JPH035002B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH035002B2 JPH035002B2 JP57164643A JP16464382A JPH035002B2 JP H035002 B2 JPH035002 B2 JP H035002B2 JP 57164643 A JP57164643 A JP 57164643A JP 16464382 A JP16464382 A JP 16464382A JP H035002 B2 JPH035002 B2 JP H035002B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mno
- added
- dielectric constant
- barium titanate
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 7
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 20
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910004774 CaSnO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004607 CdSnO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007694 ZnSnO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000005402 stannate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はチタン酸バリウムを主体とする高誘電
率でかつ緻密なセラミツク構造を有する高誘電率
磁器組成物に関するものである。
率でかつ緻密なセラミツク構造を有する高誘電率
磁器組成物に関するものである。
従来の技術
従来より磁器コンデンサの組成物として、チタ
ン酸バリウムを主体とするものが数多く知られて
いる。チタン酸バリウムは周知のように、強誘電
性を有する特異な物質で高温では立方晶系のペロ
ブスカイト形の構造を有し、120℃以下ではＣ軸
が僅かに伸びて正方晶となり、さらに０℃付近で
斜方晶、−80℃付近で菱面体晶へと変化する。上
記120℃付近の相転移点を特にキユリー点という
が、このキユリー点を境にしてそれより高温で常
誘電性を示し、低温では強誘電性を示す。そし
て、このキユリー点において、誘電率が約10000
と極めて高い値を示す。ここで、チタン酸バリウ
ムだけでは常温で高誘電率とはなり得ない。そし
て、チタン酸バリウムのキユリー点付近の高誘電
率を低温側に移動させる事により、常温付近で適
当な静電容量を有する小型のコンデンサを実用化
する事は従来より数多く行われている。この誘電
率のピーク値のあらわれる温度を移動させる添加
剤はシフターと呼ばれ、BaSnO3、SrSnO3、
CaSnO3、PbSnO3、CuSnO3、ZnSnO3、CdSnO3
等のスズ酸塩、BaZrO3、CaZrO3、SrZrO3等の
ジルコン酸塩及びSrTiO3、PbTiO3等のチタン酸
塩が一般的に知られ、上記の順にシフターとして
の効果が強い。これらのシフターを利用したチタ
ン酸バリウム系磁器コンデンサは単板型リード付
タイプのものとして利用されてきた。
ン酸バリウムを主体とするものが数多く知られて
いる。チタン酸バリウムは周知のように、強誘電
性を有する特異な物質で高温では立方晶系のペロ
ブスカイト形の構造を有し、120℃以下ではＣ軸
が僅かに伸びて正方晶となり、さらに０℃付近で
斜方晶、−80℃付近で菱面体晶へと変化する。上
記120℃付近の相転移点を特にキユリー点という
が、このキユリー点を境にしてそれより高温で常
誘電性を示し、低温では強誘電性を示す。そし
て、このキユリー点において、誘電率が約10000
と極めて高い値を示す。ここで、チタン酸バリウ
ムだけでは常温で高誘電率とはなり得ない。そし
て、チタン酸バリウムのキユリー点付近の高誘電
率を低温側に移動させる事により、常温付近で適
当な静電容量を有する小型のコンデンサを実用化
する事は従来より数多く行われている。この誘電
率のピーク値のあらわれる温度を移動させる添加
剤はシフターと呼ばれ、BaSnO3、SrSnO3、
CaSnO3、PbSnO3、CuSnO3、ZnSnO3、CdSnO3
等のスズ酸塩、BaZrO3、CaZrO3、SrZrO3等の
ジルコン酸塩及びSrTiO3、PbTiO3等のチタン酸
塩が一般的に知られ、上記の順にシフターとして
の効果が強い。これらのシフターを利用したチタ
ン酸バリウム系磁器コンデンサは単板型リード付
タイプのものとして利用されてきた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、最近積層チツプ化技術が進歩
し、30〜100μｍ程度の誘電体シートが容易に得
られ、この薄膜を電極を挟持する形で幾層も積層
したいわゆる積層セラミツクチツプコンデンサが
種々のエレクトロニクス業界に進出してきてお
り、従来の誘電体磁器組成物をこのような積層薄
膜誘電体として利用する事が多くなってきてい
る。しかしながら、従来の単板型磁器コンデンサ
では誘電体の厚みが100μｍ〜10000μｍと厚いが、
