JPH03504429A

JPH03504429A - 特にｔｅガスレーザー用の高出力の高電圧パルス発生装置および方法

Info

Publication number: JPH03504429A
Application number: JP1504860A
Authority: JP
Inventors: フリーデ、デイルク; ベツテ、ウイリー
Original assignee: シーメンス　アクチェンゲゼルシヤフト
Priority date: 1988-04-20
Filing date: 1989-04-20
Publication date: 1991-09-26
Also published as: WO1989010657A1; US5138622A; EP0411022A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】特にＴＥガスレーザー用の高出力の高電圧パルス発生装置および方法本発明は、特にＴＥガスレーザー用の高出力の高電圧パルス発生装置であって、少なくとも１つの充電装置と、入力側で少なくとも１つの充電装置に接続され、出力側でレーザー電極に接続されているパルス発生回路網とを含んでおり、より大きいキャパシタンスの第１の充電コンデンサおよびそれに対して直列の飽和可能なインダクタの形態の磁気スイッチを有する第１の枝路と、第２の充電コンデンサを有する第２の枝路とが互いに並列にレーザー電極に接続されており、第２の充電コンデンサが第１の充電コンデンサに比較して小さいキャパシタンスを有しており、さらに少な（とも１つの高電圧スイッチが磁気スイッチの飽和の開始と飽和された磁気スイッチを介してレーザー電極バスへの第１の充電コンデンサの放電の開始とのためのトリガとしての役割をする装置に関するものである。

従来の技術によれば、横方向に励起される（ＴＥ）エキシマレーザ−の作動のために、電極間隔および圧力に応じて、５０ｋＶまでのレーザー電極間の電圧が必要とされる。レーザー電極における電圧上昇はいわゆるパルス発生回路網のなかの適当なスイッチング過程によりトリガされる。を圧上昇の継続時間は数１０ないし数１００ｎｓのオーダーにある。使用されるスイッチは高い保持電圧を有していなければならず、高いピーク電流をスイッチングし得なければならず、また長い寿命を有していなければならない。通常スイッチとして使用される水素封入サイラトロンはこれらの要求を低いスイッチングエネルギーにおいてしか満足しない、エネルギーの増大と共にサイラトロンはもはや、十分な寿命をもって高いピーク電流をスイッチングし得る立場にない。

従って、サイラトロンの負担を軽減するべく、または他のスイッチ形式により置換するべく大きな努力が払われている。たとえば、受動的なスイッチング要素としての磁気スイッチと能動的なスイッチとしての火花間隙との組み合わせにより動作する回路が提案されているやこれについてはシー、エイチ、フィッシャー（Ｃ。

Ｈ，Ｆｉｓｈｅｒ）ほかの論文“スパイカーおよび磁気絶縁を有する高効率のＸｅＣル−ザー”、アプライド・フィジックス・レターズ、４８　（２３）、１９８６年６月９日、第１５７４〜１５７６頁を参照されたい。第１図には原理回路図が示されている。基礎となっている磁気スイッチの動作の仕方に関する情報は文献、たとえばダブり二一、シー、ヌナリー（Ｗ、Ｃ，Ｎｕｎｎａｌｌｙ）の論文“磁気スイッチおよび回路”、ロス・アラモス・ナシ薔ナル・ラボラトリ・レポート、ＬＡ−８８６２ＭＳ、１９８１年９月に記載されている。ここでは回路の機能についてのみ説明するものとする。

そのために先ず添付図面の第１図により回路を説明し、それに続いて第２図ないし第５図で本発明による装置の４つの実施例を複数の回路により説明する。

詳細には、たとえば予備電離装置のような本発明の理解のために必要でない回路要素は省略して、簡単化された概要図で、第２図には１．高電圧スイッチを有するトリガ枝路がレーザーの電極バスに対して並列に接続されている本発明による装置が示されており、第３図には、トリガ枝路が磁気スイッチを有し、またパルス発生回路網にパルス充電段が属しζいる本発明による装置の第２の実施例が示されており、。

第４図には、第２図に比較して磁気スイッチＭ１および第１の充電コンデンサＣＩの接続順序が交換されている、すなわち磁気スイッチＭ１がその一端で直接に接地されている第３の実施例が示されており、第５図には、第４図による回路点す、ｂ’に第２の充電装置ＬＧ２を有する追加的なパルス電圧源が接続されている第４の実施例が示されている。

