JPH0335071A - ハイブリッドｉｃの被覆材料，ハイブリッドｉｃの被覆方法およびハイブリッドｉｃ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はハイブリッドＩＣの被覆材料、詳しくは、薄型
でかつ高信頼性のハイブリッドＩＣを製造するのに適し
た被覆材料、ハイブリッドＩＣの被覆方法およびハイブ
リッドＩＣに関する。

（従来の技術） 近年、民生機器や産業用機器に使用される電子機器が小
型化すよび薄型化するにつれて、これに使用されるハイ
ブリッドＩＣ（インテグラル・サーキット）も筐た同様
に小型化、薄型化および高集積化が図られる傾向にある
。

従来のハイブリッドＩＣの製造法にかいては。

回路が印刷されたアルミナ基板上にＩＣ，）ランジスタ
、コンデンサ等を種々の方法で搭載した後。

外力からの保護と耐湿信頼性を向上するために外装用樹
脂で被覆する方法がとられている。

該外装用樹脂としては、粉体エポキシ樹脂、液状フェノ
ール樹脂、液状エポキシ樹脂などが使用されておシ、粉
体エポキシ樹脂では流動浸漬法。

液状フェノール樹脂および液状エポキシ樹脂ではディッ
ピング法によりハイブリッドＩＣを被覆した後に加熱処
理が行なわれ、硬化されている。

粉体エポキシ樹脂は大量生産ができるという特長を有し
ているが、最近さらに厳しくなっている耐湿信頼性（プ
レッシャー・クツカー試験）に劣る欠点がある。一方、
液状フェノール樹脂および液状エポキシ樹脂は、プレッ
シャー・クツカー試験には良好な結果を示すが、無機質
充填剤を多量に含んでいるため作業時に沈降しやすく、
シかも膜厚が５００〜１０００μｍと厚くなう、ハイブ
リッドＩＣの薄型化ができに＜＜、また耐冷熱衝撃性に
劣るという欠点を有する。

これらの欠点を改良したハイブリッドＩＣ用の外装用塗
料としてノンフィラー系のエポキシ樹脂塗料があシ、こ
の塗料は薄型でかつ耐湿性、耐ヒートサイクル性が優れ
ているため、高密度実装されたハイブリッドＩＣのコー
ティング用塗料として非常に適しておシ、近年その使用
実績が拡大している。しかし９％に高密度化されたハイ
ブリッドＩＣをこの塗料で外装する場合、この塗料は溶
剤を含有しているため加熱硬化時に溶剤の揮発により、
密集した部品のすき間や下部から発泡するという欠点が
あった。この発泡は、外観上の問題だけではなく、水が
浸入し浸入した部分からマイグレーションを起こすなど
の問題が生ずるため好ましくない。

（発明が解決しようとする課題） 本発明の目的は、前記のノンフィラー系のエポキシ樹脂
塗料の欠点である高密度タイプのハイブリッドＩＣを外
装被覆する際に生ずる発泡の問題点を解決し高信頼性の
ハイブリッドＩＣの被覆材料、ハイブリッドＩＣの被覆
方法およびこれを用いたハイブリッドＩＣを提供するこ
とにある。

（課題を解決するための手段） 本発明は、（１）分子中に１個よう多くのエポキシ基を
有するエポキシ樹脂、（２）バラアルキルフェノールを
原料として得られるフェノールノボラック樹脂、（３）
硬化促進剤および（４）スチレン及び／又はスチレン誘
導体を含有してなるハイブリッドＩＣの被覆材料、この
被覆材料を用いたハイブリッドＩＣの被覆方法ならびに
この被覆材料の硬化物で被覆されたハイブリッドＩＣに
ｒｌＡｆる。

本発明に使用される分子中に１個より多くのエポキシ基
を有するエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡとエ
ピクロルヒドリンから誘導されるジグリシジルエーテル
およびその誘導体、ビスフェノールＦとエピクロルヒド
リンから誘導されるジグリシジルエーテルおよびその誘
導体などの通称エピ−ビス型液状エポキシ樹脂、多価ア
ルコールとエピクロルヒドリンから誘導されるジグリシ
ジルエーテル、多塩基酸とエピクロルヒドリンから誘導
されるグリシジルエステルおよびその誘導体、水添ビス
フェノールＡとエピクロルヒドリンから誘導されるジグ
リシジルエーテルおよびその誘導体、３．４−エポキシ
−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ
−６−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、シクロ
ペンタジェンオキサイド、ビニルシクロヘキセンオキサ
イド。

ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル。

３．４−エポキシシクロヘキシルメチル（３，４−エポ
キシシクロヘキサン）カルボキシレート、ビス（＆４−
エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペー
ト、リモネンジオキサイド等の脂環式エポキシおよびこ
れらの誘導体、インブチレンから誘導されるメチル置換
型エポキシ等があげられ、その種類に制限はない。

本発明に使用されるフェノールノボラック樹脂ハ、ハラ
ターシャリ−ブチルフェノール、バラオクチルフェノー
ル、バライソプロピルフェノール。

バラノニルフェノール等のバラアルキルフェノールを原
料として得られるフェノールノボラック樹脂である。

本発明の被覆材料の硬化性の点から、上記のエポキシ樹
脂のエポキシ基に対して、上記のフェノールノボラック
樹脂のＯＨ基を０．９〜１．１当量の範囲とすることが
好ましい。

