JPH0350854A - 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよびその製造方法

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Publication number
JPH0350854A
JPH0350854A JP18650489A JP18650489A JPH0350854A JP H0350854 A JPH0350854 A JP H0350854A JP 18650489 A JP18650489 A JP 18650489A JP 18650489 A JP18650489 A JP 18650489A JP H0350854 A JPH0350854 A JP H0350854A
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JP
Japan
Prior art keywords
resin
dam
hole
shaped head
lead frame
Prior art date
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Pending
Application number
JP18650489A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Ishiguro
石黒 勉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
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Publication of JPH0350854A publication Critical patent/JPH0350854A/ja
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよ
びその製造方法に関するものである。
従来の技術 従来、樹脂封止型半導体の樹脂封止工程におけるリード
フレームの樹脂流出止め構造は、第5図のように、樹脂
モールド1とこれより外方に延びる各外部端子2と直角
方向に前記各外部端子を連結する形状でダムバー3を設
けるのが一般的であ(3) リ、ダムバー3の樹脂に近い側面と樹脂側面間距離を0
.2〜0.6iunに設定するのが通例である。
発明が解決しようとする課題 一般に、ダムバー3は樹脂モールド後あるいはノードの
メツキ後プレス工法によって切断除去されるが、この切
断時に加わる機械的ショックにより、樹脂と内部リード
との界面の接着に対してダメージがあり、しばしば、品
質上のトラブルを招く要因のひとつであった。更に、ダ
ムバー切断パンチの位置ずれによって、外部リードの形
状を損ねやすい。
また、樹脂側面からダムバーまでの間隔にはリードフレ
ームと同じ厚みの樹脂パリが流れだし、その除去の際に
も、上述のダメージが樹脂とノードフレーム界面に伝わ
る。更に、除去しきれない樹脂かすは、検査あるいはそ
の後、工程でのトラブルやセット実装の際のトラブルの
原因となってきた。
課題を解決するための手段 本発明は、リードフレームにおいて、各外部リードとは
直接連続することなく、枠体から樹脂モールド部の方向
に伸び、同樹脂モールドの側面が位置するべきところと
接する位置付近でT字型に頭部を広げた形状を有し、且
つ、その頭部の外部リードに向き合う面が接触あるいは
数十ミクロンの微小なる間隔をもって位置するようダム
棒を配置する。
こうした構造は、リードフレームの製作時に前記ダム棒
のT字型の頭部に設けられた穴をプレスパンチによって
その穴の内側から押し広げ、T字型頭部側面と外部リー
ド側面が接触あるいは微小な間隔をもつよう加工するこ
とによって得られる。
また、リードフレーム成型工程におけるダム捧の除去は
ダム棒と枠体との連結部を切断すると同時、あるいは前
後工程において、ダム棒頭部中央付近の限定された部分
をリードフレーム面と直角方向に押す力をプレス加工法
などを用いて加えることにより、外部端子および半導体
装置本体樹脂部に機械的ショックを与えることなく、除
去できる。
作用 本発明のダム構造1:よれば、注入されたモールド用樹
脂は前記ダム棒のT字型頭部頂面によってせき止められ
るが前記ダム棒頂面が樹脂側面とほぼ同一の位置に配置
されているため、樹脂パリは出ない。さらに、ダム棒の
T字型頭部の側面と各外部端子側面とが接触あるいは微
細な間隔であるため、外部リード側面に沿った樹脂もれ
も防止することができる。
また、このリードフレーム加工工程において、二のダム
棒は、リードフレーム面と直角方向にT字型頭部の中央
付近をプレス法によって押すことによって、外部端子や
、樹脂本体にダメージを〜与えることなく除去できる。
実施例 以下に本発明の一実施例について図面をもとに説明する
第1図は本発明のリードフレーム正面図である。4はダ
ム捧であり、5はダム捧のT字型頭部、6は穴の一例で
