JPH0348484A - 電子回路用誘電体基板材料 - Google Patents
電子回路用誘電体基板材料Info
- Publication number
- JPH0348484A JPH0348484A JP21954289A JP21954289A JPH0348484A JP H0348484 A JPH0348484 A JP H0348484A JP 21954289 A JP21954289 A JP 21954289A JP 21954289 A JP21954289 A JP 21954289A JP H0348484 A JPH0348484 A JP H0348484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- permittivity
- temperature
- dielectric constant
- temperature characteristic
- dielectric substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 8
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 3
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpent-2-ene Chemical compound CCC=C(C)C JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子回路用誘電体基板を構威するための材料
の改良に関し、特に、基板の誘電率を温度変化に対して
安定にすることを可能とする材料に関する． 〔従来の技術及び発明が解決しようとする技術的課題］ 従来より、フノ素樹脂等の合或樹脂材料やセラミックス
材料からなる電子回路用誘電体基板が公知である． しかしながら、フッ素樹脂等の合成樹脂の場合の誘電率
は温度変化に伴ってかなり変化する。電子回路基板は、
通常、半導体素子等の発熱や環境等によりかなりの温度
変化を受けることがある。
の改良に関し、特に、基板の誘電率を温度変化に対して
安定にすることを可能とする材料に関する． 〔従来の技術及び発明が解決しようとする技術的課題］ 従来より、フノ素樹脂等の合或樹脂材料やセラミックス
材料からなる電子回路用誘電体基板が公知である． しかしながら、フッ素樹脂等の合成樹脂の場合の誘電率
は温度変化に伴ってかなり変化する。電子回路基板は、
通常、半導体素子等の発熱や環境等によりかなりの温度
変化を受けることがある。
その結果、合威樹脂からなる電子回路用誘電体基板では
、温度の変化に伴って誘電率が変化し、その基板上に構
威した電子回路の特性が変化するという問題があった．
のみならず、合成樹脂よりなるものであるため、温度変
化が著しい場合には、その外形もまた変化しがちであり
、外形変化に起因する電子回路の特性の変化も無視でき
なかった．他方、セラミックス材料からなる電子回路用
誘電体基板では、上記のような外形変化こそ少ないもの
の、誘電率については、温度変化に伴ってかなり変化し
、やはり回路特性の変化を招きがちであった． よって、本発明の目的は、周囲の温度変化に係わらず、
安定な誘電率にすることが可能な電子回路用誘電体基板
を構威し得る材料を提供することにある． 〔技術的課題を解決するための手段〕 本発明の電子回路用誘電体基板材料は、正の誘電率温度
特性を示す合成樹脂材料と、負の誘電率温度特性を示す
セラミックス材料とを、全体の誘電率温度特性を平坦化
させる割合で混合してなる混合材料よりなることを特徴
とする． 上記合成樹脂材料及びセラミックス材料に加えて、ガラ
スファイバー等の第３威分を混合した混合材料を用いる
こともできる． 〔作用〕 本発明の電子回路用誘電体基板材料では、正の誘電率温
度特性を示す合威樹脂材料に、負の誘電率温度特性を示
すセラ果ツクス材料が混合されて、全体としての誘電率
温度特性が平坦化される．従って、周囲温度の変化に係
わらず、誘電率のほぼ一定な電子回路用誘電体基板を得
ることができる．また、合威樹脂材料に加えて、温度変
化に伴う形状変化が生じ難いセラミックス材料が混合さ
れているので、温度変化に伴う外形の変化も効果的に抑
制される． さらに、合威樹脂材料及びセラミックス材料に加えてガ
ラスファイバーを混合した場合には、誘電率を任意の値
に設定しても周囲温度の変化に係わらず、誘電率はほぼ
一定となり、かつより一層温度変化に伴う外形変化を抑
制することができる．〔実施例の説明〕 以下、本発明の実施例につき説明する．正の誘電率温度
特性を示す合成樹脂材料として、ポリブチレンテレフタ
レート（ＰＢＴ）を用い、負の誘電率温度特性を示すセ
ラξツクス材料としてＣａＴｉＯｓを用いた実施例につ
き説明する．ＰＢＴは、−４０℃〜１０”Ｃの温度範囲
で、添付の第２図に示すように、温度上昇に伴ってその
誘電率が約１５０Ｐｐｍ／”Ｃ上昇する傾向を有し、他
