JPH0336279A - 霧化薄膜形成用霧供給装置 - Google Patents

霧化薄膜形成用霧供給装置

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JPH0336279A
JPH0336279A JP1170492A JP17049289A JPH0336279A JP H0336279 A JPH0336279 A JP H0336279A JP 1170492 A JP1170492 A JP 1170492A JP 17049289 A JP17049289 A JP 17049289A JP H0336279 A JPH0336279 A JP H0336279A
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mist
chamber
fog
film forming
thin film
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今井 瑞穂
Atsuo Ito
厚雄 伊藤
Mikio Sekiguchi
幹夫 関口
Hideyo Iida
英世 飯田
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Taiyo Yuden Co Ltd
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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  • Non-Insulated Conductors (AREA)
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  • Chemically Coating (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、霧化した原料溶液を、加熱された基板に吹き
付け、薄膜を形成する霧化薄膜形成装置において、原料
溶液の霧を供給する装置に関する。
[従来の技術] 太陽電池、液晶表示装置、プラズマ表示装置等に用いら
れる透明導電膜は、酸化錫や酸化インジウム錫の薄膜に
より形成される。この透明導電膜は、霧供給装置によっ
て生じた原料溶液の霧を、成膜用ノズルから加熱された
基板に向けて放出し、加熱された基板上で反応、成膜さ
せる。
この方法で透明導電膜を形成する場合に用いられている
従来の霧化薄膜形成装置の一例を、第5図及び第6図に
基づいて説明する。
この霧化薄膜形成装置では、霧供給装置1によって原料
供給源23と給気器2とから薄膜の原料溶液とキャリア
ガス(多くは空気)とを噴霧ノズル17に送り、ここで
上記原料溶液を噴霧し、これを成膜用ノズル3の吐出口
3aから放出させる。成膜用ノズル3の吐出口3aの上
方には、成膜室4が設けられ、そこに霧化された原料溶
液が漂う。上記基板6は、その表面が上記成膜室4の天
面を形成するよう、成膜室4の上を順次連なりながら第
5図において、左から右へど保持されながら搬送される
。この成膜室4で天面を形成する位置にある基板6は、
均熱板7を介して背後のヒーター8によって所定の温度
に加熱される。
この装置には、基板人口■9側からガラス板等の基板6
を導入し、成膜室4を経て基板出口20から導出される
よう順次搬送される。成11Q室4では、成膜用ノズル
3の吐出口3aが下側から基板4の下面に向けて設けら
れ、これから成膜室4に放出された霧状の原料溶液は、
排出口5に向けて緩やかに流れ、その間に基板6の表面
に接触する。そして、基板6の表面で、溶液中の原料が
空気中の酸素、或いは原料溶液中の水分と反応し、上記
基板6の表面に酸化物の薄膜が形成される。また、基板
6の表面の成膜に寄与しなかった霧は、排出口5から排
出される。
従来、このような霧化薄膜形成装置において、原料溶液
を霧化し、これを成膜用ノズル3に供給する装置1は、
上記成膜用ノズル3と通じる閉じられた空間を形成する
溜箱J8と、その中に吐出口が配置された噴霧ノズル1
7とから構成されている。そして、バイブ18を通じて
原料供給源23から送られて来る原料溶液と、給気器2
側から送られて来るキャリアガスとにより、噴霧ノズル
17において上記原料溶液を霧化して噴霧し、これを霧
箱13の中から成膜用ノズル3を通して成膜室4へと供
給している。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記の薄膜形成用霧化装置を用いた場合
において、薄膜の成膜速度を高めて、薄膜の生産性を向
上させるため、原料溶液を単位時間当り多量に供給し、
噴霧ノズル17から多くの原料溶液を噴霧させると、形
成される霧の粒子の分布が大きい方へシフトシ、大きい
粒子の割合が増加する。大きな粒子は、霧箱13の中で
除去されるため、噴霧ノズル17から噴霧させる原料溶
液の量を多くした割には成膜用ノズル3から成膜室4へ
供給される霧の量はあまり増加せず、成膜速度が上がら
ない。また、大きな粒子の霧が多量に存在すると、鞘箱
13内で十分除去されず、大きな粒子を多量に含む霧が
成膜室4へ送られる。このような、粒子の粗い霧が基板
6の表面に接触して、同表面に薄膜が成膜されると、特
に大きな粒子の霧は液滴の状態のまま基板6に接触する
ため、水分や空気との接触、反応が十分なされないまま
薄膜が形成され、欠陥の多い薄膜が形成される。このた
め、上記従来の霧化装置では、薄膜の品質を低下させる
ことなく、その成膜速度を上げることができないという