本発明に使用されるスチレン誘導体としては。

ビニルトルエン、ジビニルペンセン、ターシャリ−ブチ
ルスチレン等があげられる。

スチレン及び／又はスチレン誘導体の配合量は。

本発明の被覆材料の粘度の点から１００重量部の中の５
〜９０重量部とするのが好ましい。

本発明に使用される硬化促進剤としては９例えば、２−
エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−
２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール
化合物、ベンジルジメチルアミン、２．４６−）リス（
ジメチルアミノエチル）フェノール等の第３級アミン類
、２〜メチル−４−メチルイミダゾリウム、テトラフェ
ニルボレート等の塩類などがあげられる。

硬化促進剤の配合割合は、硬化性と貯蔵安定性の点から
上記のフェノールノボラックＩｉ脂１００重量部に対し
て０，３〜２５重量部とするのが好ましい。

本発明のハイブリッドＩＣの被覆材料には、必要に応じ
てカップリング剤９着色剤、消泡剤等を添加することが
できる。

ハイブリッドＩＣの外装被覆法としては９通常の方法で
行なわれ９例えば、デイツプ法、ボッティング法、ドロ
ップ法、ローラー法などによってハイブリッドＩＣの外
装被覆が行なわれる。

外装被覆後９通常６０〜２５０℃で３０分〜５時間加熱
して被覆材料が硬化される。好ましくは。

６０〜１２０℃で３０分〜１時間ついで１４０〜２００
℃で１〜２時間加熱硬化することが好ましい。

（実施例） 次に本発明を実施例および比較例によう説明する。なか
、実施例シよび、比較例中で部とあるのは重量部である
。

比較例１ ジメチルベンジルアミン　　　　　　　０，３部エチレ
ングリコールモノメチルエーテル　１５０部ト　　ル　
　エ　　ン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
５部をガラス製フラスコ内で７０〜１００℃て３〜４時
間溶解も、透明な被覆材料Ａを得た。

得られた被覆材科人を用い、デイツプ方式によシ、印刷
抵抗、銀−パラジウム電極間隔０．３　ｍのくシ型パタ
ーンおよびローム＠製オペアンプＢＡ４５５８Ｐｔ−搭
載したハイブリッドＩＣを外装被覆した後、１２０℃で
３０分９次いで１５０℃で２時間加熱硬化した。得られ
た硬化物について下記の特性の評価を行なった。その結
果を第１表に示す。

（１）発泡性試験 ハイブリッドＩＣに搭載されているローム■製オペアン
プＢＡ４５５８Ｆの下部とハイブリッドＩＣの基板との
間に生ずる発泡の有無を２０倍の実体顕微鏡て観察した
。この試験は試料数２０個について行なった。

（２）耐湿性試験（プレッシャー・クツカー試験）１２
１℃、２気圧、１００’ｌｌＲ，Ｈ，の水蒸気下に外装
被覆後のハイブリッドＩＣをさらし、第１表に示す時間
毎にくし型パターンの絶縁抵抗の変化を測定し、抵抗値
が１０１２Ω以下となったものを不良発生物とし、各時
間毎の不良発生数を調べた。この試験は試料数２０個に
ついて行なった。

比較例２ 下記成分からなる被覆材料Ｂを用いた以外は比較例１と
同様にしてハイブリッドＩＣを作成し同様の評価を行な
った。

その結果を第１表に示した。

ジメチルベンジルアミン　　　　　　　０．３部エチレ
ンクリコールモノエチルエーテル　１５５部ト　　ル　
　エ　　ン　　　　　　　　　　　　　　　　　１０部
実施例１ 下記成分からなる被覆材料Ｃを用いた以外は比較例１と
同様にしてハイブリッドＩＣを作成し同様の評価を行な
った。その結果を表１に示した。

ベンジルジメチルアミン　　　　　　　０．５部ス　チ
　し　７　　　　　　　　　１６５部実施例２ 被覆材料りを用いた以外は比較例１と同様にしてハイブ
リッドＩＣを作成し同様の評価を行なった。

その結果を表１に示す。

ベンジルジメチルアミン ０．５部 ス チ レ ン １８０部 ＊ 耐湿性試験の数字は試料数２０個についての不良発生数
を表わす （発明の効果） 本発明になるハイブリッドＩＣの被覆材料によって。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、（１）分子中に１個より多くのエポキシ基を有する
   エポキシ樹脂、（２）パラアルキルフェノールを原料と
   して得られるフェノールノボラック樹脂、（３）硬化促
   進剤および（４）スチレン及び／又はスチレン誘導体を
   含有してなるハイブリッドＩＣの被覆材料。 ２、請求項１、記載の被覆材料でハイブリッドＩＣを外
   装被覆しついで硬化させるハイブリッドＩＣの被覆方法
   。 ３、請求項１、記載の被覆材料の硬化物で被覆されたハ
   イブリッドＩＣ。