JPH0349289A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電流通路用のストライプ状の凸部を備えた
半導体レーザ装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第６図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図であり、
第７図（ａ）〜（ｄ）は、第６図の従来の半導体レーザ
装置の製造方法を説明する工程断面図である。。

第６図において、１はｎ型のく以下、ｎ−と略す）Ｇａ
Ａｓ基板、２ばこのｎ　−Ｇ　ｎ　Ａ　ｓ基板１上に設
けられたｎ−Ａｔ’＠、ｓ　Ｇａ６．ｓ　Ａｓ第１クラ
ッド層、３はこのｎ　　Ａ　ｌ　６，５Ｇ　ａ　ｏ、＋
、Ａ　Ｓ第１クラッド層２上に設けられたｐ型の（以下
、ｐと略す）　Ａ　Ｉ　ｏ、　＋ｓＧ　ａ　ｏ、　ｓｓ
Ａ　Ｓ活性ｊｉ！！、４ばこのｐ　　Ａ　ｌ　（１，Ｉ
ＯＧ　ａ　６．５ＡＳ活性層３上に設けられたストライ
プ状の凸部５を有するｐ−Ａｌｏ、。

Ｇ　ａ　ｏ、ｓ　Ａ　ｓ第２クラッド層、６はこのｐ−
ＡＩ。５Ｇａ６．ｘＡｓ第２クラッド層４のスｊ・ライ
ブ状の凸部５以外の領域上に形成されたｎ−ＧａＡｓ電
流阻止層、７ばこのローＧａＡｓｆ＠流阻止層６および
ｆ”　ｌ　ｏ、ｓＧ　ａ　（１，ＳＡ　Ｓ第２クラッド
層４のストライプ状の凸部Ｓ上に設けられたｐ　　Ｇａ
Ａｓコンタクト層、８はｐ側電極、９はｎ　６１１電極
である。

次に従来の半導体レーザ装置の製造方法を第７図に基づ
いて説明する。

第７図において、第６図と同一符号は同一もしくは相当
部分を示す。第７図（ａ）は第１回目のエピタキシャル
成長が完了した状態であって、ｎＧａＡｓ基板１上に順
次ｎ　−Ａ　Ｉ　６．５Ｇ　ａ　６．　、Ａ　ｓ第１ク
ラッド層２ｐ　ｐ　　Ａ　ｌ　ｇ、　ＩＳＧ　ａ　６．
　＠５Ａ　Ｓ活性層３　ｐ　Ｐ　　”　＋１．６Ｇ　ａ
　６．　Ｓｋ　Ｓ第２クラッド層４が成膜されている様
子を示し、第７図（ｂ）はｐ−Ａ　Ｉ　６，６Ｇ　ａ　
６．＠Ａ　ｓ第２クラ・ソド層４上にシリコン窒化膜を
成膜し、写真製版によって、ストライプ状に加工形成さ
れて作られたストライプ状のシリコン窒化膜１０を形成
した様子を示し、第７図（ｅ）はシリコン窒化膜１ｏを
エツチングマスクとして、例えば酒石酸５０％水溶液：
過酸化水素３０％水溶液＝５：　１や、硫酸：過酸化水
素３０％水溶液；水＝１：　　８：　　１などのエッチ
ャントを用いて、ｐ−Ａｊ６．ｇＧａ６，４Ａｓ第２ク
ラッド層４を、厚みＬが残るようにエツチングすること
によってストライプ状の凸部５が形成された様子を示し
、第７図（ｄ）はストライプ状のシリコン窒化膜１０以
外のｐ　　Ａ　ｌ　６，５Ｇ　ａ　６．Ａ　ｓ第２クラ
ッド層４上にのみに選択的にｎ−ＧａＡｓ電流阻Ｌｌ：
層６を形成した後、シリコノ窒化膜１０を除去し、ｎ　
−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ電流阻止層６およびス１、ライブ状の
凸部５上にｐ　−’　Ｇ　ａ　Ａ　ｓコンタクト層７が
成膜された様子を示している。