課題があった。
そこで、本発明は、上記の従来技術における5− 問題点に鑑み、上記課題を解決することができる薄)膜
形成用霧化装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段] すなわち、上記目的を達成するため、本発明において採
用した手段の要旨は、吐出口3aを上方に向けて開口さ
せた成膜用ノズル3と、薄膜の原料溶液を霧化して上記
成膜用ノズル3/\送る霧供給装置と、上記成膜用ノズ
ル3の吐出口3aの上を通過するよう一方向に搬送され
る基板6を天面とする成膜室4と、成膜室4にある上記
基板6をその上面から加熱する手段とを備える薄膜形成
装置において、上記ノズル3に通じる霧溜室15と、霧
復流路1Bを介してこの霧溜室15に通じる霧還流室2
2と、先端側が上記霧溜室15側に向けて開口されると
共に、基端側が霧還流室22側に開口しており、かつ基
端側からから先端側に向けて次第に径の増大する霧導管
21と、この霧導管21の基端側から先端側に向けて原
料溶液の霧を噴霧する複数の噴霧ノズル17とが備えら
れている霧化薄膜6 形成川霧供給装置である。
[作   用コ 噴霧ノズル17から噴霧された原料溶液の霧の粒子を観
察すると、霧の噴霧経路の中心から離れた位置では粒径
の大きな霧の粒子が多く存在することが着目される。ま
た、霧の吐出経路の中心付近においても、粗い粒子の霧
が含まれるが、これらは細かい霧に比べて噴出速度が速
いため、より遠くへ吹き飛ばされる。
上記の本発明の薄膜形成川霧化装置によれば、噴霧ノズ
ル17から噴霧された霧状原料溶液は、まず細導管21
を通るが、そのとき、噴霧経路の周囲にある比較的粗い
粒子の霧が前記細導管21の壁面に当り、液滴となって
霧の中から除去される。さらに、噴霧経路の中心にある
粗い粒子の霧は、細導管21の先端から遠方へと飛′散
し、細導管21の正面にある霧溜室15の壁面に当り、
やはり液滴となって霧の中から除去される。
霧溜室15に送られた比較的粒子の細かい霧は、霧溜室
15の上方に浮揚し、成膜用ノズル3から成膜室4/\
と送られる。また、その一部は、噴霧ノズル17から霧
が噴霧されるのに伴〜)n導管21の基端側に形成され
る負圧により、霧復流路16を介して霧還流室22へと
入り、新たに噴霧された霧と共に細導管21を介して霧
溜室15へと還流される。この霧の還流の状態を第2図
と第4図に矢印で示した。
そしてこの場合に、複数の噴霧ノズル17からは、特に
粗い霧が噴霧されない範囲で各々原料溶液を噴霧する。
これにより、成膜用ノズル3からは、複数の噴霧ノズル
17からの噴霧量に見合うだけの原料溶液の霧であって
、上記のような粒子の細かい霧を成膜室4へ供給できる
[実 施 例] 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例に・ついて
具体的に説明する。
第1図と第2図に示した実施例1について説明すると、
薄膜形成用の霧化装置は、箱形の鞘箱13を有しており
、この中は板状の仕切14により、霧溜室I5と霧還流
室22とに仕切られている。!!溜室15の」二には成
膜用ノズル3が起立するように接続されている。
霧還流室22の中には、基端から先端側へいくに従って
次第に口径が大きくなるポーン状の細導管21が設置さ
れ、その径の大きな開口部側は」二記仕切14の中央部
に保持され、霧溜室15に向けて開口している。この細
導管21の先端の開口部の前には、霧溜室15の壁面が
起立している。また、この細導管21の基!f!f’f
 fll’lはく霧還流室22の中にあり、そこには上
記鞘箱13の外側からその中に差し込まれた噴霧ノズル
17の先端が挿入されている。この噴霧ノズル17には
、パイプ18を通して原料溶液とキャリアガスとが送ら
れ、その先端から霧s管2Iの中に霧が噴霧される。
仕切14の上記細導管21の先端側の周りには、霧溜室
15と霧還流室22とを通じさせる貫通孔状の霧復流路
16が形成されている。
この実施例では、各々1つずつの噴霧ノズル−〇− 17,17を備えた2組のホーン状の細導管21.21
が霧還流室22に並列に配置されている。
この実施例のように、各々のN導@21の中に1つずつ
噴霧ノズル17を配置した場合は、噴霧ノズル17.1
7が細導管21.21で互いに隔離されるため、噴霧さ
れる霧の干渉が起こりitい。このため、噴霧ノズル1
7.17を2つ設けたことにより、個々の噴霧ノズル1
7.17から過度に多量の原料溶液を噴霧することなく
、従って原料溶液の霧の粒子を粗くすることなく、成膜
用ノズル3からの霧の吐出量を約2倍にすることができ
る。
次に第3図と第4図で示した実施例2では、1つの細導
管21の基端部に2つの噴霧ノズル17.17を配置し
ているが、この場合、第4図で示すように、細導管21
の中心軸に対して対称な位置に2つの噴霧ノズル17.
17を配置し、これら噴霧ノズルIT、1.7から各々
上記中心軸と平行な方向に向けて霧を噴霧する。
0 但しこの場合に、2つの噴霧ノズル17.17を近づけ
ると、両噴霧ノズル17.17から噴霧された霧が互い
に干渉し、大きい霧の粒子が生じる。霧の中の大きい粒
子は、細導管2Iの壁面及びその正面の霧溜室15の壁
面に当り、除去されるため、実施例1の場合より成膜室
4へ供給される霧の量は少なくなる。
次に、上記第1図と第2図及び第3図と第4図で示す霧
化薄膜形成用霧化装置により、ガラス基板6上に透明導
電膜として酸化錫膜を形成し、その膜厚ど比抵抗を10
0個について各々測定し、それらの平均値を各々表1の
