JPH0342084A - 洗浄方法及びその装置 - Google Patents
洗浄方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH0342084A JPH0342084A JP17558089A JP17558089A JPH0342084A JP H0342084 A JPH0342084 A JP H0342084A JP 17558089 A JP17558089 A JP 17558089A JP 17558089 A JP17558089 A JP 17558089A JP H0342084 A JPH0342084 A JP H0342084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- cleaned
- organic solvent
- cleaning
- cleaning tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 32
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims description 16
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 8
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 7
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 abstract 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013020 steam cleaning Methods 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Extraction Or Liquid Replacement (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プリント基板等の洗浄に適した洗浄方法及び
それに用いる洗浄装置に関する。
それに用いる洗浄装置に関する。
種々の電子機器に用いられているプリント基板は、その
製造工暢中にハンダ付はよりを有している。ハンダ付は
工程では、ハンダの接着性を良好にするために通常ロジ
ン等の７ラツクスが用いられている。フラックスは回路
腐蝕やＩＣの誤動作の原因とｋるためハンダ付は工程の
後に洗浄によって除去される。
製造工暢中にハンダ付はよりを有している。ハンダ付は
工程では、ハンダの接着性を良好にするために通常ロジ
ン等の７ラツクスが用いられている。フラックスは回路
腐蝕やＩＣの誤動作の原因とｋるためハンダ付は工程の
後に洗浄によって除去される。
その方法としては、従来は、まず、純水中にプリント基
板を浸漬してプリント基板に付着したフラックスを除去
し、次いでプリント基板の水切り及び乾燥のためにイン
プロピルアルコール等の水相溶性有機溶媒中にプリント
基板を浸漬するという方法が採用されていた。
板を浸漬してプリント基板に付着したフラックスを除去
し、次いでプリント基板の水切り及び乾燥のためにイン
プロピルアルコール等の水相溶性有機溶媒中にプリント
基板を浸漬するという方法が採用されていた。
Ｌカ・シながら、上配り方法によるとプリント基板の細
部まで十分に洗浄することができたいため、フラックス
を完全に除去することができｔｌいという問題があった
。
部まで十分に洗浄することができたいため、フラックス
を完全に除去することができｔｌいという問題があった
。
（１１！１１１を解決するための手段〕本発明者らは、
上記した問題に鑑み、プリント基板Ｖ細部まで十分に洗
浄が可能で、細部に付着したフラックスを除去し得る方
法について検討した結果、上記の目的を達成し得ろ洗浄
方法を見出し、本発明を完成させるに至った。
上記した問題に鑑み、プリント基板Ｖ細部まで十分に洗
浄が可能で、細部に付着したフラックスを除去し得る方
法について検討した結果、上記の目的を達成し得ろ洗浄
方法を見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、被洗浄物を水中に浸漬する第１工程、
水中から引き上げられた被洗浄物を水１００重量部と水
相溶性有機溶媒４０〜２００３１量部との混合溶媒中に
浸漬する第２工程、及び混合溶媒中から引き上げられた
被洗浄物を水相溶性有機溶媒中に浸漬する第３よりより
なることを％微とする洗浄方法である。
水中から引き上げられた被洗浄物を水１００重量部と水
相溶性有機溶媒４０〜２００３１量部との混合溶媒中に
浸漬する第２工程、及び混合溶媒中から引き上げられた
