JPH03389Y2 - - Google Patents

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JPH03389Y2
JPH03389Y2 JP8709285U JP8709285U JPH03389Y2 JP H03389 Y2 JPH03389 Y2 JP H03389Y2 JP 8709285 U JP8709285 U JP 8709285U JP 8709285 U JP8709285 U JP 8709285U JP H03389 Y2 JPH03389 Y2 JP H03389Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、ICを内蔵したクレジツトカード等
であつて、特に書込み、読出し情報を高密度
LED形成ウエハーの適用にて光学的に入力・出
力するようにしたICカードに関する。
従来技術と問題点 従来のクレジツトカードの代表例としては磁気
カードがあるが、斯る磁気カードは外部の磁界に
よりデータが変化したり、カード自体が外力、熱
により変形してデータの読出しが不正確、不能に
なつたりする欠点があり、更にカード一枚当りの
記憶容量が少なく用途拡大に限界がある等の欠点
があり、そこでこれらの欠点を解決すべく近年は
第7図に示すようなICカード1が考案されてい
る。
このICカード1には、情報の書込み、読出し
メモリ回路及び同メモリ回路を制御する中央演算
回路を含むICを内蔵しており、ICカード1の表
面には情報の書込み、読出しの入出力を電気的に
行う電気入出力端子2群が露呈して設けられてい
る。斯るICカードによれば、端子2が酸化又は
汚損した場合に、情報入出力端子との接触不良を
来して読出し、書込みエラー等を生ずる恐れがあ
り、加えて読出し、書込み応答の高速性に劣り、
更に入出力端子専用スペース等からカードの小型
化に限界を伴なう。殊に端末機の電気入出力端子
とカードの電気入出力端子との接続に機械的加圧
を伴なうため、カードに歪を生じてICチツプに
悪影響をおよぼし論理回路の動作に支障を来す。
考案の目的 本考案は上記ICカードにおける書込み、読出
し情報の入・出力を光学的に行い得るようにし
て、上記従来のICカードにおける電気入出力端
子の汚損等による接触不良や加圧接触によるカー
ドの歪等の問題を解決し、併せて、ICカードの
小型化、情報の書込み、読出し応答の高速化を図
つたものである。
考案の構成 本考案は、ICカードにおいて情報の入・出力
に高密度LED形成ウエハーから成る受光素子群
又は発光素子群を用い、この受光・発光素子群を
介して読出し、書込み情報の入・出力を光学的に
行う構成としたICカードに関する。
考案の実施例(第1図乃至第6図参照) 本考案は上記ICカードの入力素子又は出力素
子として受光素子群又は発光素子群を用い、この
受光素子群又は発光素子群として超微粒発光ダイ
オード群を平面的パターンを以つて形成した高密
度LED形成ウエハーを適用する。
上記高密度LED形成ウエハーとしては、東北
大学電気通信研究所において開発された、ガリウ
ムひ素基板の上に直径21ミクロン、高さ19ミクロ
ンの円筒状の突起を51ミクロン間隔で並べた2次
元CTJ(同軸横方向接合)型LED(発光ダイオー
ド)が好適である。この高密度LED形成ウエハ
ーから成る受光、発光素子は一平方cm当り約4万
個の突起部から光信号を同一方向に同時に出すこ
とができるため、従来のLEDに比べて輝度が極
めて高く方向制御も正確なものである。
第1図及び第2図において、10はICカード
を示し、このICカード10には情報の書込み、
読出しメモリ回路を制御する中央演算回路を含む
IC16と、太陽電池15とが内蔵されており、
これらIC16及び太陽電池15は基板14上に
設けICカード10内に密封されている。該太陽
電池15と対応するICカード表面には透光窓2
4が形成されている。
本考案は上記ICカード10におけるIC16の
入・出力素子として上記高密度LED形成ウエハ
ー13から成る受光・発光素子13a群を備え、
この高密度LED形成ウエハー13から成る受
光・発光素子13a群を介して上記書込み、読出
し情報の入・出力を光学的に行い得るように構成
したものである。
上記受光、発光素子13a群を形成する高密度
LED形成ウエハー13と対応するICカード10
の表面には透孔10bを穿設し、この透孔10b
に光信号入出射窓12aを設ける。
第1図Aは上記高密度LED形成ウエハー13
から成る超微粒発光ダイオード群を入力及び出力
素子(受光及び発光素子13a)として兼用した
実施例を示す。
又第1図Bは上記高密度LED形成ウエハー1
3から成る超微粒発光ダイオード群を出力素子
(発光素子13a)として用い、ホトダイオード
(PD)群を入力素子(受光素子13b)として適
用した実施例を示す。同図に示すようにICカー
ド10の表面に光信号入射窓12bと光信号出射
窓12cとを設け、光信号出射窓12cの直下に
は上記発光ダイオードから成る発光素子13a群
を配置し、光信号入射窓12bの直下には上記ホ
トダイオードから成る発光素子13b群を配置す
る。
又は第1図Bの配置に従い、入力素子13b及
び出力素子13aとして共に前記高密度LED形
成ウエハー13から成る発光ダイオード群を適用
する。
又第6図は上記第1図、第2図で説明した受
光・発光素子群13a,13bをICカードの側
面に配置した実施例を示す。
第3,4,5図はICカード1に内蔵するIC1
6の光エネルギー利用電源に関する実施例を示
す。即ち、第3図は上記受光・発光兼用素子13
