JPH0331547A - 内燃機関の空燃比制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、内燃機関（以下、必要に応じ「内燃機関」を
［エンジン」という）の空燃比を制御するための内燃機
関の空燃比制御装置に関する。

［従来の技術］ 従来より、内燃機関の排気系に排ガス浄化用の三元触媒
を配置して、排ガスの浄化を行なってしする排ガス浄化
システムがある。

かかるシステムにおいては、理論空燃比近傍において、
空燃比を振動させると、排ガス浄化効率を改善できるこ
とが知られている。

このため、従来より、排気マニホルド（触媒コンバータ
よりも上流側）にλ型酸素濃度センサ［所定の空燃比近
傍（理論空燃比）で出力値が急激に変化する酸素濃度セ
ンサ；以下、このセンサを０２センサという］を設け、
この０２センサの出力が理論空燃比を境にしてローから
ハイあるいはその逆にオンオフ変化することに着目して
、この０、センサ出力をフィードバックすることにより
、空燃比が理論空燃比近傍となるよう、空燃比を制御す
ることが行なわれている。かかる制御を−１わゆる０２
フイードバツク制御といっている。

そして、かかるｏ２フィードバック制御時に、０□セン
サ出力とオンオフ判定電圧（基準値）とを比較し、例え
ば０２センサ出力がこの判定電圧よりも大きいと、リー
ン化し、逆にｏ２センサ出力がこの判定電圧よりも小さ
いと、リッチ化するという空燃比制御を行なっている。

また、近年、エンジン排気系に設けられた触媒コンバー
タの下流側部分にも、ｏ２センサ（以下、この０２セン
サを下流０２センサといい、上記のように触媒コンバー
タの上流側部分に設けられた０２センサを下流０□セン
サに対して上流ｏ２センサということがある）を設け、
この下流０２センサからの出力を空燃比制御の補正情報
として使用したもの（いわゆるデュアル０２センサシス
テムあるいはダブル０２センサシステム）も提案されて
いる。

さらに、エンジン排気系に設けられた触媒コンバータの
上流側部分に、検出応答速度の遅い０２センサを設け、
この０□センサからの出力を空燃比制御の補正情報とし
て使用したものも提案されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記のような従来の手段では。

いずれも０２センサによる制御と加速タイミングにより
、加速前における低吸気量運転状態（低速低負荷運転状
態、低負荷運転状態、アイドリング運転状態）において
、ｏ２センサ出力がリッチ［第５２図（ａ）の８１参照
コとなるような場合は。

次のような問題がある。すなわち、かかる加速前におい
て、触媒コンバータは酸素不足の状態にあるため、この
ような状態で第５２図（ｃ）に示すごとく加速すると、
加速直後のＨＣやｃｏの排出が多くなる゛［第５２図（
ｂ）の実線特性参照］という問題点がある。また、加速
後においては、０□センサによる制御により、触媒コン
バータが酸素過多のリーン状態［第５２図（ａ）のａ２
参照］になるから、今度はＮＯｘに対する浄化効率が低
下し、これにより第５２図（ｂ）に点線特性で示すよう
にＮＯｘ排出量も多くなる。

本発明は、このような問題点を解決しようとするもので
、少なくとも触媒コンバータの上流側に設けられた空燃
比検出手段からの検出値と所要の基準値との比較結果に
基づいて内燃機関の空燃比を制御するものにおいて、低
吸気量運転状態下では、上記基準値を空燃比リーン側へ
シフトできるようにして、上記のような低吸気量運転状
態から加速した場合でも、ＨＣ，Ｃｏ、ＮＯｘに対する
触媒コンバータによる浄化効率の悪化を招かないように
した、内燃機関の空燃比制御装置を提供することを目的
とする。

［課題を解決するための手段］ このため、請求項１記載の本発明の内燃機関の空燃比制
御装置は、内燃機関の排気系に設けられた排ガス浄化用
触媒コンバータの上流側に設けられて排ガス成分から該
内燃機関の空燃比を検出する第１の空燃比検出手段と、
該排気系に設けられ該第１の空燃比検出手段に比べ検出
応答速度の遅い第２の空燃比検出手段とをそなえるとと
もに。

該第１゛の空燃比検出手段からの検出値と所要の基準値
との比較結果に基づいて該内燃機関の空燃比を制御する
空燃比制御手段と、該第２の空燃比検出手段からの検出
値と所要の基準値との比較結果に基づいて該空燃比制御
手段による空燃比制御に対し補正を加える空燃比制御補
正手段とをそなえ。

該内燃機関の低吸気量運転状態下において該第１の空燃
比検出手段からの検出値と比較されるべき基準値を空燃
比リーン側へシフトさせる基準値リーンシフト手段と、
該内燃機関の低吸気量運転状態下においては該空燃比制
御補正手段による補正を禁止する空燃比制御補正禁止手
段とが設けられたことを特徴としている。

また、請求項２に記載の本発明の内燃機関の空燃比制御
装置は、内燃機関の排気系に設けられた排ガス浄化用触
媒コンバータの上流側に設けられて排ガス成分がら空燃
比を検出する空燃比検出手段をそなえるとともに、該空
燃比検出手段からの検出値と所要の基準値との比較結果
に基づいて該内燃機関の空燃比を制御する空燃比制御手
段をそなえ、該内燃機関の低吸気量運転状態下において
該空燃比検出手段からの検出値と比較されるべき基準値
を空燃比リーン側へシフトさせる基準値リーンシフト手
段が設けられたことを特徴としている。

［作　用］ 上述の請求項１記載の本発明の内燃機関の空燃比制御装
置では、空燃比制御手段により、第１の空燃比検出手段
からの検出値と所要の基準値との比較結果に基づいて、
内燃機関の空燃比を制御するとともに、空燃比制御補正
手段により、第２の空燃比検出手段からの検出値と第２
の空燃比検出手段のための第２基準値との比較結果に基
づいて。

空燃比制御手段による空燃比制御に対し補正が加えられ
るが、内燃機関の低吸気量運転状態下においては、第１
の空燃比検出手段からの検出値と比較されるべき基準値
が空燃比リーン側へシフトせしめられるとともに、空燃
比制御補正手段による補正が禁止される。

また、請求項２記載の本発明の内燃機関の空燃比制御装
置では、空燃比制御手段により、空燃比検出手段からの
検出値と所要の基準値との比較結果に基づいて、内燃機
関の空燃比を制御することが行なわれるが、内燃機関の
低吸気量運転状態下においては、第１の空燃比検出手段
からの検出値と比較されるべき基準値が空燃比リーン側
へシフトせしめられる。

［実施例］ 以下、図面により本発明の実施例について説明すると、
第１〜２９図は本発明の第１実施例としての内燃機関の
空燃比制御装置を示すもので、第１図（ａ）はその要部
制御ブロック図、第１図（ｂ）はその制御ブロック図、
第２図はそのハードウェアを主体にして示すブロック図
、第３図はそのエンジンシステムを示す全体構成図、第
４図は本空燃比制御装置のメインルーチンを説明するた
めのフローチャート、第５図は電磁弁駆動ルーチンを説
明するためのフローチャート、第６図は積分時間演算ル
ーチンを説明するためのフローチャート、第７図は下流
０２センサ出力と目標値との偏差値を求めるためのフロ
ーチャート、第８図は第７図で求めた偏差値に基づいて
応答遅れ時間を補正するためのフローチャート、第９図
は第７図で求めた偏差値に基づいて空燃比フィードバッ
ク積分ゲインを補正するためのフローチャート、第１０
図は第７図で求めた偏差値に基づいて空燃比フィードバ
ック比例ゲインを補正するためのフローチャート、第１
１図は第７図で求めた偏差値に基づいて上流ｏ２センサ
出力と比較されるべきリッチ・リーン判定用筒１の比較
基準値を補正するためのフローチャート、第１２図はそ
の空燃比フィードバック補正係数を説明するためのグラ
フ、第１３図（ａ）、（ｂ）および第１４図（ａ）。

