JPH0349407Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0349407Y2 JPH0349407Y2 JP1984191625U JP19162584U JPH0349407Y2 JP H0349407 Y2 JPH0349407 Y2 JP H0349407Y2 JP 1984191625 U JP1984191625 U JP 1984191625U JP 19162584 U JP19162584 U JP 19162584U JP H0349407 Y2 JPH0349407 Y2 JP H0349407Y2
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- JP
- Japan
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- glass bulb
- light emitting
- optical semiconductor
- light
- pellet
- Prior art date
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- Expired
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 18
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Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は、光半導体装置に関し、殊に光半導体
ペレツトをスラグリードによつて挟持しガラスバ
ルブ内に封止したDHDガラス封止形のものの改
良に関する。
ペレツトをスラグリードによつて挟持しガラスバ
ルブ内に封止したDHDガラス封止形のものの改
良に関する。
従来の技術
一般に、光半導体素子（光デバイス）として、
発光ダイオードおよび発光素子（フオトダイオー
ドやフオトトランジスタ等を含む）が知られてい
る。
発光ダイオードおよび発光素子（フオトダイオー
ドやフオトトランジスタ等を含む）が知られてい
る。
ところで、従来のDHD（Double Heatsink
Diodeの略称）ガラス封止形の発光ダイオード
は、実公昭42−4828号等で知られているが、その
一例を第２図に示す。図において、DHD形発光
ダイオードは、発光ダイオードのペレツト１を上
下２つのスラグリード２ａ，２ｂによつて挟み、
ガラスバルブ３内に封止して構成される。具体的
には、スラグリード２ａ，２ｂは、導電性で放熱
兼用の口出電極であり、それぞれの端部にリード
線４ａ，４ｂを接続している。ガラスバルブ３
は、透明又は半透明の鉛ガラスを円筒状に形成し
たものである。そして、下側のスラグリード２ａ
の上端部にペレツト１をのせ、これをガラスバル
ブ３の下方から挿入しかつガラスバルブの上方か
らスラグリード２ａを挿入したのち加熱すること
によつて、ガラスバルブを軟化させ、ペレツト１
がガラスバルブ３内に封止される。
Diodeの略称）ガラス封止形の発光ダイオード
は、実公昭42−4828号等で知られているが、その
一例を第２図に示す。図において、DHD形発光
ダイオードは、発光ダイオードのペレツト１を上
下２つのスラグリード２ａ，２ｂによつて挟み、
ガラスバルブ３内に封止して構成される。具体的
には、スラグリード２ａ，２ｂは、導電性で放熱
兼用の口出電極であり、それぞれの端部にリード
線４ａ，４ｂを接続している。ガラスバルブ３
は、透明又は半透明の鉛ガラスを円筒状に形成し
たものである。そして、下側のスラグリード２ａ
の上端部にペレツト１をのせ、これをガラスバル
ブ３の下方から挿入しかつガラスバルブの上方か
らスラグリード２ａを挿入したのち加熱すること
によつて、ガラスバルブを軟化させ、ペレツト１
がガラスバルブ３内に封止される。
考案が解決しようとする問題点
ところで、従来のDHD形発光ダイオードは、
スラグリード２ａと２ｂとの間隔がペレツトの高
さ寸法に等しく、約70μ程度なので、ペレツト１
から発せられた光を取出し得る配向範囲がペレツ
ト１の発光点からスラグリード２ａ，２ｂとガラ
スバルブ３との内接する点を結ぶ延長線で囲まれ
る角度θに限られていた。このため、発光面積が
長さ１とガラスバルブ３の円周方向長さとの積
で規定され、発光面積が狭い欠点があつた。従つ
て、従来のものは用途が点光源に限られる傾向が
あつた。
スラグリード２ａと２ｂとの間隔がペレツトの高
さ寸法に等しく、約70μ程度なので、ペレツト１
から発せられた光を取出し得る配向範囲がペレツ
