JPH0353741B2 - - Google Patents
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- JPH0353741B2 JPH0353741B2 JP8346981A JP8346981A JPH0353741B2 JP H0353741 B2 JPH0353741 B2 JP H0353741B2 JP 8346981 A JP8346981 A JP 8346981A JP 8346981 A JP8346981 A JP 8346981A JP H0353741 B2 JPH0353741 B2 JP H0353741B2
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- electron gun
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
- H01J37/241—High voltage power supply or regulation circuits
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、３極構造の電子銃を用いる高輝度化
をはかつた電子銃装置に関する。
をはかつた電子銃装置に関する。
近年、半導体ウエハやマスク基板等の試料を微
細加工する技術として電子ビーム描画装置が開発
されているが、この種の装置ではより速い描画速
度を実現するため、電子銃の輝度を高くする必要
がある。電子銃の使用条件の設定は、従来試料面
上におけるビーム電流およびビーム径を測定して
輝度を求め、この輝度が最大となるよう電子銃の
バイアス電圧等を可変制御するようにしている。
細加工する技術として電子ビーム描画装置が開発
されているが、この種の装置ではより速い描画速
度を実現するため、電子銃の輝度を高くする必要
がある。電子銃の使用条件の設定は、従来試料面
上におけるビーム電流およびビーム径を測定して
輝度を求め、この輝度が最大となるよう電子銃の
バイアス電圧等を可変制御するようにしている。
第１図はLaB6（ランタン・ヘキサ・ボライド）
電子銃を用いた従来の電子銃装置を示す回路構成
図である。図中１は電子銃で、この電子銃１は
LaB6カソード２、ヒータ３、ウエネルト電極４
およびアノード５から形成されている。ヒータ３
にはヒータ加熱用電源６が接続され、またカソー
ド２とアノード５との間にはバイアス抵抗７を介
して高電圧回路８が接続されている。そして、ヒ
ータ３を通電加熱しカソード２を所定温度に設定
すると共に、アノード５に加速電圧Vaを印加す
ることによつて、電子銃１から電子ビームが放出
される。電子ビームの放出により全ビーム電流It
が流れるが、この全ビーム電流Itが流れることに
よりバイアス抵抗７に電圧降下が生じ、ウエネル
ト電極４に−VWのバイアス電圧が加わる。しか
し、これでは全ビーム電流Itの変動によりカソー
ド電位からみた加速電圧Vaが変化することにな
るので、この加速電圧Vaを一定に保つため、カ
ソード２とアノード５との間に抵抗９，１０を直
列接続し、上記抵抗１０による電圧降下分を増幅
器１１にて検出し前記高電圧回路８にフイードバ
ツクさせ、上記電圧降下分を一定に保つように制
御している。すなわち、抵抗９，１０に流れる電
流IDを一定に保つようにしている。これにより、
バイアス抵抗７を変化させても電流IDは一定に保
たれ、加速電圧Vaも一定になる。したがつて、
ウエネルト電極４のバイアス電圧VWは VW＝−RB（It＋ID） ……(1) となる。ただし、RBはバイアス抵抗７の抵抗値
である。
電子銃を用いた従来の電子銃装置を示す回路構成
図である。図中１は電子銃で、この電子銃１は
LaB6カソード２、ヒータ３、ウエネルト電極４
およびアノード５から形成されている。ヒータ３
にはヒータ加熱用電源６が接続され、またカソー
ド２とアノード５との間にはバイアス抵抗７を介
して高電圧回路８が接続されている。そして、ヒ
ータ３を通電加熱しカソード２を所定温度に設定
すると共に、アノード５に加速電圧Vaを印加す
ることによつて、電子銃１から電子ビームが放出
される。電子ビームの放出により全ビーム電流It
が流れるが、この全ビーム電流Itが流れることに
よりバイアス抵抗７に電圧降下が生じ、ウエネル
ト電極４に−VWのバイアス電圧が加わる。しか