被洗浄物を水相溶性有機溶媒中に浸漬する第３よりより
なることを％微とする洗浄方法である。
本発明の洗浄方法における第１工程は、被洗浄物を水中
に浸漬する工程である。被洗浄物がプリント基板りよう
に各種イオンの付着をきらうよ’ｊ ｔｘ場合には、水
として純水や超純水が用いられる。水中へσ〕被洗浄物
ｖ１！！漬時間は特に制限されるものでは々いが、プリ
ント基板リアラックス除去りためには、一般に６０秒以
上であることが好ましい。
に浸漬する工程である。被洗浄物がプリント基板りよう
に各種イオンの付着をきらうよ’ｊ ｔｘ場合には、水
として純水や超純水が用いられる。水中へσ〕被洗浄物
ｖ１！！漬時間は特に制限されるものでは々いが、プリ
ント基板リアラックス除去りためには、一般に６０秒以
上であることが好ましい。
次に、本発明の洗浄方法における第２工捏は、第１工程
で引き上げられた被洗浄物を水１００重量部と水相溶性
有機溶媒４０〜２００１１１部との混合溶媒中に浸漬す
る工程である。
で引き上げられた被洗浄物を水１００重量部と水相溶性
有機溶媒４０〜２００１１１部との混合溶媒中に浸漬す
る工程である。
ここで使用される水は、１Ｍｌ工程で１２明した純水や
超純水が好適である。
超純水が好適である。
また、水相溶性有機溶媒は、任意の割合において水と完
全に相溶するものであれば、公知りものが側ら制限され
ずに採用し得る一例エハ、メタノール、エタノール、イ
ンプロパツール等のアルコール類：アセトン、メチルエ
チルケトン等のケトン類を挙げることができろ。
全に相溶するものであれば、公知りものが側ら制限され
ずに採用し得る一例エハ、メタノール、エタノール、イ
ンプロパツール等のアルコール類：アセトン、メチルエ
チルケトン等のケトン類を挙げることができろ。
水と水相溶性有機溶媒との混合比は、前者が１００重量
部に対して後者が４０〜２００重量部の範囲でなければ
１１らず、後者が５０〜１５０１ｒｉ部の範囲であるこ
とが好ましい水相溶性有機溶媒の混合量が上記の範囲よ
りも少ない場合には混合溶鉱の洗浄力が不十分であり、
一方、上記の範囲よりも多い場合には混合溶媒の洗浄力
は十分であるが被洗浄物の細部までの洗浄が十分に行１
１えｔｌい。
部に対して後者が４０〜２００重量部の範囲でなければ
１１らず、後者が５０〜１５０１ｒｉ部の範囲であるこ
とが好ましい水相溶性有機溶媒の混合量が上記の範囲よ
りも少ない場合には混合溶鉱の洗浄力が不十分であり、
一方、上記の範囲よりも多い場合には混合溶媒の洗浄力
は十分であるが被洗浄物の細部までの洗浄が十分に行１
１えｔｌい。
ｊ１２工蝙における混合溶媒中への被洗浄物の浸漬時間
は、被洗浄物の細部へ混合溶媒が十分に行きわたるよう
にするために、ｍｌ工Ｉ、ｉ”ｅの浸漬時間よりも多少
長＜、１２０秒以上であることが好ｌしい。
は、被洗浄物の細部へ混合溶媒が十分に行きわたるよう
にするために、ｍｌ工Ｉ、ｉ”ｅの浸漬時間よりも多少
長＜、１２０秒以上であることが好ｌしい。
次に、本発明の洗浄方法における第３工程は、ａ１２工
傷で引き上げられた被洗浄物を水相溶性有機溶媒中に浸
漬する工程である。こり工程で用いられる水相溶性有機
溶媒としては、第２工程で説明したものと同じもりが採
用し得る。こ（１）第３工捏は、第２工捏から引き上げ
られた被洗浄物の水切りの役目を果たす。
傷で引き上げられた被洗浄物を水相溶性有機溶媒中に浸
漬する工程である。こり工程で用いられる水相溶性有機
溶媒としては、第２工程で説明したものと同じもりが採
用し得る。こ（１）第３工捏は、第２工捏から引き上げ
られた被洗浄物の水切りの役目を果たす。
被洗浄物の水切りを十分に行ない、乾燥後のしみの発生
を防止するためには、第３工軸は次のようであることが
好ましい。水相溶性有機溶媒の沸点より１０〜５０℃低
い温度に保持された水相溶性有機溶媒中に被洗浄物を浸
漬した後、５Ｇａａ／−以下の速度で被洗浄物を引１上
げる方法である。
を防止するためには、第３工軸は次のようであることが
好ましい。水相溶性有機溶媒の沸点より１０〜５０℃低
い温度に保持された水相溶性有機溶媒中に被洗浄物を浸
漬した後、５Ｇａａ／−以下の速度で被洗浄物を引１上
げる方法である。
ここ℃使用される水相溶性有機溶媒は、沸点より１０〜
ｓｏ＠Ｃ低い温度に保持され、その中に被洗浄物が浸漬
される。従って、被洗浄物が熱をきらう場合には、沸点
があまり高くない水相溶性有機溶媒を採用することが好
ましい。通常は、沸点が５０〜９０’Ｃの範囲℃ある水
相溶性有機溶媒が好適に採用される。
ｓｏ＠Ｃ低い温度に保持され、その中に被洗浄物が浸漬
される。従って、被洗浄物が熱をきらう場合には、沸点
があまり高くない水相溶性有機溶媒を採用することが好
ましい。通常は、沸点が５０〜９０’Ｃの範囲℃ある水