図面中でＬＧＩまたはＬＧ２は第１または第２の充電装置に接続されている端子を意味し、またＬＧは（単一の）充電装置に接続されている端子を意味する。充電装置は図示されていない、第１および第２の充電コンデンサは以下では簡単化してコンデンサＣＩおよびＣ２と呼ばれる。

先ず前記の従来技術に示されている第１図による高電圧発生のための装置の原゛理回路図を説明する。Ｃ３は、磁気スイッチＭによりレーザー電極から絶縁されるエネルギー蓄積コンデンサである。Ｃ２およびＣ１は、火花間隙ＦＳと共にレーザーＬＫにおける電圧上昇の役割をするより小さいキャパシタンスである。火花間隙の点弧前にコンデンサＣＩおよびＣｔは、レーザーＬＫが点弧された状態でレーザー電極の両端に生ずる電圧（いわゆるバーン電圧）のほぼ２倍に相当する電圧に充電される。レーザーＬＫは、自発的に点弧することなく、より長い時間にわたりこの電圧を保たなければならない、コンデンサＣ５はより高い電圧に充電され、また火花間隙の点弧後にその電荷をコンデンサＣｔに伝達し、従ってレーザー電極の両端の迅速な電圧上昇がレーザー・ブレークスルーまでに生ずる。この時間の間は磁気スイッチＭは不飽和状態にあり、従ってその高いインダクタンスのために取るに足るほどの電流はスイッチを通って流れない。従ってコンデンサＣ１の電圧は持続する。磁気スイッチのコアの大きさおよび巻回数は、それがレーザー・ブレークスルーの時点で飽和されるように、すなわち低インダクタンスになるように設計される。この時点からコンデンサＣＩはそのエネルギーをレーザーＬＫに供給し得る。レーザー抵抗へのパルス発生回路網の良好なマツチング（すなわちπ／　ＣＩ　”ｌ　ＲＬ　Ａ　３え１、ここでＲＬＡｉｌｌｌはレーザーのインピーダンスを意味する）の際には、レーザーへの改善されたエネルギー供給およびそれにより効率の同上が可能である。能動的スイッチング要素ＦＳ（すなわち火花間隙またはサイシトロン）はこの回路技術では通常に構成されたレーザーよりも明らかにわずかに負荷される。なぜならば、蓄積されたエネルギー全体の一部分のみがスイッチングされるからである。エネルギーの大部分は飽和後に磁気スイッチを経て流れる。

この回路技術の欠点は、スイッチング要素ＦＳに高い電圧が生ずるので、場合によっては高価でないサイラトロンが使用され得特表千３−５０４４２９　（４）ないことである。パルス化されたコンデンサ充電の使用の際にはさらに補助のスイッチング要素が必要である。スイッチＦＳ（たとえば火花間隙またはサイラトロン）はこの回路では接地されないので、このスイッチの電圧供給（たとえばトリガ電圧、加熱電圧）は同じくスイッチングすべき高い電圧に曝されている。

本発明の課題は、冒頭に記載した種類の特にＴＥガスレーザー用の高出力の高電圧パルスの発生のための装置であって、前記の困難が克服され得る装置、すなわちレーザー放電の効率を犠牲にすることなしにトリガ枝路のなかの高圧スイッチの電圧および電流負荷が減ぜられ得る装置を提供することである。

この課題は、本発明によれば、特にＴＥガスレーザー用の高出力の高電圧パルスの発生のための装置において、請求項１により、高電圧スイッチを有するトリガ枝路がレーザーの電極パスに対して並列に接続されていることにより解決される。有利な展開は請求項２ないし１０に記載されている。それによれば、好ましい構成では、トリガ枝路は高電圧スイッチおよびリアクトルの直列回路から成っている。このような高電圧スイッチは特にサイラトロンである。

有利な構成によれば、トリガ枝路は磁気スイッチを有しており、またパルス発生回路網に、充電装置から充電可能な中間蓄積コンデンサと、その高電圧側の極に接続されており高電圧スイッチおよびインダクタンスから成る直列回路とから成るパルス充電段が属しており、前記直列回路がその他方の端で、一方のレーザー電極も接続されているパルス発生回路網の高電圧側の縦枝路と接続されている。