次に動作について説明する。

ｐ側電極８とｎ側電極９の間に、ｐ側電極８が正となる
ようなバイアスを印加する。画電極８゜９間にｎ−Ｇａ
ＡｓＴｉ流阻止層６流分止層６領域においては、ｐ　−
Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　コニ、ｙタフｌ−層７．ｎ−Ｇ、Ａ　
Ｓ電流阻止層６ＰＰ−Δｌ　６．、Ｇ　ａ　０５Ａ　Ｓ
第２クラッドａ４．　　ｐ　　Ａ　ｌ　ｏＩｉＧ　ａ　
＋１．ＢｓＡ　Ｓ活性層３．ｎ−Ａｊ’０ＳＧａ０．Ａ
ｓ第１クラッド層２がｐｎｐｎサイリスク構造を形成し
ているため、電流は流れない。電流はｎ−ＧａＡｓ電流
阻止層６が介在していない領域、つまりｐ−Ａｊ、）、
ｓＧａ。。＝Ａｓ第２クラッド層４のストライプ状の凸
部５の介在する部分のみを選択的に流れろ。電流が流れ
ルコとにより、ｐ−Ａ　ｌ　６．、、Ｇ　ａ　、）、、
、Ａ　ｓ活性ＪｆＩ３に注入された電子および正孔は再
結合して光を輻射する。電流レベルを上げていくと、誘
導輻射が始まりレーザ発振に至る。レーザ光は、装置の
上下方向ではｐ　　Ａ　ｌ　ｏ、　ＩｑＧ　ａ　０．５
Ａ　Ｓ活性層３と、ｎ　−Ａ　Ｉ　（１，５Ｇ　ａ　Ｏ
，ＳＡ　ｓ第１クラッド層２およびｐ　−Ａ　ｚ　０．
、Ｇ　ａ　０．、Ａ　ｓ第２クラッド層４の間の実屈折
率差により、また、装置の横方向ではｎ　−Ｇ　ａ　Ａ
　Ｓｔ電流阻止層にレーザ光が吸収されることによる、
いわゆるロスガイド（ＬｏｓｓＧｕｉｄｅ　）型の導波
機構により効率よく閉じ込められろ。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体レーザ装置を駆動させた場合、上述のよう
に、装置の横方向の光の閉じ込めは、ロスガイド型の導
波機構で決定されるが、くわしく説明すると、光の閉じ
込め効率は、ｐ　Ａｊｏ、＋ｓＧ　ａ　６．　ＢＡＡ　
３活性層３からｐ−Ａｌ６．５　Ｇａ６．５Ａｓ第２ク
ラッド層４への光のしみ出し量と、ｐＡ　ｌ　ｏ、５Ｇ
　ａ　６．ＳＡ　ｓ第２クラッド層４の光吸収係数と、
第７図（ｃ）で示したｐ　　Ａ　Ｉ　ｏ、、Ｇ　ａ　ｏ
、ｓＡｓ第２クラッド層４の厚みＬこの主に３者で決定
されるｎ−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　電流阻止層６での光の吸収
量によって左右されている。上述の光のしみ出し量およ
び光の吸収係数は、主に結晶の組成に依有するもので、
現在の結晶成長技術をもってすれば、製造上のばらつき
はわずかであり、特性上のばらつきを生む乙ともないが
、ｐ　　Ａｊｏ、５Ｇａｏ、５Ａｓ第２クラッド層４の
厚みＬは、第７図の製造工程で示した通り、制御が難し
く、ばらつきも大きいため、ｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ電流
阻止Ｒ６での光の吸収量がばらつき、横方向の光の閉じ
込め効率もばらつ（。横方向の光の閉じ込め効率は、特
性上、レーザ光の出射強度分布（ファーフ（−ルドバク
ノ）、光出力と電流この相関（Ｐ−Ｉ特性）温度特性、
ノイズ特性等、半導体レーザ装置のほと７しど全での基
本特性に影響を与えており、光の閉じ込め効率が、従来
の製造方法で装置が製造されることによるｐＡ　ｌ　ｏ
、ｓＧ　ａ　ｏ、ｑＡ　ｓ第２クラッド層４の厚みむの
ばらつきによって変化し、製造歩留りが向上しないなど
の問題点が生じていた。

