JPH0342623A - 液晶素子の製法 - Google Patents
液晶素子の製法Info
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- JPH0342623A JPH0342623A JP17750589A JP17750589A JPH0342623A JP H0342623 A JPH0342623 A JP H0342623A JP 17750589 A JP17750589 A JP 17750589A JP 17750589 A JP17750589 A JP 17750589A JP H0342623 A JPH0342623 A JP H0342623A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶素子の製法に関する。
従来の技術
液晶分子の配向膜は、液晶デイスプレィには必須のもの
である。
である。
前記配向膜としては、無機質の斜方蒸着膜、布等で摩擦
（すなわちラビング）された高分子樹脂膜等が使われる
（液晶エレクトロニクスの基礎と応用、佐々木昭夫編）
。高分子樹脂としては、主にポリイミドが使われる。
（すなわちラビング）された高分子樹脂膜等が使われる
（液晶エレクトロニクスの基礎と応用、佐々木昭夫編）
。高分子樹脂としては、主にポリイミドが使われる。
近年注目されている、ネマチック液晶を９０°以上捻っ
た構造を持つＳＢＥ （スーパーツウィステッドバイア
フリンジエンスエフェクト）方式等の液晶素子では、５
°以上のプレ・チルト角を有する傾斜配向が望まれる。
た構造を持つＳＢＥ （スーパーツウィステッドバイア
フリンジエンスエフェクト）方式等の液晶素子では、５
°以上のプレ・チルト角を有する傾斜配向が望まれる。
プレ・チルト角が約５°以上である傾斜配向が得られる
有機高分子材料が開発され、コストの点から、これをラ
ビングすることによる配向性が生産に使われている。
有機高分子材料が開発され、コストの点から、これをラ
ビングすることによる配向性が生産に使われている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来の有機高分子膜のラビング法におい
ては、液晶素子を構成した後の液晶分子のプレ・チルト
角が経時変化したり、再現性に乏しい等の課題があった
。
ては、液晶素子を構成した後の液晶分子のプレ・チルト
角が経時変化したり、再現性に乏しい等の課題があった
。
本発明は、ラビング法を用い、再現性のある、経時変化
の少ないプレ・チルト角を有する液晶素子の製法を提供
するものである。
の少ないプレ・チルト角を有する液晶素子の製法を提供
するものである。
課題を解決するための手段
本発明は前述のような課題を解決するために、導電電極
を有する第１及び第２基板の主面上に樹脂膜を形成する
過程と、この主面を表面張力の小さい液体中に浸漬する
過程と、この主面を乾燥させるか、または洗浄し乾燥さ
せる過程と、この樹脂膜をラビング処理する過程と、前
記第１及び第２基板の主面を対向させ、所定の間隙を保
って封着した後に形成された間隙内に液晶組成物を注入
する過程をこの順に為し、かつ、樹脂膜を構成する高分
子は側鎖に低い表面自由エネルギーを招来するような基
を所定の密度で有するような液晶素子の製法を提供する
ものである。
を有する第１及び第２基板の主面上に樹脂膜を形成する
過程と、この主面を表面張力の小さい液体中に浸漬する
過程と、この主面を乾燥させるか、または洗浄し乾燥さ
せる過程と、この樹脂膜をラビング処理する過程と、前
記第１及び第２基板の主面を対向させ、所定の間隙を保
って封着した後に形成された間隙内に液晶組成物を注入
する過程をこの順に為し、かつ、樹脂膜を構成する高分
子は側鎖に低い表面自由エネルギーを招来するような基
を所定の密度で有するような液晶素子の製法を提供する
ものである。
本発明はまた、導電電極を有する第１及び第２基板の主
面上に樹脂膜を形成する過程と、この樹脂膜をラビン、
グ処理する過程と、この各基板の主面を表面張力の小さ
い液体中に浸漬する過程と、この主面を乾燥させるか、
または洗浄し乾燥させる過程と、前記第１及び第２基板
の主面を対向させ、所定の間隙を保って封着した後に形
成された間隙内に液晶組成物を注入する過程をこの順に
為し、かつ、樹脂膜を構成する高分子ば側鎖に低い表面
自由エネルギーを招来するような基を所定の密度で有す
るような液晶素子の製法を提供するものである。
面上に樹脂膜を形成する過程と、この樹脂膜をラビン、