ある。注入された樹脂はダム棒の頂面7でせきとめられ
る。
第2図は樹脂モールド後の立体図で、8は樹脂モールド
部、9は外部リード、10はダム捧除去の際プレス工法
で押すエリアを示す。
第3図(a)および第3図(b)は、ダム棒頭部の穴を
内側より押し広げ、前記頭部側面と外部端子側面の間隔
を微小あるいは接触に至らしめる工程の断面図である。
11はプレスパンチであり、第3図(a)はこのプレス
パンチ11が作動する直前、同図(b)はその作動後の
状態である。図示のように、プレスパンチ11に押され
た前記ダム棒頭部5の側面部が外部リードの側面方向に
おされ、その間隔がOmn+ないし極小の構造になる。
第4図はダム棒の除去工程を示す断面図である。12は
パンチ、4はダム棒、9は外部リードであり、パンチ1
2に押されたダム棒4は下方にしりぞきながら変形し、
矢印の方向に引っ張られ、外部リード9および樹脂モー
ルド1の本体にダメージを与えることなく除去すること
ができる。
発明の効果 本発明によれば、樹脂パリを落とす工程を削除でき半導
体装置の低コスト化および効率的生産に寄与するだけで
なく、ダムバーの廃止と本発明のダム棒除去方法によっ
て高精度な外部端子加工精度が得られ、更に外部リード
の加工における半導体装置へのダメージを軽減あるいは
排除でき、半導体装置の高信頼性に貢献する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のリードフレーム正面図、第2図は本発
明のリードフレームを用いた半導体装置の立体図、第3
図(a)および第3図(b)はダム棒頭部の穴加工工程
を示す断面図、第4図はダム棒除去工程を示す断面図、
第5図は従来構造のリードフレームを用いた半導体装置
の立体図である。 1・・・・・・樹脂モールド本体、2・・・・・・樹脂
パリ、3・・・・・・ダムバー、4・・・・・・ダム棒
、5・・・・・・ダム棒T字型頭部、6・・・・・・穴
、7・・・・・・ダム捧頂面。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)外部端子となる複数のリードの間にあって、その
    リードフレームの枠体から延在する形でインナーリード
    方向に伸び、樹脂モールドの側面と接する位置でT字型
    に開いた頭部を有し、かつ、前記T字型頭部に穴が設け
    られ、前記穴が内側から押し広げられたかたちで、前記
    T字型頭部の側面が前記リードの側面と接触あるいは極
    小の間隔になるよう位置設定されたダム棒構造を有する
    樹脂封止型半導体装置用リードフレーム。
  2. (2)ダム棒のT字型頭部のトップ面(樹脂流出止めの
    面)と樹脂モールド後の樹脂面との位置関係が0〜0.
    1mmに設定されていること、またT字部側面と各外部
    端子側面は、接触あるいは50ミクロン以下の間隔に位
    置設定された特許請求範囲第1項記載の樹脂封止型半導
    体装置用リードフレーム。
  3. (3)T字型頭部の穴を、先端が前記穴の最小内側寸法
    よりも小さい寸法に設定されたプレスパンチによって、
    プレスのストロークの範囲内で、前記穴を内側から押し
    広げ、前記T字型頭部側面が外部端子側面に接触あるい
    は微小の間隔になるよう位置設定させる工程をそなえた
    請求項1記載の樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
    の製造方法。
JP18650489A 1989-07-19 1989-07-19 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 Pending JPH0350854A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7084511B2 (en) * 2001-03-27 2006-08-01 Nec Electronics Corporation Semiconductor device having resin-sealed area on circuit board thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7084511B2 (en) * 2001-03-27 2006-08-01 Nec Electronics Corporation Semiconductor device having resin-sealed area on circuit board thereof
US7268439B2 (en) 2001-03-27 2007-09-11 Nec Electronics Corporation Semiconductor device having resin-sealed area on circuit board thereof

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