この発明は、上述のような問題点を解消するためになさ
れたもので、第２導電型のＡ　Ｉ　、Ｇ　ａ　１−ｘＡ
ｓ第２クラ・ソド層の厚みのばらつきを少なくし、製造
歩留りを向上させた半導体レーザ装置を得ることを目的
としている。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る請求項（１１に記載の半導体レーザ装置
は、第１の導Ｗａ型を有するＧａＡｓ基板と、このＧ　
ａ　Ａ　ｓ基板上に結晶成長された第１の導電型を有す
るＡ　Ｉ　、Ｇ　ａ　、ｘＡ　ｓ第１クラッド層と、こ
のＡ／、Ｇａ、□Ａｓ第１クラッド層上に成長された第
１もしくは第２もしくは真性の導電型を有するＡ　ｊ　
ｙ　Ｇ　ａ　１−ｙ　Ａ　Ｓ活性層と、このＡｌｙ（Ｊ
　ａ　１−ｙＡ　ｓ活性層上に成長された第２の導電型
を有するＡｌ工Ｇａ１．−ｘＡｓ第２クラッド層と、こ
のＡ１．Ｇａ（−えＡｓ第２クラッド層上に成長され、
格子定数がＡｔ’、Ｇａ、−ｘＡｓ第２クラッド層の格
子定数と等しいか同等で、パッドギヤ・ツブエネルギー
がＡｌｙＧａ、−ｙＡｓ活性層およびＡ　ｊ　ｘＧ　ａ
　１−、Ａ　ｓ第２クラッド層のバンドギャップエネル
ギーよりも大きい第２の導電型を有するＺｎ、Ｃｄ□−
、ＳｙＳ　ｅ　＋−ｙからなる電流通路用のストライプ
状の凸部と、このストライプ状の凸部以外のＡ１．Ｇａ
、−ｘＡｓ第２クラッド層上に直接もしくは第２の導電
型を有するＧ　ａＡｓバッファ層を介して成長された第
１の導電型を有するＧａＡｓ電流阻止層と、ストライプ
状の凸部およびＧａＡｓ電流阻止層上に成長された第２
の導電型を有ずろＧ　ａＡｓコンタクト層と、このＧａ
Ａｓコンタクト層およびＧａＡｓ基板にそれぞれ形成さ
れた電極とにより構成されたものである。

また、この発明に係る請求項（２）に記載の半導体レー
ザ装置は、第１の導電型を有するＧａＡｓ基板と、この
ＧａＡｓ基板上に結晶成長された第１の導電型を有する
Ａ　Ｉ　、Ｇ　ａ　＋−，Ａ　ｓ第１クラッＦ　１ｍと
、このＡ　Ｉ　ＸＧ　ａ　、−ｘＡｓ第１クラ・アト層
上に成長された第１もしくは第２もしくは真性の導電型
を有するＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ活性層と、このＡ　ｌ　
ｙＧ　ａ　、、Ａ　ｓ活性層上に成長された第２の導電
型を有するＡ　Ｉ　Ｘ　Ｇ　ａ　１−Ｘ　Ａ　ｓ第２ク
ラッド層と、このＡ１．Ｇａ、−０Ａｓ第２クラッド層
上（ζ成長され、格子定数がＡ　ｊ’　ｘＧ　ａ　ｓ□
Ａｓ第２クラッド層の格子定数と等しいか同等で、バン
ドギャップエネルギーがＡｌｘＧａ、ｙＡｓ活性層およ
びＡｌｘＧａ１□Ａ　ｓ　第２クラッド層のパッドギヤ
・ツブエネルギーよりも大きい第２の導電型を有するＺ
　ｎ　、Ｃｄ　Ｉ−ｒｓ　、ｓ　ｅ　１−、エッチング
ス１、ツバ層と、このＺ　ｎ　ｒＣｄ　１−ｒ　Ｓ　ｐ
　Ｓ　ｅ　１−ｐｘ　・ｙチング：）、　Ｉ・ツバｊ岬
上に成長および加工形成された第２の導電型を何し、主
成分がＡ　ｌ　ｗＧ　ａ　、−ＸＡ　Ｓからなる電流通
路用のストライプ状の凸部と、このス）・ライブ状の凸
部以外のＺ　ｎ　、Ｃｄ　１−ｒｓ　、ｓ　ｅ　＋−，
ｘ　ｙチンゲストツバ層上に直接もしくは第２の導電型
を有するＧａＡｓパ・ソファ層を介して成長された第１
の導電型を有するＧａＡｓｔ流阻止層と、ストライプ状
の凸部およびＧａＡｓｇ４流阻止層上に成長され、た第
２の導電型を有するＧａＡｓコンタクト層と、このＧｎ
Ａｓコンタクト層およびＧａｋｓ基板にそれぞれ形成さ
れた電極とにより構成されたものである。

