JPH0354741A - 光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、書換え可能記録領域を有する光ディスクに関
し、 記録ビットの卵形化を防止することによって、記録密度
を著しく向上させることができる書換え可能記録領域を
有する光ディスクを提供することを目的とし、 透過型または非透過型の記録膜から或る書換え可能記録
領域を有する光ディスクにおいて、上記透過型記録膜上
の反射膜の上にまたは上記非透過型記録膜の光照射面と
は反対側の面上に、上記反射膜または上記非透過型記録
膜よりも高い熱伝導率を有する層を設けて構或する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、書換え可能記録領域を有する光ディスクに関
する。

〔従来の技術〕

近年、コンピュータで処理される情報量の増大に伴い、
外部メモリーもその記録容量の増大が要求されている。

光ディスクは極めて高い密度の記録が可能なため大容量
の外部メモリーとして最適の記録媒体である。特に、書
換え可能な光ディスクは外部メモリーとして非常に有用
である。書換え可能型光ディスクの書換え可能記録領域
は、光照射によって記録情報を可逆的に変更し得る磁気
光学効果型記録膜または相変化型記録膜からなる。

磁気光学効果型記録膜を用いた光ディスクは一般に光磁
気ディスクと呼ばれており、記録膜が光を透過するもの
と透過しない反射型のものとがある。

相変化型記録膜は、相変態により反射率が変化する合金
からなり、光は透過しない。

ディスクは、更にその記録密度を高めて容量を増大させ
るために、記録ビットの微細化が進められており、その
ためにグループ幅の減少および記録ビット長の短縮がな
されている。

しかし、光ビームによって記録膜に形威される記録ビッ
トは長手方向（光ビーム移動方向）の両端部が曲線状に
なっているため、ビット長さを短縮するとビット全体形
状に対する両端部形状の影響が大きくなり、第２図に光
照射面の平面図で示したようにビットが卵形になる。す
なわち、光ビームのパワーレベルが書込バワーレベルに
なって一つの記録ビットの形式が開始する始端部６では
比較的急な曲率の曲線状になり、その記録ビットの形或
が終了する終端部７では比較的緩い曲率の曲線状になる
。そのため、特に、ビット長を１μｍ程度に短縮すると
、この卵形ビットの始端部６と林端部７の位置が誤差を
持ち、また出力波形が歪む等の問題があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、記録ビットの卵形化を防止することによって
、記録密度を著しく向上させることができる書換え可能
記録領域を有する光ディスクを提供することを目的とす
る。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的は、本発明によれば、透過型または非透過型
の記録膜から或る書換え可能記録領域を有する光ディス
クにおいて、上記透過型記録膜上の反射膜の上にまたは
上記非透過型記録膜の光照射面とは反対側の面上に、上
記反射膜または上記非透過型記録膜よりも高い熱伝導率
を有する層を設けたことを特徴とする光ディスクによっ
て達或される。

光磁気ディスクにおいて、透過型記録膜から或る書換え
可能記録領域に本発明を適用した典型的な場合について
、断面構造を第１図（ａ）に模式的に示す。透明基板１
上に透過型記録膜２Ａが設けられ、この記録膜２Ａの上
に反射膜３が設けられている。反射膜３上にはそれより
も高い熱伝導率を有する層４を設けてある。

光磁気ディスクにおいて、反射型記録膜から威る書換え
可能記録領域に本発明を適用した典型的な場合について
、断面構造を第１図（ｂ）に模式的に示す。透明基板１
上に反射型記録膜２Ｂが設けられており、更にこの記録
膜２Ｂ上にはそれよりも高い熱伝導率を有する層４を設
けてある。

相変化型光ディスクにおいて、相変化型記録膜から或る
書換え可能記録領域に本発明を適用した典型的な場合に
ついて、断面構造を第１図（Ｃ）に模式的に示す。透明
基板１上に保護膜５、その上に相変化型記ＢＭ２Ｃが設
けられており、更にこの記録膜２Ｃ上にはそれよりも高
い熱伝導率を有するＮ４を設｝ナてある。

光ディスクでの記録はレーザ等の光ビームの照射によっ
て記録膜を加熱することよって行われる。

すなわち、磁気光学効果型記録膜における光磁気記録は
、レーザ等の光照射によって記録膜をキューリー点また
は補償点まで加熱してバイアス磁場の方向に磁場を反転
させることによって行われる。

