JPS616783A - メモリ・カ−ド装置 - Google Patents
メモリ・カ−ド装置Info
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- JPS616783A JPS616783A JP12791184A JP12791184A JPS616783A JP S616783 A JPS616783 A JP S616783A JP 12791184 A JP12791184 A JP 12791184A JP 12791184 A JP12791184 A JP 12791184A JP S616783 A JPS616783 A JP S616783A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- card device
- card
- memory card
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K7/00—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
- G06K7/10—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation
- G06K7/10544—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation by scanning of the records by radiation in the optical part of the electromagnetic spectrum
- G06K7/10821—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation by scanning of the records by radiation in the optical part of the electromagnetic spectrum further details of bar or optical code scanning devices
- G06K7/1097—Optical sensing of electronic memory record carriers, such as interrogation of RFIDs with an additional optical interface
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、メモリ・カード装置に関する。
従来例の構成とそめ問題点
キャッシュ・カードやクレジットカード等は、キャッシ
ュレス時代を形成し今や年間1億枚以上の発行がある。
ュレス時代を形成し今や年間1億枚以上の発行がある。
これらのカードは、便利である反面安全性が社会問題化
している。その原因は、8ビット程度の少ない情報量に
ある。従来カードの構成は、磁気テープを貼付したもの
あるいはカード上に凹凸を付けたエンボス型、カードに
穿孔した光学式などがあるが、いずれも情報量の不足か
ら暗証番号が解読され易い。また情報量の不足から暗証
番号以外の情報例えば貯金残高などをメモリすることが
できないなどの多機能化に問題があった。これらの問題
点を解決する新しいカードとして、半導体集積回路を用
いたメモリ・カード装置が注目されている。しかしなが
ら、このようなメモリ・カード装置の新たな問題点は、
情報の授受に当って電気信号を流すだめの接点である。
している。その原因は、8ビット程度の少ない情報量に
ある。従来カードの構成は、磁気テープを貼付したもの
あるいはカード上に凹凸を付けたエンボス型、カードに
穿孔した光学式などがあるが、いずれも情報量の不足か
ら暗証番号が解読され易い。また情報量の不足から暗証
番号以外の情報例えば貯金残高などをメモリすることが
できないなどの多機能化に問題があった。これらの問題
点を解決する新しいカードとして、半導体集積回路を用
いたメモリ・カード装置が注目されている。しかしなが
ら、このようなメモリ・カード装置の新たな問題点は、
情報の授受に当って電気信号を流すだめの接点である。
このような接点は、カードとそれを扱う端末装置を接続
するために必要とするが、カード自身は、各々の個人が
所有管理することから接点部分の保守管理が難しい。そ
の結果、接触不良などのトラブルを発生する原因と彦る
。
するために必要とするが、カード自身は、各々の個人が
所有管理することから接点部分の保守管理が難しい。そ
の結果、接触不良などのトラブルを発生する原因と彦る
。
発明の目的
本発明は、上記メモリ・カード装置の接点不良を改善す
るためのカードの構成を提供するものである。
るためのカードの構成を提供するものである。
発明の構成
本発明は、情報の授受に関し電気的接点を用いずに、光
学的結合を利用して情報の授受を端末装置との間で行な
わせる。そのために、本発明に係るメモリ・カード装置
は、発光素子と受光素子および集積回路素子、電源から
構成される。
学的結合を利用して情報の授受を端末装置との間で行な
わせる。そのために、本発明に係るメモリ・カード装置
は、発光素子と受光素子および集積回路素子、電源から
構成される。
実施例の説明
第1図に本発明に係るメモリ・カード装置の第1実施例
を示す。第1図イは、メモリ・カード装置の斜視図、口
は側面図を示す。第1図イにて、101は半導体素子等
を実装して端末装置へ人出するカード(基板)を示す。
を示す。第1図イは、メモリ・カード装置の斜視図、口
は側面図を示す。第1図イにて、101は半導体素子等
を実装して端末装置へ人出するカード(基板)を示す。
102は半導体素子へ電力を供給するための電源装置を
示し、本実施例においてはPN接合を用いた半導体いわ
ゆる太陽電池を示す。なお、電源装置102は通常の電
池であってもよい。例えば、リチウムを用いたペーパー
電池などは厚さが薄いからカードに搭載するのに適して