（ｂ）はいずれもその応答遅れ時間補正量を説明するた
めのグラフ、第１５図（ａ）、（ｂ）および第１６図（
ａ）、（ｂ）はいずれもその空燃比フィードバック積分
ゲイン補正量を説明するためのグラフ、第１７図（ａ）
、（ｂ）および第１８図（ａ）、（ｂ）はいずれもその
空燃比フィードバック比例ゲイン補正量を説明するため
のグラフ、第１９図（ａ）、（ｂ）はいずれもその上流
０２センサ出力と比較されるべきリッチ・リーン判定用
筒１の比較基準値の補正量を説明するためのグラフ、第
２０．２１図はいずれもその応答遅れ時間による補正法
を説明するためのグラフ、第２２゜２３図はいずれもそ
の空燃比フィードバック積分ゲインによる補正法を説明
するためのグラフ、第２４．２５図はいずれもその空燃
比フィードバック比例ゲインによる補正法を説明するた
めのグラフ、第２６．２７図はいずれもその上流０２セ
ンサ出力と比較されるべきリッチ・リーン判定用基準値
による補正法を説明するためのグラフ、第２８図（ａ）
〜（ｃ）はその加速時の作用を説明するためのグラフ、
第２９図は本実施例と従来例とについてＨＣ，ＣＯ，Ｎ
Ｏｘの関係を示す図である。

さて、本装置によって制御されるエンジンシステムは、
第３図のようになるが、この第３図において、エンジン
Ｅはその燃焼室１に通じる吸気通路２および排気通路３
を有しており、吸気通路２と燃焼室１とは吸気弁４によ
って連通制御されるとともに、排気通路３と燃焼室１と
は排気弁５によって連通制御されるようになっている。

また、吸気通路２には、上流側から順にエアクリーナ６
、スロットル弁７および電磁式燃料噴射弁（電磁弁）８
が設けられており、排気通路３には、その上流側から順
に排ガス浄化用の触媒コンバータ（三元触媒）９および
図示しないマフラ（消音器）が設けられている。

なお、電磁弁８は吸気マニホルド部分に気筒数だけ設け
られている。今、本実施例のエンジンＥが直列４気筒エ
ンジンであるとすると、電磁弁８は４個設けられている
ことになる。即ちいわゆるマルチポイント燃料噴射（Ｍ
ＰＩ）方式のエンジンであるということができる。

また、スロットル弁７はワイヤケーブルを介してアクセ
ルペダルに連結されており、これによりアクセルペダル
の踏込み量に応じて開度が変わるようになっているが、
更にアイドルスピードコントロール用モータ（ＩＳＣモ
ータ）１０によっても開閉駆動されるようになっており
、これによりアイドリング時にアクセルペダルを踏まな
くても、スロットル弁７の開度を変えることができるよ
うにもなっている。

このような構成により、スロットル弁７の開度に応じエ
アクリーナ６を通じて吸入された空気が吸気マニホルド
部分で電磁弁８からの燃料と適宜の空燃比となるように
混合され、燃焼室１内で点火プラグを適宜のタイミング
で点火させることにより、燃焼せしめられて、エンジン
トルクを発生させたのち、混合気は、排ガスとして排気
通路３へ排出され、触媒コンバータ９で排ガス中のｃｏ
。

ＨＣ，ＮＯＸの３つの有害成分を浄化されてから。

マフラで消音されて大気側へ放出されるようになってい
る。

さらに、このエンジンＥを制御するために、種々のセン
サが設けられている。まず吸気通路２側には、そのエア
クリーナ配設部分に、吸入空気量をカルマン渦情報から
検出するエアフローセンサ１１、吸入空気温度を検出す
る吸気温センサ１２および大気圧を検出する大気圧セン
サ１３が設けられており、そのスロットル弁配設部分に
、スロットル弁７の開度を検出するポテンショメータ式
のスロットルセンサ１４．アイドリング状態を検出する
アイドルスイッチ１５および■ＳＣモータ１０の位置を
検出するモータポジションセンサ１６が設けられている
。

また、排気通路３側には、まず触媒コンバータ９の上流
側部分に、排ガス中の酸素濃度（０□１度）を検出する
上流０２センサ１７（この上流０２センサ１７は排ガス
成分からエンジンＥの空燃比を検出する第１の空燃比検
出手段を構成する）が設けられるとともに、触媒コンバ
ータ９の下流側部分に、同じく排ガス中の０２濃度を検
出する下流０２センサ１８が設けられている。この下流
ｏ２センサ１８は触媒コンバータ９の下流側部分に設け
られているので、上流０２センサ１７に比べ検出応答速
度の遅い。従って、下流０２センサ１８は上流０２セン
サ１７に比べ検出応答速度の遅い第２の空燃比検出手段
を構成する。ここで、上流０□センサ１７および下流０
２センサ１８はいずれも固体電解質の酸素濃淡電池の原
理を応用したもので、その出力電圧は理論空燃比付近で
急激に変化する特性を持ち、理論空燃比よりもリーン側
の電圧が低く、理論空燃比よりもリッチ側の電圧が高い
。

なお、下流ｏ２センサ１８は触媒コンバータ９の内部に
設けてもよい。

さらに、その他のセンサとして、エンジン冷却水温を検
出する水温センサ１９や車速を検出する車速センサ２０
（第２図参照）が設けられるほかに、第１図（ｂ）およ
び第２図に示すごとく、クランク角度を検出するクラン
ク角センサ２１（このクランク角センサ２１はエンジン
回転数を検出する回転数センサも兼ねている）および第
１気筒（基準気筒）の上死点を検出するＴＤＣセンサ２
２がそれぞれディストリビュータに設けられている。

そして、これらのセンサ１１〜２２からの検出信号は、
電子制御ユニット（ＥＣＵ）２３へ入力されるようにな
っている。

なお、ＥＣＵ２３へは、バッテリ２４の電圧を検出する
バッテリセンサ２５からの電圧信号やイグニッションス
イッチ（キースイッチ）２６からの信号も入力されてい
る。

また、ＥＣＵ２３のハードウェア構成は第２図のように
なるが、このＥＣＵ２３はその主要部としてＣＰＵ２７
をそなえており、このＣＰＵ２７へは、吸気温センサ１
２．大気圧センサ１３．スロットルセンサ１４．上流０
２センサ１７．下流０２センサ１８．水温センサ１９お
よびバッテリセンサ２５からの検出信号が入力インタフ
ェイス２８およびＡ／Ｄコンバータ３０を介して入力さ
れ、アイドルセンサ１５．車速センサ２０およびイグニ
ッションスイッチ２６からの検出信号が入力インタフェ
イス２・９を介して入力され、エアフローセンサ１１．
クランク角センサ２１およびＴＤＣセンサ２２からの検
出信号が直接に入力ボートへ入力されるようになってい
る。

さらに、ＣＰＵ２７は、パスラインを介して。

プログラムデータや固定値データを記憶するＲＯＭ３１
．更新して順次書き替えられるＲＡＭ３２およびバッテ
リ２４によってバッテリ２４が接続されている間はその
記憶内容が保持されることによってバックアップされた
バッテリバックアップＲＡＭ　（ＢＵＲＡＭ）３３との
間でデータの授受を行なうようになっている。