グ処理する過程と、この各基板の主面を表面張力の小さ
い液体中に浸漬する過程と、この主面を乾燥させるか、
または洗浄し乾燥させる過程と、前記第１及び第２基板
の主面を対向させ、所定の間隙を保って封着した後に形
成された間隙内に液晶組成物を注入する過程をこの順に
為し、かつ、樹脂膜を構成する高分子ば側鎖に低い表面
自由エネルギーを招来するような基を所定の密度で有す
るような液晶素子の製法を提供するものである。
表面張力の小さい液体とは、表面張力が約３０ｄｙｎ−
ｃｍ−’以下なる液体が望ましい。使いやすい液体とし
ては、パラフィン、特２こオクタン、ノナン、デカンあ
たりである。
ｃｍ−’以下なる液体が望ましい。使いやすい液体とし
ては、パラフィン、特２こオクタン、ノナン、デカンあ
たりである。
表面張力の小さい液体中に浸漬する過程では、前記液体
を加温することが、処理の時間を考えるとほぼ必須であ
る。
を加温することが、処理の時間を考えるとほぼ必須であ
る。
低い表面自由エネルギーを招来するような基がアルキル
基そのもの、またはそれの水素原子の一部またはすべて
がフッ素または臭素で置換されてなるようなものである
のが望ましい。
基そのもの、またはそれの水素原子の一部またはすべて
がフッ素または臭素で置換されてなるようなものである
のが望ましい。
低い表面自由エネルギーを招来するような基とは、この
基が表面にあれば、表面張力が低くなるようなものであ
る。
基が表面にあれば、表面張力が低くなるようなものであ
る。
作用
本明細書では、通常の例えばイミド環を有するポリイミ
ドからなる高分子主鎖から、側鎖が分岐しているような
樹脂膜が関係する。側鎖としては、炭素数の多い、すな
わち長いアルキル基またはこれの水素原子の一部または
すべてをハロゲン原子で置換した基が使われる。これら
の高分子樹脂膜を形成するための、前駆体を得るために
は、共重合等の手段が用いられる。
ドからなる高分子主鎖から、側鎖が分岐しているような
樹脂膜が関係する。側鎖としては、炭素数の多い、すな
わち長いアルキル基またはこれの水素原子の一部または
すべてをハロゲン原子で置換した基が使われる。これら
の高分子樹脂膜を形成するための、前駆体を得るために
は、共重合等の手段が用いられる。
前駆体レジンを熱硬化させる等により得られた樹脂膜に
おいては、これらの側鎖は、樹脂膜中で種々の方向を向
いている。
おいては、これらの側鎖は、樹脂膜中で種々の方向を向
いている。
ところが、液晶分子と相互作用して、液晶分子のプレ・
チルトを立たせるのは、前述の樹脂膜から突き出した樹
脂膜を構成する高分子の側鎖に由来すると思われる。
チルトを立たせるのは、前述の樹脂膜から突き出した樹
脂膜を構成する高分子の側鎖に由来すると思われる。
通常、液晶を封入した液晶素子を、そのまま熱処理する
と、プレ・チルト角は向上し、これの値の分散も小さく
、なり、これの経時変化も小さ（なる。この現象はよく
観察されるものだが、これは、徐々に前記側鎖が、樹脂
膜から液晶中へ突き出す確率が増加したためと思われる
。
と、プレ・チルト角は向上し、これの値の分散も小さく
、なり、これの経時変化も小さ（なる。この現象はよく
観察されるものだが、これは、徐々に前記側鎖が、樹脂
膜から液晶中へ突き出す確率が増加したためと思われる
。
そこで本発明はラビングの前、またはラビングの後で、
樹脂膜と表面張力の小さい液体と相互作用させ、樹脂膜
のミクロな状態を、よりプレ・チルト角の経時変化が小
さく、高チルト角が得られる状況に近付けておくことに
本質がある。すなわち、この相互作用によって、前記側
鎖が、樹脂膜から液晶中へ突き出す傾向をより助長し、
助けるわけである。この際、基板を加熱するほうか、効
果は大きい。
樹脂膜と表面張力の小さい液体と相互作用させ、樹脂膜
のミクロな状態を、よりプレ・チルト角の経時変化が小
さく、高チルト角が得られる状況に近付けておくことに
本質がある。すなわち、この相互作用によって、前記側
鎖が、樹脂膜から液晶中へ突き出す傾向をより助長し、
助けるわけである。この際、基板を加熱するほうか、効
果は大きい。
なお、基板に付着したごみ等を除去するために、ラビン
グ後に液体による洗浄がなされる場合が多い。これに対
して、本発明は液体を加温して樹脂膜に化学的、物理的
変化を与えることを狙ったものであり、全く質的に異な
るものである。
グ後に液体による洗浄がなされる場合が多い。これに対
して、本発明は液体を加温して樹脂膜に化学的、物理的
変化を与えることを狙ったものであり、全く質的に異な