方、ＣａＴｉＯｓは逆に温度上昇に伴って誘電率が１
９ ０ ０ ｐ ｐｍ／”Ｃ低下する傾向を有する．上
述した２種類の材料及びガラスファイバー（ＧＦ）のう
ち、ＰＢＴとＣＦとの混合比を一定として、２種あるい
は３Ｎを混合して、下記の４種類の混合物を得た．なお
、下記の表現中、数字は重量混合比を示す． （ａ）７７．６ＰＢＴ＋２２．４ＣＦ （ｂ）６１．８ＰＢＴ＋１７．８ＣＦ＋２０．４ＣａＴ
ｉ○， （Ｓ）５１．８ＰＢＴ＋１５．０ＣＦ＋３３．２Ｃ ａ
Ｔ ｉ ０３ （ｄ）４４．２ＰＢＴ＋１２．８Ｃ；Ｆ＋４３．ＯＣａ
ＴｉＯｓ 上記（ａ）〜（ｄ）の４種類の混合物から作った共振器
の共振周波数の温度に対する依存性と、Ｃ ａ Ｔ ｉ
Ｏ ｓ混合比との関係を第３図に示す．第３図から明
らかなように、（ａ）及び（ｂ）の混合物から作った共
振器では共振周波数が温度上昇に伴って低下するのに対
し、（Ｃ）及び（ｄ）の混合物では温度上昇に伴って共
振周波数が上昇する｛頃向のあることがわかる． よって、（ｂ）及び（ｃ）の間の混合比、例えばＰＢＴ
：ＧＦ：ＣａＴｉＯ．＝５８．２：１６．８Ｆ２５．０
の混合物で共振器を作製すれば、第ｌ図に示すように共
振周波数の温度依存性を効果的に抑制し得ることがわか
る．すなわち、本発明は、このような共振周波数の温度
特性を実現するように、ＰＢＴに対し負の誘電率温度特
性を示すＣａＴｉＯ，及びガラスファイバーを上゜記割
合に混合したことに特徴を有する．よって、上述した割
合の混合物により電子回路用誘電体基板を構威すれば、
周囲の温度変化に係わらず、安定な誘電体特性の電子回
路用誘電体基板を実現することが可能となる． しかも、ＰＢＴに対して、温度変化に伴って外形変化が
生じ難いＣａＴｉＯｓ及びガラスファイバーが混合され
ているので、温度変化に伴う外形変化も抑制される． なお、本発明において用いる正の誘電率温度特性を示す
合威樹脂材料としては、ＰＢＴの他、ボリフェニレンサ
ルファイド、メチルペンテンポリマー、ボリスチレン、
変性ボリフェニレンオキサイド、ポリプロピレン、ＡＢ
ＳＳＡＥＳ，液晶ボリマー、ポリエチレンテレフタレー
トあるいはフッ素樹脂等を用いることも可能である．ま
た、負の誘電率温度特性を示すセラミック材料について
も、ＳｒＴｉＯｓ等の他の任意の誘電体セラミックスを
適宜用いることができる．さらに、ガラスファイバーは
混合する必要は必ずしもなく、誘電体セラξツクスのみ
を混合することにより、誘電率温度特性を調整してもよ
い．〔発明の効果〕 以上のように、本発明では、正の誘電率温度特性を示す
合或樹脂材料に対して、負の誘電率温度特性を示すセラ
よツクス材料が、全体の誘電率温度特性を平坦化させる
割合で混合されているので、周囲の温度変化に関わらず
全体の誘電率や外形の変化が生じ難い電子回路用誘電体
基板を得ることが可能となる。
、温度の変化に伴って誘電率が変化し、その基板上に構
威した電子回路の特性が変化するという問題があった．
のみならず、合成樹脂よりなるものであるため、温度変
化が著しい場合には、その外形もまた変化しがちであり
、外形変化に起因する電子回路の特性の変化も無視でき
なかった．他方、セラミックス材料からなる電子回路用
誘電体基板では、上記のような外形変化こそ少ないもの
の、誘電率については、温度変化に伴ってかなり変化し
、やはり回路特性の変化を招きがちであった． よって、本発明の目的は、周囲の温度変化に係わらず、
安定な誘電率にすることが可能な電子回路用誘電体基板
を構威し得る材料を提供することにある． 〔技術的課題を解決するための手段〕 本発明の電子回路用誘電体基板材料は、正の誘電率温度
特性を示す合成樹脂材料と、負の誘電率温度特性を示す
セラミックス材料とを、全体の誘電率温度特性を平坦化
させる割合で混合してなる混合材料よりなることを特徴
とする． 上記合成樹脂材料及びセラミックス材料に加えて、ガラ
スファイバー等の第３威分を混合した混合材料を用いる
こともできる． 〔作用〕 本発明の電子回路用誘電体基板材料では、正の誘電率温
度特性を示す合威樹脂材料に、負の誘電率温度特性を示
すセラ果ツクス材料が混合されて、全体としての誘電率
温度特性が平坦化される．従って、周囲温度の変化に係
わらず、誘電率のほぼ一定な電子回路用誘電体基板を得
ることができる．また、合威樹脂材料に加えて、温度変
化に伴う形状変化が生じ難いセラミックス材料が混合さ
れているので、温度変化に伴う外形の変化も効果的に抑
制される． さらに、合威樹脂材料及びセラミックス材料に加えてガ
ラスファイバーを混合した場合には、誘電率を任意の値
に設定しても周囲温度の変化に係わらず、誘電率はほぼ
一定となり、かつより一層温度変化に伴う外形変化を抑
制することができる．〔実施例の説明〕 以下、本発明の実施例につき説明する．正の誘電率温度
特性を示す合成樹脂材料として、ポリブチレンテレフタ
レート（ＰＢＴ）を用い、負の誘電率温度特性を示すセ
ラξツクス材料としてＣａＴｉＯｓを用いた実施例につ