いる。本実施例における太陽電池は、特定の波長のレー
ザ光によって照射されるようにすれば、変換効率が向上
し効率のよい太陽電池が得られる。特定の波長とは、P
N接合を形成する半導体のバンドギャップエネルギーに
対応する波長よシも長い波長をいう。
示し、本実施例においてはPN接合を用いた半導体いわ
ゆる太陽電池を示す。なお、電源装置102は通常の電
池であってもよい。例えば、リチウムを用いたペーパー
電池などは厚さが薄いからカードに搭載するのに適して
いる。本実施例における太陽電池は、特定の波長のレー
ザ光によって照射されるようにすれば、変換効率が向上
し効率のよい太陽電池が得られる。特定の波長とは、P
N接合を形成する半導体のバンドギャップエネルギーに
対応する波長よシも長い波長をいう。
さらに、第1図イにて103は集積回路素子を示す。集
積回路素子103は、演算、記憶、制御および発光素子
104の駆動と受光素子106の前置増幅などの機能を
有している。したがって、必らずしも1個の半導体チッ
プである必要はなく、複数個の半導体チップに機能を分
散してカード(基板)1o1に搭載することが可能であ
る。第1図イにて104は発光素子を示す。本実施例に
おいて発光素子104は半導体発光素子であって発光ダ
イオード(LED)−iたけ半導体レーザ(LD)であ
る。これらの半導体発光素子104は必要に応じて複数
個を配列してよいが、また同一半導体内に複数個の発光
素子を配列したレーザ・アレイまたはアレイ・LEDで
あってもよい。
積回路素子103は、演算、記憶、制御および発光素子
104の駆動と受光素子106の前置増幅などの機能を
有している。したがって、必らずしも1個の半導体チッ
プである必要はなく、複数個の半導体チップに機能を分
散してカード(基板)1o1に搭載することが可能であ
る。第1図イにて104は発光素子を示す。本実施例に
おいて発光素子104は半導体発光素子であって発光ダ
イオード(LED)−iたけ半導体レーザ(LD)であ
る。これらの半導体発光素子104は必要に応じて複数
個を配列してよいが、また同一半導体内に複数個の発光
素子を配列したレーザ・アレイまたはアレイ・LEDで
あってもよい。
第1図イにて105は、カード(基板)に搭載した各半
導体素子間を電気的に接続するための配線ハターンの一
例を示す。配線パターンは、カード(基板)に施けたス
ルー・ホール等を介してカードの一生面から他の主面に
も配線される。第1図口にて105は、受光素子を示す
。受光素子は、PN接合を用いたものであって、アバラ
ンシ・ボ1−・ダイオード(APD )あるいはPIN
ダイオードである。なお、受光素子106は、基本的に
発光素子104と同個数が配列される。したがって同一
半導体内に形成したアレイ形であっても良い。更に、発
光素子104と受光素子106は、カードの同一主面に
配列されることも可能だが、受光素子106への漏れ光
を遮光して誤動作を防ぐことから、前記発光素子104
と前記受光素子106とは、カード(基板)101の相
反する主面に配列することが好ましい。なお、カード1
01に搭載した半導体素子は、発光素子104及び受光
素子106の波長に対して透明な絶縁膜によって保護さ
れている。
導体素子間を電気的に接続するための配線ハターンの一
例を示す。配線パターンは、カード(基板)に施けたス
ルー・ホール等を介してカードの一生面から他の主面に
も配線される。第1図口にて105は、受光素子を示す
。受光素子は、PN接合を用いたものであって、アバラ
ンシ・ボ1−・ダイオード(APD )あるいはPIN
ダイオードである。なお、受光素子106は、基本的に
発光素子104と同個数が配列される。したがって同一
半導体内に形成したアレイ形であっても良い。更に、発
光素子104と受光素子106は、カードの同一主面に
配列されることも可能だが、受光素子106への漏れ光
を遮光して誤動作を防ぐことから、前記発光素子104
と前記受光素子106とは、カード(基板)101の相
反する主面に配列することが好ましい。なお、カード1
01に搭載した半導体素子は、発光素子104及び受光
素子106の波長に対して透明な絶縁膜によって保護さ
れている。
まだ、第1図に示しだ実施例では各半導体素子はカード
(基板)上に凸に搭載しているが、第2図に示すように
カード(基板)に四部を施け、そこに半導体素子を搭載
することによって、カードの平坦化を図ることも可能で
ある。なお、第2図で107は前述した絶縁膜を示す。
(基板)上に凸に搭載しているが、第2図に示すように
カード(基板)に四部を施け、そこに半導体素子を搭載
することによって、カードの平坦化を図ることも可能で
ある。なお、第2図で107は前述した絶縁膜を示す。
第3図は、本発明に係るメモリ・カード装置101と端
末装置の結合状態の一実施例の断面図を示す。第3図に
て301は、カード101が滑べる台及び端末装置の筒
体を示す。302はカード101を進退させる駆動装置
でゴム・アイドラーを示す。304はレーザ光源を示し
レーザ光を集光しヤ千行光にするレンズ系303を介し
てカード101上の太陽電池102に照射される。30
5および306は駆動装置としてのアイドラを示す。3
09は例えば受光素子であって308が電線であっても
よい。−i7’(,309はレンズ系であって3Q8は
光ファイバーでアラてもよい。これらの受光素子309
及び光ファイバー308を取り付けた筒体307は、ア
イドラー305によって上下させられる。312は発光
素子もしくはレンズ系を示し、311は電線もしくは光
ファイバーを示す。これらの発光素子及び光ファイバー
を取り付けた筒体310は、アイドラー306によって
上下させられる。端末装置の入口人より本発明に係るメ
モリ・カード装置101を入れると、アイドラー302
の動作によってカード101が端末装置に結合される。
末装置の結合状態の一実施例の断面図を示す。第3図に
て301は、カード101が滑べる台及び端末装置の筒
体を示す。302はカード101を進退させる駆動装置
でゴム・アイドラーを示す。304はレーザ光源を示し
レーザ光を集光しヤ千行光にするレンズ系303を介し
てカード101上の太陽電池102に照射される。30
5および306は駆動装置としてのアイドラを示す。3
09は例えば受光素子であって308が電線であっても
よい。−i7’(,309はレンズ系であって3Q8は
光ファイバーでアラてもよい。これらの受光素子309
及び光ファイバー308を取り付けた筒体307は、ア
イドラー305によって上下させられる。312は発光
素子もしくはレンズ系を示し、311は電線もしくは光
ファイバーを示す。これらの発光素子及び光ファイバー
を取り付けた筒体310は、アイドラー306によって
上下させられる。端末装置の入口人より本発明に係るメ
モリ・カード装置101を入れると、アイドラー302
の動作によってカード101が端末装置に結合される。
カード101と端末装置との間で情報の授受を行うだめ
の発光系(310,311,512)および受光系(3
07,308,309)は、アイドラー305.306
によって、カード101面上に下げられる。同時に、カ
ード101上の太陽電池部にレンズ系303を介してレ
ーザ光源304からレーザ光が照射される。これによっ
て、電力供給が行われカード101は端末装置との間で
光結合によって情報の授受を行う。情報の処理が終了す
れば、レーザ光源304は停止して、アイドラー306
.306によって発光系(310゜311.312)及
び受光系(30了、308 。
の発光系(310,311,512)および受光系(3
07,308,309)は、アイドラー305.306
によって、カード101面上に下げられる。同時に、カ
ード101上の太陽電池部にレンズ系303を介してレ
ーザ光源304からレーザ光が照射される。これによっ
て、電力供給が行われカード101は端末装置との間で
光結合によって情報の授受を行う。情報の処理が終了す
れば、レーザ光源304は停止して、アイドラー306
.306によって発光系(310゜311.312)及
び受光系(30了、308 。
309)がカード101より離される。その後、カード
101は、アイドラー302によって端末装置の外に出
されユーザの手に渡される。
101は、アイドラー302によって端末装置の外に出
されユーザの手に渡される。
発明の効果
本発明に係るメモリ・カード装置によれば、前述した如
く、メモリ・カード装置と端末装置が非接触で情報の授
受及び処理が行える。光結合によって非接触を可能とし
、従来の接触式メモリ・カード装置にあった接触不良に
よる誤動作を無すことができる。同時に、従来のメモリ
・カード装置と同様の記憶存置をもち処理速度の高速イ
しカニ期待できる。以上のように、本発明に係るメモリ
・カート装置は、今後のキャッシュレス時代に適合する
実用的に価値あるものである。
く、メモリ・カード装置と端末装置が非接触で情報の授
受及び処理が行える。光結合によって非接触を可能とし
、従来の接触式メモリ・カード装置にあった接触不良に
よる誤動作を無すことができる。同時に、従来のメモリ
・カード装置と同様の記憶存置をもち処理速度の高速イ
しカニ期待できる。以上のように、本発明に係るメモリ
・カート装置は、今後のキャッシュレス時代に適合する
実用的に価値あるものである。
第1図(イ)、(ロ)は本発明に係るメモリ・カード装
置の第1実施例の斜視図、側面図、第2図は本発明に係
るメモリ・カード装置の第2実施例の断面図、第3図は
本発明に係るメモリ・カード装置と端末装置との結合を
表わす断面図である。 101・・・カード基板、102・・・・・・太陽電池
、103・・・・・集積回路素子、104・・・・・・
発光素子、106・・・・・、配線金属、106・・・
・・・受光素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
置の第1実施例の斜視図、側面図、第2図は本発明に係
るメモリ・カード装置の第2実施例の断面図、第3図は
本発明に係るメモリ・カード装置と端末装置との結合を
表わす断面図である。 101・・・カード基板、102・・・・・・太陽電池
、103・・・・・集積回路素子、104・・・・・・
発光素子、106・・・・・、配線金属、106・・・
・・・受光素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
Claims (5)
- (1)同一基板内に、外部情報処理装置に情報を伝送す
るための発光素子と、前記外部情報処理装置から情報を
受信する受光素子と、情報処理演算または情報記憶する
集積回路素子と、前記発光素子と受光素子及び集積回路
素子に電力を供給するための電源装置とを備えたメモリ
・カード装置。 - (2)発光素子と受光素子は、同一基板の異なる面に取
り付けられていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載のメモリ・カード装置。 - (3)すくなくとも発光素子と集積回路素子との間及び
受光素子と集積回路素子との間には、情報を直並列変換
する機能をもった回路を用いることを特徴とする特許請
求の範囲第1項に記載のメモリ・カード装置。 - (4)電源装置は、PN接合を用いた半導体に光を照射
することで構成した特許請求の範囲第1項記載のメモリ
・カード装置。 - (5)PN接合を用いた半導体への光照射は、前記半導
体のバンドギャップエネルギーに等しい波長の光を用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第4項に記載のメモ
リ・カード装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12791184A JPS616783A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | メモリ・カ−ド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12791184A JPS616783A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | メモリ・カ−ド装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS616783A true JPS616783A (ja) | 1986-01-13 |