a,13bを太陽電池15への採光に兼ねた例を
示し、第4図は受光・発光素子13a,13bと
は別に光電変換素子として受光素子23と蓄電池
15′を有する例を示し、第5図は太陽電池15
への採光に受光素子を利用しない例を示す。第3
図乃至第5図において、17は受光・発光素子1
3aの光入力信号を示し、19は光出力信号を示
す。18は太陽電池15及び受光素子23に供給
される電源用の光ビームを示し、又20は太陽電
池15又は蓄電15′とIC16との接続ラインを
示し、21はIC16と受光・発光素子13aと
の接続ラインを示す。尚第3図乃至第5図におい
ても受光・発光素子は第1図A,Bで述べた配置
に従うことは勿論である。
考案の効果 本考案はICカードの書込み、読出し情報の
入・出力素子として受光・発光素子を使用するも
のであるから、従来の電気端子を使用するICカ
ードの欠点である端子の酸化、汚れによる接触不
良の発生がなく、しかも光信号による場合は電気
信号に比べ高密度化が図れ、ICカードを小型に
製作することができ、更に情報の書込み、読出し
応答の高速化が得られる等の利点がある。
殊に本考案によればICカードの入・出力素子
たる受光又は発光素子群を超微粒発光ダイオード
群を平面的パターンを以つて形成した高密度
LED形成ウエハーを適用することによつて、上
記小型化、応答の高速化、高信頼性の作用効果を
一層助長し、ICカードにおける光信号活用、実
用化を促進する効果がある。
【図面の簡単な説明】
図面は本考案のICカードを示し、第1図Aは
入出力素子として受光・発光素子兼用の発光ダイ
オードを用いた実施例を示すICカードの斜視図、
第1図Bは入出力素子として発光素子と受光素子
を併用したICカードの斜視図、第2図は第1図
Aの拡大縦断面図、第3図はICカードの電源た
る太陽電池への採光に光信号用の受光・発光素子
を利用した例の説明図、第4図は電源用の光電変
換素子として受光素子を使用した例の説明図、第
5図は太陽電池へ直接採光する例を示す説明図、
第6図はICカードの側面に情報の書込み、読出
し用入出力素子たる受光・発孔素子群を配した
ICカードの斜視図、第7図は従来の入出力端子
として電気端子を使用したICカードの斜視図で
ある。 10……ICカード、12a,12b,12c
……光信号入出射窓、13……高密度LED形成
ウエハー、13a,13b……受光・発光素子、
23……電源用の受光素子、15……太陽電池、
15′……蓄電池、16……IC、17……光入力
信号、19……光出力信号。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 情報の書込み、読出しメモリ回路を制御する
    中央演算回路を含むICを内蔵したICカードに
    おいて、上記ICの入力又は出力素子として超
    微粒発光ダイオード群を平面的パターンを以つ
    て形成した高密度LED形成ウエハーから成る
    受光素子群又は発光素子群を備え、該高密度
    LED形成ウエハーから成る受光素子群又は発
    光素子群を介して上記読出し、書込み情報の入
    力又は出力を光学的に行い得るように構成した
    ことを特徴とするICカード。 (2) 実用新案登録請求の範囲第1項記載の考案に
    おいて、上記超微粒発光ダイオードを入力素子
    (受光素子群)及び出力素子(発光素子群)と
    して兼用したことを特徴とするICカード。 (3) 実用新案登録請求の範囲第1項記載の考案に
    おいて、上記超微粒発光ダイオードを出力素子
    (発光素子群)として用いると共に入力素子
    (受光素子群)としたホトダイオードを用いた
    ことを特徴とするICカード。
JP8709285U 1985-06-10 1985-06-10 Expired JPH03389Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8709285U JPH03389Y2 (ja) 1985-06-10 1985-06-10

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8709285U JPH03389Y2 (ja) 1985-06-10 1985-06-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61201868U JPS61201868U (ja) 1986-12-18
JPH03389Y2 true JPH03389Y2 (ja) 1991-01-09

Family

ID=30638994

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JP8709285U Expired JPH03389Y2 (ja) 1985-06-10 1985-06-10

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US20050055479A1 (en) * 2002-11-21 2005-03-10 Aviad Zer Multi-module circuit card with inter-module direct memory access

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JPS61201868U (ja) 1986-12-18

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