〔作用〕

この発明の請求項（１）に記載の発明においては、第２
導電型のＡ　Ｉ　、Ｇ　ａ　、□Ａｓ第２クラッド層上
に形成した第２導電型のＺ　ｎ　ＸＣｄ　ｌ−Ｘ５　ｙ
Ｓ　ｅ　Ｉ−ｙ第３クラッド層は、例えばアルカリ系の
エッチャントにより、エツチングが可能であり、第２導
電型のＡｌｘ　Ｇａ１−ｘＡｓ第２クラッド層はエツチ
ングされないため、選択的に第２導電型のＡｌｙＧａ１
−０Ａｓ第２クラッド層を残してエツチングできろため
、第２導電型のＡ　ｔ’　ｇＧ　ａ　Ｉ−ＸＡ　Ｓ第２
クラッド層の厚み仁のエツチングによるばらつきはな（
なり、歩留りは向上する。また、Ｅ、が第２導電型のＡ
１．Ｇａ＋−ｘＡｓ第２クラッド層のＥ９と同等か、も
しくは大きいため、第２導電型のＺｎ、Ｃｄ、、５ｙＳ
ｓ、−、組成のストライプ状の凸部による光の吸収也な
く、かつ第２導電型のＡ　Ｉ　ｘＧ　ａ　１−ＸＡ　Ｓ
第２クラッド層と格子整袷してエピタキシャル成長され
ているため、特性を何ら悪くすることもない。

また、請求項（２）に記載の発明においては、第２導電
型のＡ　Ｉ　、Ｇ　ａ　、−、Ａ　ｓ第２クラッド層上
に、Ｚ　ｎ　ｒＣｄ　１−ｒｓ　、ｓ　ｅ　１−、ｚ　
ッチングス！・５　ハ層を形成されたことから、この上
に形成した第２導電型のＡ　Ｉ　、Ｇ　ａ　、−ｗＡ　
ｓ第３クラッド層をエツチングしてストライプ状の凸部
を形成するためのエッチャントに対して、前記エッチン
グス）・ツバ層のエラチングレー）−が極めて遅く、エ
ツチングはエツチングストッパ層で止まるため、第２導
電梨のＡ　Ｉ　、Ｇ　ａ　、−、Ａ　ｓ第２クラッド層
の厚みのエツチングによるばらつきはなくなり、歩留り
は向上する。また、Ｅ、が第２導電型のＡ　ｌ　ｘＧ　
ａ　１−ｙＡ　ｓ第２クラッド層のＥ＠と同等か、もｌ
／　りは大きいため、スＩ・ライブ状の凸部内でのエツ
チングストッパ層によるＡｌアＧａｔ−ｘＡｓ活性層か
らのしみ出し光の吸収もなく、かつ第２導電型のＡＩ。

Ｇａ　１−Ｘ　Ａ　ｓ第２クラッド層と格子整合してエ
ピタキシャル成長されているため、特性を何ら悪くする
乙ともない。

〔実施例〕

以ド、この発明の一実施例を図面について説明する。

第１図はこの発明の半導体し・−ザ装置の一実施例を示
す断面図であり、第２図（ａ）〜（ｄ）は、第１図の半
導体レーザ装置の製造方法を説明する工程断面図である
。これらの図において、第６図。

第７図と同一符号は同じものを示し、２０　＋、を膜厚
がｔである前記Ａｊ０．．Ｇａ、ｘＡｓ第０．．Ｇａ、
、　ｄ上に、格子整合すべく成膜されたｐ　　Ｚｎ。

Ｃｄ　、−、Ｓ　ｙＳ　ｅ　１−ｙ第３クラッド層、２
１（ま前記ｐ　　Ｚ　ｎ　ｘＣｄ　１−ｘＳ　ｙＳ　ｅ
　Ｉ−ｙ第３クラッド層２０を加工形成することによっ
て得られたストライプ状の凸部である。

