JPH04134873A - 半導体放射線検出器 - Google Patents
半導体放射線検出器Info
- Publication number
- JPH04134873A JPH04134873A JP2258571A JP25857190A JPH04134873A JP H04134873 A JPH04134873 A JP H04134873A JP 2258571 A JP2258571 A JP 2258571A JP 25857190 A JP25857190 A JP 25857190A JP H04134873 A JPH04134873 A JP H04134873A
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- Japan
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 20
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、医療用放射線受像装置、非破壊検査用放射線
検査装置等に用いられる、半導体放射線検出器に関する
。
検査装置等に用いられる、半導体放射線検出器に関する
。
〈従来の技術〉
ＣｄＴｅ結晶等の化合物半導体を用いた放射線検出器と
しては、一般に、第３図に示すように半導体基板３１の
片面に、各画素に対応させるべく複数個の信号取り出し
電極３３・・・３３を形成し、その裏面には、共通のバ
イアス電極３２を形成して、信号取り出し電極３３側を
放射線入射側とする、いわゆる入射側電極分離型のもの
、またバイアス電極３２側を放射線入射側とする、いわ
ゆる後方電極分離型のものか知られている。これらの放
射線検出器には、いずれも、バイアス電極３２に負の高
電圧（−■）か印加され、これにより、第４図に示すよ
うに、半導体中に放射線か入射した際に、その入射放射
線のエネルギに相当する数の電子・正孔対が発生する。
しては、一般に、第３図に示すように半導体基板３１の
片面に、各画素に対応させるべく複数個の信号取り出し
電極３３・・・３３を形成し、その裏面には、共通のバ
イアス電極３２を形成して、信号取り出し電極３３側を
放射線入射側とする、いわゆる入射側電極分離型のもの
、またバイアス電極３２側を放射線入射側とする、いわ
ゆる後方電極分離型のものか知られている。これらの放
射線検出器には、いずれも、バイアス電極３２に負の高
電圧（−■）か印加され、これにより、第４図に示すよ
うに、半導体中に放射線か入射した際に、その入射放射
線のエネルギに相当する数の電子・正孔対が発生する。
そして、その電子ｅおよび正孔りがそれぞれ各電極３３
および３２（＝移動することにより、電荷パルスが発生
する。
および３２（＝移動することにより、電荷パルスが発生
する。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、放射線入射によって半導体中に発生した電子
・正孔対は、その半導体中に形成される電界に沿って、
互いに反対方向に移動するわけであるが、例えばバイア
ス電極３２側から入射した放射線か、信号取り出し電極
３３に近い位置で停止した場合、発生した正孔は半導体
中を長距離にわたって移動しなければならず、このため
半導体結晶中の存在する欠陥等にトラップされる確率か
高くなるという問題かあった。
・正孔対は、その半導体中に形成される電界に沿って、
互いに反対方向に移動するわけであるが、例えばバイア
ス電極３２側から入射した放射線か、信号取り出し電極
３３に近い位置で停止した場合、発生した正孔は半導体
中を長距離にわたって移動しなければならず、このため
半導体結晶中の存在する欠陥等にトラップされる確率か
高くなるという問題かあった。
〈課題を解決するだめの手段〉
上記の従来の問題を解決するために、本発明では、実施
例図面である第１図、第２図に示すように、信号取り出
し電極３・・・３のそれぞれの周囲の少なくとも一部に
、その各電極３とは非接触の補助電極４を形成している
。そして、その補助電極４には、バイアス電極２と同じ
電位（−■）を印加するよう構成している。
例図面である第１図、第２図に示すように、信号取り出
し電極３・・・３のそれぞれの周囲の少なくとも一部に
、その各電極３とは非接触の補助電極４を形成している
。そして、その補助電極４には、バイアス電極２と同じ
電位（−■）を印加するよう構成している。
く作用〉
例えば第２図に示すように、信号取り出し電極３に近い
位置で発生した正孔りは、バイアス電極２と同電位の補
助電極４に引き寄せされてその電極に到達する。従って
、その正孔りは発生位置から補助電極４までの比較的短
い距離を移動するたけでよく、これにより、信号取り出
し電極３に近い位置で電子・正孔対か発生しても、その
正孔りかトラップされる確率は少なくなる。
位置で発生した正孔りは、バイアス電極２と同電位の補
助電極４に引き寄せされてその電極に到達する。従って
、その正孔りは発生位置から補助電極４までの比較的短
い距離を移動するたけでよく、これにより、信号取り出
し電極３に近い位置で電子・正孔対か発生しても、その
正孔りかトラップされる確率は少なくなる。
〈実施例〉
本発明の実施例を、以下、図面に基づいて説明する。
第１図は本発明実施例の構成を示す斜視図で、第２図は
その実施例の半導体基板１中の電界分布を示す図である
。
その実施例の半導体基板１中の電界分布を示す図である
。
ＣｄＴｅ結晶からなる化合物半導体基板１の一面側には
、Ａｕを一様に蒸着してなる共通のバイアス電極２が形
成されている。さらに、その反対側の面には各画素に対
応させるへく、複数個のＡＵ製信号取り出し電極３・・
・３が行列状に形成されており、バイアス電極２側を放
射線入射側とする放射線２次元検出器を形成している。
、Ａｕを一様に蒸着してなる共通のバイアス電極２が形
成されている。さらに、その反対側の面には各画素に対
応させるへく、複数個のＡＵ製信号取り出し電極３・・
・３が行列状に形成されており、バイアス電極２側を放
射線入射側とする放射線２次元検出器を形成している。
さて、この実施例においては、信号取り出し電極３の周
囲に所定の隙間を隔ててＡｕ製補助電極４を形成してい
る。そしてこの補助電極４には、バイアス電極２と同じ