ト１の発光点からスラグリード２ａ，２ｂとガラ
スバルブ３との内接する点を結ぶ延長線で囲まれ
る角度θに限られていた。このため、発光面積が
長さ１とガラスバルブ３の円周方向長さとの積
で規定され、発光面積が狭い欠点があつた。従つ
て、従来のものは用途が点光源に限られる傾向が
あつた。
なお、ペレツト１がフオトダイオードやフオト
トランジスタ等の受光素子である場合は、発光ダ
イオードの場合と同様の理由により、受光面積が
狭くなるので、光の検出範囲の低下又は検出精度
の低下の問題が生じる。
トランジスタ等の受光素子である場合は、発光ダ
イオードの場合と同様の理由により、受光面積が
狭くなるので、光の検出範囲の低下又は検出精度
の低下の問題が生じる。
そこで、本考案は、半導体光学素子の発光面積
又は受光面積の拡大を図ることを目的とする。
又は受光面積の拡大を図ることを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するために本考案は、光半導体
素子のペレツトをスラグリードによつてガラスバ
ルブ内に封止し、このガラスバルブの表面の少な
くとも光半導体のペレツト近傍を粗面に形成した
ことを要旨としている。
素子のペレツトをスラグリードによつてガラスバ
ルブ内に封止し、このガラスバルブの表面の少な
くとも光半導体のペレツト近傍を粗面に形成した
ことを要旨としている。
考案の作用
ガラスバルブの表面の光半導体ペレツトの近傍
を粗面化することにより、光の通過方向を多方向
化しかつ粗面化された部分で光を散乱又は反射さ
せて、光の発光又は受光面積の拡大を図ることが
できる。
を粗面化することにより、光の通過方向を多方向
化しかつ粗面化された部分で光を散乱又は反射さ
せて、光の発光又は受光面積の拡大を図ることが
できる。
実施例
第１図は本考案の一実施例を示すDHD型発光
ダイオードの構造を示す。本実施例の発光ダイオ
ードがペレツト１を２つスラグリード２ａ，２ｂ
で挟んでガラスバルブ３内に封止する点は、従来
のものと同様である。従つて、第２図と同一部分
には同一参照符号を付す。
ダイオードの構造を示す。本実施例の発光ダイオ
ードがペレツト１を２つスラグリード２ａ，２ｂ
で挟んでガラスバルブ３内に封止する点は、従来
のものと同様である。従つて、第２図と同一部分
には同一参照符号を付す。
この実施例の特徴は、ガラスバルブ５の表面の
一部又は全部を粗面化したことである。なお、図
示では粗面化された部分を６で示す。この粗面化
部分６は、少なくともガラスバルブ５の縦方向の
2で示す長さを幅とし、ガラスバルブ５の円周
方向に沿う帯状に選ばれる。この長さ2は、ス
ラグリード２ａと２ｂで挟まれる部分を含み、か
つ第２図に示す長さ1よりも上下に数十％以上
長く選ばれる。
一部又は全部を粗面化したことである。なお、図
示では粗面化された部分を６で示す。この粗面化
部分６は、少なくともガラスバルブ５の縦方向の
2で示す長さを幅とし、ガラスバルブ５の円周
方向に沿う帯状に選ばれる。この長さ2は、ス
ラグリード２ａと２ｂで挟まれる部分を含み、か
つ第２図に示す長さ1よりも上下に数十％以上
長く選ばれる。
粗面化部分６の形成方法の一例としては、カー
ボランダム（Sic）又はアランダム（Ａ203）等
の微小粒を圧縮空気とともにノズルからガラスバ
ルブの表面に吹付ける、いわゆるサンドブラスト
法が用いられる。
ボランダム（Sic）又はアランダム（Ａ203）等
の微小粒を圧縮空気とともにノズルからガラスバ
ルブの表面に吹付ける、いわゆるサンドブラスト
法が用いられる。
これによつて、ペレツト１から発せられた光が
粗面化部分６で散乱し又は反射してスラグリード
２ａ，２ｂで反射されて乱反射しながら外部へ取
出されるので、発光面積を拡大できる利点があ
る。その結果、この実施例の発光ダイオードは、
デイスプレイや表示素子として有効に利用され
る。
粗面化部分６で散乱し又は反射してスラグリード
２ａ，２ｂで反射されて乱反射しながら外部へ取
出されるので、発光面積を拡大できる利点があ
る。その結果、この実施例の発光ダイオードは、
デイスプレイや表示素子として有効に利用され
る。
より好ましくは、光の反射率を高めて発光効率
を向上させるために、スラグリード２ａ，２ｂの
表面を銅（Cu）等でメツキすればよい。その場
合は、スラグリード２ａ，２ｂとしてNi又は
（Fe−Ne）が用いられ、その表面（少なくとも
粗面化部分６に相対する部分）にCuメツキが施
される。これによつて、粗面化部分６の凹凸面で
反射されて戻つてくる光をCuメツキした部分で
全反射させて外部に取り出せるので、発光面積の
拡大との相乗的作用により発光効率の向上を図る