次にｐ　　Ｚ　ｎ　ｘＣｄ　１−ｘｓ　ｙＳ　ｅ　Ｉ−
Ｖ第３クラッド層２０の成膜について述べる、。

一般的に、Ｚ　ｎ　１１　Ｃｄ　ｒ　−Ｘ　Ｓｙ　Ｓ　
ｅ　ｒ　−ｙは、ＺｎおよびＣｄの混晶比ｘ、Ｓおよび
Ｓｅの混晶比ｙを変える乙とで、Ｅ、および格子定数は
大きく変化する。第５図はＡ　ｌ　ｚ　Ｇ　ａ　Ｉ−Ｚ
　Ａ　ｓと、Ｚｎ。

Ｃｄ１−ｘ５ｙＳｓ、□のバンドギヤ・フプエネルギ（
Ｅ、）および格子定数の関係を示す特性図である。第５
図かられかるように、ｐ−Ａｌｏ、５Ｇａ。、９ＡＳ第
２クラッド層４と格子定数が同じ組成のＺ　ｎ　ＸＣｄ
　、、５　ｙＳ　ｅ　、−ｙのＸとｙは、Ｘ÷１゜ｙ÷
０であり、この場合のＥ、は約２．７ｅＶで、ｐ　　Ａ
　ｊ　ｏ、　５Ｇ　ｎ　ｏ、　５Ａ　Ｓ第２クラッド層
４のＥＮの約１．８ｅＶよりも大きくなる。結晶成長す
る場合、例えば有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や
、分性綿エビタキン−（ＭＢＥ）などの方法が考えられ
、前者の場合、Ｚｎ、Ｓｅはそれぞれ有機金属であるジ
メチル亜鉛、ジエチルセレンの形で水素をキャリアガス
として供給すれば、成長が可能であり、また、Ｌｉ化合
物などをドーパント原料として用いれば、ｐ型の導電型
にすることが可能である。

次に第１図の半導体レーザ装置の製造方法を第２図（ａ
）〜（ｄ）について説明する。

まず、第２図（ａ）に示すように、ｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　
ｓ基板１上に、順次ｎ　−Ａ　Ｉ　６，５Ｇ　ａ　６，
６Ａ　ｓ第１クラフト層２　、　ｐ−Ａｔ！。、、、Ｇ
ａｏ、ｌｌｘＡｓ活性層３゜ｐ−Ａｌ６．、Ｇａ、、ｘ
Ａｓ第２クラッド層４を従来と同様に形成し、さらにそ
の上にｐ　　Ａｌｏ、ｓＧａ、）、ｘＡｓ第２クラッド
層４と格子整合すべくｐ　　Ｚ　ｎ　Ｘ（／　ｄ　１−
Ｘ　Ｓ　ｙＳ　ｅ　＠−ｙ第３クラッド層２゜を順次成
膜する。次に第２図（ｂ）に示すように、ｐ　　Ｚ　ｎ
　ＸＣｄ　１−ｚＳ　ｙＳ　ｅｌ−ｙ第３クラッド層２
０上にシリコン窒化膜を形成し、写真製版によってスト
ライプ状のシリコン窒化膜１０を形成する。

次に第２図（Ｃ）に示すように、ストライプ状のシリコ
ン窒化膜１０をマスクにして、ｐ−ＺｎｘＣｄ　、−＊
Ｓｙ　Ｓｅ　Ｉ−Ｙ第３クラッド層２０を、例えばアル
カリ系エッチャントであるＫ　ＯＨなどで工・ソチング
する。このエツチング時のエッチャントに対しｐ−Ａ＃
　６．Ｇ　ａ６．ｇＡｓ第２クラ・フド層４がほとんど
エツチングされないため、厚みｔの状態でエッチ、グは
停止し、ストライプ状の凸部２１が形成される。次に第
２図（ｄ）に示すように、ストライプ状の凸部２１以外
のｐ−ＡＩ（、、、Ｇａ。ｘＡｓ第２クラッド層４上に
ｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ電流阻止層６を形成した後、スト
ライプ状のシリコン窒化１１１ｉｊ　１０　’ｅ除去し
、ｎ−Ｇ　ａ　Ａ　ｓｔ電流阻止層６よびストライプ状
の凸部２１上にｐ−ＧａＡＳコンタクト層７を形成する
。