し、これでは全ビーム電流Itの変動によりカソー
ド電位からみた加速電圧Vaが変化することにな
るので、この加速電圧Vaを一定に保つため、カ
ソード２とアノード５との間に抵抗９，１０を直
列接続し、上記抵抗１０による電圧降下分を増幅
器１１にて検出し前記高電圧回路８にフイードバ
ツクさせ、上記電圧降下分を一定に保つように制
御している。すなわち、抵抗９，１０に流れる電
流IDを一定に保つようにしている。これにより、
バイアス抵抗７を変化させても電流IDは一定に保
たれ、加速電圧Vaも一定になる。したがつて、
ウエネルト電極４のバイアス電圧VWは VW＝−RB（It＋ID） ……(1) となる。ただし、RBはバイアス抵抗７の抵抗値
である。
さて、このような装置で輝度βを求めるには、
まずバイアス電圧VWを変え試料面１２上におけ
るビーム電流IBおよびビーム径ｄをそれぞれ測定
する。ビーム電流IBおよびビーム径ｄが判れば輝
度βは次式 β∝IB／d2 ……(2) で求められる。ビーム電流IBはフアラデーカツプ
にて、ビーム径ｄはナイフエツジ法にて測定する
が、全ビーム電流Itの測定に比較すると極めて面
倒であり、かつ多大な時間を要する。ビーム電流
IBに関して言及すると、まずビーム電流IBが最大
となるよう調整しなければならないが、前記第１
図のアノード５と試料面１２との間に配置される
アライメント電極（図示せず）を上記ビーム電流
IBが最大となるよう調整することは非常に面倒な
操作である。また、ビーム径ｄに関しては、電子
ビームでナイフエツジを走査しナイフエツジから
の反射電子を検出器で検出し、その検出信号を数
学的に処理して始めて得られるので、面倒な操作
を要すると共に時間が掛かる。このようにして得
られた輝度βのバイアス依存性の結果の一例は第
２図に示す如くなつた。このように、通常輝度β
が最大となるバイアス電圧VWの値VMが存在す
る。したがつて、電子銃の使用条件を常にこのバ
イアス電圧値VMに設定すれば、最も効率が良く
最も高い輝度が得られることになる。しかしなが
ら、輝度βが最大となるバイアス電圧値VMは電
子銃のカソードにより異なり、また同一カソード
であつても経時変化により異なる。このため、定
期的にビーム電流IBおよびビーム径ｄ等を測定し
上記バイアス電圧値VMをチエツクしなければな
らない。このように、条件が変化する毎に上述し
た測定を必要とすることは、特に電子ビーム描画
装置に用いる場合、同装置のダウンタイムとなり
ひいては稼動率の低下を招く等の問題となる。
まずバイアス電圧VWを変え試料面１２上におけ
るビーム電流IBおよびビーム径ｄをそれぞれ測定
する。ビーム電流IBおよびビーム径ｄが判れば輝
度βは次式 β∝IB／d2 ……(2) で求められる。ビーム電流IBはフアラデーカツプ
にて、ビーム径ｄはナイフエツジ法にて測定する
が、全ビーム電流Itの測定に比較すると極めて面
倒であり、かつ多大な時間を要する。ビーム電流
IBに関して言及すると、まずビーム電流IBが最大
となるよう調整しなければならないが、前記第１
図のアノード５と試料面１２との間に配置される
アライメント電極（図示せず）を上記ビーム電流
IBが最大となるよう調整することは非常に面倒な
操作である。また、ビーム径ｄに関しては、電子
ビームでナイフエツジを走査しナイフエツジから
の反射電子を検出器で検出し、その検出信号を数
学的に処理して始めて得られるので、面倒な操作
を要すると共に時間が掛かる。このようにして得
られた輝度βのバイアス依存性の結果の一例は第
２図に示す如くなつた。このように、通常輝度β
が最大となるバイアス電圧VWの値VMが存在す
る。したがつて、電子銃の使用条件を常にこのバ
イアス電圧値VMに設定すれば、最も効率が良く
最も高い輝度が得られることになる。しかしなが
ら、輝度βが最大となるバイアス電圧値VMは電
子銃のカソードにより異なり、また同一カソード
であつても経時変化により異なる。このため、定
期的にビーム電流IBおよびビーム径ｄ等を測定し
上記バイアス電圧値VMをチエツクしなければな
らない。このように、条件が変化する毎に上述し
た測定を必要とすることは、特に電子ビーム描画
装置に用いる場合、同装置のダウンタイムとなり
ひいては稼動率の低下を招く等の問題となる。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、試料面上でのビーム電