また、相変化型記録膜の場合には、レーザ等の光照射に
よって記録膜を相変態点まで加熱して異相間の反射率の
差で記録を行う。

高熱伝導率の層４　（「高熱伝導層」と略称する）を設
けない従来の光ディスクの場合には、光ビームを照射し
て記録ピットを形成する際に、第３図（ａ）〜（ｄ）に
示したように熱が記録膜内で記録面方向の広い領域に拡
散して伝導するため、第３図に示したように記録ビット
が卵形になる。第２図の始端部６から終端部７までビッ
トを形或する際、光ビームが始端部６から終端部７まで
書込バワーで出力される。光ビームが始端部６にあると
きには記録膜の温度分布は断面内およびビーム照射面上
でそれぞれ第４図（ａ）および（Ｃ）のようになり、光
ビームが終端部７まで来ると温度分布はそれぞれ同図（
ｂ）および（ｄ）のようになる。

これに対して、高熱伝導層４　（第１図および第２図）
を設けた本発明の光ディスクでは、光照射により導入さ
れた熱は高熱伝導層へ向かって優先的に伝導するので記
録面方向には拡散しない。この状況を第１図（ｂ）の光
磁気ディスクの反射型記録膜の場合について第４図に示
す。第３図と同様に第４図（ａ）および（ｂ）にそれぞ
れ第２図の始端部６および終端部７の熱伝導状態を記録
膜断面内の等温線で示し、第４図（Ｃ）および（ｄ）に
対応する位置の記録膜光照射面の等温線を示した。この
ように、本発明の光ディスクは、照射ビームの熱が記録
面方向に拡散しないので、記録ビットの形状は卵形にな
らず長円形になる。

〔作用〕

本発明の光ディスクでは、光ビームによる入熱を、高熱
伝導層によって膜厚方向に優先的に伝導させるので、従
来のように記録膜面方向への熱の拡散が抑制され、記録
ビットは長円形に形或され、卵形化が防止される。

〔実施例〕

実施例１ 第１図（ａ）に示したように、３インチＧＧＧ（ガリウ
ム・ガドリニウム・ガーネット）基板１上に、Ｂ　ｌ＋
．ｓＤ３／＋．ｓＧａｏ．ｓＦｅ４．２０１２ガーネッ
トの記録膜２Ａを、基板温度５５０℃でスパッタリング
により製膜中に結晶化させながら厚さ２μｍに形威した
。スパッタリングはＡｒガス圧１．５Ｐａの条件で行っ
た。次に、記録膜２Ａ上にアルミニウム反射膜３を蒸着
により厚さ０．１　μｍに形戊した。更に、反射膜３上
にＣｕ高熱伝導層４をスパッタリングにより厚さ２μｍ
に形成した。

実施例２ 第ｌ図（Ｃ）に示したように、２Ｐ（フォトポリマー〉
グループ付ガラス基板ｌ上に、スパッタリングにより５
ｉ０２保護膜５　（厚さ５Ｔ１ｍ）、？ｎＳｂ記録膜■
ｎ−５５ａｔ％ｓｂ，厚さ３０ｎｍ）２Ｃを形威し、さ
らにその上に蒸着によりＣｕ高熱伝導層４　（厚さ２μ
ｍ）を形或した。

スバッタリンッグはＡｒガス圧０．４Ｐａで行った。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば記録ビットの卵形
化が防止できるので、ビットの始端部と終端部の位置の
誤差も出力波形の歪みも発生させずに記録ビットを微細
化することができる。本発明の光ディスクは、記録密度
を著しく向上させた大容量の外部メモリーとして特に有
用である。

【図面の簡単な説明】 第ｌ図は、本発明の光ディスクの構造を示す断面図、 第２図は、従来の光ディスクに形戒された卵形ビットを
示す平面図、 第３図は、従来の光ディスクについて光ビーム照射時の
記録膜内の温度分布を示す、それぞれ（ａ）および（ｂ
）は断面図および（Ｃ）および（ｄ）は平面図、および 第４図は、本発明の光ディスクについて光ビーム照射時
の記録膜内の温度分布を示す、それぞれ（ａ）および（
ｂ）は断面図および（Ｃ）および（ｄ）は平面図である
。 １・・・基板、 ２Ａ．２Ｂ，２Ｃ・・・記録膜、 ３・・・反射膜、　　　　　４・・・高熱伝導層、５・
・・保護膜、　　　　　６・・・始端部、７・・・終端
部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、透過型または非透過型の記録膜（２Ａ、２Ｂ、２Ｃ
   ）から成る書換え可能記録領域を有する光ディスクにお
   いて、上記透過型記録膜（２Ａ）上の反射膜（３）の上
   にまたは上記非透過型記録膜（２Ｂ、２Ｃ）の光照射面
   とは反対側の面上に、上記反射膜（３）または上記非透
   過型記録膜（２Ｂ、２Ｃ）よりも高い熱伝導率を有する
   層を設けたことを特徴とする光ディスク。