第３図はこの発明の半導体レーザ装置の他の実施例を示
す断面図であり、第４図（ａ）〜（ｄ）は、第３図の半
導体レーザ装置の製造方法を説明する工程断面図である
。これらの図において、第１図、第２図と同一符号は同
じものを示し、２２は膜厚がｔである前記ｐ　　Ａ　ｌ
　Ｏ，５Ｇ　ａ　＋１，５Ａ　ｓ第２クラッド層４上に
、格子整合すべく成膜されたｐ　　Ｚ　ｎ　ｘＣｄ　、
−、Ｓ　、Ｓ　ｅ　ｌ−、工！’ｚチンク゛７．　Ｉ−
ツｔ＜層、２３はこのｐ　　Ｚ　ｎ　ｘＣｄ　１−ｘｓ
　ｙＳ　ｅ　ｓ−ｙエツチングスト、ソバ層２２上に成
膜され、エツチングによってストライプ状の凸部２４と
なるｐ−Ａｌ。、５Ｇａ６，５Ａｓ第２クラッド層４と
同じ組゛性を有するＰ　　’　ｅ　ｏ、　、Ｇ　ａ　６
．　ＳＡ　Ｓ第３クラッド層である。

次にｐ　　Ｚ　ｎ　ｘｃ　ｄ　ｌ−Ｘ５　ｙＳ　ｅ　ｌ
−ｙエツチングストッパ層２２の成膜について述べろ。

−船釣に、Ｚ　ｎ　ｗｃ　ｄ　＋−ｘｓ　ｙ’ｓ　ｅ　
ｔ−ｙは、７．　ｎおよびＣｄの混晶比ｘ、ＳおよびＳ
ｅの混晶比ｙを変えろことで、ＥＮおよび格子定数は大
きく変化する。この実施例においても、ＺｎｘＣｄｌ−
、Ｓ。

Ｓ　ｅ　Ｉ−ｙおよびＡ　ｌ　２　Ｇ　ａ　Ｉｚ　Ａ　
ｓの格子定数と１！：＠の関係は第５図に示すように、
第１図の実施例の場合と同様である。結晶成長する場合
、例えば有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や、分子
線エビタキンー（ＭＢＥ）などの方法が考えられ、前者
の場合、Ｚｎ、Ｓｅはそれぞれ有機金属であるジメチル
亜鉛、ジエチルセレンの形で水素をキャリアガスとして
供給すれば成長が可能であり、また、Ｌｉ化合物等をド
ーパント原料として用いれば、ｐ型の導電型にすること
が可能である。

次に第３図の半導体レーザ装置の製造方法を第４図（ａ
）〜（ｄ）について説明する。

まず、第４図（ａ）に示すように、ｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　
ｓ基板１上に、順次ｎ　　Ａ　Ｉ　Ｏ，９Ｇ　ａ　６，
５Ａ　Ｓ第１クラツド’？Ｊ２＝　　Ｐ　　Ａ＃ｏ、＋
５Ｇａｏ’、５ｓＡｓ活性ｊ−３゜ｐ　−Ａ　ｌ　６．
　ｓ　Ｇ　ａ　ｏ５Ａ　ｓ第２クラ、ソド層４を従来と
同様に形成し、さらにその上にＩ）Ａ＃ｏ、ｓにａ６，
５Ａｓ第２クラ・ソド層４と格子整合すべ（ｐ　　Ｚ　
ｎ　ｘ　（−ｄ　！−ｗ　Ｓ　ｙ　Ｓ　ｅ　１−　ｙ　
エツチングストッパ層２２＃　　ｐ−”ＬｉＧａｏ、ｓ
Ａｓ第２クラ、ンド層４と同じ組成を有ずろｐ−Ａｌ１
．５　Ｇａ（１，５Ａｓ第３クラッド層２３をＩｌｌ’
ｊ次成股する。次に第４図（ｂ）に示すように、ｐ　　
Ａ　ｌ　６，５Ｇ　ａ　Ｏ，ＳＡ　Ｓ第３クラッド層２
３上にシリコン窒化膜を形成し、写真製版によってスト
ライプ状に加工形成し、ストライプ状のシリコン窒化膜
１０を形成する。次に第４図（Ｃ）に示すように、スト
ライプ状のシリコン窒化Ｂ’Ａ　１０をマスクにして、
ｐ−ＺｎＸＣｄ＋−ｘＳｙ　Ｓ　ｅ　１−ｙ第３クラッ
ド層２３を、例えば酒石酸５０％水溶液：過酸化水素３
０％水溶’ｔｆｌ−５：１でエツチングする。このエツ
チング時のエッチャントに対しｐ　　Ｚ　ｎ　ｘｃ　ｄ
　ｒ−ｘｓ　ｙＳ　ｅ＋−ｙエツチングストッパ層２２
がほとんどエツチングされないため、エツチングは停止
Ｆシ、ストライプ状の凸部２４が形成される。次に第４
図（ｄｌに示すように、ストライプ状の凸部２４以外の
ｐ−Ｚ　ｎ　ＸＧ　ｄ　＋−８Ｓｙ　Ｓ　ｅ　、−ｙ、
Ｚッチングストツバ層２２上にｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓｔ
流流出止層６形成した後、ストライプ状のシリコン窒化
膜１０を除去し、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層６上およびス
トライプ状の凸部２４上にｐ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓコノク
ク）・１習７を形成する。