第１の充電コンデンサのキャパシタンスは第２の充電コンデンサより少なくとも１桁だけ大きく、すなわち第２の充電コンデンサのキャパシタンスの少なくとも１０倍の大きさであることは目的にかなっている。なぜならば、この第１の充電コンデンサはレーザー放電の維持のためのエネルギー供給の役割をするからである。好ましい実施例では、第１の充電コンデンサのキャパシタンスは第２の充電コンデンサのキャパシタンスの１５ないし２０倍の大きさである。

請求項６ないし１０に記載されているような別の有利な構成は実施例の説明と関連して一層詳細に説明する。

本発明は、請求項１ないしＩＯに示されるような装置により高電圧パルスを発生するための有利な方法をも対象としている。この本発明による方法は、第１図による回路の基礎になっている方法過程、すなわちＡ）少なくとも１つの充電装置によりパルス発生回路網が１つの充電電圧に充電され、この充電電圧がパルス発生回路網の出力側でＴＥガスレーザーのレーザー電極に与えられ、Ｂ）この充電電圧がより大きいキャパシタンスの第１の充電コンデンサとそれに対して直列の可飽和インダクタの形態の磁気スイッチとから成るパルス発生回路網の第１の岐路に与えられ、また、第１の枝路に対して並列に接続されており、第１の充電コンデンサよりも少なくとも１桁だけ小さく、レーザー電極に対して並列に接続されている第２の充電コンデンサから成る第２の枝路に与えられ、Ｃ）磁気スイッチの飽和が少なくとも１つの高電圧スイッチの閉路により開始される方法過程から出発する。

本発明による方法はこの方法過程を拡張して、ａ）充電コンデンサが、レーザー電極の闇の点弧の開始前に、レーザーの点弧電圧のほぼ２倍に相当する電圧に充電され、磁気スイッチがなお不飽和状態に保たれ、ｂ）次いでトリガ枝路の高電圧スイッチが閉じられ、こうして第２の充電コンデンサがリアクトルを介して少なくとも部分的に放電され、他方において第１の充電コンデンサの電荷は、磁気スイッチを通って流れる磁化電流がごくわずかであることに基づいて、実際上保存され−こおり、Ｃ）いま磁気スイッチが飽和状態にもたらされ、またそれによってその飽和状態で強く減ぜられたインダクタンスおよびインピーダンスの値が電荷トランスフ１電流を第１の充電コンデンサから少なくとも部分的に放電する第２の充電コンデンサへ流れさせ、その際にこの電荷トランスファ電流がレーザー電極における電圧を充電電圧のほぼ２倍の電圧に上昇させ、またそれによってレーザーを点弧させ、ｄ）いま第１の充電コンデンサがその蓄積されたエネルギーを、飽和状態、従ってまた良好な導通状態にある磁気スイッチを介してレーザー放電電流として放出し、またトリガ枝路の高電圧スイッチが開かれ、ｅ）レーザー放電の終了後に新たに充電コンデンサの充電により開始され、以下、（ａ）ないしくｄ）で説明したように繰り返されることを特徴とする。

以下、本発明の特徴および利点を本発明による装置の第２図ないし第５図に示されている４つの実施例とその基礎になっている本発明による方法の方法過程とにより一層詳細に説明する。その際に先ず第２図を参照して説明する。

Ｃ１はエネルギー蓄積コンデンサであり、Ｃ２はレーザーの点弧のためにのみ必要とされるより小さいキャパシタンスである。

磁気スイッチＭ１によりコンデンサＣ３はその他の回路から隔てられる。コンデンサＣ５はもはや必要とされず、従って第２の充電装置は必要でない。能動的スイッチＴｈｙ　（この例ではサイラトロン）はレーザー電極に対して並列に接続されており、またこうして入力側で接地されている。スイッチＴｈｙが曝されている電圧はそれによってレーザー電圧に相当する。それは従来の回路技術の場合よりも高くない。