積層セラミツクチツプコンデンサでは10μｍ〜
20μｍと薄いため５〜10倍以上の電界強度を受け
る。したがつて、従来の単板型コンデンサに比較
してより電圧依存性の小さい組成物が要求されて
いる。また、誘電体層が薄くなるにしたがい、セ
ラミツクの構造的な欠陥が特性に出やすくなるの
で、結晶粒子が均一でかつ微細である事と、空孔
が少なくかつ小さい事が望まれる。
し、30〜100μｍ程度の誘電体シートが容易に得
られ、この薄膜を電極を挟持する形で幾層も積層
したいわゆる積層セラミツクチツプコンデンサが
種々のエレクトロニクス業界に進出してきてお
り、従来の誘電体磁器組成物をこのような積層薄
膜誘電体として利用する事が多くなってきてい
る。しかしながら、従来の単板型磁器コンデンサ
では誘電体の厚みが100μｍ〜10000μｍと厚いが、
積層セラミツクチツプコンデンサでは10μｍ〜
20μｍと薄いため５〜10倍以上の電界強度を受け
る。したがつて、従来の単板型コンデンサに比較
してより電圧依存性の小さい組成物が要求されて
いる。また、誘電体層が薄くなるにしたがい、セ
ラミツクの構造的な欠陥が特性に出やすくなるの
で、結晶粒子が均一でかつ微細である事と、空孔
が少なくかつ小さい事が望まれる。
このような背景において、本発明者らは特願昭
57−16809号によりすでに高誘電率でかつセラミ
ツクの構造欠陥が少なく、電圧依存性の小さい、
しかも高耐圧な高誘電率磁器組成物を提供してい
る。すなわち、Ba1-xCe2/3xTiO3で表わされるチ
タン酸バリウム系の「完全」固溶体であつて、ｘ
の数値が6/106〜8/108の範囲からなる高誘電率磁
器組成物である。ここで、「完全」固溶体とは未
固溶の成分が残存しない固溶体をいう。
57−16809号によりすでに高誘電率でかつセラミ
ツクの構造欠陥が少なく、電圧依存性の小さい、
しかも高耐圧な高誘電率磁器組成物を提供してい
る。すなわち、Ba1-xCe2/3xTiO3で表わされるチ
タン酸バリウム系の「完全」固溶体であつて、ｘ
の数値が6/106〜8/108の範囲からなる高誘電率磁
器組成物である。ここで、「完全」固溶体とは未
固溶の成分が残存しない固溶体をいう。
しかしながら、この組成物では絶縁抵抗がやや
低い事、及び発色が鮮明な赤であり、樹脂外装を
行なわない積層セラミツクチツプコンデンサにあ
つてはそのパラジウム電極が透けて見えるために
外観品位をそこなうという問題があった。
低い事、及び発色が鮮明な赤であり、樹脂外装を
行なわない積層セラミツクチツプコンデンサにあ
つてはそのパラジウム電極が透けて見えるために
外観品位をそこなうという問題があった。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の高誘電率磁
器組成物は、チタン酸バリウム系「完全」固溶体
Ba1-xCe2/3xTiO3（ｘ＝６／106〜８／108）の100モル部 に対して、Mn成分をMnO2の形にして0.05〜0.2
モル部を含有させたものである。
器組成物は、チタン酸バリウム系「完全」固溶体
Ba1-xCe2/3xTiO3（ｘ＝６／106〜８／108）の100モル部 に対して、Mn成分をMnO2の形にして0.05〜0.2
モル部を含有させたものである。
作 用
この構成により絶縁抵抗が向上し、さらに磁器
の発色の明度を下げ積層セラミツクチツプコンデ
ンサのパラジウム電極が磁器を通して透けて見え
なくなり外観品位が向上するものである。
の発色の明度を下げ積層セラミツクチツプコンデ
ンサのパラジウム電極が磁器を通して透けて見え
なくなり外観品位が向上するものである。
実施例
以下実施例に基づき詳細に本発明を説明する。
まず、チタン酸バリウム（BaTiO3）を次のよ
うに合成した。すなわち、炭酸バリウム
（BaCO3）と酸化チタン（TiO2）を〔Ba〕／
〔Ti〕比が1.000±0.005の精度で混合し、1100〜
1150℃で仮焼後、粉砕してBaTiO3を得た。この
BaTiO3100モル部に対して、 CeO22／３（７±１）モル部及びTiO27±１モ
ル部を添加し、さらにMnO2を種々の割合で添加
して混合した。この混合物にバインダーを加えて
造粒し、角板状に成型して1250〜1350℃の範囲で
焼成した。この後、銀電極を形成した。
うに合成した。すなわち、炭酸バリウム
（BaCO3）と酸化チタン（TiO2）を〔Ba〕／
〔Ti〕比が1.000±0.005の精度で混合し、1100〜
1150℃で仮焼後、粉砕してBaTiO3を得た。この
BaTiO3100モル部に対して、 CeO22／３（７±１）モル部及びTiO27±１モ
ル部を添加し、さらにMnO2を種々の割合で添加
して混合した。この混合物にバインダーを加えて
造粒し、角板状に成型して1250〜1350℃の範囲で
焼成した。この後、銀電極を形成した。
第１図Ａ，Ｂ，ＣはMnO2の添加量と電気特性
の関係を示す図である。この第１図から明らかな
ように、同図Ａの誘電率εはMnO2の添加量が0.2
モル部を超えると次第に減少する傾向にある。ま
た、第１図Ｂで示される誘電損失角tanδはMnO2
が0.5モル部を超えると大きくなる傾向がある。
さらに、第１図Ｃで示される絶縁抵抗I.Rは
MnO2が増加するにしたがい漸増する。
の関係を示す図である。この第１図から明らかな
ように、同図Ａの誘電率εはMnO2の添加量が0.2
モル部を超えると次第に減少する傾向にある。ま