流やビーム径等を測定することなく、輝度が最大
となるバイアス電圧値VMを簡易に求めることが
でき、電子銃の高輝度化をはかり得る電子銃装置
を提供することにある。
その目的とするところは、試料面上でのビーム電
流やビーム径等を測定することなく、輝度が最大
となるバイアス電圧値VMを簡易に求めることが
でき、電子銃の高輝度化をはかり得る電子銃装置
を提供することにある。
まず、本発明の概要を説明する。本発明者等
は、前記第１図に示した装置でカソード・ウエネ
ルト間距離HCWを種々変化させ、全ビーム電流It
および輝度βのバイアス電圧依存性をそれぞれ測
定した。各々の距離HCWに対して、前記第２図に
示したVW−β特性および第３図に示す如きVW−
It特性がそれぞれ得られた。一般に３極構造の電
子銃においては、第３図に示したバイアス電圧
VW対全ビーム電流Itとの間には、次の第３式で
示されるような関係がある。
は、前記第１図に示した装置でカソード・ウエネ
ルト間距離HCWを種々変化させ、全ビーム電流It
および輝度βのバイアス電圧依存性をそれぞれ測
定した。各々の距離HCWに対して、前記第２図に
示したVW−β特性および第３図に示す如きVW−
It特性がそれぞれ得られた。一般に３極構造の電
子銃においては、第３図に示したバイアス電圧
VW対全ビーム電流Itとの間には、次の第３式で
示されるような関係がある。
It＝Ｇ（VW＋Va／μ）3/2 ……(3)
ただし、Ｇはパービアンス、μは増幅定数であ
る。上記第３式の関係から全ビーム電流Itと、バ
イアス電圧VWとの何組かの実験値に基づいて、
最小２乗法により連立方程式を解くことにより、
パービアンスＧおよび増幅定数μを求めることが
できる。第３図におけるカツトオフバイアス電圧
VWCは、全ビーム電流Itが零となるときのバイア
ス電圧と定義されるので VWC＝−Va／μ ……(4) から求められる。
る。上記第３式の関係から全ビーム電流Itと、バ
イアス電圧VWとの何組かの実験値に基づいて、
最小２乗法により連立方程式を解くことにより、
パービアンスＧおよび増幅定数μを求めることが
できる。第３図におけるカツトオフバイアス電圧
VWCは、全ビーム電流Itが零となるときのバイア
ス電圧と定義されるので VWC＝−Va／μ ……(4) から求められる。
次に、各々の距離HCWについて増幅定数μと輝
度βが最大となるバイアス電圧値VMとの関係を
調べると第４図に示す特性曲線が得られる。これ
により増幅定数μにより上記バイアス電圧値VM
が一義的に定まることが判つた。一方、カツトオ
フバイアス電圧VWCとバイアス電圧値VMとの関
係は第５図に示す如く直線関係になつていること
が判明した。また、第４図および第５図に示した
関係は、同一の電子銃の経時変化からも求められ
る。すなわち、時間の経過に伴い増幅定数μおよ
びバイアス電圧値VMが変化するので、一定時間、
例えば100時間毎にこれらの測定を行えばよい。
以上述べたように予め第４図或いは第５図に示し
た関係を調べておけば、それ以降は電子銃を交換
した場合、或いは経時変化によりバイアス電圧値
VMが変わつた場合でも、前記ビーム電流IBおよ
びビーム径ｄを測定して輝度βのバイアス依存性
の実験を行う等の操作が不要となり、測定容易な
全ビーム電流Itおよびバイアス電圧VWを測定す
るのみで輝度βが最大となるバイアス電圧値VM
を容易に求めることができる。
度βが最大となるバイアス電圧値VMとの関係を
調べると第４図に示す特性曲線が得られる。これ
により増幅定数μにより上記バイアス電圧値VM
が一義的に定まることが判つた。一方、カツトオ
フバイアス電圧VWCとバイアス電圧値VMとの関
係は第５図に示す如く直線関係になつていること
が判明した。また、第４図および第５図に示した
関係は、同一の電子銃の経時変化からも求められ
る。すなわち、時間の経過に伴い増幅定数μおよ
びバイアス電圧値VMが変化するので、一定時間、
例えば100時間毎にこれらの測定を行えばよい。
以上述べたように予め第４図或いは第５図に示し
た関係を調べておけば、それ以降は電子銃を交換
した場合、或いは経時変化によりバイアス電圧値
VMが変わつた場合でも、前記ビーム電流IBおよ
びビーム径ｄを測定して輝度βのバイアス依存性
の実験を行う等の操作が不要となり、測定容易な
全ビーム電流Itおよびバイアス電圧VWを測定す
るのみで輝度βが最大となるバイアス電圧値VM