き説明する．ＰＢＴは、−４０℃〜１０”Ｃの温度範囲
で、添付の第２図に示すように、温度上昇に伴ってその
誘電率が約１５０Ｐｐｍ／”Ｃ上昇する傾向を有し、他
方、ＣａＴｉＯｓは逆に温度上昇に伴って誘電率が１
９ ０ ０ ｐ ｐｍ／”Ｃ低下する傾向を有する．上
述した２種類の材料及びガラスファイバー（ＧＦ）のう
ち、ＰＢＴとＣＦとの混合比を一定として、２種あるい
は３Ｎを混合して、下記の４種類の混合物を得た．なお
、下記の表現中、数字は重量混合比を示す． （ａ）７７．６ＰＢＴ＋２２．４ＣＦ （ｂ）６１．８ＰＢＴ＋１７．８ＣＦ＋２０．４ＣａＴ
ｉ○， （Ｓ）５１．８ＰＢＴ＋１５．０ＣＦ＋３３．２Ｃ ａ
Ｔ ｉ ０３ （ｄ）４４．２ＰＢＴ＋１２．８Ｃ；Ｆ＋４３．ＯＣａ
ＴｉＯｓ 上記（ａ）〜（ｄ）の４種類の混合物から作った共振器
の共振周波数の温度に対する依存性と、Ｃ ａ Ｔ ｉ
Ｏ ｓ混合比との関係を第３図に示す．第３図から明
らかなように、（ａ）及び（ｂ）の混合物から作った共
振器では共振周波数が温度上昇に伴って低下するのに対
し、（Ｃ）及び（ｄ）の混合物では温度上昇に伴って共
振周波数が上昇する｛頃向のあることがわかる． よって、（ｂ）及び（ｃ）の間の混合比、例えばＰＢＴ
：ＧＦ：ＣａＴｉＯ．＝５８．２：１６．８Ｆ２５．０
の混合物で共振器を作製すれば、第ｌ図に示すように共
振周波数の温度依存性を効果的に抑制し得ることがわか
る．すなわち、本発明は、このような共振周波数の温度
特性を実現するように、ＰＢＴに対し負の誘電率温度特
性を示すＣａＴｉＯ，及びガラスファイバーを上゜記割
合に混合したことに特徴を有する．よって、上述した割
合の混合物により電子回路用誘電体基板を構威すれば、
周囲の温度変化に係わらず、安定な誘電体特性の電子回
路用誘電体基板を実現することが可能となる． しかも、ＰＢＴに対して、温度変化に伴って外形変化が
生じ難いＣａＴｉＯｓ及びガラスファイバーが混合され
ているので、温度変化に伴う外形変化も抑制される． なお、本発明において用いる正の誘電率温度特性を示す
合威樹脂材料としては、ＰＢＴの他、ボリフェニレンサ
ルファイド、メチルペンテンポリマー、ボリスチレン、
変性ボリフェニレンオキサイド、ポリプロピレン、ＡＢ
ＳＳＡＥＳ，液晶ボリマー、ポリエチレンテレフタレー
トあるいはフッ素樹脂等を用いることも可能である．ま
た、負の誘電率温度特性を示すセラミック材料について
も、ＳｒＴｉＯｓ等の他の任意の誘電体セラミックスを
適宜用いることができる．さらに、ガラスファイバーは
混合する必要は必ずしもなく、誘電体セラξツクスのみ
を混合することにより、誘電率温度特性を調整してもよ
い．〔発明の効果〕 以上のように、本発明では、正の誘電率温度特性を示す
合或樹脂材料に対して、負の誘電率温度特性を示すセラ
よツクス材料が、全体の誘電率温度特性を平坦化させる
割合で混合されているので、周囲の温度変化に関わらず
全体の誘電率や外形の変化が生じ難い電子回路用誘電体
基板を得ることが可能となる。
Claims (2)
- （１）正の誘電率温度特性を示す合成樹脂材料と、負の
誘電率温度特性を示すセラミックス材料とを、全体とし
ての誘電率温度特性を平坦化させる割合で混合してなる
混合材料からなることを特徴とする電子回路用誘電体基
板材料。 - （２）前記正の誘電率温度特性を示す合成樹脂材料及び
負の誘電率温度特性を示すセラミックス材料に加えて、
ガラスファイバーが所定の割合で混合されている、請求
項１記載の電子回路用誘電体基板材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-109873 | 1989-04-27 | ||
| JP10987389 | 1989-04-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348484A true JPH0348484A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=14521355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21954289A Pending JPH0348484A (ja) | 1989-04-27 | 1989-08-25 | 電子回路用誘電体基板材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0348484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003005444A3 (de) * | 2001-06-29 | 2003-08-21 | Siemens Ag | Keramikgefüllte polymersubstrate für die anwendung in der hf-technik |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61162344A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-23 | 松下電工株式会社 | プリント配線板 |