なお、ＲＡＭ３２内データはイグニッションスイッチ２
６をオフすると消えてリセットされるようになっている
。

今、燃料噴射制御（空燃、比制御）に着目すると、ＣＰ
Ｕ２７からは後述の手法で演算された燃料噴射用制御信
号がドライバ３４を介して出力され、例えば４つの電磁
弁８を順次駆動させてゆくようになっている。

そして、かかる燃料噴射制御（電磁弁駆動時間制御）の
ための機能ブロック図を示すと、第１図（ｂ）のように
なる。すなわちソフトウェア的にこのＥＣＵ２３を見る
と、このＥＣＵ２３は、まず電磁弁８のための基本駆動
時間ＴＢを決定する基本駆動時間決定手段３５を有して
おり、この基本駆動時間決定手段３５はエアフローセン
サ１１からの吸入空気量Ｑ情報とクランク角センサ２１
からのエンジン回転数Ｎｅ情報とからエンジン１回転あ
たりの吸入空気量Ｑ　／　Ｎ　ｅ情報を求め、この情報
に基づき基本駆動時間ＴＢを決定するものである。

また、エンジン回転数とエンジン負荷（上記Ｑ／　Ｎ　
ｅ情報はエンジン負荷情報を有する）とに応じた空燃比
アップ補正を行なう空燃比アップ補正手段３６およびｏ
２センサフィードバック時に補正係数ＫＡドを設定して
補正を行なう０２センサフイ一ドバツク補正手段３７が
設けられており、空燃比アップ補正手段３６と０２セン
サフイ一ドバツク補正手段３７とは相互に連動して切り
替わるスイッチング手段３８．３９によって択一的に選
択されるようになっている。

さらに、エンジン冷却水温に応じて補正係数ＫＷＴを設
定する冷却水温補正手段４０．吸気温に応じて補正係数
ＫＡＴを設定する吸気温補正手段４１、大気圧に応じて
補正係数ＫＡＰを設定する大気圧補正手段４２．加速増
量用の補正係数ＫＡＣを設定する加速増量補正手段４３
．バッテリ電圧に応じて駆動時間を補正するためデッド
タイム（無効時間）Ｔｏを設定するデッドタイム補正手
段４４が設けられており、０□フイ一ドバツク補正時に
おいては、最終的には電磁弁８の駆動時間ＴＩＮＪをＴ
ＢｘＫｗＴＸ　ＫＡＴＸＫＡＰＸＫＡｃＸＫＡＦ＋Ｔｏ
とおいて、この時間Ｔ　ＩＮＪで電磁弁８を駆動してい
る。

かかる電磁弁駆動のための制御要領を示すと、第５図の
フローチャートのようになるが、この第５図に示すフロ
ーチャートは１８０°毎のクランクパルスの割込みによ
って作動し、まずステップｂ１で、燃料カットフラグセ
ットかどうかが判断され、燃料カットフラグセットの場
合は燃料噴射の必要がないので、リターンするが、そう
でない場合は、ステップｂ２で、前回のクランクパルス
と今回のクランクパルスの間に発生したカルマンパルス
数およびカルマンパルス間の周期データに基づいてクラ
ンク角１８０°あたりの吸入空気量ＱＣＲ（Ｑ／Ｎｅ）
を設定する。

そして、次のステップｂ３で、このＱＣＲに応じて基本
駆動時間ＴＢを設定し、ついでステップｂ４で、電磁弁
駆動時間ＴＩＮＪをＴＢＸＫｗＴｘＫＡＴＸ　Ｋ　ＡＰ
　Ｘ　Ｋ　ＡＣＸ　Ｋ　ＡＦ　＋　Ｔ　Ｏから演算によ
り求め。

ステップｂ５で、このＴＩＮＪを噴射タイマにセットし
たのち、ステップｂ６で、この噴射タイマをトリガする
ことが行なわれている。そして、このようにトリガされ
ると１時間Ｔ　ＩＮＪの間だけ燃料が噴射されるのであ
る。

ところで、０２センサを使用した空燃比フィードバック
制御時は、上流０２センサ１７からの出力ｖ１と所要の
基準値ＶＩＣ［この基準値ＶＩＣは上流０２センサ１７
のハイレベル出力（１ボルト）とローレベル出力（０ボ
ルト）との中間値が選ばれ、いわゆるリッチ・リーン判
定電圧として機能する］とを比較して、Ｖ　Ｉ　Ｃ＞Ｖ
　１のときはリッチ化し、逆にＶＩＣ≦ｖ１のときはリ
ーン化するようになっている。

このため、０２センサフイ一ドバツク補正手段３７は、
第１図（ａ）に示すごとく、第１の比較基準値Ｖｌｃ（
例えば０．５ボルト程度）を設定する第１の比較基準値
設定手段４５Ａ、第１の空燃比検出手段としての上流０
２センサ１７からの検出値ｖ１と所要の比較基準値ＶＩ
Ｃ（このＶＩＣとしては、上記第１の比較基準値Ｖ　１
　ｃまたは後述の第２の比較基準値Ｖｌｃ’のいずれか
が選択される）とを比較する比較手段４６．この比較手
段４６からの比較結果に応じて空燃比補正係数ＫＡＦを
決定する補正係数決定手段４７をそなえている。そして
、これらの第１の比較基準値設定手段４５Ａ、比較手段
４６．補正係数決定手段４７により、上流０２センサ１
７からの検出値ｖ１と所要の比較基準値ＶＩＣとの比較
結果に基づいてエンジンＥの空燃比を制御する空燃比制
御手段４８を構成する。

また、０２センサフイ一ドバツク補正手段３７は、第２
の空燃比検出手段としての下流ｏ２センサ１８からの検
出値■２と、基準値設定手段４９Ａからの下流０２セン
サ用基準値Ｖ　２　ｃとを比較する比較手段５３．この
比較手段５３の比較結果に基づいて上記空燃比制御手段
４８による空燃比制御に対し補正を加える空燃比制御補
正手段４９をそなえている。即ち、この空燃比制御補正
手段４９は、下流０２センサ用基準値Ｖ２ｃと空燃比フ
ィードバック中に計測された下流０２センサ１８の出力
ｖ２との偏差値ΔＶに基づきリッチ・リーン判定用の第
１比較基準値Ｖｌｃを補正することができるとともに、
下流０２センサ用基準値Ｖ２ｃと空燃比フィードバンク
中に計測された下流０２センサ１８の出力ｖ２との偏差
値ΔＶに基づき応答遅れ時間ＤＬＹＲＬ、ＤＬＹＬＲ，
比例ゲインＰＲＬ＋　ＰＬＲ＋積分ゲインＩＲＬ＋　１
しＲのいずれかを補正することができるのである。