コンデンサＣ６およびＣｔは開始時にレーザーのバーン電圧の２倍に相当する電圧に充電されている。磁気スイッチＭ１は飽和されていない。能動的スイッチＴｈｙＯ点弧の後にコンデンサＣ２はリアクトルＬＳＩを介して放電され、他方において０１の電荷は実際上持続する。コアの大きさ、巻回数および周期Ｃｔ’Ｌｓ１により磁気スイッチＭ１の飽和時点は予め定められる。この時点でＣＩにおける電圧はほぼ不変であり、またそれによって、部分的に放電されたＣ２における電圧よりも高い。それによちで、十分に小さいＣｔ　　（Ｃ２＜＜ＣＩ　、Ｃｚが完全に放電）の際に充電電圧の２倍の電圧へのレーザー電極における電圧上昇を生じさせるＣ１から０２への電荷トランスファが行われる。次いでレーザーＬＫが点弧し、またコンデンサＣ１がその蓄積されたエネルギーを飽和された磁気スイッチＭ１を介してレーザー放電のために供給する。電圧上昇の速度はこの回路ではキャパシタンスＣ！および磁気スイッチＭ１の飽和インダクタンスにのみ関係する。第１図による回路の場合と異なり、それはスイッチ回路内の周期に（すなわちインダクタンスＬｉ＋に）関係しないので、スイッチインダクタンスＬｓ＋の増大によりピーク電流が能動的スイッチによりさらに低下され得る。

能動的スイッチ要素としてこの回路では種々のスイッチ形式が使用され得る（たとえば火花間隙、マルチチャネル火花間隙、擬似火花スイッチ、サイラトロンなど）０本発明の範囲はサイラトロンの使用に制限されない。特に言及すべきことは、能動的スイッチング要素に代わりに別の磁気スイッチＭ２を使用し得ることである（第３図）、さらに能動的スイッチング過程が点弧の開始に必要であるので、この回路には、中間蓄積コンデンサＣｏ、リアクトルし、およびスイッチＳ（たとえばサイシトロン）から成るコンデンサＣＩ、Ｃ２のパルス充電のための回路が使用される。

このパルス充電は、エネルギー蓄積器としてのいわゆる水コンデンサにより動作する高エネルギーレーザーではいずれにせよ存在しており、従って費用を付加することとはならない、すなわちスイッチＳはそれによリトリガされる点弧過程により追加的に負荷されない。

最初に、すなわちスイッチＳの閉路後に磁気スイッチＭ１およびＭ２は飽和されていない。パルス充電過程は数μｓ継続するので、Ｍ２の磁気コアはその大きさおよび巻回数を、この時間の間に飽和しないように設計されていなければならない。それに対してＭｌのコアははるかに短い飽和時間（典型的に２００ｎｓ）を有するものとして設計されている。それに従ってパルス充電過程の開始後にコアＭ１は非常に迅速に飽和し、それによってＣ８およびＣ２の同時の充電を可能にする。Ｍｌのコア材料は、コアがパルス充電の終了後に再び不飽和状態にされるように選定されている（いわゆるＦ材料、残留磁気なし）６しかし、この時点で磁気スイッチＭ２は飽和するので、コンデンサＣ２は放電され得る。

その後の過程は先に第２図で説明したように進行する。すなわち、この回路変形例では、多くのレーザーにおいていずれにせよ存在しているスイッチＳのほかに別の能動的スイッチング要素が必要とされない。

以上の説明から明らかなように、第２図による第１の実施例により説明したような方法過程の前にパルス充電過程が行われ、また磁気スイッチＭ１と高電圧スイッチとしてトリガ枝路内に配置されている磁気スイッチＭ２との双方が有利に共同動作する。し−ザー過程がその終了に近付き、または終了すると、第２図による実施例ではトリガ岐路が開く、すなわち、そこに示されているサイラトロンＴｈｙが、それに与えられている電圧が限界値の下側に低下する際に自動的に遮断する。また第３図による実施例の場合には磁気スイッチＭ２の飽和状態が終了し、また磁気スイッチＭ２が良好な導通状態から不導通または非常に悪い導通状態（不飽和状態）に跳躍移行する。

第４図による第３の実施例では、第２図による第１の実施例と相違して、第１の充電コンデンサＣ１および飽和可能な磁気インダクタＭ１が互いに交換されているので、短縮して磁気スイッチＭ１と呼ばれる飽和可能な磁気インダクタが接地電位と接続されているという利点が生ずる。第４図を考察すると認識されるように、高電圧側の電位から接地電位への方向に見て、第１の枝路の直列回路において第１の充電コンデンサＣ１に磁気スイッチＭ１が続いており、従って後者が直接に接地されている。回路原理はそれにより原理的に変更されない。すなわち、本発明による方法はこの回路によっても先に第２図により説明したように実現され得るので、ここで方法過程の一層詳細な説明は省略され得る。