ことができる。
を向上させるために、スラグリード２ａ，２ｂの
表面を銅（Cu）等でメツキすればよい。その場
合は、スラグリード２ａ，２ｂとしてNi又は
（Fe−Ne）が用いられ、その表面（少なくとも
粗面化部分６に相対する部分）にCuメツキが施
される。これによつて、粗面化部分６の凹凸面で
反射されて戻つてくる光をCuメツキした部分で
全反射させて外部に取り出せるので、発光面積の
拡大との相乗的作用により発光効率の向上を図る
ことができる。
尚、上述の実施例では、半導体装置の一例とし
てペレツト１に発光素子を用いた発光ダイオード
について説明したが、受光素子を用いたフオトダ
イオード等においても、受光面積を拡大するため
に本考案の技術思想を適用できることはもちろん
である。その場合は、光の検出範囲を高めること
ができ、検出精度を向上できる利点がある。
てペレツト１に発光素子を用いた発光ダイオード
について説明したが、受光素子を用いたフオトダ
イオード等においても、受光面積を拡大するため
に本考案の技術思想を適用できることはもちろん
である。その場合は、光の検出範囲を高めること
ができ、検出精度を向上できる利点がある。
考案の効果
本考案に係る半導体装置は、以上説明した如く
構成したので、発光又は受光面積を拡大でき、素
子の性能の向上および用途の拡大を図ることので
きる効果がある。
構成したので、発光又は受光面積を拡大でき、素
子の性能の向上および用途の拡大を図ることので
きる効果がある。
第１図は本考案の一実施例のDHD型発光ダイ
オードの構造図、第２図は従来のDHD型発光ダ
イオードの構造図である。 １……発光半導体ペレツト、２ａ，２ｂ……ス
ラグリード、３，５……ガラスバルブ、４ａ，４
ｂ……リード線、６……粗面化部分。
オードの構造図、第２図は従来のDHD型発光ダ
イオードの構造図である。 １……発光半導体ペレツト、２ａ，２ｂ……ス
ラグリード、３，５……ガラスバルブ、４ａ，４
ｂ……リード線、６……粗面化部分。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 光半導体ペレツトをスラグリードによつて挟
持しガラスバルブ内に封止したものにおいて、
ガラスバルブの表面の少なくとも前記光半導体
ペレツトの近傍を粗表面化したことを特徴とす
る光半導体装置。 (2) 前記スラグリードは、前記ガラスバルブに内
接する面の前記ガラスバルブ表面の粗面化部分
に対面する部分が光を反射し得る材料で形成さ
れたことを特徴とする実用新案登録請求の範囲
第(1)項に記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984191625U JPH0349407Y2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984191625U JPH0349407Y2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61106059U JPS61106059U (ja) | 1986-07-05 |
| JPH0349407Y2 true JPH0349407Y2 (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=30749065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984191625U Expired JPH0349407Y2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0349407Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5091846B2 (ja) * | 2008-12-08 | 2012-12-05 | 株式会社東芝 | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
| JP6102670B2 (ja) * | 2013-10-07 | 2017-03-29 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP1984191625U patent/JPH0349407Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61106059U (ja) | 1986-07-05 |
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