JPH0345562A - 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウム焼結体の製造方法

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JPH0345562A
JPH0345562A JP1180538A JP18053889A JPH0345562A JP H0345562 A JPH0345562 A JP H0345562A JP 1180538 A JP1180538 A JP 1180538A JP 18053889 A JP18053889 A JP 18053889A JP H0345562 A JPH0345562 A JP H0345562A
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JP
Japan
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aluminum nitride
carbon
firing
thermal conductivity
mixture
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Pending
Application number
JP1180538A
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English (en)
Inventor
Satoshi Uenosono
聡 上ノ薗
Taku Yamamura
卓 山村
Makoto Yokoi
誠 横井
Masato Kumagai
正人 熊谷
Toshihiko Funabashi
敏彦 船橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野1 本発明は熱伝導率の高い窒化アルミニウム焼結体の製造
方法に関する。
「従来の技術1 近年、LSIなどの半導体素子の集積度が上がるにした
がってLSIの発熱量が増大するために、その発熱した
熱を速やかに外部へ伝熱・放熱する必要が生じてきた。
また、パワートランジスタ、レーザダイオードなど高出
力の半導体素子を実装するための基板及びパッケージに
おいても、素子の動作時に発生する熱を短時間の内に素
子外へ放出しなければならない。
このような発熱量の大きい半導体素子を実装するために
熱伝導率の高い基板材料が必要とされ、従来この様な熱
伝導率の高い絶縁基板材料として酸化ベリリウム(’B
ed)系焼結体が用いられてきたが、毒性があるため使
用範囲が限定されていた。
近年、窒化アルミニウム(AQN)は毒性がなく、高い
熱伝導率をもち、その熱膨張率が酸化アルミニウム(A
、e20a )よりも低くシリコン(Si)と同程度で
あるため、高熱伝導性基板材料として注目を集めてきて
いる。/INは本質的に難焼結性であるため7醍什イ・
ノトリウム(Y203 )等の焼結助剤を添加するAf
fN焼結体の製造方法が検討されてきた。(特開昭60
−127267号公報) 最近、焼結助剤としてY203に加えて炭素(C)を添
加することにより高熱伝導化が達成されることが検討さ
れた。(特開昭62−52181号公報、同63−23
6765号公報)特開昭62−52181号公報におい
ては、主成分AJ2Nに炭素換算で0.2〜3.4重量
%の炭素、炭化物、又は焼成により炭素を生成する化合
物、Y203を0.1〜10重量%を特定範囲内で添加
し、その成形体を非酸化性雰囲気中で1600〜210
0℃で焼成することにより最大118W/m−にの熱伝
導率を達成した。
また、特開昭63−236765号公報においては、主
成分のAβNに炭素を0.1〜1重量%とY203を0
.1〜5重量%添加し、1800℃で焼成することによ
り最大140W/m−にの熱伝導率を達成した。
[発明が解決しようとする課題] 前述のごとく、単にAl2NにY203とCとを配合・
焼成したのみの従来の技術では熱伝導率は140W/m
−kにとどまり、/INの理論熱伝導率320W/m−
にと比べてかなり低いので、本発明はAl2N焼結体の
熱伝導率を更に向上しようとするものである。
〔課題を解決するための手段1 本発明は前記課題を解決するために、窒化アルミニウム
と焼結助剤とよりなる混合物であって、窒化アルミニウ
ムを主成分とし、焼結助剤として前記混合物に対する炭
素換算で0.02〜0.2重量%の炭素、炭化物、又は
焼成により炭素を生成する化合物と0.5〜6重量%の
酸化イツトリウムとを含有する混合物を成形したのち、
不活性気流中1700〜2000℃で焼成し、次に前記
焼成温度より高い温度で還元性気流中で焼成することを
特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法を提供す
るものである。
〔作用〕
本発明者らは、前記課題を解決するためにAl2N−Y
203−C系について様々実験を行った結果、焼結助剤
としてCを添加することにより粒成長が抑制され、焼結
体の結晶粒子の大きさが小さくなる。そこで焼成後半に
雰囲気を変えることにより結晶粒子を大きくし高い熱伝
導率が得られる知見を得て本発明に至ったもので、単に
Al2NにY203とCとを焼結助剤として配合し焼成
を行った場合より格段に向上した高熱伝導性Al2N焼
結体が得られたちのである。
以下、本発明の詳細な説明する。
Y203の添加量が0.5重量%未満では焼結中に生成
する液相量が少なすぎるため緻密化しない。また6重量
%を越えると焼結体中の粒界相の量が多すぎるため熱伝
導率が低下し好ましくない。
炭素、炭化物、又は焼成により炭素を生成する化合物(
炭素源)の添加量が炭素換算で0.2重量%を越えると
2段焼成を行っても焼結体中の結晶粒子径が小さく熱伝
導率が低く、0.02重量%未満では本焼成法を適用し
ても軸転導率の向トは認められない。
炭素としてはカーボンブラック、グラファイト等が、炭
化物としてはB4 C,CaC2等が、焼成により炭素