第５図による第４の実施例では、パルス充電段ＰＡＳ　１を有する第２の充電装置ＬＧ２が第１の充電装置ＬＧＩに付加してパルス発生回路網に連結回路により磁気スイッチＭ１に対して並列に接続されており、第１の充電装置ＬＧＩおよび連結回路の接続点は第１の充電コンデンサＣＩによりガルバニックに隔てられている。このような連結回路に対しては、ヨーロッパ特許第Ａｌ−０２１５２８６号明細書に一層詳細に説明されているような低インダクタンスの高電圧パルス変圧器が有利に使用され得る。図示されている実施例では、パルス充電段ＰＡＳ　Ｌの形態の連結回路はトリガ枝路り、、−’ｒｈｙに対して付加された、高電圧スイッチＳおよびリアクトルし、ｓｔの直列回路から成る第２のトリガ枝路Ｌｓｔ−３を有する。この第２のトリガ岐路は第３の充電キャパシタンスＣ４と並列に接続されており、またこの並列回路はその一方の端で第２の充電装置ＬＧ２に、またその他方の端で接地電位に接続されている。その他のパルス発生回路網への接続は、接地側の接続は別として、高電圧側の縦枝路に、磁気スイッチＭ１の高電圧側の端に接続されている結合コンデンサＣユを介して行われる。第４図および第５図の回路の比較により確認されるように、第５図による実施例では第２の充電装置ＬＧ２およびそれに付属のパルス充電段ＰＡＳ　１への接続が追加されている。詳細には第４図による回路の端子ｂ′、ｂへの接続が行われる。第２の充電袋ＷＬＧ２を有するこのパルス充電段ＰＡＳ　１は、パルス電圧の極性が高電圧スイッチＴｈｙにより開始されるコンデンサＣ２の放電過程が強められるように選定され得るとい・う利点を存する。このことは特に、そのパルス充電段ＰＡＳＬを有する第２の充電装置ＬＧ２のパルス電圧の極性が第１の充電装置ＬＧＩのそれに対して反対または負であることにより行われる。第５図による回路は本発明の変形の範囲内で、たとえばこのパルス充電段ＰＡＳ　１により追加的な充電袋ＷＬＧ２と協同し２て第２の充電コンデンサＣｔの電圧が低められずにし・−ザー・ブレークスルー電圧に高められ、すなわち第２の充電コンデンサＣ２の先行の放電が行われず、続いていまレーザー放電の開始に基づいて磁気スイッチＭ１の飽和過程が開始され、また第１の充電コンデンサＣ１から第２の充電コンデンサＣ２への電荷トランスファおよびレーザー放電の供給のためのレーザー電極バスＥ、−Ｅ、への電荷トランスファが行われるならば、トリガ枝路Ｔｈｙ−１１，１の機能がパルス充電段ＰＡＳ１により引き受けられることによって、別の可能性を開く。すなわち第２の充電コンデンサＣ２の放電のトリガリングは、第２の充電装置ＬＧ２および付属のパルス充電段ＰＡＳ　１からの高電圧パルスにより開始される。

なお言及すべきこととして、第３図ではパルス充電段は参照符号ＰＡＳを付されている。第２図になお付記すべきこととして、そこに示されているスイッチングサイラトロンＴｈｙはそのトリガ枝路内にレーザーインダクタンス（約１０ｎＨ）に比較して大きい約２μＨのインダクタンスを含んでいる。１つの構成では第２の充電コンデンサＣ２のキャパシタンスは１５ｎＦ、また第１の充電コンデンサＣ３のそれは２３５ｎＦであった。充電コンデンサのパルス充電はたとえば５ μｓの時間内に行われ、第２の充電コンデンサＣ２の短時間の放電期間の後に約２０ｎｓのうちにレーザー・ブレークスルー電圧またはそれ以上の値への急峻な電圧上昇が行われた。第１の充電コンデンサＣ７の大きいキャパシタンスはレーザーインダクタンスおよび磁気スイッチの飽和インダクタンスと共に比較的長いレーザー電流パルスを生ずる。特にエキシマ−レーザーとして構成されているＴＥレーザーの予備電離のために、Ｘ線予備電離が用いられることは目的にかなっている。なぜならば、それにより実際上均等にレーザー放電体積全体にわたり必要な数の電荷担体（イオン、電子）が得られるからである。高電圧スイッチング要素、特にサイラトロン内の電流は従来の技術に比較してほぼ１１５に減ぜられ得た。第４図および第５図による第３および第４の実施例においてトリガ岐路内にサイラトロンを使用することにより、類似の利点が生ずる。第３図による例は第２の磁気スイッチＭ２を使用している点でその他の実施例と異なっており、また前記のように両磁気スイッチＭ１およびＭ２が有利に協同作用する点で優れている。