相溶性有機溶媒が好適に採用される。
上記の温度範囲に保持された水相溶性有機溶媒中に、被
洗浄物が浸漬される。浸漬の時間は特に制限されないが
、被洗浄物の水切りを十分に行ｔｌうためには通常１２
０秒以上浸演することが好ましい。
洗浄物が浸漬される。浸漬の時間は特に制限されないが
、被洗浄物の水切りを十分に行ｔｌうためには通常１２
０秒以上浸演することが好ましい。
その後、水相溶性有機溶媒中から被洗浄物が引き上げら
れる。被洗浄物の引き上げ速度は、有Ｉａ溶媒り温度が
低いときには遅くすることが好ｌしく、有機溶媒り温度
が高いときには連くすることができる。引き上げ速度が
あまりに遅い場合には、単位時間当りの処理能力が低く
ｋるために、十分１ｇ乾燥と処理能力とを考慮すると、
一般には５〜ｓｏｃｘ７１１１７１Ｍの範囲とｋるよう
に有機溶媒の温度条件との関係で引き上げ速度を決定す
ることが好ましい。
れる。被洗浄物の引き上げ速度は、有Ｉａ溶媒り温度が
低いときには遅くすることが好ｌしく、有機溶媒り温度
が高いときには連くすることができる。引き上げ速度が
あまりに遅い場合には、単位時間当りの処理能力が低く
ｋるために、十分１ｇ乾燥と処理能力とを考慮すると、
一般には５〜ｓｏｃｘ７１１１７１Ｍの範囲とｋるよう
に有機溶媒の温度条件との関係で引き上げ速度を決定す
ることが好ましい。
尚、本発明における上記の被洗浄物は、鉛直方向に引き
上げるのが通常である。しかし、鉛直方向にある角度を
なす方向に引き上げてもよく、そり場合の引き上げ速度
は、鉛直方向り速度成分で表わされる 上記の洗浄方法においては、次に述べる装置が好適に採
用される。即ち、水を入れる第１洗浄槽１、水１００１
ｕ部と水相溶性有機溶媒４０〜２００重量部との混合溶
媒を入れる第２洗浄槽２、及び水相溶性有機溶媒を入れ
る第３洗浄槽３より々す、第３洗浄ｉａ３の水相溶性有
機溶媒を第２洗浄槽２に供給する供給ＩＩ！４によって
第３洗浄槽３と第２洗浄槽２とが連結され、ＩＩ２洗浄
槽２の混合溶媒を排出するための排出管５が第２洗浄槽
に設けられてなる洗浄装置である。
上げるのが通常である。しかし、鉛直方向にある角度を
なす方向に引き上げてもよく、そり場合の引き上げ速度
は、鉛直方向り速度成分で表わされる 上記の洗浄方法においては、次に述べる装置が好適に採
用される。即ち、水を入れる第１洗浄槽１、水１００１
ｕ部と水相溶性有機溶媒４０〜２００重量部との混合溶
媒を入れる第２洗浄槽２、及び水相溶性有機溶媒を入れ
る第３洗浄槽３より々す、第３洗浄ｉａ３の水相溶性有
機溶媒を第２洗浄槽２に供給する供給ＩＩ！４によって
第３洗浄槽３と第２洗浄槽２とが連結され、ＩＩ２洗浄
槽２の混合溶媒を排出するための排出管５が第２洗浄槽
に設けられてなる洗浄装置である。
第２洗浄槽において被洗浄物の洗浄により次第に汚れて
きた混合溶媒は、排出ｇ５を経て系外に排出される。そ
して、第３洗浄槽の水相溶性有機溶媒は、第２洗浄槽で
不足した混合溶媒の調製のために第２洗浄槽へ供給管４
を経て供給され、別途、第２洗浄槽へ供給ＩｅＩ６から
供給される水と混合されて混合溶媒を形成する。さらに
、第３洗浄槽には第２洗浄槽に補給した水相溶性有機溶
媒の不足分を補うために、新しい水相溶性有機溶媒が供
給菅７から供給される。
きた混合溶媒は、排出ｇ５を経て系外に排出される。そ
して、第３洗浄槽の水相溶性有機溶媒は、第２洗浄槽で
不足した混合溶媒の調製のために第２洗浄槽へ供給管４
を経て供給され、別途、第２洗浄槽へ供給ＩｅＩ６から
供給される水と混合されて混合溶媒を形成する。さらに
、第３洗浄槽には第２洗浄槽に補給した水相溶性有機溶
媒の不足分を補うために、新しい水相溶性有機溶媒が供
給菅７から供給される。
このような装置を用いることによって、水相溶性有機溶
媒を第３洗浄槽と第２洗浄槽の両方にむいて使用するこ
とができるために、水相溶性有機溶媒を有効に利用する
ことが℃きる。
媒を第３洗浄槽と第２洗浄槽の両方にむいて使用するこ
とができるために、水相溶性有機溶媒を有効に利用する
ことが℃きる。
さらに、本発明においては、第３洗浄槽の次に、窒素力
゛ス吹き付けによる被洗浄物の乾燥燥工程を必要に応じ
て付は加えることができる。
゛ス吹き付けによる被洗浄物の乾燥燥工程を必要に応じ
て付は加えることができる。
本発明σ）洗浄方法によれば、第１洗浄槽によって被洗
浄物の大部分を洗浄することができ、第２洗浄槽によっ
て被洗浄物の細部の洗浄を行１１つことができ、これら
２つの洗浄槽によって、被洗浄物の洗浄が十分に行なわ
れる。そして、さらに第３洗浄槽によって、水切りを十
分に行なうことができる。特に、第３洗浄槽において、
水相溶性有機溶媒の温度ムび被洗浄物の引き上げ速度と
して前記したような特定υ値を採用した場合には、第３
洗浄槽で水切り及び乾燥を同時に行なうことができるた
