状導体より成り、共振素子を内装する電磁シール
   ドケースがインダクタンス形成部の包絡面とほぼ相似の
   立方体より成ると共に、インダクタンス形成部の直径ｄ
   及び軸長をほぼ等しく形成し、電磁シールドケースの直
   径Ｄとインダクタンス形成部の直径ｄの比Ｄ／ｄをほぼ
   １．２乃至ほぼ２．４ならしめた請求項１に記載の共振
   器。
8. ８．縦続接続される複数個の共振素子を備え、これらの
   共振素子が、側壁に軸方向の間隙を設けた筒状導体より
   成るインダクタンス形成部と、このインダクタンス形成
   部の側壁に軸方向に設けた前記間隙部分に介装せしめた
   容量形成部とより成ることを特徴とする帯域通過ろ波器
   。
9. ９．縦続接続される複数個の共振素子が、一列に配設さ
   れた請求項８に記載の帯域通過ろ波器。
10. １０．縦続接続される複数個の共振素子が、コの字形に
    配設された請求項８に記載の帯域通過ろ波器。
11. １１．縦続接続される複数個の共振素子を備え、これら
    の共振素子が、側壁に軸方向の間隙を設けた筒状導体よ
    り成るインダクタンス形成部と、このインダクタンス形
    成部の側壁に軸方向に設けた前記間隙部分に介装せしめ
    た容量形成部とより成ると共に、前記縦続接続される複
    数個の共振素子のうち、２個又はその整数倍の個数の共
    振素子を隔てた共振素子相互を間接結合せしめたことを
    特徴とする帯域通過ろ波器。