さらに、０２センサフイ一ドバツク補正手段３７は、エ
アフローセンサ１１．クランク角センサ２１からエンジ
ンＥの低速低負荷運転状態（低吸気量運転状態、低負荷
運転状態、アイドリング運転状態を含む）を検出する低
速低負荷運転検出手段５０と、低速低負荷運転状態下に
おいて、上流０□センサ１７からの検出値ｖ１と比較さ
れるべき比較基準値ｖＩＣを空燃比リーン側へシフトさ
せる基準値リーンシフト手段５１とをそなえている。そ
して、この基準値リーンシフト手段５１は、第１の比較
基準値ＶｉＣよりも小さい第２の比較基準値Ｖｉａ’（
Ｖｉａが０．５ボルトであるとすると、Ｖｌｃ’は例え
ば０．３ボルト）を設定する第２の比較基準値設定手段
４５Ｂをそなえるとともに、低速低負荷運転検出手段５
０で低速低負荷運転状態であることが検出されない間は
、第１の比較基準値設定手段４５Ａからの第１の比較基
準値Ｖｉａを比較ｌ＆準値ＶＩＣとして比較手段４６へ
供給するように切り替わっているが、低速低負荷運転検
出手段５０で低速低負荷運転状態であることが検出され
ると、第２の比較基準値設定手段４５Ｂからのリーン側
にシフトした第２の比較基準値Ｖｉａ’を比較基準値Ｖ
ＩＣとして比較手段４６へ供給するように切り替わる切
替手段４５Ｃとをそなえている。

また、０２センサフイ一ドバツク補正手段３７は、エン
ジンＥの低速低負荷運転状態下においては、空燃比制御
補正手段４９による補正を禁止する空燃比制御補正禁止
手段５２をそなえている。

なお、上記基準値ＶＩＣ，Ｖ２ｃあるいは下流Ｏ２セン
サ１８の出力ｖ２に基づき補正されたリッチ・リーン判
定用筒１の比較基準電圧Ｖｌｃ。

応答遅れ時間ＤＬＹＲＬ、ＤＬＹＬＲ，比例ゲインＰＲ
Ｌｅ　ＰＬＲｙ積分ゲインＩＲＬ＋　ｒｔ、Ｒは、ＢＵ
ＲＡＭ３３に記憶されるようになっている。

次に、上記比較基準値の変更や補正係数の決定等を含む
この空燃比制御装置のメインルーチンについて、第４図
を用いて説明する。

まず、このメインフローでは、第４図に示すごとく、キ
ースイッチ（イグニッションスイッチ）オンでスタート
し、゛最初にステップａ１でＲＡＭ３２やインタフェイ
スをイニシャライズする。次に、ステップａ５（ステッ
プａ２〜ａ４は欠番）で、運転状態情報を入力し、次の
ステップａ６で、燃料カットゾーンがどうかを判定する
。そして、燃料カントゾーンでない場合は、ステップａ
７で、燃料カットフラグをリセットしてから、ステップ
ａ８で、補正係数ＫＷＴｐ　ＫＡＴ＊　ＫＡＰｙ　ＫＡ
Ｃを設定し、ステップａ９で、デッドタイムＴＤを設定
する。これらの係数等は、冷却水温補正手段４０゜吸気
温補正手段４１．大気圧補正手段４２．加速増量補正手
段４３．デッドタイム補正手段４４によって設定される
。

次に、ステップａｌｏで、上流０２センサ１７が活性状
態にあるかどうかを出力電圧値から判断する。

もし、上流０２センサ１７が活性であるなら、次のステ
ップａｌｌで、空燃比（Ａ／Ｆ）フィードバックモード
かを判定する。

そして、もしＡ／Ｆフィードバックモードであるなら、
ステップａ１２で、吸入空気量Ｑが低吸気量Ｑａ以上か
どうかが判定される。もし、ＱａＱａであるなら、ステ
ップａ１３で、第１の比較基準値Ｖｌｃを比較基準値Ｖ
ＩＣとおく。一方、Ｑ＜Ｑａであるなら、ステップａ１
３−２で、第２の比較基準値Ｖｉａ　　（例えば０．３
ボルト）を比較基準値ＶＩＣとおく。これにより、吸気
量に応じて上記上流０２センサ１７と比較されるべき比
較基準値が変更されるが、かかる動作は、切替手段４５
Ｃ１低速低負荷運転検出手段５０等によってなされる。

その後は、ステップａ１４で、上流０□センサ１７の出
力ｖ１とリッチ・リーン判定電圧ＶＩＣとが比較され、
ＶＩＣ＞Ｖｌのときは、ステップａ１５で、ＷＯＦ　Ｂ
フラグがセットがどうがが判断される。Ａ／Ｆフィード
バックゾーンへ入った直後は、ＷＯＦＢフラグがセット
されているから、ＹＥＳルートをとって、ステップａ１
６−１で、比例ゲインＰをＯにし、ステップａ１６−２
で、ＷＯＦＢフラグをリセットして、ステップａ１６−
３で、フラグＬを１にする。

そして、ステップａ１６−３のあとは、ステップａ１７
で、フィードバック補正係数ＫＦＢを１十Ｐ＋Ｉとして
求め、ステップａ２１で、この値ＫＦＢをアドレスＫＡ
Ｆに入れる。最初は、比例ゲイ：、／Ｐ＝Ｏ，積分係数
Ｉ＝０であルから、ＫＦＢ＝１からスタートし、その後
、ステップａ５へ戻る。

そして、再度、ステップａ１５へ戻ってくると。

この場合は、ステップａ１６−２で、ＷＯＦＢフラグが
リセットされたので、ＮＯルートをとり、ステップａ１
６−４で、フラグＬ＝１かどうかが判定される。この場
合は、ステップａ１６−３で、Ｌ＝１とされたから、Ｙ
ＥＳルートをとり、ステップａ１７の処理を施す。

なお、積分係数工のための積分時間演算ルーチンは、第
６図のようなフローチャートとなっており、このルーチ
ンでは、タイマ割込みごとに、ステップｄ１で、ＷＯＦ
Ｂフラグがセット状態かどうかが判定され、リセットの
場合（Ａ／Ｆフィードバックモードにある場合）は、ス
テップｄ２で。

フラグＬ＝１かどうかが判定され、もしＬ＝１であれば
、ステップｄ３で、工にＩＬＲ（リッチ化積分係数）を
加えたものを新たに１とし、逆にステップｄ２で、Ｌ＝
１でない場合は、ステップｄ４で、ＩにＩＲＬ（リーン
化積分係数）を引いたものを新、だにＩとすることが行
なわれている。これにより、Ｌ＝１である間は、タイマ
割込みごとに工ＬＲが加算されていき、Ｌ＝１でない間
（Ｌ＝２の間）は、タイマ割込みごとにＩＲＬが減算さ
れていくようになっている。従って、ＩＬＲが加算され
ている間は、フィードバック補正係数ＫＦＢは大きくな
っていき、リッチ化が促進される一方、ＩＲＬが減算さ
れている間は、フィードバック補正係数ＫＦＢは小さく
なっていき、リーン化が促進されるようになっている。

この場合、Ｌ＝１であるから、タイマ割込みごとに、Ｉ
ＬＲが加算され、フィードバック補正係数ＫＦＢが大き
くなっていくので、リッチ化が促進されている。

このようにして、リッチ化されていった結果、ｖＩＣ≦
ｖ１となると、第４図のステップａ１４でＮｏルートを
とり、ステップａ１８で、ＷＯＦＢフラグがセットされ
ているかどうかが判定される。この場合は、まだＡ／Ｆ
フィードバックモードである場合は、依然としてＷＯＦ
Ｂフラグがリセット状態にあるから、このステップａ１
８でＮｏルートをとり、ステップａ１９−１で、フラグ
Ｌが２かどうかが判断される。切り替わり直後は。