た、第１図Ｂで示される誘電損失角tanδはMnO2
が0.5モル部を超えると大きくなる傾向がある。
さらに、第１図Ｃで示される絶縁抵抗I.Rは
MnO2が増加するにしたがい漸増する。
以上述べたMnO2添加量に対する効果は既に特
願昭57−16809号に開示するBa1-xCe2/3xTiO3の表
式で示されるBaサイトをBa原子３個に対してCe
原子２個が置換した「完全」固溶体の生成を妨げ
ない領域があることを示すものであり、0.2モル
部以下のMnO2添加量では前記の完全固溶体から
なるグレイン中にMnO2のほとんどが固溶するも
のと考えられる。しかしながら、0.2モル部を越
えると誘電率が下がり始めることから、粒界に
Mn成分が偏在化することが容易に推察される。
粉末Ｘ線回折の結果では0.2モル部以下のMnO2添
加量の範囲においてチタン酸バリウム系のペロブ
スカイト形結晶相だけが確認でき、他の結晶相が
存在したとしてもバツクグラウンドに回折ピーク
がかくれ、確認は困難であるが、0.5モル部の
MnO2添加においてはBaTiO3タイプの結晶相以
外にMnO2の未反応相が検出される。
願昭57−16809号に開示するBa1-xCe2/3xTiO3の表
式で示されるBaサイトをBa原子３個に対してCe
原子２個が置換した「完全」固溶体の生成を妨げ
ない領域があることを示すものであり、0.2モル
部以下のMnO2添加量では前記の完全固溶体から
なるグレイン中にMnO2のほとんどが固溶するも
のと考えられる。しかしながら、0.2モル部を越
えると誘電率が下がり始めることから、粒界に
Mn成分が偏在化することが容易に推察される。
粉末Ｘ線回折の結果では0.2モル部以下のMnO2添
加量の範囲においてチタン酸バリウム系のペロブ
スカイト形結晶相だけが確認でき、他の結晶相が
存在したとしてもバツクグラウンドに回折ピーク
がかくれ、確認は困難であるが、0.5モル部の
MnO2添加においてはBaTiO3タイプの結晶相以
外にMnO2の未反応相が検出される。
次に、上記のMnO2の各種添加量の組成につい
て、第２図に示すような積層セラミツクチツプコ
ンデンサを試作した。尚、第２図において１は誘
電体で電極間厚さは35μｍ、２はパラジウム電
極、３は銀端子電極である。
て、第２図に示すような積層セラミツクチツプコ
ンデンサを試作した。尚、第２図において１は誘
電体で電極間厚さは35μｍ、２はパラジウム電
極、３は銀端子電極である。
第３図Ａ，Ｂ，Ｃはこのような積層セラミツク
チツプコンデンサについて、MnO2添加量と電気
特性の関係を示したものである。また、斜線部は
パラジウム電極が厚み35μｍを誘電体層を通して
透けて見える範囲を示したものである。この第３
図から明らかなように、第１図に示される角板で
の電気特性値に比較してMnO2添加量依存性が比
較的大きい。まず、MnO2を0.2モル部を超えて添
加すると、第３図Ａで示されるように誘電率εは
極端に低下するが、02モル部以内ではほとんど誘
電率εは変化しない。また、絶縁抵抗I.Rは第３
図Ｂで示されるように0.2モル部において、MnO2
無添加の約５倍の値を示す。さらに、第３図Ｃで
示されるように誘電損失角tanδは0.3モル部以上
で大きくなる。
チツプコンデンサについて、MnO2添加量と電気
特性の関係を示したものである。また、斜線部は
パラジウム電極が厚み35μｍを誘電体層を通して
透けて見える範囲を示したものである。この第３
図から明らかなように、第１図に示される角板で
の電気特性値に比較してMnO2添加量依存性が比
較的大きい。まず、MnO2を0.2モル部を超えて添
加すると、第３図Ａで示されるように誘電率εは
極端に低下するが、02モル部以内ではほとんど誘
電率εは変化しない。また、絶縁抵抗I.Rは第３
図Ｂで示されるように0.2モル部において、MnO2
無添加の約５倍の値を示す。さらに、第３図Ｃで
示されるように誘電損失角tanδは0.3モル部以上
で大きくなる。
以上の結果から、MnO2の最適添加量の範囲は
パラジウム電極が透けて見えない0.05モル部と誘
電率が急に下降しはじめる直前の0.2モル部の間
に制限される。
パラジウム電極が透けて見えない0.05モル部と誘
電率が急に下降しはじめる直前の0.2モル部の間
に制限される。
尚、グレインサイズは実施例全般にわたり平均
２〜3μｍであり、ポアサイズも２〜3μｍ以下で
あつた。
２〜3μｍであり、ポアサイズも２〜3μｍ以下で
あつた。
発明の効果
以上述べたことから、本発明の組成物は特願昭
57−16809号の組成物と同様グレインが細かく、
ポアが少なく、小さい緻密なセラミツクが得られ
るといった利点を有すると共に、特願昭57−
16809号の絶縁抵抗性の大幅な改善と、積層セラ
ミツクチツプコンデンサとしてパラジウム電極が
透けて見える事のないセラミツクが提供しうるも
のである。特に、EIA規格のY5V特性積層セラ
ミツクチツプコンデンサ用誘電体組成物として極
めて有効であり、その産業的価値は大きいもので
ある。
57−16809号の組成物と同様グレインが細かく、
ポアが少なく、小さい緻密なセラミツクが得られ
るといった利点を有すると共に、特願昭57−
16809号の絶縁抵抗性の大幅な改善と、積層セラ
ミツクチツプコンデンサとしてパラジウム電極が
透けて見える事のないセラミツクが提供しうるも
のである。特に、EIA規格のY5V特性積層セラ
ミツクチツプコンデンサ用誘電体組成物として極
めて有効であり、その産業的価値は大きいもので
ある。
尚、実施令ではチタン酸バリウムを合成した
が、市販のチタン酸バリウムを用いてもかまわな
いことはもちろんである。
が、市販のチタン酸バリウムを用いてもかまわな
いことはもちろんである。
第１図Ａ，Ｂ，Ｃは本発明の組成物に関する
MnO2添加量と角板誘電体の特性を示す図、第２
図は本発明の組成物を適用した積層セラミツクチ
ツプコンデンサの断面図、第３図Ａ，Ｂ，Ｃは本
発明の組成物に関するMnO2添加量と積層セラミ
ツクチツプコンデンサの特性を示す図である。
MnO2添加量と角板誘電体の特性を示す図、第２
図は本発明の組成物を適用した積層セラミツクチ
ツプコンデンサの断面図、第３図Ａ，Ｂ，Ｃは本
発明の組成物に関するMnO2添加量と積層セラミ
ツクチツプコンデンサの特性を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チタン酸バリウム系「完全」固溶体Ba1-x
Ce2/3xTiO3〔ｘ＝６／106〜８／108〕の100モル部に対
し て、Mn成分をMnO2の形にして0.05〜0.2モル部
を含有させたことを特徴とする高誘電率磁器組成
物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164643A JPS5954107A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 高誘電率磁器組成物 |
| EP19830100980 EP0085941B1 (en) | 1982-02-04 | 1983-02-02 | Ceramic composition of high dielectric constant |
| DE8383100980T DE3366166D1 (en) | 1982-02-04 | 1983-02-02 | Ceramic composition of high dielectric constant |
| CA000420798A CA1188089A (en) | 1982-02-04 | 1983-02-03 | Ceramic composition of high dielectric constant |
| US06/483,610 US4461844A (en) | 1982-09-20 | 1983-04-11 | Ceramic composition of high dielectric constant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164643A JPS5954107A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954107A JPS5954107A (ja) | 1984-03-28 |
| JPH035002B2 true JPH035002B2 (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=15797078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57164643A Granted JPS5954107A (ja) | 1982-02-04 | 1982-09-20 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4461844A (ja) |
| JP (1) | JPS5954107A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61173408A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-05 | 沖電気工業株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| US4636378A (en) * | 1985-06-11 | 1987-01-13 | Hughes Aircraft Company | Method of preparation of perovskite-type compounds |
| US4811164A (en) * | 1988-03-28 | 1989-03-07 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Monolithic capacitor-varistor |
| JP2800017B2 (ja) * | 1989-04-05 | 1998-09-21 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックスコンデンサ |
| US5545184A (en) * | 1995-04-19 | 1996-08-13 | The Penn State Research Foundation | Cardiac defibrillator with high energy storage antiferroelectric capacitor |
| US5672378A (en) * | 1996-04-22 | 1997-09-30 | Mra Laboratories, Inc. | Method for making a BaTiO3 powder mixture the powder mixture and method for making a Y5V ceramic body therefrom |
