JPH0352946U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案一実施例のブロツク構成図。
第２図は、同実施例の第一モードの画像（二次電
子像）を示す図。第３図は、同じく第二モードの
画像（回折像）を示す図。第４図は、同実施例の
固体撮像素子の詳細図。第５図は、本考案他の実
施例の固体撮像素子の詳細図。第６図は、従来例
の説明図。第７図は、他の従来例の説明図。 １，Ｇｎ……電子銃、２，Ｓａ……試料、２Ｄ
Ｓ……二次元低エネルギ電子検出器、３……ステ
ージ、３Ａ……位置信号発生器、３Ｂ……位置移
動機構、４……走査信号発生器、４Ａ……偏向系
、５……検出手段である固体撮像素子面板、５Ａ
……マトリドクス状に配置された固体撮像素子、
５Ｂ……小孔、５Ｃ……銅製の筒、６……検出手
段である二次電子検出器、７……表示部、８……
増幅器付きの比較器、９……超高真空チヤンバ、
１１……ｐ型シリコン基板、１２……ｎ⁻型不純
物領域、１３……ＳｉＯ_２層、１４，２７……ポ
リイミド層、１５……ポリシリコン・ゲート電極
、１６……Ａｌドレイン電極、１７，２８……Ａ
ｌ遮断層、１８……ＭＯＳトランジスタのソース
領域、２１……ｎ型シリコン基板、２２……ｐ^＋
型の不純物領域、２３……ＳｉＯ_２領域、２４…
…プラズマチツ化膜、２５……ＭＯＳトランジス
タのソースおよびドレイン領域、２６……ポリシ
リコンのゲート電極、ＣＳ……コレクタスクリー
ン、Ｅｒ_１……放射電子線、Ｅｒ_２……第二モー
ドにおける反射電子線、Ｅｒ_３……第一モードに
おける二次電子線、Ｇｒ……グリツド、Ｇｒ_１…
…阻止グリツド、ＭＰ……マイクロチヤネルプレ
ート、ＰＳＲ……位置敏感検出器、ＲＩ……ラス
タイメージ、ＳＳ……スコープスクリーン。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 電子銃と、この電子銃から発生する電子線を
   試料表面に照射する手段と、この試料表面で発生
   もしくは反射する電子を検出する検出手段とを備
   えた電子線回折装置において、 前記電子銃は、その発生する電子線が、前記試
   料表面に高速に当たり試料表面の二次電子像を発
   生させる第一モードと、前記試料表面で低速度電
   子回折を発生させる程度の低エネルギの電子線を
   発生させる第二モードとの二つの動作モードに切
   換えられる構成であり、 前記検出手段は、前記第一モードで前記試料表
   面から発生する二次電子像を捉える二次電子検出
   器と、前記第二モードで前記試料表面で反射する
   電子の回折パターンを検出するようにマトリクス
   状に配置された多数の固体撮像素子を含む ことを特徴とする電子線回折装置。 ２ 前記固体撮像素子は、平面状に形成され、そ
   のほぼ中心に前記電子銃から発生する電子線が通
   過する小孔が設けられ、この小孔が円筒状の導体
   により囲まれた構造である請求項１記載の電子線
   回折装置。