め、別途、乾燥のために蒸気洗浄を行なう必要がない。
浄物の大部分を洗浄することができ、第２洗浄槽によっ
て被洗浄物の細部の洗浄を行１１つことができ、これら
２つの洗浄槽によって、被洗浄物の洗浄が十分に行なわ
れる。そして、さらに第３洗浄槽によって、水切りを十
分に行なうことができる。特に、第３洗浄槽において、
水相溶性有機溶媒の温度ムび被洗浄物の引き上げ速度と
して前記したような特定υ値を採用した場合には、第３
洗浄槽で水切り及び乾燥を同時に行なうことができるた
め、別途、乾燥のために蒸気洗浄を行なう必要がない。
本発明は、ｍ紀したプリント基板り洗浄のほか、シリコ
ンウェハー、セラミック基板。
ンウェハー、セラミック基板。
ガラス基板等の洗浄にも適用することができる。
本発明をさらに詳細に説明するために実施例及び比較例
を掲げるが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
を掲げるが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
実施例
１１１図に示した洗浄装置の第１洗浄榴、第２洗浄槽及
び第３洗浄槽に、それぞれ超純水、表１に示した組成の
イソプロピルアルコールとｓｘ水と（２）混合溶媒、及
びイソプロピルアルコールを入れ、フラックスが付着し
たプリント基板を各槽に取次、３分間ずつ投波させて洗
浄及び乾燥を行たった。洗浄及び乾燥前後のフラツクス
量を求め、その除去率をｔｉｌに示した。また、洗浄及
び乾燥後のプリント基板の表面のじみの有無を光学顕微
鏡で観察し、その結果を表１に示した。
び第３洗浄槽に、それぞれ超純水、表１に示した組成の
イソプロピルアルコールとｓｘ水と（２）混合溶媒、及
びイソプロピルアルコールを入れ、フラックスが付着し
たプリント基板を各槽に取次、３分間ずつ投波させて洗
浄及び乾燥を行たった。洗浄及び乾燥前後のフラツクス
量を求め、その除去率をｔｉｌに示した。また、洗浄及
び乾燥後のプリント基板の表面のじみの有無を光学顕微
鏡で観察し、その結果を表１に示した。
ｉｔお、各種とも液温は６０℃とし、第３洗浄槽からの
ブリント基板の引き上げを表１に示した速度で行たった
。
ブリント基板の引き上げを表１に示した速度で行たった
。
表
（注）
・は比較例である。
４゜
ｗＪｌｌｒｉり簡単な説明
第１図は、
本発明で用いられる洗浄装置の
概略図である。
Claims (2)
- （１）被洗浄物を水中に浸漬する第１工程、水中から引
き上げられた被洗浄物を水１００重量部と水相溶性有機
溶媒４０〜２００重量部との混合溶媒中に浸漬する第２
工程、及び混合溶媒中から引き上げられた被洗浄物を水
相溶性有機溶媒中に浸漬する第３工程よりなることを特
徴とする洗浄方法。 - （２）水を入れる第１洗浄槽、水１００重量部と水相溶
性有機溶媒４０〜２００重量部との混合溶媒を入れる第
２洗浄槽、及び水相溶性有機溶媒を入れる第３洗浄槽よ
りなり、第３洗浄槽の水相溶性有機溶媒を第２洗浄槽に
供給する供給管によつて第３洗浄槽と第２洗浄槽とが連
結され、第２洗浄槽の混合溶媒を排出するための排出管
が第２洗浄槽に設けられてなる洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1175580A JP2735631B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 洗浄方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1175580A JP2735631B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 洗浄方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342084A true JPH0342084A (ja) | 1991-02-22 |
| JP2735631B2 JP2735631B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=15998570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1175580A Expired - Fee Related JP2735631B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 洗浄方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735631B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04305364A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-28 | Nippondenso Co Ltd | 真空ろう付け前処理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4913034A (ja) * | 1972-03-20 | 1974-02-05 |