| US6268054B1 (en) | 1997-02-18 | 2001-07-31 | Cabot Corporation | Dispersible, metal oxide-coated, barium titanate materials |
| CN101346784B (zh) * | 2005-12-26 | 2011-08-03 | 京瓷株式会社 | 层叠陶瓷电容器 |
| JP7032916B2 (ja) * | 2017-12-04 | 2022-03-09 | 太陽誘電株式会社 | セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2469584A (en) * | 1945-09-11 | 1949-05-10 | Nat Lead Co | Dielectric composition and method of making same |
| US3268783A (en) * | 1965-10-05 | 1966-08-23 | Murata Manufacturing Co | Capacitor comprising an nu-type semiconductor metallic oxide and a layer of compensated material |
| US3764529A (en) * | 1972-02-17 | 1973-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing fine grain ceramic barium titanate |
| JPS5732898B2 (ja) * | 1975-01-29 | 1982-07-14 | ||
| JPS5674917A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-20 | Tdk Electronics Co Ltd | Nonnlinear dielectric element |
-
1982
- 1982-09-20 JP JP57164643A patent/JPS5954107A/ja active Granted
-
1983
- 1983-04-11 US US06/483,610 patent/US4461844A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5954107A (ja) | 1984-03-28 |
| US4461844A (en) | 1984-07-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3146967B2 (ja) | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミック電子部品 | |
| JP2005022891A (ja) | 誘電体磁器および積層型電子部品 | |
| US4898844A (en) | Process for manufacturing a ceramic body having multiple barium-titanate phases | |
| JPH035002B2 (ja) | ||
| JPS6051207B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS6128621B2 (ja) | ||
| JPS6236327B2 (ja) | ||
| JPS6051202B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS6051205B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH041963B2 (ja) | ||
| JPH041965B2 (ja) | ||
| EP0085941B1 (en) | Ceramic composition of high dielectric constant | |
| JP2505030B2 (ja) | 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPS6051208B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH041964B2 (ja) | ||
| JPS6128620B2 (ja) | ||
| JPS6211444B2 (ja) | ||
| JPS6051206B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS61188810A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH037621B2 (ja) | ||
| JPS6134206B2 (ja) | ||
| JPS6216482B2 (ja) | ||
| JPS63156062A (ja) | 高誘電率磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPS6211443B2 (ja) | ||
| JPH0522667B2 (ja) |