Ｌ＝１であるから、ステップａ１９−１でＮｏルートを
とり、ステップａ１９−１’で、ｖＩＣ≦ｖ１となった
後に遅れ時間ＤＬＹＬＲが経過したかどうかが判断され
、遅れ時間ＤＬＹＬＲが経過しないうちは、Ｎｏルート
をとって、ステップａ１７の処理を行なっているが、遅
れ時間ＤＬＹＬＲが経過すると、ＹＥＳルートをとって
、ステップａ１９−２で、比例ゲインＰからリーン化比
例ゲインＰＲＬを引いて、これをＰとして、ステップａ
１９−３で、Ｌ＝２としてから、ステップａ１７で、フ
ィードバック補正係数ＫＦＩＩをｌ＋Ｐ＋ｒとして求め
、ステップａ２１で、この値ＫＦＢをアドレスＫＡＦに
入れる。これにより、フィードバック補正係数ＫＦＢは
最大値状態からリーン化比例ゲインＰＲＬだけ下がる。

その後は、上記と同様にして、ステップａ５へ戻る。

そして、再度、ステップａ１８を経てステップａ１９−
１へ戻ってくると、この場合は、ステップａ１９−３で
、Ｌ＝２とされたから、ＹＥＳルートをとり、ステップ
ａ１７の処理を施す。

この場合、Ｌ＝２であるから、タイマ割込みごとに、第
６図のステップｄ２でＮｏルート、ステップｄ４でＩＲ
Ｌが減算され、フィードバック補正係数ＫＦＢが小さく
なっていくので、リーン化が促進されている。

このようにして、リーン化されていった結果。

Ｖ　Ｉ　ＣＣＶ　１となると、ステップａ１４でＹＥ、
Ｓルートをとり、ステップａ１５で、ＷＯＦＢフラグが
セットされているかどうかが判定される。この場合は、
まだＡ／Ｆフィードバックモードである場合は、依然と
してＷＯＦＢフラグがリセット状態にあるから、このス
テップａ１５でＮｏルートをとり、ステップａ１６−４
で、フラグＬが１かどうかが判断される。切り替わり直
後は、Ｌ＝２であるから、ステップａ１６−４でＮｏル
ートをとり、ステップａ１６−４’ｔ’、Ｖ　Ｉ　ＣＣ
Ｖ　１となった後に遅れ時間ＤＬＹＲＬが経過したかど
うかが判断され、遅れ時間ＤＬＹＲＬが経過しないうち
は、Ｎｏルートをとって、ステップａ１７の処理を行な
っているが、遅れ時間ＤＬＹＲＬが経過すると、ＹＥ・
Ｓルートをとって、ステップ８１６−５で、比例ゲイン
Ｐからリッチ比例ゲインＰＬＲを足して、これをＰとし
て、ステップａ１６−３で、Ｌ＝１としてから、ステッ
プａ１７で、フィードバック補正係数ＫＦＢを１＋Ｐ＋
Ｉとして求め、ステップａ２１で、この値ＫＦＢをアド
レスＫＡＦに入れる。これにより、フィードバック補正
係数ＫＦＢは最小値状態からりラン化比例ゲインＰＬＲ
だけ上がる。

以降は、上記の処理を繰返し行なうことにより、フィー
ドバック補正係数ＫＦＢは、第１２図（ｃ）に示すよう
に変動し、これによりＡ／Ｆフィードバックモードで所
要の空燃比制御が実行される。

なお、第１２図（ａ）は上流Ｏ，センサ出力波形図、第
１２図（ｂ）はリッチ・リーン判定波形図で、遅れ時間
ＤＬＹＲＬ、ＤＬＹＬＲは、第１２図（ａ）に示すよう
にｏ２センサ出力がリッチ・リーン判定電圧Ｖｉａ　（
Ｖｉａ’）を下から上あるいは上から下へ横切ったとき
から第１２図（ｂ）に示すごとく、リッチ・リーン判定
をするまでの遅れに相当する時間である。

また、Ａ／Ｆフィードバックゾーンへ入った直後が、ｖ
ＩＣ≦ｖ１である場合は、この場合も、入った直後は、
ＷＯＦＢフラグがセットされているから、ステップａ１
８で、ＹＥＳルートをとって、ステップａ１９１−４で
、比例ゲインＰをＯにし、ステップａ１９−５で、ＷＯ
ＦＢフラグをリセットして、ステップａ１９−３で、フ
ラグＬを２にする。そして、このステップａ１９−３の
あとは、ステップａ１７で、フィードバック補正係数Ｋ
ＦＢをｌ＋Ｐ＋Ｉとして求め、ステップａ２１で、この
値ＫＦＢをアドレスＫＡＦに入れる。従って、この場合
も、最初は、比例ゲインｐ＝ｏ、積分係数Ｉ＝Ｏとなり
、やはりＫＦＢ＝１からスタートする。

このように、ＶＩＣとｖｌとの比較や、この比較結果に
基づき補正係数ＫＡＦを決定するのは、０３センサフイ
一ドバツク補正手段３７における比較手段４６や補正係
数決定手段４７である。

そして、本実施例では、これらの遅れ時間ＤＬＹＲＬ、
ＤＬＹＬＲ，比例ゲインＰＲＬｔ　ＰＬＲｐ積分ゲイン
ＩＲＬ＊　ＩＬＲや第１の比較基準値Ｖ　１　ｃは後述
のごとく可変である。

なお、このステップａ５の後、ステップａ６で燃料カッ
トゾーンになると、ステップａ２７で、燃料カットフラ
グをセットして、ステップａ２８で、積分係数Ｉを０に
し、更にステップａ３０で、エンジン負荷やエンジン回
転数に応じてマツプされたＡ／Ｆ補正係数ＫＡＦＭを設
定し、これをステップａ３１でアドレスＫＡＦに入れて
、ステップａ３１−２で、ＷＯＦＢフラグをセットして
から、ステップａ５へ戻り、それ以降の処理を施すので
ある。

また、ステップａｌｏ、ａｌｌでＮｏの場合は、Ａ／Ｆ
フィードバック制御を行なえないので、ステップａ２８
．ａ３０．ａ３１．ａ３１−２を経てステップａ５へ戻
る。

このようにして１以上のルーチンを繰り返し行なうこと
により、エンジンの状態に応じて係数ＫＷＴｔ　ＫＡＴ
ｙ　ＫＡＰｓ　ＫＡＣ＊　ＫＡＦや時間ＴＤを設定し、
この値を用いて、第５図に示す電磁弁駆動ルーチンを動
作させることによって、電磁弁８か所望量の燃料を噴射
しているのである。これにより所望の空燃比制御が行な
われるようになっている。

そして、低吸気量運転域以外では、上流０２センサ１７
からの検出値ｖ１と比較されるべき比較基準値がＶｌｃ
　（０，５ボルト程度）として設定されるが、低吸気量
運転域では、上流ｏ２センサ１７からの検出値ｖ１と比
較されるべき比較基準値がＶｌｃ　　（０，３ボルト程
度）として設定されるので、空燃比制御の比較基準値が
空燃比り一ン側へシフトされる［第１２図（ａ）〜（ｃ
）の鎖線参照］。

次に、下流０□センサ出力ｖ２および下流０２センサ用
基準値Ｖ　２　ｃに基づいて、応答遅れ時間ＤＬＹＲＬ
、ＤＬＹＬＲ，比例ゲインＰＲＬ＊　ＰＬＲ＋積分ゲイ
ンＩＲＬ＋　ＩＬＲ＊　リッチ・リーン判定用基準値ｖ
１ｃを補正するための手法について説明する。