Family
ID=14971694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12791184A Pending JPS616783A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | メモリ・カ−ド装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS616783A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63266680A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-11-02 | Hitachi Maxell Ltd | 光記録媒体 |
WO2008065993A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-06-05 | Philtech Inc. | Rf powder particle, rf powder, rf powder exciting method |
US8178415B2 (en) | 2006-11-27 | 2012-05-15 | Philtech, Inc. | Method for manufacturing RF powder |
US8237622B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-08-07 | Philtech Inc. | Base sheet |
US8318047B2 (en) | 2006-11-28 | 2012-11-27 | Philtech, Inc. | Method for providing RF powder and RF powder-containing liquid |
US8766853B2 (en) | 2006-11-27 | 2014-07-01 | Philtech Inc. | Method for adding RF powder and RF powder-added base sheet |
US8766802B2 (en) | 2006-11-27 | 2014-07-01 | Philtech Inc. | Base data management system |
US8933784B2 (en) | 2006-11-28 | 2015-01-13 | Philtech Inc. | RF powder particle, RF powder, and RF powder-containing base |
-
1984
- 1984-06-21 JP JP12791184A patent/JPS616783A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63266680A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-11-02 | Hitachi Maxell Ltd | 光記録媒体 |
US8178415B2 (en) | 2006-11-27 | 2012-05-15 | Philtech, Inc. | Method for manufacturing RF powder |
US8766853B2 (en) | 2006-11-27 | 2014-07-01 | Philtech Inc. | Method for adding RF powder and RF powder-added base sheet |
US8766802B2 (en) | 2006-11-27 | 2014-07-01 | Philtech Inc. | Base data management system |
WO2008065993A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-06-05 | Philtech Inc. | Rf powder particle, rf powder, rf powder exciting method |
US8318047B2 (en) | 2006-11-28 | 2012-11-27 | Philtech, Inc. | Method for providing RF powder and RF powder-containing liquid |
US8704202B2 (en) | 2006-11-28 | 2014-04-22 | Philtech Inc. | RF powder particles including an inductance element, a capacitance element, and a photovoltaic cell and method for exciting RF powder |
US8933784B2 (en) | 2006-11-28 | 2015-01-13 | Philtech Inc. | RF powder particle, RF powder, and RF powder-containing base |
US8237622B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-08-07 | Philtech Inc. | Base sheet |
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