を容易に求めることができる。
本発明はこのような点に着目し、３極構造の電
子銃から放出される全ビーム電流Itを検出する電
流検出手段を設けると共に、上記電子銃のカソー
ド・ウエネルト電極間のバイアス電圧VWを検出
する電圧検出手段を設け、さらに上記全ビーム電
流Itおよびバイアス電圧VWを可変設定し次式 μ＝Va／｛（It／Ｇ）2/3−VW｝、VWC＝ −Va／μ ……(5) （Va：アノード加速電圧 Ｇ：パービアンス μ：増幅定数 VWC：カツトオフバイアス電圧） で定義される増幅定数μ或いはカツトオフバイア
ス電圧VWCを求める手段を設け、任意の増幅定数
μと最大輝度を与える電圧値VMとの関係或いは
任意のカツトオフバイアス電圧VWCと最大輝度を
与えるバイアス電圧値VMとの関係を予め求めて
おき、任意の時刻で上記各検出手段および上記第
５式に基づいて増幅定数μ或いはカツトオフバイ
アス電圧VWCを求め、先に求められたμとVMと
の関係或いはVWCとVMとの関係に基づき、上記
求められた増幅定数μ或いはカツトオフバイアス
電圧VWCに対する最大輝度を与えるバイアス電圧
値VMを求め、この値VMにバイアス電圧VWを設
定するものである。したがつて本発明によれば、
従来面倒であつたビーム電流IBおよびビーム径ｄ
を測定することなく、測定容易な全ビーム電流It
およびバイアス電圧VWを測定するのみで最大輝
度を与えるバイアス電圧値VMを簡易に求めるこ
とができる。このため、電子銃の使用条件を最も
効率が良く最も高い輝度が得られるように容易に
設定することができ、電子銃の高輝度化をはかり
得る。そして、電子ビーム露光装置に用いた場合
にあつては、描画速度の高速化および稼動率の向
上をはかり得る等の効果を奏する。また、従来電
子銃の輝度が足りない場合しばしばLaB6カソー
ドの温度を上げることによつて必要な輝度を得て
いたが、本発明によればこのようなことを避ける
ことができカソードを低い温度にしても高輝度が
得られるので、電子銃の長寿命化をはかり得る等
の利点もある。
子銃から放出される全ビーム電流Itを検出する電
流検出手段を設けると共に、上記電子銃のカソー
ド・ウエネルト電極間のバイアス電圧VWを検出
する電圧検出手段を設け、さらに上記全ビーム電
流Itおよびバイアス電圧VWを可変設定し次式 μ＝Va／｛（It／Ｇ）2/3−VW｝、VWC＝ −Va／μ ……(5) （Va：アノード加速電圧 Ｇ：パービアンス μ：増幅定数 VWC：カツトオフバイアス電圧） で定義される増幅定数μ或いはカツトオフバイア
ス電圧VWCを求める手段を設け、任意の増幅定数
μと最大輝度を与える電圧値VMとの関係或いは
任意のカツトオフバイアス電圧VWCと最大輝度を
与えるバイアス電圧値VMとの関係を予め求めて
おき、任意の時刻で上記各検出手段および上記第
５式に基づいて増幅定数μ或いはカツトオフバイ
アス電圧VWCを求め、先に求められたμとVMと
の関係或いはVWCとVMとの関係に基づき、上記
求められた増幅定数μ或いはカツトオフバイアス
電圧VWCに対する最大輝度を与えるバイアス電圧
値VMを求め、この値VMにバイアス電圧VWを設
定するものである。したがつて本発明によれば、
従来面倒であつたビーム電流IBおよびビーム径ｄ
を測定することなく、測定容易な全ビーム電流It
およびバイアス電圧VWを測定するのみで最大輝
度を与えるバイアス電圧値VMを簡易に求めるこ
とができる。このため、電子銃の使用条件を最も
効率が良く最も高い輝度が得られるように容易に
設定することができ、電子銃の高輝度化をはかり
得る。そして、電子ビーム露光装置に用いた場合
にあつては、描画速度の高速化および稼動率の向
上をはかり得る等の効果を奏する。また、従来電
子銃の輝度が足りない場合しばしばLaB6カソー
ドの温度を上げることによつて必要な輝度を得て
いたが、本発明によればこのようなことを避ける
ことができカソードを低い温度にしても高輝度が
得られるので、電子銃の長寿命化をはかり得る等
の利点もある。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によつて説
明する。
明する。
第６図は本発明の一実施例を示す回路構成図で
ある。なお、第１図と同一部分には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。この実施例が
第１図に示した装置と異なる点は、前記全ビーム