ＩＧ　３Ｉ６４ＩＧ　５国際調査報告国際調査報告

Claims

【特許請求の範囲】１）少なくとも１つの充電装置（ＬＧ、ＬＧ１、ＬＧ２、ＰＡＳ）と、入力側で少なくとも１つの充電装置に接続され、出力側でレーザー電極（Ｅ１、Ｅ２）に接続されているパルス発生回路網とを含んでおり、より大きいキャパシタンスの第１の充電コンデンサ（Ｃ１）およびそれに対して直列の飽和可能なインダクタの形態の磁気スイッチ（Ｍ１）を有する第１の枝路と、第２の充電コンデンサ（Ｃ２）を有する第２の枝路とが互いに並列にレーザー電極（Ｅ１、Ｅ２）に接続されており、第２の充電コンデンサ（Ｃ２）が第１の充電コンデンサ（Ｃ１）に比較して小さいキャパシタンスを有しており、さらに少なくとも１つの高電圧スイッチが磁気スイッチ（Ｍ１）の飽和の開始と飽和された磁気スイッチを介してレーザー電極パスヘの第１の充電コンデンサ（Ｃ１）の放電の開始とのためのトリガとしての役割をする装置において、高電圧スイッチを有するトリガ枝路（Ｔｈｙ、Ｌｓ１；Ｍ２）がレーザー（ＬＫ）の電極パス（Ｅ１−Ｅ２）に対して並列に接続されていることを特徴とする特にＴＥガスレーザー用の高電力の高電圧パルスの発生のための装置。２）トリガ枝路が高電圧スイッチ（Ｔｈｙ）およびリアクトル（Ｌｓ１）の直列回路から成っていることを特徴とする請求項１記載の装置。３）トリガ枝路が磁気スイッチ（Ｍ２）を有しており、パルス発生回路網に、充電装置から充電可能な中間蓄積コンデンサ（Ｃ０）と、その高電圧側の極に接続されており高電圧スイッチ（Ｓ）およびインダクタンス（Ｌ０）から成る直列回路とから成るパルス充電段（ＰＡＳ）が属しており、前記直列回路がその他方の端で、一方のレーザー電極（Ｅ１）も接続されているパルス発生回路網の高電圧側の縦枝路と接続されていることを特徴とする請求項１記載の装置。４）第１の充電コンデンサ（Ｃ１）のキャパシタンスが第２の充電コンデンサ（Ｃ２）のキャパシタンスの少なくとも１０倍の大きさであることを特徴とする請求項１ないし３の１つに記載の装置。５）第１の充電コンデンサ（Ｃ１）のキャパシタンスが第２の充電コンデンサ（Ｃ２）のキャパシタンスの１５ないし２０倍の大きさであることを特徴とする請求項４記載の装置。６）高電圧側の電位から接地電位への方向に見て、第１の枝路の直列回路において第１の充電コンデンサ（Ｃ１）に磁気スイッチ（Ｍ１）が続いており、従って後者が直接に接地されていることを特徴とする請求項１ないし５の１つに記載の装置。７）パルス充電段（ＰＡＳ１）を有する第２の充電装置（ＬＧ２）が第１の充電装置（ＬＧ１）に追加的にパルス発生回路網に連結回路（Ｌｓ２、Ｓ、Ｃ３、Ｃ４）により磁気スイッチ（Ｍ１）に対して並列に接続されており、第１の充電装置および連結回路の接続点が第１の充電コンデンサ（Ｃ１）によりガルバニックに隔てられていることを特徴とする請求項６記載の装置。８）第２の充電装置（ＬＧ２）のパルス電圧の極性がトリガ枝路の閉路の後に第２の充電コンデンサの放電過程を強めるように選定されていることを特徴とする請求項７記載の装置。