次に動作について説明する。

ｐ側電極８と、ｎ側電極９間に順方向電圧を印加すれば
、従来のものと全く同じ原理でレーザ発振する。この場
合、ストライプ状の凸部２４のＥｌｌはｐ　　Ａ　ｌ　
６．５Ｇ　ＥＬ　ｏ、　ｓＡ　Ｓ第２クラッド層４のＥ
、よりも大きいため、レーザ光の吸収を受けず、光に対
して透明に作用するため、し・−ザ＠振を阻害すること
もない。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明の請求項（１）に記載の
発明は、第２導電型のＡ　ｌ　ｏ、、Ｇ　ｔｔ　ｏ、５
Ａ　ｓ第２クラッド層上に、選択上・ソチ、グが可能な
第２導電型のＺ　ｎ　ｘｃ　ｄ　ｌ−Ｘ５　ｙＳ　ｅ　
Ｉ−ｙ第３クラッド層を新たに設けて、第２導電型のＡ
　ｌ　ｏ、ｓＧ　ａ　ｏ、　ｓＡｓ第２クラッド層でエ
ツチングが停止するようにしてストライプ状の凸部を形
成したので、エツチングの制御性が向上するとともに、
製造歩留りを向上させ、かつ製造コストを下げることが
できる効果がある。

また、請求項（２）に記載の発明は、第２導電型のＡ　
Ｉ　６．５　Ｇ　ａ　ｇ、　５　Ａ　Ｓ第２クラッド層
と、第２導電型のＡ　１　ｇ、、Ｇ　ａ　＠、６Ａ　ｓ
第３クラッド層の間に、エツチング停止用の第２導電型
のＺｎ、Ｃｄ１−０Ｓ、Ｓｅ、−ｖエツチングストッパ
層を新たに設け、Ａ　ｊ　ｏ、　５Ｇ　ａ　ｏ、６Ａ　
ｓと格子定数が合うように組成比Ｘ、ｙＪｅ最適化して
成膜したので、特性、信頼性を損なうことなく、エツチ
ングの制御性を向上させるとともに、製造歩留りを向上
させて、かつ製造コストを下げることができる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に、Ｊ：ろ半導体レーザ装
置の共振器面近傍におけろ断面図、第２図は、第１図の
半導体レーザ装置の製造方法を説明するための工程断面
図、第３図はこの発１ｉ７Ｊの他の実施例を示す半導体
レーザ装置の断面図、第４図は、第３図の半導体レーザ
装置の製造方法を説明するための工程断面図、第５図は
ＺｎヶＣｄ　、ＶＳ　ｙＳｅ、、およびＡｔ’ＺＧａ、
、Ａ３の格子定数とＥ。 の関係を示す特性図、第６図は従来の半導体シ・−ザ装
置の共振器面近傍におけろ断面図、第７図は、第６図の
半導体レーザ装置の製造方法を説明するための工程断面
図である。 図において、１はｎ　−Ｇ　ｔｔ　Ａ　ｓ基板、２はｎ
−Ａ　１　ｇ、５Ｇ　ａ　６．５Ａ　ｓ第１クラッド層
、３はｐ−Ａ　Ｉ　６．１５Ｇａ　ｏ、　Ｈ５Ａ　ｓ活
性層、４は１）Ａｊｏ、５Ｇａ（１，５Ａｓ第２クラッ
ド層、６はｎ−ＧａＡｓＴｓＫ阻止層、７はｐ　−Ｇ　
ａ　Ａ　Ｓ　：］　：、ｉタクト層、８はｐ側電極、９
はｎ側電極、１ｏはストライプ状のシリコン窒化膜、２
０ｉ、ｒｐ　　Ｚｎ、Ｃｄ、−、Ｓ。 Ｓｅ、−ヶ第３クラッド層、２１．２４はストライプ状
の凸部、２２はｐ　　ｌ　ｎ　ｗｃ　ｄ　１−ｘＳｖＳ
　（！　、−ｖ工・ソチングストツバ層、２３はｐ−Ａ
ｌｏ、、Ｇａ（ＩＳＡＳ第３クラッド層である。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分第 図 を示ず、。 １