るものである。
実施例
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図はこの発明の一実施例によって得られる液晶素子
を示す断面図である。同図において、１．２は例えば、
透明ガラスからなる第１及び第２基板、３．４は主面上
の、例えばＩＴＯ膜からなる矩形状の透明な導電電極、
５．６は配向膜、７は液晶層である。
を示す断面図である。同図において、１．２は例えば、
透明ガラスからなる第１及び第２基板、３．４は主面上
の、例えばＩＴＯ膜からなる矩形状の透明な導電電極、
５．６は配向膜、７は液晶層である。
（実施例１）
主面に微細加工されたＩＴＯ電極３．４を有するガラス
基板１．２を覆うように、側鎖に長いアルキル鎖を有す
るポリイミド・レジンをスピナーで塗布した後、２５０
°Ｃで３０分加熱して樹脂膜を得る。
基板１．２を覆うように、側鎖に長いアルキル鎖を有す
るポリイミド・レジンをスピナーで塗布した後、２５０
°Ｃで３０分加熱して樹脂膜を得る。
ウォーター・バスで約９０°Ｃに加温したノナンに約１
０分、前記基板を浸漬し、乾燥させ、この樹脂膜をラビ
ングし、かくて配向膜５．６を得る。次に前記第１及び
第２基板の主面を対向させ、所定の間隙を保って封着し
た後に形成された間隙内にＳＢＥ用の特定液晶Ｍｉ威物
を注入させて、液晶素子を得た。
０分、前記基板を浸漬し、乾燥させ、この樹脂膜をラビ
ングし、かくて配向膜５．６を得る。次に前記第１及び
第２基板の主面を対向させ、所定の間隙を保って封着し
た後に形成された間隙内にＳＢＥ用の特定液晶Ｍｉ威物
を注入させて、液晶素子を得た。
以上の方法で作製した６個の液晶素子のプレ・チルト角
を測定したところ、５．６°±０．４°であり、再現性
は良好であった。また、プレ・チルＩ・の経時変化量も
格段に小さくなった。
を測定したところ、５．６°±０．４°であり、再現性
は良好であった。また、プレ・チルＩ・の経時変化量も
格段に小さくなった。
比較例として、従来の方法のものを実験したところ、次
に示すような結果を得た。すなわち、液体での樹脂膜の
処理をせずに、液晶素子を６個作製した。
に示すような結果を得た。すなわち、液体での樹脂膜の
処理をせずに、液晶素子を６個作製した。
これらの液晶素子のプレ・チルト角は、３．０゜から５
．２°の間にばらつき、再現性が悪かった。
．２°の間にばらつき、再現性が悪かった。
（実施例２）
主面２こ微細加工されたＩＴＯ電極３．４を有するガラ
ス基板１．２を覆うように、側鎖に長いフルオロ・アル
キル鎖を有するポリイミド・レジンをスピナーで塗布し
た後、２５０°Ｃで３０分加熱して樹脂膜を得る。この
樹脂膜をラビング処理をした。
ス基板１．２を覆うように、側鎖に長いフルオロ・アル
キル鎖を有するポリイミド・レジンをスピナーで塗布し
た後、２５０°Ｃで３０分加熱して樹脂膜を得る。この
樹脂膜をラビング処理をした。
前記基板をウォーター・バスにより約８０°Ｃに加温さ
れたデカンに約３０分、浸漬し、乾燥させる。
れたデカンに約３０分、浸漬し、乾燥させる。
前記第１及び第２基板の主面を対向させ、所定の間隙を
保って封着した後に形成された間隙内にＳＢＥ用の特定
液晶組成物を注入させて、液晶素子を得た。
保って封着した後に形成された間隙内にＳＢＥ用の特定
液晶組成物を注入させて、液晶素子を得た。
以上の方法で作製した６個の液晶素子のプレ・チルト角
を測定したところ、１１．５°±０．５°であり、再現
性は良好であった。また、プレ・チルトの経時変化量も
格段に小さくなった。
を測定したところ、１１．５°±０．５°であり、再現
性は良好であった。また、プレ・チルトの経時変化量も
格段に小さくなった。
比較例として、従来の方法のものを実験したところ、次
に示すような結果を得た。すなわち、液体での樹脂膜の
処理をせずに、液晶素子を６個作製した。
に示すような結果を得た。すなわち、液体での樹脂膜の
処理をせずに、液晶素子を６個作製した。
これらの液晶素子のプレ・チルト角は、５．０゜から９
．２°の間にばらつき、再現性が悪かった。
．２°の間にばらつき、再現性が悪かった。
なお、液体での基板の処理において、液体の温度が４０
’Ｃより低い場合には効果が不十分であり、反対に液体
での基板の処理が１００°Ｃを越す場合には、液体の蒸
発が激しく作業が困難になるうえ、場合によってはラビ
ング処理の効果が失われることがあり、１００’Ｃ以下
の処理が望ましい。
’Ｃより低い場合には効果が不十分であり、反対に液体