まず、第７図に示すごとく、ステップｅ１で、上ｄｔ−
ｏ　ｚセンサ１７の出力および下流０２センサ１８の出
力１０２ＳＮＳ　（Ｖｌ）、ＩＯ２ＯＣＲ（Ｖ２）を読
み込む、この読込みタイミングは例えば５ｍ５ｅｃある
いは１０ｍ５ｅｃ毎に読み込む。そして、ステップｅ２
で、上流０２センサ１７および下流ｏ２センサ１８が共
に活性状態かどうかを出力電圧値から判定する。なお、
この判定のための基準電圧値は上流ｏ８センサ１７、下
流０２センサ１８５１１個に設定できるものとする。

もし、両センサ１７，１８が活性状態なら、ステップｅ
３で、空燃比フィードバック中かどうかを判定する。更
にＹＥＳであればステップｅ４で、空燃比フィードバッ
クモード突入後所要時間経過したかどうかが判定され、
もしＹＥＳなら、ステップｅ５で、吸入空気量Ｑが低吸
気量Ｑａ以上かどうかを判定する。そして、このステッ
プｅ５でＱ≧Ｑａなら、以下のように、下流０２センサ
出力ｖ２およびその基準値Ｖ２ｃに基づいて、応答遅れ
時間ＤＬＹＲＬ、ＤＬＹＬＲ，比例ゲインＰＲＬｐ　Ｐ
ＬＲｙ積分ゲインＩＲＬｙ　ＩＬＲｔリッチ・リーン判
定用基準値Ｖｉｅを補正するが、そうでない場合は、そ
のままリターンして、上記の補正は行なわない。即ち、
低速低負荷運転状態では、上記の補正を禁止するのであ
る。かかる機能は、空燃比制御禁止手段５２が有する。

なお、上記のステップ０２〜ｅ４でＮｏの場合もリター
ンされる。

上記のように、ステップｅ５でＹＥＳなら、上記の補正
を行なう、即ち、まず、ステップｅ６で。

上流ｏ２センサ１７の出力が反転したかどうかが判定さ
れる。ここで、ステップｅ６でＮｏの場合はリターンさ
れるが、そうでない場合は、ステップｅ７で、上流０□
センサ出力反転時の下流０２センサ１８の出力瞬時値ｌ
０２ＣＣＲと既に保管中の下流０．センサ１８の出力平
均値とに基づいて、下流０２センサ１８の出力平均値の
更新を行なう。

即ち、下式左辺に示される新しい下流ｏ２センサ１８出
力平均値０２ＲＡＶＥは、 ０２ＲＡＶＥ＝Ｋｌ　（ＩＯ２ＣＣＲ）＋　（１−Ｋｌ
）　（０２ＲＡＶＥ）で求められる。

なお、上式右辺の０２ＲＡＶＥは前回のタイマ割込みル
ーチンのステップｅ７で更新されてＲＡＭに保管されて
いた前回の下流０２センサ１８出力平均値データである
。

ここで、Ｋ１はＲＯＭデータに設定された係数である。

さらに、ステップｅ８で、カウンタＣ０ＵＮＴの内容を
１だけ減らす。ここでカウンタの初期値はＲＯＭデータ
にて設定され例えば１〜２５５の間の任意の値が設定さ
れる。この初期値はキースイッチオン時に第４図に示す
メインルーチンのステップａ１においてカウンタにセッ
トされている。

そして１次のステップｅ９で、カウンタ数が０になった
かどうかが判定され、Ｎｏであればリターンされるが、
ＹＥＳになる（即ち、下流０□センサ１８出力データの
平滑化処理が十分に行なわれる）と、ステップｅｌｌで
下流０２センサ１８の目標出力電圧値０２ＲＴＲＧ　（
これはＶ２ｃに相当する）と上流０□センサ１７の一リ
ッチリーン反転時における下流０□センサ１８の出力平
均値０２ＲＡＶＥとから、これらの値開の偏差値Δ■を
求める。なお、キースイッチオン時の初期値は目標出力
値と同じ０２ＲＴＲＧとする。

このようにして偏差値ΔＶが求められると、このΔＶを
用いて、空燃比フィードバック特性値。

即ち応答遅れ時間、積分ゲイン、比例ゲインおよび第１
の比較基準値Ｖｌｃを修正する。

なお、空燃比フィードバック中の下流０□センサ１８の
出力ｖ２の変化は緩慢であるため、直接空燃比フィード
バックには使用できないが、この出力ｖ２はリッチから
リーンあるいはリーンからリッチへの応答時間差を受け
にくいので、上記のような空燃比フィードバック特性値
の修正に使用するのである。

まず、応答遅れ時間ＤＬＹＲＬ、ＤＬＹＬＲの補正につ
いて説明する。第８図に示すごとく、ステップｅ１２に
おいて、第７図のステップａｌｌで求めたΔＶに応じた
ΔＤＥＬＡＹを求める。

なお、このΔＤＥＬＡＹには、リッチからり一ンへのも
のとリーンからリッチへのものとがあり、前者のための
補正特性は第１３図（ａ）、（ｂ）のようになり、後者
のための補正特性は第１４図（ａ）、（ｂ）のようにな
る。即ち、ΔＤＥ　ＬＡＹは、ΔＶの瞬時値に基づく（
ＡＤＥＬＡＹ）ｐと、ΔＶの積分値に基づく（ＡＤＥＬ
ＡＹ）工との和として与えられており。

（ＡＤＥＬＡＹ）Ｒ九：（（ＡＤＥＬＡＹ）Ｒ九）工÷
（（ＡＤＥＬＡＹ）Ｒ九）Ｐ（ＡＤＥＬＡＹ）Ｌ４Ｒ”
（（轟ＤＥＬＡＶ）ｂ’ｎ）ｘ＋　（（ＡＤＥＬＡＹ）
Ｌ−ＩＲ）Ｐとなる。

そして、これらの第１３図（ａ）、（ｂ）および第１４
図（ａ）、（ｂ）において示された傾きＧＰ、ＧＩや不
感帯ＡｄＰ、ＡｄＩはＲＯＭデータ内にて設定されてい
る。

このようにして、ＡＤＥＬＡＹを求めたあとは、ステッ
プｅ１３で、ごれらのＡＤＥＬＡＹをＤＬＹＲＬ、ＤＬ
ＹＬＲの基準値（ＤＬＹＲＬ）。。

（ＤＬＹＬＲ）。に加えることにより、新しいＤＬＴＲ
Ｌ、ＤＬＹＬＲを求める。

そして、次のステップｅ１４で、ＤＬＹＲＬ≧ＤＬＹＬ
Ｒかどうかを判定し、もしＹＥＳなら、ステップａ１５
で、ＤＬＹＲＬからＤＬＹＬＲを引いた結果を新たにＤ
ＬＹＲＬとして、次のステップｅ１６で、ＤＬＹＲＬ＞
ＤＬＹＬＭＴ　（デイレイ制限値：これはＲＯＭデータ
にて設定されている）かどうかを判定する。また、ＤＬ
ＹＲＬがこの制限値にならない間はステップｅ１７をジ
ャンプして、ステップｅ１８でＤＬＹＬＲを０にしてリ
ターンする。そして、ＤＬＹＲＬが制限値になると、ス
テップｅ１７で、制限値をＤＬＹＲＬとしてステップｅ
１８の処理を施す。