| JPS63219542A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Sekisui Chem Co Ltd | マンガン含有亜鉛基合金 |
| JPS63244605A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | 株式会社東芝 | 高耐電圧コンデンサ |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP21954289A patent/JPH0348484A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61162344A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-23 | 松下電工株式会社 | プリント配線板 |
| JPS63219542A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Sekisui Chem Co Ltd | マンガン含有亜鉛基合金 |
| JPS63244605A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | 株式会社東芝 | 高耐電圧コンデンサ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003005444A3 (de) * | 2001-06-29 | 2003-08-21 | Siemens Ag | Keramikgefüllte polymersubstrate für die anwendung in der hf-technik |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61128411A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0348484A (ja) | 電子回路用誘電体基板材料 | |
| US6121174A (en) | Dielectric material with low temperature coefficient and high quality | |
| US20210190716A1 (en) | Composite sensor | |
| Onoe et al. | Miniature AT-cut strip resonators with tilted edges | |
| JPH0432483B2 (ja) | ||
| US6717328B2 (en) | Piezoelectric resonator and FM detection circuit incorporating the same | |
| JP3218537B2 (ja) | 水晶振動子 | |
| US6369488B1 (en) | Piezoelectric device | |
| JPS6055922B2 (ja) | マイクロ波用磁器材料 | |
| JPS618806A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JPS6287453A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JPS61128410A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0524914A (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
| JPS6041633B2 (ja) | 誘電体共振器用磁器材料 | |
| JPH11106516A (ja) | プラスチック・セラミック複合材 | |
| JPS6221748B2 (ja) | ||
| JPS5923044B2 (ja) | 誘電体共振器 | |
| JPS63112459A (ja) | マイクロ波用誘電体磁器組成物 | |
| JPS60236311A (ja) | 固体共振子 | |
| SU863565A1 (ru) | Керамический материал | |
| JPS61291453A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| SU1478270A1 (ru) | Диэлектрический резонатор | |
| JPS63117507A (ja) | 圧電振動素子 | |
| JPH07154193A (ja) | 弾性表面波デバイス |