バイアス電圧（−■）を印加する。
囲に所定の隙間を隔ててＡｕ製補助電極４を形成してい
る。そしてこの補助電極４には、バイアス電極２と同じ
バイアス電圧（−■）を印加する。
次に、本発明実施例の作用を述へる。
まず、補助電極４をバイアス電極２と同じバイアス電圧
（−■）を印加すると、半導体基板１中には、第２図に
示すような電界分布か形成される。
（−■）を印加すると、半導体基板１中には、第２図に
示すような電界分布か形成される。
このような半導体基板１中にバイアス電極２側から放射
線か入射し、この入射放射線か信号取り出し電極３に近
い位置で停止したとすると、その停止位置で発生した電
子・正孔対のうち正孔りは、信号取り出し電極３と補助
電極４との間に形成された電気力線に沿って移動して補
助電極４に到達する。従って、放射線入射により信号取
り出し電極３付近て電子・正孔対が発生した場合であっ
ても、正孔はその発生位置から補助電極４までの短い距
離を移動するだけでよ（、半導体結晶中の欠陥等にトラ
ップされる確率は少なくなる。これにより、信号取り出
し電極３の近傍で発生した正孔の収集効率が高くなる。
線か入射し、この入射放射線か信号取り出し電極３に近
い位置で停止したとすると、その停止位置で発生した電
子・正孔対のうち正孔りは、信号取り出し電極３と補助
電極４との間に形成された電気力線に沿って移動して補
助電極４に到達する。従って、放射線入射により信号取
り出し電極３付近て電子・正孔対が発生した場合であっ
ても、正孔はその発生位置から補助電極４までの短い距
離を移動するだけでよ（、半導体結晶中の欠陥等にトラ
ップされる確率は少なくなる。これにより、信号取り出
し電極３の近傍で発生した正孔の収集効率が高くなる。
なお、本発明は、半導体１次元放射線検出器にも適用可
能であることは勿論である。
能であることは勿論である。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、信号取り出し電
極の周囲に、その電極とは非接触の補助電極を形成し、
この補助電極にバイアス電極と同じ電位を印加するよう
構成したから、信号取り出し電極の近傍で発生した正孔
を、従来に比して効率よ（収集することができ、これに
よって検出効率が向上する。また、各画素のそれぞれ間
には電界の弱い領域か形成されるため、各画素間におけ
る分離性を高めること、すなわちクロストークの発生を
防止することかできる。
極の周囲に、その電極とは非接触の補助電極を形成し、
この補助電極にバイアス電極と同じ電位を印加するよう
構成したから、信号取り出し電極の近傍で発生した正孔
を、従来に比して効率よ（収集することができ、これに
よって検出効率が向上する。また、各画素のそれぞれ間
には電界の弱い領域か形成されるため、各画素間におけ
る分離性を高めること、すなわちクロストークの発生を
防止することかできる。
第１図は本発明実施例の構成を示す斜視図で、第２図は
その実施例の半導体基板１中の電界分布を示す図である
。 第３図は半導体放射線検出器の一般的な構造例を示す斜
視図で、第４図はその検出器の半導体基板３１中の電界
分布を示す図である。 １・・・半導体基板 ２・・・バイアス電極 ３・・・３・・・信号取り出し電極 ４・ ・補助電極
その実施例の半導体基板１中の電界分布を示す図である
。 第３図は半導体放射線検出器の一般的な構造例を示す斜
視図で、第４図はその検出器の半導体基板３１中の電界
分布を示す図である。 １・・・半導体基板 ２・・・バイアス電極 ３・・・３・・・信号取り出し電極 ４・ ・補助電極
Claims (1)
- 化合物半導体の片面に共通のバイアス電極が形成され
、かつ、その反対側の面には各画素に対応させるべく複
数の信号取り出し電極が形成された放射線検出器におい
て、上記信号取り出し電極のそれぞれの周囲の少なくと
も一部に、その各電極とは非接触の補助電極を形成する
とともに、その補助電極には上記バイアス電極と同じ電
位を与えるよう構成したことを特徴とする半導体放射線
検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2258571A JPH04134873A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2258571A JPH04134873A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04134873A true JPH04134873A (ja) | 1992-05-08 |
Family
ID=17322095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2258571A Pending JPH04134873A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04134873A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009231715A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | Ｘ線検出器 |
| JP2011060953A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Murata Mfg Co Ltd | 光センサ |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP2258571A patent/JPH04134873A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009231715A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | Ｘ線検出器 |
| JP2011060953A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Murata Mfg Co Ltd | 光センサ |
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