JPH03504285A - Ｘ線リソグラフイの投影スケール変更方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｘ線リングラフィの投影スケール変更方法この発明は、パターンを形成すべき対 象物の表面の少なくとも一部が平行化されたＸ線を対象物の前に置かれたマスク を通して供給され、対象物が少なくともパターンを形成すべき領域で変形させら れ、個々の表面上の点で変形により発生させられた曲率半径が対象物の露光中は 一定に保たれるようにした。Ｘ線リソグラフィの投影スケール変更方法に関する 。この種の方法はドイツ連邦共和国特許出願第３Ｂ３９３４８．０号又は相応の アメリカ合衆国特許出願番号第１１９０９４号（１９８７年）又は相応の特開昭 ＄８３−２８３００２２号明細書に記載されている。

前記先願明細書による方法では、マスクは断面で見て方形の形状を有するシンク ロトロン放射光を供給される。その際高さの寸法は例えば３ｍｍであり一方輻の 寸法は例えば３０ｍｍである。

このことは特に投影スケールの大きい変更の際に解像度低下を招くおそれがある 。

前記先願明細書による方法を改善するためにこの発明に基づき、シンクロトロン 放射の形のＸ線を出射する放射源とマスクとの間に、円筒鏡がその軸線に関して 放射方向に直角にシンクロトロン放射を垂直方向に集束するように配置されるこ とにより、線状の断面のＸ線による対象物の露光が行われる。

この発明に基づ〈方法の重要な長所は、シンクロトロン放射を出射する放射源と マスクとの間の光路の中に円筒鏡を用いることにより、例えば１ｍｍの高さの細 い露光線となったＸ線がマスク上へ供給されるということにある。このようなＸ 線のために解像度低下を発生することなく投影スケールの比較的大きい変更をも 垂直なマスク移動により実施することができる。それにより投影スケールの比較 的大きい変更の場合にもマスクの鮮明な投影が対象物の全表面にわたり行われる 。

この発明に基づ〈方法の場合に円筒鏡には別の円筒鏡が付設されるのが有利であ り、この別の円筒鏡はその軸線に関してほぼ放射方向に平行にシンクロトロン放 射を水平方向に集束するように配置される。コリメータの機能を有するこの別の 円筒鏡によりマスク上のＸ線の強度増加が達成されるので有利である。その軸線 をほぼ放射方向に整列したこの種の円筒鏡の配置自体は、専門誌「ジャーナル　 才プ　バキューム　サイエンス　テクノロジー」第Ｂ１巻（第４号）、１９８３ 年１０／１２月、第１２６２〜１２６６ページ、特に第１図から知られている。

この公知技術の場合にはシンクロトロン放射を出射する放射源とマスク又は対象 物との間の光路の中にただ一つだけこの円筒鏡が配置されている。両円筒鏡の組 み合わせにより、二つの円筒鏡を備えた装置から出るＸ線が高さ方向にだけずれ て先へ導かれ、後置された別の円筒鏡の無い場合のように斜めの角度を成して走 ることはないということが達成できる。それによりマスクを備えた露光装置と対 象物との配置が一層簡単になる。場合によっては別の円筒鏡の代わりに平面鏡を 用いることもできる。

前記先願明細書には既に、マスク上でのＸ線の移動のために回転自在に軸受支持 された鏡を用いることができることが述べられている。この発明に関しては一つ の円筒鏡又は別の円筒鏡が回転自在に配置されることによりこれを同様に実現す ることができる。しかし両円筒鏡が露光中に動かされず、マスクが対象物と共に Ｘ線に対し直角に動かされるのが特に有利であると考えられる。

この発明を説明するために、 第１図には、この発明に基づく方法を実施するための装置の一実施例が平面図で 示され、 第２図には、第１図に示す装置の一部が側面図で示されている。

第１図に示された装置では放射源１は電子貯蔵リング又は円形加速器から成り、 電子線の図示の経路２がこれを象徴する。放射源ｌはシンクロトロン放射３とし てＸ線を出射し、Ｘ線は放射源ｌから出てまず円筒鏡４に当たり、この円筒鏡の 軸線は特に第２図に示すように放射方向に対し直角に配置されている０円筒鏡４ はシンクロトロン放射に対して集束効果を有し、Ｘ線を高さ方向に（第１図の紙 面に直角に）集束するように働く０円筒鏡４には別の円筒鏡５が後置され、円筒 鏡５上へ円筒鏡４からシンクロトロン放射が導かれる。別の円筒鏡５はコリメー タとして働き１円筒鏡５から出射するＸ線が後置されたマスク６の寸法に相応し て選ばれた幅すを有するように働く０両円筒鏡４．５に基づきマスク６の範囲に はシンクロトロン放射が輻すを有する線として生じる。

第１図の断面図は一方では円筒鏡４又は別の円筒鏡５の形状を示し、また他方で は断面Ｉ−Ｉに関しては放射源１から出射するシンクロトロン放射の放射面７に 関する円筒鏡４の傾斜をも示す。

ところで第１図に示された装置は、所望のパターンを支持するマスク６のほかに 調節ユニット８と感光性層９とを被覆された半導体ウェーハｌＯとを備え、半導 体ウェーハは調節ユニット８によりマスク６に対して所定の間隔Ｐを置いて位置 決めされマスクに対し整列させられている。更にこの装置は半導体ウェーハ１０ に対し相対的にマスク６を移動する別の調節ユニット１１を備える０図面を見や すくするために別の調節ユニット１１に似ており露光中にマスク６を垂直にかつ マスク・半導体ウェーハ系の走査運動に同期して動かすために用いる装置は示さ れていない。

半導体ウェーハ１０と調節ユニット８との間には保持体１２が配置され、保持体 の表面はマスク６に向かう面上で曲率半径Ｈに応じて円筒形に構成されている。

その際この保持体１２の表面上には望ましくは環状の一つ又は複数の溝１３が掘 り込まれ、これらの溝は流路１４を介して第１図には示されていない真空ポンプ １５に結合されているので、所望の表面変形が半導体ウェーハｌＯの吸着により 自動的に生じる（静的変形）。

そのほかは＠ｉ図に示す装置は前記先願明細書に詳述されたような方法で働く。

最後にこの発明によれば、先願明細書に記載の方法ばかりでなく自明のように先 願明細書に記載の方法を実施するための装置をも改善することができる。

ヘ 工 国際調査報告 国際調査報告 ＤＥ　８９００２９８ Ｓ＾　２８４７７

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. １．パターンを形成すべさ対象物の表面の少なくとも一部が平行にされたＸ線を 対象物の前に置かれたマスクを通して供給され、対象物が少なくともパターンを 形成すべき領域で変形させられ、個々の表面上の点で変形により発生させられた 曲率半径が対象物の露光中は一定に保たれるようにした、Ｘ線リングラフィの投 影スケール変更方法にむいて、シンクロトロン放射の形のＸ線を出射する放射源 （１）とマスク（６）との間に、円筒鏡（４）がその軸線に関して放射方向に直 角にシンクロトロン放射を垂直方向に集束するように配置されることにより、対 象物（１０）の露光が線形断面のＸ線により行われることを特徴とするＸ線リソ グラフィでの投影スケール変更方法。
2. ２．円筒鏡（４）には別の円筒鏡（５）が付設され、この別の円筒鏡はその軸線 に関してほぼ放射方向に平行にシンクロトロン放射を水平方向に集束するように 配置されていることを特徴とする請求項１記載の方法。
3. ３．一つの円筒鏡（４）又は別の円筒鏡（５）が回転自在に配置されることを特 徴とする請求項２記載の方法。