での基板の処理が１００°Ｃを越す場合には、液体の蒸
発が激しく作業が困難になるうえ、場合によってはラビ
ング処理の効果が失われることがあり、１００’Ｃ以下
の処理が望ましい。
発明の効果
以上本発明は、適当な処理により、要求される液晶のチ
ルト角を安定に供給することが出来、結果、良好な表示
品位の液晶素子が得られる。
ルト角を安定に供給することが出来、結果、良好な表示
品位の液晶素子が得られる。
第１図は本発明の一実施例によって得られる液晶素子の
概略断面図である。 ０ １・・・・・・第１基板、２・・・・・・第２基板、３
．４・・・・・・透明な導電電極、５，６・・・・・・
配向膜、７・・・・・・液晶層。
概略断面図である。 ０ １・・・・・・第１基板、２・・・・・・第２基板、３
．４・・・・・・透明な導電電極、５，６・・・・・・
配向膜、７・・・・・・液晶層。
Claims (3)
- （１）導電電極を有する第１及び第２基板の主面上に樹
脂膜を形成する過程と、この主面を表面張力の小さい液
体中に浸漬する過程と、この主面を乾燥させるか、また
は洗浄し乾燥させる過程と、この樹脂膜をラビング処理
する過程と、前記第１及び第２基板の主面を対向させ、
所定の間隙を保って封着した後に形成された間隙内に液
晶組成物を注入する過程をこの順に為し、かつ、樹脂膜
を構成する高分子は側鎖に低い表面自由エネルギーを招
来するような基を所定の密度で有することを特徴とする
液晶素子の製法。 - （２）導電電極を有する第１及び第２基板の主面上に樹
脂膜を形成する過程と、この樹脂膜をラビング処理する
過程と、この各基板の主面を表面張力の小さい液体中に
浸漬する過程と、この主面を乾燥させるか、または洗浄
し乾燥させる過程と、前記第１及び第２基板の主面を対
向させ、所定の間隙を保って封着した後に形成された間
隙内に液晶組成物を注入する過程をこの順に為し、かつ
、樹脂膜を構成する高分子は側鎖に低い表面自由エネル
ギーを招来するような基を所定の密度で有することを特
徴とする液晶素子の製法。 - （３）低い表面自由エネルギーを招来するような基がア
ルキル基そのもの、またはそれの水素原子の一部または
すべてがフッ素または臭素で置換されてなることを特徴
とする請求項１又は２記載の液晶素子の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17750589A JPH0342623A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 液晶素子の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17750589A JPH0342623A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 液晶素子の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342623A true JPH0342623A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16032082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17750589A Pending JPH0342623A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 液晶素子の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0342623A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005242282A (ja) * | 2003-11-21 | 2005-09-08 | Dainippon Ink & Chem Inc | ネマティック液晶表示素子の表示不良解決方法 |
-
1989
- 1989-07-10 JP JP17750589A patent/JPH0342623A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005242282A (ja) * | 2003-11-21 | 2005-09-08 | Dainippon Ink & Chem Inc | ネマティック液晶表示素子の表示不良解決方法 |
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