一方、ステップｅ１４で、ＤＬＹＲＬ＜ＤＬＹＬＲなら
、ステップｅ１９で、ＤＬＹＬＲからＤＬＹＲＬを引い
た結果を新たにＤＬＹＬＲとして、次のステップｅ　２
０’で、ＤＬＹＬＲ＞ＤＬＹＬＭＴ（デイレイ制限値：
これはＲＯＭデータにて設定されている）かどうかを判
定する。ＤＬＹＬＲがこの制限値にならない間はステッ
プｅ２１をジャンプして、ステップｅ２２でＤＬＹＲＬ
を０にしてリターンする。そして、ＤＬＹＬＲが制限値
になると、ステップｅ２１で、制限値をＤＬＹＬＲとし
てステップｅ２２の処理を施す５なお、ステップ６１６
．ａ２０で比較される各デイレイ制限値は同じ値でも異
なった値でもよい。

また、ＤＬＹＲＬ、ＤＬＹＬＲはそれぞれバッテリバッ
クアップされているが、バッテリが外されたときの初期
値は例えばＯとする。

このようにＤＬＹＲＬ、ＤＬＹＬＲを下流０□センサ１
８出力に基づいて補正し、リッチ化する場合は、第２０
図（ａ）〜（ｃ）に示すととくＤＬＹＬＲを付加し、リ
ーン化する場合は、第２１図（ａ）〜（ｃ）に示すとと
＜ＤＬＹＲＬを付加することが行なわれる。

このようにして、空燃比フィードバック中の下流０２セ
ンサ１８の出力ｖ２を一定時間ごと（または上流０２セ
ンサ１７の出力ｖ１が第１の比較基準値Ｖｌｃを横切る
ごと）に計測して、その移動平均値がＶ２ｃに等しくな
るよう、応答遅れ時間を補正することが行なわれる。

次に、空燃比フィードバック積分ゲインＩＲＬ＋ＩＬＲ
の補正について説明する。第９図に示すごとく、ステッ
プｅ２３において、第７図のステップａｌｌで求めたΔ
Ｖに応じたΔ工を求める。

なお、このＡＩには、リッチからリーンへのものとリー
ンからリッチへのものとがあり、前者のための補正特性
は第１５図（ａ）、（ｂ）のようになり、後者のための
補正特性は第１６図（ａ）。

（ｂ）のようになる、即ち、Δ工は、ΔＶの瞬時値に基
づく（ＡＩ）ｐと、ΔＶの積分値に基づく（ＡＩ）ｚと
の和として与えられており、（ＡＩ）Ｒ九＝（（ＡＩ）
Ｒ九）工÷（（ＡＩ）Ｒ九）Ｐ（ＡＩ）Ｌ−ＩＲ：（（
ＡＩ）Ｌ−Ｉｎ）工＋（（ΔＩｈ−ＪＲ）ｐとなる。

そして、これらの第１５図（ａ）、（ｂ）および第１６
図（ａ）、（ｂ）において示された関数関係（傾きや不
感帯）はＲＯＭデータ内にて設定されている。

このようにして、ＡＩを求めたあとは、ステップｅ２４
で、これらのＡＩをＩＲＬ＋　ＩＬＲの基準値Ｉ　ＲＬ
ｓ　ｔ　Ｉ　ＬＲａに加えることにより、新しいＩＲＬ
ｔＩＬＲを求める。

そして、次のステップｅ２５で、ＩＲＬ＞ＩＨ（上限値
二この値はＲＯＭデータにて設定されている）かどうか
を判定し、もしＮｏなら、ステップｅ２７で、ＩＲＬ＜
ＩＬ　（下限値ユニの値はＲＯＭデータにて設定されて
いる）かどうかを判定する。

もし、ステップｅ２５でＹＥＳなら、ステップｅ２６で
、ＩＨをＩＲＬとし、更にステップｅ２７でＹＥＳなら
、ステップｅ２８でＩＬをＩＲＬとする。

また、ステップｅ２７でＮｏの場合や、ステップｅ２６
．ｅ２Ｂの処理のあとは、次のステップｅ２９で、ＩＬ
Ｒ＞Ｉ）＋（上限値：この値はＲＯＭデータにて設定さ
れている）かどうかを判定し。

もしＮｏなら、ステップｅ３１で、ＩＬＲ＜ＩＬ（下限
値：この値はＲＯＭデータにて設定されている）かどう
かを判定する。

もしステップｅ２９でＹＥＳなら、ステップｅ３０で、
１．をＩＬＲとして、更にステップｅ３１でＹＥＳなら
、ステップｅ３２でＩＬをＩＬＲとしてリターンする。

なお、ステップｅ２５．ｅ２９で比較される各上限値は
同じ値でも異なった値でもよく、更にステップｅ２７．
ｅ３１で比較される下限値も同じ値あるいは異なった値
でもよい。

また、積分ゲインＩＲい　ｒｔ、ｔｔはそれぞれバッテ
リバックアップされている。

このように、Ｉ　ＲＬ　ｖ　Ｉ　ＬＲを下流０２センサ
１８の出力ｖ２に基づいて補正し、リッチ化する場合は
、第２２図（ａ）　〜（ｃ）に示すごとく、ＩＲＬを小
さくするとともにＩＬＲを大きくし、リーン化する場合
は、第２３図（ａ）〜（ｃ）に示すごとく、ＩＲＬを大
きくするとともにＩＬＲを小さくすることが行なわれる
。

このようにして、空燃比フィードバック中の下流ｏ２セ
ンサ１８の出力■２を一定時間ごと（または上流０２セ
ンサ１７の出力ｖ１が第１比較基準値Ｖｌｃを横切るご
と）に計測して、その移動平均値がＶ２ｃに等しくなる
よう、積分ゲインを補正することが行なわれる。

次に、空燃比フィードバック比例ゲインＰＲＬｔＰＬＲ
の補正について説明する。第１０図に示すごとく、ステ
ップｅ３３において、第７図のステップａｌｌで求めた
ΔＶに応じたΔＰを求める。

なお、このΔＰには、リッチからリーンへのものとリー
ンからリッチへのものとがあり、前者のための補正特性
は第１７図（ａ）、（ｂ）のようになり、後者のための
補正特性は第１８図（ａ）。

（ｂ）のようになる。即ち、ΔＰは、ΔＶの瞬時値に基
づく（ΔＰｏｐと、ΔＶの積分値に基づく（ΔＰ）工ど
の和として与えられており。

（八Ｐ）Ｒ九＝（（ΔＰ）Ｒ九）■÷（（ΔＰ）Ｒ九）
Ｐ（ΔＰ）Ｌ−ＩＲ＝（（八Ｐ）Ｌ→Ｒ）工÷（（ΔＰ
）＋、＠Ｒ）ｐとなる。

そして、これらの第１７図（ａ）、（ｂ）および第１８
図（ａ）、（ｂ）において示された関数関係（傾きや不
感帯）はＲＯＭデータ内にて設定されている。

このようにして、ΔＰを求めたあとは、ステップｅ３４
で、これらのΔＰをＰＲＬｔＰＬＲの基準値ＰＲＬ。、
　ＰＬＲｏに加えることにより、新しいｐＲム。

ＰＬＲを求める。

そして、次のステップｅ３５で、ＰＲＬ＞ＰＨ（上限値
：この値はＲＯＭデータにて設定されている）かどうか
を判定し、もしＮＯなら、ステップａ３７で、　ＰＲＬ
＜ＰＬ　（下限値：この値はＲＯＭデータにて設定さ物
ている）かどうかを判定する。