EX、1及びEX、2の欄に示した。また、比較のため
、上記従来の霧化装置を用いて薄膜を形成し、同様にし
てその膜厚と比抵抗を測定した結果を表1のCF、  
の欄に示した。
なお、原料溶液は、15%の5nCI4と200モル%
のN HJ F  と5%のアルコールとの混合溶液を
用い、実施例1と2の場合は、この溶液を2つの噴霧用
ノズル17.1.7から何れ11 も総計毎時2.0宛の割合で霧化した。また、比較例の
場合は、上記溶液を1つの噴霧ノズル17から毎時12
の割合で霧化した。そして基板6は、成膜室4を3分で
通過するよう搬送した。
表  1 この結果から明かなように、上記実施例1と2では、比
較に比べて抵抗値が低く、かつ前者は約1. 9倍、後
者は約187倍の膜厚を有する酸化錫膜を形成すること
ができた。特に、実施例1の場合は、2つの噴霧ノズル
17から噴霧される霧の干渉が起こり難いため、噴霧量
を多くすることができ、特に良好な結果が得られている
[発明の効果コ 12 以上説明した通り、本発明の装置によれば、特性の優れ
た薄膜を早い速度で成膜することが出来、薄膜形成工程
の生産性の向上を図ることができるという効果が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例を示す霧化薄膜形成用霧化装
置の一部切欠の斜視図、第2図は、同霧化装置の横断平
面図、第3図は、他の実施例を示す霧化薄膜形成用霧化
装置の一部切欠の斜視図、第4図は、同霧化装置の横断
平面図、第5図は、従来例を示す霧化薄膜形成装置の概
略縦断側面図、第6図は、同従来例に於ける霧化装置の
縦断側面図である。 1・・・霧化装置 3・・・成膜用ノズル 3a・・・
成膜用ノズルの吐出口 4・・・成膜室 7・・・均熱
板8・・・ヒータ エ5・・・霧溜室 16・・・霧復
流路17・・・噴霧ノズル 21・・・細導管 22・
・・霧還流路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 吐出口3aを上方に向けて開口させた成膜用ノズル3と
    、薄膜の原料溶液を霧化して上記成膜用ノズル3へ送る
    霧供給装置と、上記成膜用ノズル3の吐出口3aの上を
    通過するよう一方向に搬送される基板6を天面とする成
    膜室4と、成膜室4にある上記基板6をその上面から加
    熱する手段とを備える薄膜形成装置において、上記ノズ
    ル3に通じる霧溜室15と、霧復流路16を介してこの
    霧溜室15に通じる霧還流室22と、先端側が上記霧溜
    室15側に向けて開口されると共に、基端側が霧還流室
    22側に開口しており、かつ基端側からから先端側に向
    けて次第に径の増大する霧導管21と、この霧導管21
    の基端側から先端側に向けて原料溶液の霧を噴霧する複
    数の噴霧ノズル17とが備えられていることを特徴とす
    る霧化薄膜形成用霧供給装置。
JP1170492A 1989-06-30 1989-06-30 霧化薄膜形成用霧供給装置 Granted JPH0336279A (ja)

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AU58031/90A AU622816B2 (en) 1989-06-30 1990-06-29 Atomizer for forming a thin film
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007077435A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Fujikura Ltd 成膜装置

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5028541A (ja) * 1973-07-12 1975-03-24
JPS6041563A (ja) * 1983-07-15 1985-03-05 インペリアル・ケミカル・インダストリ−ズ・ピ−エルシ− 静電スプレ−
JPS6428378A (en) * 1987-07-24 1989-01-30 Taiyo Yuden Kk Device for forming thin film with mist

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5028541A (ja) * 1973-07-12 1975-03-24
JPS6041563A (ja) * 1983-07-15 1985-03-05 インペリアル・ケミカル・インダストリ−ズ・ピ−エルシ− 静電スプレ−
JPS6428378A (en) * 1987-07-24 1989-01-30 Taiyo Yuden Kk Device for forming thin film with mist

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007077435A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Fujikura Ltd 成膜装置
KR101018738B1 (ko) * 2005-09-13 2011-03-04 가부시키가이샤후지쿠라 성막장치
JP4727355B2 (ja) * 2005-09-13 2011-07-20 株式会社フジクラ 成膜方法

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