JPH0344019A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0344019A JPH0344019A JP17923589A JP17923589A JPH0344019A JP H0344019 A JPH0344019 A JP H0344019A JP 17923589 A JP17923589 A JP 17923589A JP 17923589 A JP17923589 A JP 17923589A JP H0344019 A JPH0344019 A JP H0344019A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にコンデンサを搭載した
半導体装置に関する。
半導体装置に関する。
従来、半導体装置において、コンデンサ容量の誘電体膜
としては、Ｓｉを熱酸化したＳｉＯ２膜、あるいはＣＶ
Ｄ法により形成されたＳ ｉｓＮ ４膜を用いていた。
としては、Ｓｉを熱酸化したＳｉＯ２膜、あるいはＣＶ
Ｄ法により形成されたＳ ｉｓＮ ４膜を用いていた。
一般に、半導体装置に作り込まれている回路には、種々
のコンデンサが含まれている。そのうち、アナログ回路
における帯域フィルタやバイパスコンデンサなどには大
容量のコンデンサが必要とされる。
のコンデンサが含まれている。そのうち、アナログ回路
における帯域フィルタやバイパスコンデンサなどには大
容量のコンデンサが必要とされる。
しかしながら、上述した５ｉＯｚ膜や５１ａＮ４膜を誘
電体膜としたコンデンサでは面積が大きくなってしまう
。
電体膜としたコンデンサでは面積が大きくなってしまう
。
コンデンサの容量Ｃは次式で表わされる。
Ｃ＝ε０ε・−・・・・・・（１）
ε０：真空誘電率（Ｆ ／ ｍ ）
ε：比誘電率 ε：比誘電率
Ｓ：コンデンサ面積（ｍｌ）
ｄ：誘電体膜厚（ｍ）
例えば、１ｎＦの容量のコンデンサを作る場合、１０ｎ
ｍの厚さのＳｉＯ２膜（ｇ＃４）を誘電体膜として用い
ると、（１）式より０．２８＋＋ｕ＆のコンデンサ面積
を必要であり、又５０ｎｍの厚さのＳｉｓＮ４膜（ε＃
７とする）を用いるた０．８１ ｍｒＡの面積が必要と
なり、半導体チップ」二で少なからぬ部分を占ることに
なる。
ｍの厚さのＳｉＯ２膜（ｇ＃４）を誘電体膜として用い
ると、（１）式より０．２８＋＋ｕ＆のコンデンサ面積
を必要であり、又５０ｎｍの厚さのＳｉｓＮ４膜（ε＃
７とする）を用いるた０．８１ ｍｒＡの面積が必要と
なり、半導体チップ」二で少なからぬ部分を占ることに
なる。
以上のコンデンサ面積の縮小化には、誘電体膜厚を小さ
くする手段があるが、現状の技術では、上記のＳｉＯ２
膜で１０ｎｍ厚、５ｉｓＮ４膜で５０ｎｍ厚以下の薄い
膜を広い面積でピンホールなく形成することは難しい。
くする手段があるが、現状の技術では、上記のＳｉＯ２
膜で１０ｎｍ厚、５ｉｓＮ４膜で５０ｎｍ厚以下の薄い
膜を広い面積でピンホールなく形成することは難しい。
本発明の半導体装置は、ＢａＴｉＯ３，５ｒＴｉｅ８．
ＢａＺｎＯ３，５ｒＺｎＯ３，ＢａＳｎＯ３，５ｒＳｎ
０３及びこれらの混合物から成る群から選ばれるペロブ
スカイト結晶構造の誘電体膜を用いたコンデンサを半導
体チップの一部に設置したことを特徴とする。
ＢａＺｎＯ３，５ｒＺｎＯ３，ＢａＳｎＯ３，５ｒＳｎ
０３及びこれらの混合物から成る群から選ばれるペロブ
スカイト結晶構造の誘電体膜を用いたコンデンサを半導
体チップの一部に設置したことを特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
Ｎ型シリコン基板１にホウ素を拡散してＰ空領域２を設
け、表面を絶縁膜３で覆う。絶縁膜３に開口部７を設け
、誘電体膜４を２００ ｎｍの厚さに堆積する。
け、表面を絶縁膜３で覆う。絶縁膜３に開口部７を設け
、誘電体膜４を２００ ｎｍの厚さに堆積する。
誘電体膜４は、ＢａＴｉＯ３，５ｒＴｉＯｓ、ＢａＺｎ
Ｏ３，５ｒｚｎｏ３．Ｓｒ ５ｎ０３及びこれらの混合
物から戒る群から選ばれるペロブスカイト結晶構造の誘
電体で作られる。
Ｏ３，５ｒｚｎｏ３．Ｓｒ ５ｎ０３及びこれらの混合
物から戒る群から選ばれるペロブスカイト結晶構造の誘
電体で作られる。
この上にＡｕ膜５，６を設け１．Ｉｌ膜５を上部電極、
Ｐ空領域２を下部電極とし、Ａｊ２膜６を下部電極引出
し配線とする。
Ｐ空領域２を下部電極とし、Ａｊ２膜６を下部電極引出
し配線とする。
今、誘電体をＳｒ Ｔ ｉ ０３とし、これの比誘電率
を２００として、１ｎＦの容量のコンデンサを得るため
には、前述の（１）式を用いると容量面積が０．１１ｍ
ｍ平方程度と計算される。
を２００として、１ｎＦの容量のコンデンサを得るため
には、前述の（１）式を用いると容量面積が０．１１ｍ
ｍ平方程度と計算される。
以上説明した様に、本発明は、半導体装置の一部に設置
するコンデンサの誘電体膜として、比誘電率の高いペロ
ブスカイト型結晶構造化した誘電体を用いたので、誘電
体膜としてＳｉＯ２やＳ １３Ｎ４を用いていた場合に
比べてコンデンサ面積を数分の−に減らすことができる
という効果がある。
するコンデンサの誘電体膜として、比誘電率の高いペロ
ブスカイト型結晶構造化した誘電体を用いたので、誘電
体膜としてＳｉＯ２やＳ １３Ｎ４を用いていた場合に
比べてコンデンサ面積を数分の−に減らすことができる
という効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
１・・・・・・Ｎ型シリコン基板、２・・・・・・Ｐ空
領域、３・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・誘電体膜
、５，６・・・・・ＡＡ膜、７・・・・・・開口部。
領域、３・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・誘電体膜
、５，６・・・・・ＡＡ膜、７・・・・・・開口部。
Claims (1)
- ＢａＴｉＯ＿３，ＳｒＴｉＯ＿３，ＢａＺｎＯ＿３，Ｓ
ｒＺｎＯ＿３，ＢａＳｎＯ＿３，ＳｒＳｎＯ＿３及びこ
れらの混合物から成る群から選ばれるペロブスカイト結
晶構造の誘電体膜を用いたコンデンサを半導体チップの
一部に設置したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17923589A JPH0344019A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17923589A JPH0344019A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344019A true JPH0344019A (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16062306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17923589A Pending JPH0344019A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344019A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5939744A (en) * | 1995-03-22 | 1999-08-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with x-ray absorption layer |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP17923589A patent/JPH0344019A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5939744A (en) * | 1995-03-22 | 1999-08-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with x-ray absorption layer |
| US6049103A (en) * | 1995-03-22 | 2000-04-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor capacitor |
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