９）第２の充電装置（ＬＧ２）のパルス電圧の極性が第１の充電装置（ＬＧ１）のそれに対して反対または負であることを特徴とする請求項８記載の装置。１０）連結回路が第１のトリガ枝路（Ｌｓ１−Ｔｈｙ）に付加して、高電圧スイッチ（Ｓ）およびリアクトル（Ｌｓ２）の直列回路から成る第２のトリガ枝路（Ｌｓ２−Ｓ）を有し、この第２のトリガ枝路（Ｌｓ２−Ｓ）および第３の充電キャパシタンス（Ｃ４）から成る並列回路がその一方の端で第２の充電装置（ＬＧ２）に、その他方の端で接地電位に接続されており、この並列回路がその充電装置側の端で結合キャパシタンス（Ｃ３）を介して磁気スイッチ（Ｍ１）の高電圧側の端に接続されていることを特徴とする請求項７ないし９の１つに記載の装置。１）Ａ）少なくとも１つの充電装置（ＬＧ、ＬＧ１、ＬＧ２、ＰＡＳ）によりパルス発生回路網が１つの充電電圧に充電され、この充電電圧がパルス発生回路網の出力側でＴＥガスレーザーのレーザー電極（Ｅ１、Ｅ２）に与えられ、Ｂ）この充電電圧がより大きいキャパシタンスの第１の充電コンデンサ（Ｃ１）とそれに対して直列の可飽和インダクタの形態の磁気スイッチ（Ｍ１）とから成るパルス発生回路網の第１の枝路に与えられ、また、第１の枝路に対して並列に接続されており、第１の充電コンデンサ（Ｃ１）よりも少なくとも１桁だけ小さく、レーザー電極（Ｅ１、Ｅ２）に対して並列に接続されている第２の充電コンデンサ（Ｃ２）から成る第２の枝路に与えられ、Ｃ）磁気スイッチ（Ｍ１）の飽和が少なくとも１つの高電圧スイッチ（Ｔｈｙ、Ｍ２）の閉路により開始される方法において、ａ）充電コンデンサ（Ｃ１、Ｃ２）が、レーザー電極（Ｅ１、Ｅ２）の間の点弧の開始前に、レーザーの点弧電圧のほぼ２倍に相当する電圧に充電され、磁気スイッチ（Ｍ１）がなお不飽和状態に保たれ、ｂ）次いでトリガ枝路の高電圧スイッチ（Ｔｈｙ、Ｍ２）が閉じられ、こうして第２の充電コンデンサ（Ｃ２）がりアクトル（Ｌｓ１）を介して少なくとも部分的に放電され、他方において第１の充電コンデンサ（Ｃ１）の電荷は、磁気スイッチ（Ｍ１）を通って流れる磁化電流がごくわずかであることに基づいて、実際上保存されており、ｃ）いま磁気スイッチ（Ｍ１）が飽和状態にもたらされ、またそれによってその飽和状態で強く減ぜられたインダクタンスおよびインピーダンスの値が電荷トランスファ電流を第１の充電コンデンサ（Ｃ１）から少なくとも部分的に放電する第２の充電コンデンサ（Ｃ２）へ流れさせ、その際にこの電荷トランスファ電流がレーザー電極（Ｅ１、Ｅ２）における電圧を充電電圧のほぼ２倍の電圧に上昇させ、またそれによってレーザーを点弧させ、ｄ）いま第１の充電コンデンサ（Ｃ１）がその蓄積されたエネルギーを、飽和状態、従ってまた良好な導通状態にある磁気スイッチ（Ｍ１）を介してレーザー放電電流として放出し、またトリガ枝路の高電圧スイッチ（Ｔｈｙ；Ｍ２）が開かれ、ｅ）レーザー放電の終了後に新たに充電コンデンサ（Ｃ１、Ｃ２）の充電により開始され、以下、（ａ）ないし（ｄ）で説明したように繰り返されることを特徴とする請求項１ないし１０の１つによる装置により高電圧パルス発生する方法。