電流Itを検出する電流検出器１３、前記バイアス
電圧VWを検出する電圧検出器１４およびこれら
の検出器１３，１４の各検出信号に応じてバイア
ス抵抗７を可変制御するCPU１５を設けたこと
である。CPU１５には前記第５式に示した関係
および前述した操作により求められた第４図に示
す関係が記憶されている。そして、CPU１５は
上記検出器１３，１４の各検出信号を入力して増
幅定数μを求め、さらにこの増幅定数μに対する
最大輝度を与えるバイアス電圧値VMを求め、バ
イアス抵抗７を可変制御しバイアス電圧VWが上
記値VMになるようにしている。
ある。なお、第１図と同一部分には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。この実施例が
第１図に示した装置と異なる点は、前記全ビーム
電流Itを検出する電流検出器１３、前記バイアス
電圧VWを検出する電圧検出器１４およびこれら
の検出器１３，１４の各検出信号に応じてバイア
ス抵抗７を可変制御するCPU１５を設けたこと
である。CPU１５には前記第５式に示した関係
および前述した操作により求められた第４図に示
す関係が記憶されている。そして、CPU１５は
上記検出器１３，１４の各検出信号を入力して増
幅定数μを求め、さらにこの増幅定数μに対する
最大輝度を与えるバイアス電圧値VMを求め、バ
イアス抵抗７を可変制御しバイアス電圧VWが上
記値VMになるようにしている。
このような構成であれば、適当な時間毎に
CPU１５を作動させることにより、電子銃１を
常に最適な使用条件で用いることができ、先に説
明したのと同様の効果を奏する。また、電流検出
器１３、電圧検出器１４およびCPU１５を付加
するのみの簡易な構成で実現し得る等の利点があ
る。
CPU１５を作動させることにより、電子銃１を
常に最適な使用条件で用いることができ、先に説
明したのと同様の効果を奏する。また、電流検出
器１３、電圧検出器１４およびCPU１５を付加
するのみの簡易な構成で実現し得る等の利点があ
る。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるも
のではない。例えば、前記電子銃のカソードは
LaB6に限るものではなく、ＷやMO等であつても
よい。また、電子ビーム描画装置に限らず走査型
電子顕微鏡、電子ビームアニール装置および電子
ビーム溶接装置等の電子ビーム装置に適用できる
のは勿論のことである。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが
できる。
のではない。例えば、前記電子銃のカソードは
LaB6に限るものではなく、ＷやMO等であつても
よい。また、電子ビーム描画装置に限らず走査型
電子顕微鏡、電子ビームアニール装置および電子
ビーム溶接装置等の電子ビーム装置に適用できる
のは勿論のことである。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが
できる。
第１図は従来の電子銃装置の一例を示す回路構
成図、第２図は上記装置の作用を説明するための
３極構造電子銃における輝度のバイアス依存性を
示す特性図、第３図乃至第５図はそれぞれ本発明
の概要を説明するためのもので第３図は全ビーム
電流Itのバイアス依存性を示す特性図、第４図は
増幅定数μに対する最大輝度を与えるバイアス電
圧値VMとの関係を示す特性図、第５図はカツト
オフバイアス電圧VWCに対する最大輝度を与える
バイアス電圧値VMとの関係を示す特性図、第６
図は本発明の一実施例を示す回路構成図である。 １……電子銃、２……カソード、４……ウエネ
ルト電極、５……アノード、７……バイアス抵
抗、８……高電圧回路、１３……電流検出器、１
４……電圧検出器、１５……CPU。
成図、第２図は上記装置の作用を説明するための
３極構造電子銃における輝度のバイアス依存性を
示す特性図、第３図乃至第５図はそれぞれ本発明
の概要を説明するためのもので第３図は全ビーム
電流Itのバイアス依存性を示す特性図、第４図は
増幅定数μに対する最大輝度を与えるバイアス電
圧値VMとの関係を示す特性図、第５図はカツト
オフバイアス電圧VWCに対する最大輝度を与える
バイアス電圧値VMとの関係を示す特性図、第６
図は本発明の一実施例を示す回路構成図である。 １……電子銃、２……カソード、４……ウエネ
ルト電極、５……アノード、７……バイアス抵