を生成する化合物としてはフェノールレジン、メタクリ
ル酸メチル等が用いられる。
本発明においては2段焼成を行い、かつ2段目の焼成温
度を一段目より高く設定し、還元性気流中で焼成を行う
ことにより、粒成長が促進される。
1段目の焼成が終了した時点で、相対密度が90%以上
、焼結体の粒子径が1μm程度でその粒界に0.1〜0
.5μm程度の微細な気孔が均一に分散することが好ま
しい。この様な微構造をもつ焼結体をさらに一段目の焼
成温度より高温で還元性気流中で焼成することにより、
気孔の逸散、粒界相の揮散と共に粒成長が著しく促進さ
れる。
−段目の焼成で緻密化が進みすぎると2段目の焼成を行
ってもあまり粒成長はおこらない。すなわち、均一に分
散した気孔が粒成長を抑制しているため、2段目の焼成
で気孔が消滅して緻密化すると#e番こ粒成再が同時に
進行17ていA家、のン甲りわる。
また、この効果に加え、液相焼結理論では焼結が拡散律
速であれば液相量が少ないほど粒成長速度は大きい。し
たがって、はぼ緻密化した後還元性気流中で焼成し、粒
界相を揮散せしめ結果として液相量を低下せしめ一層の
粒成長が達成されるのである。
逆に1段目の焼成で還元性気流中で焼成を行うと低温で
液相量が少なくなり、異常な粒成長がおこるため完全に
緻密化せず高い熱伝導率は得られないこととなる。
1段目の焼成を酸化性気流中で行うと、Aj2N及び炭
素源の損失があるので■段目の焼成は不活性気流中で行
う。不活性気流としては窒素(N2 ) 、アルゴン(
Ar)等が用いられ、N2を用いるのが経済的に好まし
い。
1段目の焼成温度は1700℃未満では緻密化が進まず
、2000℃を越えても緻密化に対する利点はなく、か
えって色街や変色が認められるようになる。1段目の焼
成時間は0.5〜10時間でよい。
2段目の焼成温度は1段目の焼成温度より高くする必要
があり、30℃以上高いと粒子の成長の度合いが大きく
なるので好ましい、2段目の焼成時間は1〜20時間で
よい。
2段目の焼成に用いられる還元性気流は特に限定される
ものではないが、例えば、N2.Ar等の不活性気体に
、水素(N2 ) 、アンモニア(NHa)、炭化水素
(CH4等)などの環元性気体を、不活性気体との混合
気体に対する0、1〜50容積%加えた場合が、熱伝導
率が特に高くなり好ましい。
〔実施例〕
比表面積3.3rn’/g、酸素含有量1.15重量%
、純度98%のA42N粉末を主成分とし、これに平均
粒径0.5μmのY2 oa扮末と換算炭素量で示した
炭素源とを第1表に示す割合で添加した。バインダとし
てポリビニルブチラール(PVB)を適量添加して成形
し、この成形体をN2中で加熱し脱脂した。
次に、得られた成形体を常圧のもと第1表に示す条件で
焼成を行い、レーザフラッシュ法で熱伝導率を測定し同
表に結果を示した。
炭素源としては、炭素としてNo、 1〜21にはカー
ボンブラック、No、22〜24にはグラファイト粉末
を、炭化物としてNo、25にはCaC2、N。
26にはB4Cを、加熱により炭素を生成する化合物と
してNo、27.28にはフェノールレジン、No、 
29〜31にはメタクリル酸メチルを用いた。
換算炭素量が0.02重量%未満又は0.2重量%を越
える場合、Y203が0.5重量%未満又は6重量%を
越える場合、1段目の焼成において雰囲気が酸化性又は
還元性の場合、温度が1700℃未満又は2000℃を
越える場合、2段目の焼成において雰囲気が酸化性又は
不活性の場合、温度が1段目の温度より高くない場合は
、何れの場合においても高い熱伝導率は得られなかった
〔発明の効果] 本発明により、従来のAgN−Y203−C系焼結体に
比べ非常に高い熱伝導率が得られ、最高240W/m−
にの高熱伝導率のAffN焼結体が得られるようになっ
た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 窒化アルミニウムと焼結助剤とよりなる混合物であ
    って、窒化アルミニウムを主成分 とし、焼結助剤として前記混合物に対する 炭素換算で0.02〜0.2重量%の炭素,炭化物,又
    は焼成により炭素を生成する化合物と0.5〜6重量%
    の酸化イットリウムとを含有する混合物を成形したのち
    、不活性気流中 1700〜2000℃で焼成し、次に前記焼成温度より
    高い温度で還元性気流中で焼成することを特徴とする窒
    化アルミニウム焼結体の製造方法。
JP1180538A 1989-07-14 1989-07-14 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 Pending JPH0345562A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019021919A1 (ja) * 2017-07-24 2019-01-31 昭和電工株式会社 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019021919A1 (ja) * 2017-07-24 2019-01-31 昭和電工株式会社 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPWO2019021919A1 (ja) * 2017-07-24 2019-11-14 昭和電工株式会社 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
KR20200010469A (ko) * 2017-07-24 2020-01-30 쇼와 덴코 가부시키가이샤 질화알루미늄 소결체 및 그 제조 방법
US10787392B2 (en) 2017-07-24 2020-09-29 Showa Denko K.K. Aluminum nitride sintered compact and method for producing same

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