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）第１の導電型を有するＧａＡｓ基板と、このＧａ
   Ａｓ基板上に結晶成長された第１の導電型を有するＡｌ
   ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ第１クラッド層と、このＡｌ
   ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ第１クラッド層上に成長され
   た第１もしくは第２もしくは真性の導電型を有するＡｌ
   ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ活性層と、このＡｌ＿ｙＧａ
   ＿１＿−＿ｙＡｓ活性層上に成長された第２の導電型を
   有するＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ第２クラッド層と
   、このＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ第２クラッド層上
   に成長され、格子定数が前記Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ
   Ａｓ第２クラッド層の格子定数と等しいか同等で、バン
   ドギャップエネルギーが前記Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ
   Ａｓ活性層および前記Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ第
   ２クラッド層のバンドギャップエネルギーよりも大きい
   第２の導電型を有するＺｎ＿ｒＣｄ＿１＿−＿ｒＳ＿ｙ
   Ｓｅ＿１＿−＿ｙからなる電流通路用のストライプ状の
   凸部と、このストライプ状の凸部以外の前記Ａｌ＿ｘＧ
   ａ＿１＿−＿ｘＡｓ第２クラッド層上に直接もしくは第
   ２の導電型を有するＧａＡｓバッファ層を介して成長さ
   れた第１の導電型を有するＧａＡｓ電流阻止層と、前記
   ストライプ状の凸部および前記ＧａＡｓ電流阻止層上に
   成長された第２の導電型を有するＧａＡｓコンタクト層
   と、このＧａＡｓコンタクト層および前記ＧａＡｓ基板
   にそれぞれ形成された電極とにより構成されたことを特
   徴とする半導体レーザ装置。
2. （２）第１の導電型を有するＧａＡｓ基板と、このＧａ
   Ａｓ基板上に結晶成長された第１の導電型を有するＡｌ
   ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ第１クラッド層と、このＡｌ
   ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ第１クラッド層上に成長され
   た第１もしくは第２もしくは真性の導電型を有するＡｌ
   ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ活性層と、このＡｌ＿ｙＧａ
   ＿１＿−＿ｙＡｓ活性層上に成長された第２の導電型を
   有するＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ第２クラッド層と
   、このＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ第２クラッド層上
   に成長され、格子定数が前記Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ
   Ａｓ第２クラッド層の格子定数と等しいか同等で、バン
   ドギャップエネルギーが前記Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ
   Ａｓ活性層および前記Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ第
   ２クラッド層のバンドギャップエネルギーよりも大きい
   第２の導電型を有するＺｎ＿ｒＣｄ＿１＿−＿ｒＳ＿ｐ
   Ｓｅ＿１＿−＿ｐエッチングストッパ層と、このＺｎ＿
   ｒＣｄ＿１＿−＿ｒＳ＿ｐＳｅ＿１＿−＿ｐエッチング
   ストッパ層上に成長および加工形成された第２の導電型
   を有し、主成分がＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓからな
   る電流通路用のストライプ状の凸部と、このストライプ
   状の凸部以外の前記Ｚｎ＿ｒＣｄ＿１＿−＿ｒＳ＿ｐＳ
   ｅ＿１＿−＿ｐエッチングストッパ層上に直接もしくは
   第２の導電型を有するＧａＡｓバッファ層を介して成長
   された第１の導電型を有するＧａＡｓ電流阻止層と、前
   記ストライプ状の凸部およびＧａＡｓ電流阻止層上に成
   長された第２の導電型を有するＧａＡｓコンタクト層と
   、このＧａＡｓコンタクト層および前記ＧａＡｓ基板に
   それぞれ形成された電極とにより構成されたことを特徴
   とする半導体レーザ装置。