-
1989
- 1989-07-10 JP JP1175580A patent/JP2735631B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4913034A (ja) * | 1972-03-20 | 1974-02-05 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04305364A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-28 | Nippondenso Co Ltd | 真空ろう付け前処理方法 |
| JPH07106447B2 (ja) * | 1991-03-29 | 1995-11-15 | 日本電装株式会社 | 真空ろう付け前処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2735631B2 (ja) | 1998-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3796602A (en) | Process for stripping polymer masks from circuit boards | |
| AU668720B2 (en) | Stabilization of silicate solutions | |
| US4080246A (en) | Novel etching composition and method for using same | |
| JPH0728254A (ja) | レジスト用剥離液 | |
| WO2008052424A1 (fr) | Composé de nettoyage pour éliminer le photorésist | |
| JPH10177998A (ja) | エッチング剤 | |
| KR20050110955A (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 및 이를 포토레지스트박리에 사용하는 방법 | |
| WO2008046305A1 (fr) | Agent de nettoyage pour photoresist faiblement gravée et procédé de nettoyage correspondant | |
| CN107406697A (zh) | 在低pka驱动的聚合物剥离过程中促进电荷络合铜保护的组合物和方法 | |
| CN105022237A (zh) | 一种金属低刻蚀光刻胶剥离液 | |
| JP4649817B2 (ja) | パラジウム除去液およびパジジウムの除去方法 | |
| CN108906763A (zh) | 利用丙酮清洗剂溶液剥离工件表面膜的方法 | |
| JPH0342084A (ja) | 洗浄方法及びその装置 | |
| CN115287130A (zh) | 一种pcb离子污染清洗剂 | |
| CN107338116B (zh) | 一种清洗剂、其制备方法和应用 | |
| KR100357292B1 (ko) | 프린트배선판제조용현상액및프린트배선판의제조방법 | |
| TWI519909B (zh) | 低蝕刻性光刻膠清洗劑及其清洗方法 | |
| JP4244734B2 (ja) | 枚葉式洗浄装置の基板工程用レジスト剥離液及びそれを用いた剥離方法 | |
| JPH09191007A (ja) | フォトレジスト用剥離液 | |
| TWI696898B (zh) | 光阻殘留物清洗液 | |
| KR20040025611A (ko) | 반도체 기판용 세정액 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
| JPH07126695A (ja) | ハンダペースト除去用洗浄剤 | |
| CN102955380A (zh) | 一种低蚀刻光刻胶清洗液 | |
| JPH0466175A (ja) | 水切り乾燥方法 | |
| CN102073226B (zh) | 一种厚膜光刻胶清洗液及其清洗方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |