JPH0349417Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、特に高周波・高出力の電力増幅をす
る半導体を周辺部品（たとえば印刷配線板）に実
装接続する半導体の実装構造に関するものであ
る。

［従来の技術］ 従来の半導体の実装構造を示すものとして、第
２図に示すものがある。同図中、半導体本体３は
基板４の開口部５に位置し、半導体本体３の固定
用の台２は放熱器７へネジ６で固定され、半導体
本体３の外部リード１は基板４の接続部８へ半田
付にて接続されている。この場合の半田付による
接続は、外部リード１の下面と基板の接続部８の
みである。

［解決すべき問題点］ 従来の半導体の実装構造によれば、仮に半導体
で高周波・高出力（例えば、800MHz・40W程度）
の電力増幅を断続して行なつた場合、半導体本体
３と、基板４の接続部８の周辺の温度は上昇と降
下（例えば、25℃〜80℃）を繰り返し、半導体本
体３の外部リード１と基板４の温度分布と熱膨張
率の相違から、外部リード１と上記基板４の接続
部８の間の半田に繰り返し大きなひずみが働く。
このような状態が長時間（例えば、数カ月〜１
年）続くと、外部リード１と基板４の接続部８の
間にある半田が熱疲労破壊をお起こし、半導体の
増幅作用に悪影響を与える問題があつた。

［問題点の解決手段］ 本考案は、上記問題点を解決したものであり、
半導体の外部リードの上面と基板のリード取付導
体の有効半田付面に電気的・熱的良導体（例え
ば、銅）を、双方に跨ぐように配置し、ろう付
（半田付を含む）したものである。即ち、本考案
は半導体の外部リードの上面と基板の有効半田付
面の双方を跨ぐように配置し接続した電気的・熱
的良導体により半導体と基板の接続部の温度分布
を均一化する作用と、熱膨張率の相違から来る応
力を分散する作用と、半田付する面積を倍加し、
接続強度を向上する作用とを生ぜしめる。これら
作用の相乗効果により、接続部の半田の熱疲労破
壊を防止し、半導体と基板の接続信頼性を向上し
たものである。

［実施例］ 次に、本考案を第１図に示した実施例を使つて
詳しく説明する。第１図は本考案に係る半導体の
接続部構造の実施例の部分斜視図である。第１図
と同一部分には同一符号を付して、その説明を省
略する。第１図中、本考案の半導体の実装構造が
従来のそれと違うのは、半導体本体３の外部リー
ド１の上部と基板４上のリード取付導体の有効半
田付部９に銅棒１０を、双方を跨ぐように配置し
半田付したことである。この構造により、半導体
本体３から外部リード１に伝達される熱は銅棒１
０を介して基板４へ伝達され、温度分布が均一化
する。又、基板４の熱膨張による応力は銅棒１０
で分散する。更に、半導体本体３の外部リード１
の下面及び上面と、基板４の有効半田付面９とで
半田付することにより、接続強度が向上されてい
る。

［考案の効果］ 以上説明した如く、本考案の実装構造は、半導
体を基板の開口部に位置させ、半導体の外部リー
ドを基板に接続する際に、半導体の外部リードの
上面と基板の有効半田付面に電気的・熱的良導体
を配置し、ろう付（半田付を含む）している。こ
の構造により、半導体周辺の温度分布を均一化
し、熱膨張率の相違による応力を分散し、接続強
度を向上させ、接続部の半田の熱疲労破壊を防止
することが出来、半導体と基板の接続信頼性を大
幅に向上する効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る半導体の実装構造の斜視
図、第２図は従来の半導体の実装構造の斜視図で
ある。 １……外部リード、２……固定用台、３……半
導体本体、４……基板、５……開口部、６……ネ
ジ、７……放熱器、８……接続部、９……有効半
田付部、１０……銅棒。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 基板の開口部に位置される半導体本体と、前記
   半導体本体の両側に延びた外部リードと、前記基
   板上のリード取付導体と、前記外部リードと前記
   リード取付導体とを跨ぐ形でこれらにろう付され
   た電気的及び熱的導体とを含むことを特徴とする
   半導体の実装構造。