JPH033859B2

JPH033859B2 -

Info

Publication number: JPH033859B2
Application number: JP57074908A
Authority: JP
Inventors: Shigeki Ueda; Toyoji Hatakawa; Isao Kasai
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1982-05-04
Filing date: 1982-05-04
Publication date: 1991-01-21
Also published as: EP0107736A4; WO1983003888A1; AU1474783A; DE3377074D1; EP0107736B1; CA1220838A; AU561179B2; US4686356A; EP0107736A1; JPS58193027A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は電気的に書き換え可能な不揮発性メモ
リを備えた加熱装置に関する。

加熱時間や加熱出力、加熱温度などの組み合せ
から成る加熱データをあらかじめプリセツトして
おき、これらをワンタツチで呼び出せる、いわゆ
るホームメニユーとかユーザプログラムとか呼ば
れる機能を備えた加熱装置は、すでに実用化され
ている。これら実用化されている従来のものは大
別して次の３方式になる。

その第１はシステム内のRAM、例えば１チツ
プマイクロコンピユータを主制御部として備えた
システムではそのマイコンの内蔵RAMに加熱デ
ータを記憶させておく方法である。これはシンプ
ルで安価な方式であるが、停電によつて加熱デー
タがこわれてしまう。

第２の方式はかかる欠点を排除すべく、メモリ
をバツクアツプするバツテリーを備えたシステム
である。これは停電時のバツクアツプはもちろん
可能となるが、バツテリーの寿命、信頼性が問題
となる。とりわけ加熱装置においては機械室の雰
囲気温度がかなり高くなり、電池の放電を促進す
る。また停電検出回路、バツテリーへの電源切換
回路など、システムの規模が増大し、信頼性の低
下はまぬがれない。もちろんコスト面でも不利で
ある。

第３に加熱データをメモリ内にストアせず、ス
イツチやボリユームにプリセツトしておく方法が
ある。この方法はホームメニユーをメカニカルな
手段によつて記憶するものであり、停電の影響を
受けず、信頼性の面でも有利である。

しかしながらこの方式の欠点は操作のしにくさ
にある。すなわち各メニユーごとに独立したスイ
ツチあるいはボリユームを用意しなければなら
ず、操作パネルは繁雑となる。また異なる出力や
加熱時間の組合せから成るシーケンシヤルな加熱
などをプリセツトするのは、大変面倒である。こ
のように本方式は操作面で難があつた。

本発明はかかる背景に鑑みて、加熱データの記
憶手段として電気的に書き換え可能な不揮発性メ
モリを採用することにより、ホームメニユーのプ
リセツト操作が容易で、しかも信頼性の高いシン
プルなシステムを実現するものである。また頻繁
に行われる記憶データの呼び出しを簡単な操作で
行うことができ、かつかかる不揮発メモリの制御
方式を確立することを目的とする。

以下、図面に従つて本発明の構成を説明する。
第１図は本発明に係る加熱装置の本体斜視図であ
る。本体１の前面には開閉自在な扉体２が軸支さ
れ、ハンドル３の操作により開閉される。４は操
作パネルであり、表示窓５とタイマーつまみ６、
ならびに種々の入力キーを備えている。

第２図はかかる操作パネル４の詳細図である。
入力キーとしては熱源の出力を選択するパワーセ
レクトキー７、加熱の開始を指令するスタートキ
ー８、６個のホームメニユーが呼び出せるメモリ
読み出し手段たるメモリキー群９、設定の取消し
を行う消去キー１０、さらには操作パネル４の下
端に位置するメモリ書き込み手段たるメモリエン
トリーキー１１が配されている。メモリエントリ
ーキー１１は誤まつて押されて、プリセツトされ
たホームメニユーをこわしてしまうことのないよ
う、操作パネル４の表面を外して下端に設けられ
ている。

表示窓５には３段階のパワーを示すパワー表示
部１２と、４桁の数字表示部より成る加熱タイム
表示部１３と、ホームメニユーをメモリキー群９
により呼び出したときに、そのメモリナンバーを
示すメモリ表示部１４とが現われる。

さて第３図はかかる加熱装置のシステム構成図
である。一実施例として電子レンジを掲げた。加
熱室１５には熱源たるマグネトロン１６が導波管
１７を介して連結され、被加熱物１８にマイクロ
波エネルギーを照射する。加熱室１５の前面開口
は扉体２により閉塞されており、この扉体２はハ
ンドル３の操作によつて開閉自在である。

主制御部１９は給電制御部２０を介してマグネ
トロン１６への通電を制御する。かかる制御は操
作パネル上の種々の入力キー群２１と、タイマー
つまみ６に連動する加熱時間設定手段２２とによ
り、ユーザが入力した加熱データに従つて実行さ
れる。２３は表示手段であり、表示窓５に前述の
パワー表示や加熱タイム、メモリナンバーを表示
せしめる。

さて２４は本発明に係る書き換え自在な不揮発
性メモリである。主制御部１９はかかる不揮発性
メモリ２４に、種々のホームメニユーを記憶し、
メモリキー群９によつてこれらを読み出し、かつ
実行する。

なお２５は加熱時間の経過を計数するためのク
ロツク発生部、２６は電界撹拌用フアンである。

さて第３図により本発明の構成を概念的に説明
したが、次に回路の一実施例を掲げてその具体的
な詳細について述べる。第４図はかかる本発明の
一実施例を示す回路図である。

主制御部１９はストアド・プログラム方式のコ
ントローラ、例えば１チツプ・マイクロコンピユ
ータによつて構成される。かかるマイコン１９は
給電制御部２０たるリレードライバを介してマグ
ネトロン１６への通電を制御する。タイムリレー
２７はこの通電の間、連続的に閉路するリレーで
ある。パワーリレー２８はこの通電の間、間欠的
に閉路するリレーであり、マグネトロン１６の平
均出力を変化させ、本実施例では高周波出力を３
段階（強、中、弱）に切り換える。なお２９は扉
体の開閉に応動するドアスイツチ、３０は庫内ラ
ンプ、３１は冷却フアンなどのモータである。

さてマイコン１９はかかる給電制御を自身の内
蔵RAMにプリセツトされた加熱データに基づい
て実行する。そしてこの加熱データは操作パネル
上の入力キー群２１と、タイマーつまみ６に連動
する加熱時間設定手段たるボリユーム２２とによ
り、マイコン１９へ入力される。マイコン１９は
これらの入力指令あるいは入力データを解読し
て、所定の加熱データを内蔵RAM内に記憶す
る。ここでI₃〜I₀は入力端子であり、入力キー群
２１のマトリクスを表示手段たる蛍光表示管２３
のグリツド制御信号によつて掃引されたキーデー
タを取り込む。またＡ／ＤはＡ／Ｄコンバータ入
力端子で、ボリユーム２２の抵抗値を電圧値とし
て読み込む。

加熱データの入力方法には二通りある。一つは
パワーキー７とタイマーボリユーム２２を用い
て、所望の加熱データを入力する方法であり、も
う一つはメモリキー群９を用いて、すでに設定さ
れている加熱データ（ホームメニユー）を不揮発
性メモリ２４から読み出す方法である。前者はパ
ワーキー７を所定回数だけ叩いて所望の高周波出
力を選び、次いでボリユーム２２を回して所望の
加熱タイムを設定する。例えばパワーキー７は１
タツプごとに強→中→弱→強→……とサイクリツ
クに繰り返すので、２タツプすれば「弱」を選べ
る。次いでボリユーム２２を回せば、変化する電
圧値をＡ／Ｄ入力端子が読み込み、対応する加熱
タイムに解読して表示管２３に表示が現れるの
で、所望の時間を設定できる。パワーキーとボリ
ユームの操作手順は逆であつてもよいし、いずれ
が先でも受付可能な構成も容易である。これらは
マイコン１９内にストアされた制御プログラムに
よる。

さて後者はメモリキー群９のうち所望のキーを
叩いて、ワンタツチで加熱データを設定できる。

これらの加熱データは、あらかじめ入力キー群
２１の中の「メモリエントリー」キーおよび「パ
ワー」キー、「メモリ１」キー〜「メモリ６」キ
ー、さらにタイマーボリユーム２２を用いて不揮
発性メモリ２４内に書き込まれる。

操作の一例を掲げると、まず「メモリエントリ
ー」キーを押すと、マイコン１９へは表示管２３
のグリツド制御信号R₀〜R₄のうち、R₀が出力さ
れたタイミングで入力端子I₃に信号が入力され
る。これをマイコン１９が解読して不揮発性メモ
リ２４への加熱データの書き込みモードに移行
し、表示管２３の最左桁上部の「メモリ」という
表示を点滅させるよう表示データ信号O₀〜O₇に
出力する。以上の動作はマイコン１９内の制御プ
ログラムに基づいて行われる。

次いで、「メモリ１」キー〜「メモリ６」キー
の中から所望の１個を選んで打鍵する。マイコン
１９はこれを解読し、表示管２３の最左桁に打鍵
されたメモリナンバーを表示する。例えば、「メ
モリ３」が打鍵されれば、グリツド制御信号R₁
が出力されたタイミングで入力端子I₂に信号が入
力されるので、これをマイコン１９が解読して点
滅中の「メモリ」の表示の下桁に「４」を表示す
るよう表示データ信号O₀〜O₇に出力する。

続いて、「パワー」キーを操作して３段階の加
熱出力の中から所望の加熱出力を選択する。グリ
ツド制御信号R₀が出力されたタイミングで入力
端子I₂に信号が入力されるので、これをマイコン
１９が解読して、「パワー」キーのタツプ回数を
判断し、表示管２３の該当するパワー表示セグメ
ントを点灯させる。例えば、タツプが１回であれ
ば、マイコン１９は「強」出力が選択されたと判
断し、表示管２３の左から２桁目のグリツドのセ
グメントが点灯するよう、表示データ信号O₀〜
O₇に出力する。

さらに、タイマーボリユーム２２により所望の
加熱時間を入力する。ボリユームの位置により抵
抗値が変化し、それに見合う電圧がＡ／Ｄ入力端
子（アナログ−デジタル変換端子）に入力され、
マイコン１９はこの電圧値を検出して表示管２３
に入力された加熱時間を表示する。例えば、２分
30秒が入力されれば、左から３桁目乃至５桁目に
「2.30」が表示されるよう、表示データ信号O₀〜
O₇に出力する。

表示された加熱データを確認し、誤りがなけれ
ば、再度「メモリエントリー」キーを押す。グリ
ツド制御信号R₀が出力されたタイミングで入力
端子I₃に信号が入力されるので、これをマイコン
１９が解読して加熱データの登録が終了したもの
と判断し、表示中の加熱データをマイコン内の
RAMから不揮発性メモリ２４に書き込む。

メモリへの書き込みは、マイコンに内蔵された
制御プログラムによるが、第９図にそのプログラ
ムの一例を掲げており、後ほど詳述する。

以上の操作により、「メモリ４」に「強」出力
で「２分30秒」の加熱データが記憶される。以
後、「メモリ４」を押せば、マイコン１９は不揮
発性メモリ２４内からこの記憶された加熱データ
を読み出し、表示管に表示するとともに、続いて
「スタート」キーが打鍵されれば、この加熱デー
タを実行する。

「スタート」キーの打鍵は、グリツド制御信号
R₂が出力されたタイミングで入力端子I₁に信号が
入力されるので、これをマイコン１９が解読す
る。不揮発性メモリ２４からの加熱データの読み
出しは、第８図にその制御プログラムの一例を掲
げており、後ほど詳述する。

なお「メモリエントリー」キーと「メモリ１」
キー〜「メモリ６」キー、「パワー」キーおよび
タイマーボリユーム２２の操作の順番は、かかる
実施例に限定されるものではない。

不揮発性メモリ２４は、マイコン１９からのモ
ード・コード信号ならびにアドレス・データ信号
DA₃〜DA₀により、読み出しおよび書き込みが制
御され、所定のアドレツシングが行われる。読み
出されたデータはデータ出力端子DO₃〜DO₀に出
力され、マイコン１９の入力I₃〜I₀に入力され
る。

不揮発性メモリ２４はマイコン１９のイニシヤ
ライズ端子「INIT」同様、電源オンクリア端子
「PCLA」を備えている。これは電源オン時にＨ
レベルに設定し、電源電圧が動作条件内に到達後
Ｌレベルにすることによりメモリ動作が可能とな
る。また不揮発性メモリ２４はメモリを動作させ
るチツプイネーブル端子「」を備えている。
これはＨレベルに固定しておけば、メモリの一定
の動作を停止させられる。すなわちメモリの内容
がこわされないようプロテクトできる。３２はか
かるPCLRおよびを動作させるメモリ保護手
段であり、電源のオンおよびオフ時にメモリをプ
ロテクトする。トランジスタ３３は電源オン時に
オンし、コンデンサを充電後オフする。これによ
りメモリ２４はリセツトされる。また電源オフ時
はツエナー３４がオフし、トランジスタ３３をオ
ンさせてをＨレベルとし、メモリ２４をプロ
テクトする。

３５はマイコン１９のイニシヤル回路であり、
電源オン時にマイコンをリセツトする。なおクロ
ツク回路２５はマイコン１９のタイマー手段を動
作させるベースとなるクロツクパルスを発生す
る。マイコン１９はこれを計数し、加熱タイムを
減算する。また３６はブザー回路であり、加熱の
終了などを報知する。

さて第５図はマイコン１９のイニシヤル回路３
５を、メモリ保護手段として兼用する例である。
イニシヤル回路３５は電源のオン時にマイコン１
９をイニシヤライズすると共に、メモリ２４の
PCLAをもリセツトする。そして電源のオフ時に
はCEを強制的にＨレベルに引き上げて、メモリ
２４の内容をプロテクトする。

ANDゲート３７は、マイコン１９の入力端子
I₃〜I₀への入力を、R₁₂出力によつてキーボード
２１とメモリ２４の出力DO₃〜DO₀とに切り換え
る。つまりR₁₂出力がＨレベルの時には入力I₃〜
I₀はキーボード２１のために開放され、このとき
メモリ２４は不能である。

一方、R₁₂出力がＬレベルになると、メモリ２
４は能動となり、入力I₃〜I₀はメモリ出力DO₃〜
DO₀に専有される。このときキーボード２１の入
力データは、マイコン１９に一切入力されない。
このようにメモリ動作中のキー入力の取り込みを
禁止することにより、メモリの読み出し、書き込
み動作の途中でモードが切り換わり、中途半端な
データが読み出されたり、書き込まれたりするこ
とを防止できる。とりわけ書き込みには比較的長
い時間を要し、また誤まつた加熱データを書き込
んでしまうとこれに基づいてマグネトロンが制御
され、危険ですらある。よつてメモリ動作中はモ
ードチエンジを禁止する意味で、ゲート３７によ
りキー入力を停止する本例は有効である。

さらにマイコン１９からは加熱動作中にはR₁₂
出力を絶えずＨレベルとなるようプログラムして
おく。これによつてマイクロ波が発振されている
際には、メモリ２４の読み書きはできない。従つ
てマイクロ波に起因するノイズがメモリのアドレ
ス線あるいは出力線に乗つても、メモリ２４の内
容がこわされてしまうことを防止できる。

次に第６図以下を用いてマイコン１９にストア
されたプログラムについて説明する。

第６図は電源オン時のフローチヤートである。
マイコン１９のINIT端子のリセツトが解除され
ると同時にマイコン１９は動作を開始する。まず
全出力ポートがリセツトされ、ついでRAMがク
リアされる。これがマイコンのイニシヤライズで
ある。

続いて500ｍＳタイマーがスタートし、500ｍＳ
を計数する間、一切の動作は遅延される。これは
〔マイコンのリセツト時間〕〔メモリのPCLA
リセツト時間〕の関係を満足するよう回路定数が
設定されていることによる。すなわちマイコンの
リセツトが解除されるより以前にメモリのリセツ
トが解けると、マイコンから如何なる出力が為さ
れているか不定なので、メモリの内容がこわされ
る可能性がある。よつてマイコンはメモリがまだ
プロテクトされているうちに動作を始める。とこ
ろがこのメモリプロテクトが解けないうちにマイ
コンがメモリをアクセスする可能性が生じる。こ
のとき当然メモリのアクセスは失敗するので、こ
の事態を防止するために500ｍＳのソフトタイマ
ーを挿入した。

さて500ｍＳが経過すると、続いてメモリ・リ
フレツシユを行う。不揮発性メモリとはいえ、書
き込まれたデータは永久的に保存されるものでは
ない。とりわけ電子レンジの機械室のようにかな
り高温な雰囲気中で使用すると、メモリに書き込
まれたデータのレベルが徐々に低下をきたし、や
がて消滅する。これを防止するのがメモリ・リフ
レツシユであり、要するにあるデータを再度書き
直して、低下しつつあるレベルを元にもどすこと
を目的とする。メモリ・リフレツシユは次の手順
で行われる。まずリフレツシユすべきアドレスが
メモリから読み出される。次いで該当するアドレ
スのデータが読み出され、マイコン内のRAMに
ストアされる。このRAMデータが次に再び同じ
アドレスに書き直され、データ・リフレツシユが
実行される。リフレツシユ後は再度読み出し照合
が行われて、メモリの内容とマイコンRAMの内
容が照合される。そして最後に、次のメモリ・リ
フレツシユに対応するためにメモリのリフレツシ
ユ・アドレスが更新され、メモリ・リフレツシユ
は終了する。

本実施例はこのように電源のオン時にメモリの
１アドレスだけを更新する。これはリフレツシユ
に比較的時間を要するため、全アドレスを毎回リ
フレツシユするとウエイト時間が長くなつて実用
に支障を来すことを防止することを目的としてい
る。なおリフレツシユ・アドレス・データも不揮
発性メモリのあるワーキング・アドレス内にスト
アされ、電源がオフされても保持しうる。

さて電源がオンされつ放しになる可能性もあ
る。このときには第６図の方法だけではメモリ・
リフレツシユができない。そこで第７図のリフレ
ツシユ法をさらに付加した。第７図は表とキー入
力の取込みを行うメイン・ルーチンを示す。ここ
でキー入力が一定時間全く無ければ、第６図で示
したメモリ・リフレツシユを行わせる。

第７図において、表示は第４図に示すように本
実施例はR₀〜R₄によつてグリツドを制御するダ
イナミツク点灯であるから、スキヤンの先頭で表
示グリツド・ポインタに初期値を設定する。例え
ば“５”を設定する。次いで表示グリツド・ポイ
ンタの値を更新する。すなわちポインタの内容を
デイクリーメントする。そしてこのポインタで示
されるグリツドの表示データをO₀〜O₇に出力す
る。これは表示管のアノードに接続され、次いで
グリツドにRn出力がセツトされると、所定のグ
リツドが点灯する。その後、若干のデイレイ・タ
イムを取つてこのRn出力で掃引されるキーマト
リクスのある列データを取り込む。そして取り込
んだキー入力をチエツクしてキー入力の有無を調
べる。キー入力があれば８時間タイマーをリセツ
トして、このキーを解読するため、キー・デコー
ド・ルーチンへとジヤンプさせる。キー入力がな
ければ８時間タイマーをチエツクして、次のグリ
ツドを表示させるため＃Ｃへジヤンプさせる。
R₀までの点灯が終了すれば、再び初期設定のた
め＃Ｂへ戻る。そしてもしキー入力のないまま８
時間が経過すれば、電源がオンされつ放しである
と判断しメモリ・リフレツシユを行うべく＃Ａ
（第６図）へとジヤンプさせる。

さて次にメモリの読み出し時のエラーを防止す
る手法について説明する。第８図はメモリ読み出
しルーチンを示す。まずR₈〜R₁₁およびR₁₂によ
りメモリ読み出しモードとし、所望のアドレス・
データをプリセツトする。そして出力されたメモ
リ・データを取り込み（１回め）、これをRAM
内にセーブする。次いで適宜デイレイタイムを設
けた後に同様の手順で全く同じアドレスのデータ
を再度読み出し、これを取り込む（２回め）。そ
してこのデータとRAM内にセーブした１回めの
データとを照合し、一致すれば読み出しを終了す
る。もし両者が一致しなければノイズ等の何らか
の原因により読み内しに障害が発生したものと判
断し、読み出しをやり直す。カウンタはこの繰り
返し回数を限定し、メモリ不良時にプログラムが
エンドレス・ループとなることを防止するもの
で、本例では256回の繰り返し回数を定めている。

さてデータ照合がうまく一致すれば、まずこの
256カウンタをリセツトした後、今度はデータの
論理照合を行う。これは読み出されたデータが加
熱データとして論理上ありうるデータか否かをチ
エツクするもので、具体的には最大設定時間を越
える加熱時間が読み出されていないか、パワーも
しくは加熱時間のいずれかが欠如していないか、
６進桁に６以上が、10進桁に10以上の数値が入つ
ていないかなどを調べる。この論理照合によつて
メモリがこわれたり、メモリ・データが書きかわ
つてしまつたりしたエラーのうちで、制御不能な
読み出しデータを除去できる。そしてこの論理照
合をもパスしたデータだけが、加熱データとして
RAM内の所定アドレスにプリセツトされる。

書き込みについてもエラーを防止すべく照合の
手順を付加している。第９図はかかるメモリ書き
込みルーチンを示す。まずマイコンRAM内に書
き込みデータがセツトされる。然る後にR₈〜R₁₁
およびR₁₂によりメモリを書き込みモードとし、
所望のアドレス・データならびに書き込みデータ
をメモリへ入力する。そして書き込み終了後にこ
れを再度読み出す。読み出す手順は第８図のルー
チンと同様である。さて読み出されたデータは
RAM内にセツトされたデータとここで照合され
る。すなわち書き込みが成功したか否かのチエツ
クを受けるわけである。ここでも何らかのエラー
で書き込みが失敗に終れば、カウンタにより８回
まで書き込み手順がリトライされる。リトライ回
数が少ないのは、一般に書き込み時間は読み出し
時間に比して長い時間を要すること、メモリの書
き込み寿命は読み出し寿命に比してはるかに短い
ことを配慮したためである。

第１０図はメモリのアクセス・タイムを短縮す
るため、マイコンのRAM内に不揮発性メモリと
同じメモリ・マツプを設けた例である。マイコン
１９の内部にはRAM３８が内蔵されている。そ
してこのRAM３８内には、不揮発性メモリ２４
に対応するアドレス空間３９が用意されており、
両者には全く同じデータが記憶されている。マイ
コン１９は通常このRAM内のアドレス空間３９
からホームメニユーをアクセスする。そして電源
のオン、オフがあると第６図のリフレツシユの手
順によつて、不揮発性メモリ２４から加熱データ
をコピーし直す。これによりアクセス・タイムは
飛躍的に短縮され、かつメモリ２４の寿命に対し
ても好ましい結果を期待できる。

このように本発明は、不揮発性メモリの加熱装
置への搭載を可能にし、操作パネル上の複数のメ
モリキーを押すことで、所望の加熱データをダイ
レクトにワンタツチで選択することができる。ま
た加熱データを自由に変更でき、電源がオフされ
たり、加熱装置の使用中に停電が起こつても、不
揮発性メモリに記憶された内容は、こわれたり、
消失したりすることがない上に、ある期間ごとに
その内容を読み出し、再度書き直すメモリ・リフ
レツシユという制御を行うので、不揮発性メモリ
に記憶された内容を保持し続けることができ、加
熱データを記憶したメモリを加熱装置の機械室の
ようなかなり高温な雰囲気中で使用し続けても、
データの保持する電荷が徐々に放電し、やがてデ
ータが消滅してしまうことを防止し、長期にわた
つて安定な記憶を続けることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す本例斜視図、
第２図は同操作パネルの詳細図、第３図は本発明
の構成の一例を示すブロツク図、第４図は同具体
回路図、第５図は本発明の別な実施例を示す回路
図、第６図はメモリ・リフレツシユの手順を示す
フローチヤート、第７図はさらに別なメモリ・リ
フレツシユの実行例を示すフローチヤート、第８
図はメモリの読み出し時のエラーを防止する手順
を示すフローチヤート、第９図はメモリの書き込
み時のエラーを防止する手順を示すフローチヤー
ト、第１０図はメモリの二層構造例を示す概念図
である。９……メモリキー、１１……メモリエントリー
キー、１５……加熱室、１６……マグネトロン、
１９……マイクロコンピユータ（主制御部）、２
０……リレードライバ（給電制御部）、２４……
不揮発性メモリ、３２……メモリ保護回路、３５
……マイコンリセツト回路。

Claims

【特許請求の範囲】１被加熱物を載置する加熱室と、この加熱室に
結合された加熱源と、この加熱源への給電を制御
する主制御部と、電気的に書き換え自在でかつ電
源がオフされてもその記憶内容を保持できる半導
体不揮発性メモリと、この半導体不揮発性メモリ
に加熱時間や加熱出力などの加熱データの書き込
みを指令する書き込み手段と、この書き込まれた
加熱データの前記半導体不揮発性メモリからの読
み出しを指令する操作パネル上に設けた複数のメ
モリ読み出し手段とより成り、前記主制御部は前
記メモリ読み出し手段のいずれかが操作された時
には、それに対応する加熱データを前記半導体不
揮発性メモリから読み出し、その加熱データに基
づいて前記加熱源への給電を制御するとともに、
前記半導体不揮発性メモリには上記の加熱データ
を記憶しておく複数の番地名を持つ領域と、これ
ら複数の番地名のうちのひとつの番地名を記憶し
ておく領域とを形成し、電源がオンされるたびに
前記主制御部は前記半導体不揮発性メモリの前記
番地名を記憶した領域から番地名を読み出し、該
番地名で指定される領域に記憶されたある加熱デ
ータを読み出し、同じデータを再度同じ番地名で
指定される領域に書き込み直し、かつ前記番地名
を記憶した領域に記憶された番地名を更新するよ
う構成した加熱装置。２被加熱物を載置する加熱室と、この加熱室に
結合された加熱源と、この加熱源への給電を制御
する主制御部と、電気的に書き換え自在でかつ電
源がオフされてもその記憶内容を保持できる半導
体不揮発性メモリと、この半導体不揮発性メモリ
に加熱時間や加熱出力などの加熱データの書き込
みを指令する書き込み手段と、この書き込まれた
加熱データの前記半導体不揮発性メモリからの読
み出しを指令する操作パネル上に設けた複数のメ
モリ読み出し手段とより成り、前記主制御部は前
記メモリ読み出し手段のいずれかが操作された時
には、それに対応する加熱データを前記半導体不
揮発性メモリから読み出し、その加熱データに基
づいて前記加熱源への給電を制御するとともに、
前記半導体不揮発性メモリには上記の加熱データ
を記憶しておく複数の番地名を持つ領域と、これ
ら複数の番地名のうちのひとつの番地名を記憶し
ておく領域とを形成し、電源がオンされたまま操
作パネル上の入力手段等からの操作指令がある所
定時間続けて欠如した時に、前記主制御部は前記
半導体不揮発性メモリの前記番地名を記憶した領
域から番地名を読み出し、該番地名で指定される
領域に記憶されたある加熱データを読み出し、同
じデータを再度同じ番地名で指定される領域に書
き込み直し、かつ前記番地名を記憶した領域に記
憶された番地名を更新するよう構成した加熱装
置。