抗、８……高電圧回路、１３……電流検出器、１
４……電圧検出器、１５……CPU。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 熱電子を放出するカソード、このカソードか
ら放出された熱電子を収束制御するウエネルト電
極およびこのウエネルト電極を介して収束された
電子ビームを加速するアノードからなる電子銃
と、上記カソードから放出される全ビーム電流It
を検出する電流検出手段と、前記カソード・ウエ
ネルト電極間のバイアス電圧VWを検出する電圧
検出手段と、上記全ビーム電流Itおよびバイアス
電圧VWを可変設定し次式 μ＝Va／｛（It／Ｇ）2/3−VW｝， VWC＝−Va／μ Va：アノード加速電圧 Ｇ：パービアンス μ：増幅定数 VWC：カツトオフバイアス電圧 で定義される増幅定数μ或いはカツトオフバイア
ス電圧VWCを求める手段と、任意の増幅定数μと
最大輝度を与えるバイアス電圧値VMとの関係或
いは任意のカツトオフバイアス電圧VWCと最大輝
度を与えるバイアス電圧値VMとの関係を予め求
める手段と、任意の時刻で前記各検出手段および
前記式に基づいて増幅定数μ或いはカツトオフバ
イアス電圧VWCを求める手段と、前記求められた
増幅定数μとバイアス電圧値VMとの関係或いは
カツトオフバイアス電圧VWCとバイアス電圧値
VMとの関係に基づき、上記求められた増幅定数
μ或いはカツトオフバイアス電圧VWCに対する最
大輝度を与えるバイアス電圧値VMを求め、この
値VMに前記バイアス電圧VWを設定する手段とを
具備してなることを特徴とする電子銃装置。 ２ 前記カソードは、LaB6単結晶からなるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子銃装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8346981A JPS57197737A (en) | 1981-05-30 | 1981-05-30 | Electron gun |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8346981A JPS57197737A (en) | 1981-05-30 | 1981-05-30 | Electron gun |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57197737A JPS57197737A (en) | 1982-12-04 |
| JPH0353741B2 true JPH0353741B2 (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=13803323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8346981A Granted JPS57197737A (en) | 1981-05-30 | 1981-05-30 | Electron gun |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57197737A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132544A (en) * | 1990-08-29 | 1992-07-21 | Nissin Electric Company Ltd. | System for irradiating a surface with atomic and molecular ions using two dimensional magnetic scanning |
| JP2005026241A (ja) * | 2001-04-13 | 2005-01-27 | Advantest Corp | 電子ビーム生成装置、及び電子ビーム露光装置 |
-
1981
- 1981-05-30 JP JP8346981A patent/JPS57197737A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57197737A (en) | 1982-12-04 |
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