JPH0345591A - エピタキシャル成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はエピタキシャル成長装置に関するものである。

［従来の技術］ 従来、第２図に示すように、エピタキシャル成長装置の
反応炉１０からの排気は配管１２により直接、排気ガス
処理装置１１へ送られていた。排気ガス処理装置ｉｔは
水供給管１３、ＮａＯＨ供給管１４を備えており、排気
ガス処理装置１１の水の蒸気が気相拡散し、配管１２を
逆に遡って水蒸気がエピタキシャル成長装置の反応炉１
０まシャル成長装置の反応炉１０から排気処理装置１１
までの配管１２が短い場合に顕著である。この場合、反
応炉１０内においてエピタキシャル成長するエピタキシ
ャルウェハのＳ−ピットが増加する問題がある。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明はこのような問題が発生するのを防止した装置を
提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、反応炉と排気ガス処理装置との間の配管に排
気ガスの逆流防止装置を介装したことを特徴とするエピ
タキシャル成長装置である。

〔作用］ エピタキシャル成長装置の反応炉から排気ガス処理装置
までの配管の途中に排気ガスの逆流防止装置を挿入する
。これにより排気ガス処理装置で用いられている水の蒸
気がエピタキシャル成長装置の反応炉まで気相拡散する
ことはなくなり、エピタキシャルウェハの結晶品質が向
上する。

第３図は本発明の実施例のフローシートを示し、従来の
装置に比しガス逆流防止装置２１が付属している。

第１図は、逆流防止装置２１の一実施例を示したもので
、ロータリーバルブｌと吸引機６とから成っている。ロ
タリーバルブｌは反応炉１０からのガスを入口配管２か
ら取込み、出口配管３から排出する。ロータリーバルブ
１は回転ロータを備えたシール機構であって、多数のブ
レード５がケーシング７内にシール空間を形成し、ブレ
ード５は図示しないモータにより駆動されて矢印８方向
に回転する。

吸引機６はロータリーバルブｌの出口配管３に接続され
出口配管３に適当な負圧を生成し、排気ガス処理装置１
１へ送気するブロワ等の機械である。実施例では一１０
００ｍｍＨ２０とした。

ロータリーバルブｌに接続された窒素ガス管４はロータ
リーバルブ内に中間圧力を形成し、ロータリーバルブの
出入口間及び外気との間をシールするもので、ロータリ
ーバルブ１の入口配管２と出口配管３のそれぞれの圧力
の中間の圧力に調整しておく。実施例では一２０ｍｍＨ
２０とした。

第１表に本発明によってエピタキシャル成長を行った場
合、および比較例のウェハのＳ−ビット発生密度を示す
。

エピタキシャル成長条件は次の通りである。

成長条件　　：１１２５℃、２０ｍ１ｎＳｉＨＣＩ２３
　：５０ｇ／分 Ｈ２：１００℃／分 生成膜厚　　：２６ＬＬｍ 配管径　　　：１２ｍｍφ また、Ｓビットの観察はＡＳＴＭＦ８０−８５によって
行った。

第１表　　Ｓビット発生密度 配管長の如何にかかわらず、Ｓ−ビット発生密度が減少
していることがわかる。

［発明の効果］ 本発明によれば排気ガス処理装置からの水蒸気の拡散の
逆流が防止されるので、エピタキシャルウェハの結晶品
質が向上した。

【図面の簡単な説明】

第１図は逆流防止装置の一例を示す模式断面図、第２図
は従来のフローシート、第３図は本発明の実施例のフロ
ーシートである。 １・・・ロータリーバルブ　　２・・・人口配管３・・
・出口配管　　　　　　４・・・窒素ガス配管５・・・
ブレード　　　　　　６・・・吸引機７・・・ケーシン
グ　　　　　８・・・矢印１０・・・反応炉　　　　１
１・・・排気ガス処理装置１２・・・配管　　　　　１
３・・・水供給管１４・・・ＮａＯＨ供給管 ２１・・・ガス逆流防止装置

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １反応炉と排気ガス処理装置との間の配管に排気ガスの
   逆流防止装置を介装したことを特徴とするエピタキシャ
   ル成長装置。