もしステップｅ３５でＹＥＳなら、ステップｅ３６で、
ｐＨをＰＲＬとして、更にステップｅ３７でＹＥＳなら
、ステップｅ３８でＰｌ、をＰＲＬとする。

また、ステップｅ３７でＮＯの場合や、ステップｅ３６
．ｅ３８の処理のあとは１次のステップｅ、　３９で、
ＰＬＲ＞ＰＨ（上限値：この値はＲＯＭデータにて設定
されている）かどうかを判定し、もしＮＯなら、ステッ
プｅ４１で、ＰＬＲ＜ＰＬ　（下限値：この値はＲＯＭ
データにて設定されている）かどうかを判定する。

もしステップｅ３９でＹＥＳなら、ステップｅ４０で、
Ｐｌ４をＰＬＲとして、更にステップｅ４１でＹＥＳな
ら、ステップｅ４２でＰＬをＰＬＲとしてリターンする
。

なお、ステップｅ３５．ｅ３９で比較される各上限値は
同じ値でも異なった値でもよく、更にステップｅ３７．
ｅ４１で比較される下限値も同じ値あるいは異なった値
でもよい６ また、比例ゲインＰ　ＲＬ　＋　Ｐ　ＬＲはそれぞれバ
ッテリバックアップされている。

このように、ＰＲＬｙＰＬＲを下流０２センサ出力ｖ２
に基づいて補正し、リッチ化する場合は、第２４図（ａ
）　〜（ｃ）に示すごとく、ＰＲＬを小さくするとと−
もにＰＬＲを大きくし、リーン化する場合は、第２５図
（ａ）〜（ｃ）に示すごとく。

ＰＲＬを大きくするとともにＰＬＲを小さくすることが
行なわれる。

このようにして、空燃比フィードバック中の下流０２セ
ンサ１８の出力ｖ２を一定時間ごと（または上流０．セ
ンサ１７の出力ｖ１が第１の比較基準値ｖＩＣを横切る
とと）に計測して、その移動平均値がＶ２ｃに等しくな
るよう、比例ゲインを補正することが行なわれる。

次に、リッチ・リーン判定用第１の比較基準値ｖ１ｃの
補正について説明する。まず、第１１図に示すごとく、
ステップｅ４３において、第７図のステップａｌｌで求
めたΔＶに応じたΔＶｌｃを算出する。

なお、このΔＶｌｃのための補正特性は第１９図（ａ）
、（ｂ）のようになる。

即ち、Δｖ１ｃは、ΔＶの瞬時値に基づく（ΔＶｌｃ）
ｐと、Δｖの積分値に基づ＜（ＡＶＩＱ）Ｉとの和とし
て与えられており、 轟ｖ１ｃ：（Δｖ１ｃ）工÷（ΔＶｉｃ）ｐとなる。

そして、この第１９図（ａ）、（ｂ）において示された
関数関係（傾きや不感帯）もＲＯＭデータ内にて設定さ
れている。

このようにして、Δｖ１ｃを求めたあとは、ステップｅ
４４で、これらのΔＶｌｃをｖｌｃの基準値（Ｖｌｃ）
。に加えることにより、新しいｖＩＣを求める。

そして、次のステップｅ４５で、ｖｌｃ＞Ｘ０２Ｈ（上
限値：この値はＲＯＭデータにて設定されている）かど
うかを判定し、もしＮｏなら、ステップｅ４７で、・Ｖ
ｌｃ＜Ｘ０２Ｌ　（下限値：この値はＲＯＭデータにて
設定されている）かどうかを判定する。

もしステップｅ４５でＹＥＳなら、ステップｅ４６で、
Ｘ０２ＨをｖＩＣとして、更ニステップｅ４７でＹＥＳ
なら、ステップｅ４８でＸ０２ＬをｖＩＣとする。

また、ステップｅ４７でＮＯの場合や、ステップｅ４６
．ｅ４８の処理のあとは、リターンする。

このように、Ｖｉａを下流０２センサ出力ｖ２に基づい
て補正し、リッチ化する場合は、第２６図（ａ）〜（Ｑ
）に示すごとく、ｖＩＣを大きくし、リーン化する場合
は、第２７図（ａ）〜（Ｃ）に示すごとく、ｖＩＣを小
さくすることが行なわれる。

このようにして、空燃比フィードバック中の下流０□セ
ンサ１８の出力ｖ２を一定時間ごと（または上流０２セ
ンサ１７の出力ｖ１が第１の比較基準値ｖＩＣを横切る
とと）に計測して、その移動平均値がＶ２ｃに等しくな
るよう、リッチ・リーン判定用基準値Ｖｌｃを補正して
空燃比制御に補正を加えることが行なわれるのである。

したがって、この第１実施例によれば、０□センサの製
品毎の特性バラツキや特性の経年変化によっても、制御
精度が変わることなく、シかも触媒コンバータ９による
排ガス浄化効率も高く維持することができ、これにより
高い制御信頼性が得られるものである。

また、ＥＧＲを行なっていない場合や、仮りにＥＧＲを
行なっていても低率である場合でも、良好な排ガスレベ
ルが得られるので、ＥＧＲ系の簡略化が可能となるほか
、排ガスによって動力性能やドライバビリティ・を犠牲
にすることもない。

さらに、空燃比フィードバック中の下流０２センサ１８
の出力ｖ２を一定時間ごと（または上流ｏ２センサ１７
の出力ｖ１が第１の比較基準値Ｖ１ｃを横切るとと）に
計測して、その移動平均値がＶ２ｃに等しくなるよう、
応答遅れ時間、積分ゲイン、比例ゲイン、リッチ・リー
ン判定用基準値を補正して、空燃比制御に補正を加える
ことが行なわれるので、更に高い信頼性および精度で空
燃比制御を行なうことができるものである。

なお、上記第１実施例において、下流０２センサ１８の
出力ｖ２の移動平均値がＶ２ｃに等しくなるよう、応答
遅れ時間、積分ゲイン、比例ゲインおよびリッチ・リー
ン判定用基準値のいずれか一部のみを補正してもよい。

ところで、０□フイードバツク運転状態であっても、ア
イドリング運転状態等のエンジン低負荷運転状態あるい
は低吸入空気量運転状態では、上流０２センサ１７と比
較すべき比較基準値ｖＩＣを空燃比リーン側へシフトし
た第２の比較基準値Ｖｉａ　　（例えば０．３ボルト）
に変更するので、かかるエンジン低負荷運転状態（低吸
入空気量運転状態）においては、下流０２センサ１８の
出力、即ち触媒コンバータ９へ流入する排ガスが必ずリ
ーンな状態［第２８図（ａ）のＡ１参照］となっている
。なお、この状態では、排ガス流量が少ないこと、ある
いは燃焼温度が比較的低いことにより、排出されるＮＯ
ｘ成分は無視できるほど少ない。そして、このようなリ
ーンな状態から第２８図ＣＱ’ｌに示すように加速させ
た場合を考えると、かかる場合でも、加速前の触媒コン
バータ９は酸素過剰状態であるため、加速直後には、こ
の過剰酸素とエンジンから排出されるＨＣ，Ｃｏとが反
応し、これによりＨＣ，Ｃｏの排出が少なくなる［第２
８図（ｂ）の実線特性参照コ、また。加速後においては
、第１の比較基準値Ｖｌｃに切り替わった基準電圧を用
いた０２センサ制御を行なうことと相まって、触媒コン
バータ９がリッチ状態となるため、ＮＯｘに対する浄化
効率が向上し、その結果車両から排出されるＮＯｘの量
も少なくできる［第２８図（ｂ）の点線特性参照］。

なお、実際の排ガスモードにおける効果を第２９図に示
すが、この第２９図からもわかるように、本実施例によ
れば、ＨＣ，Ｃｏ、ＮＯｘの全てを少なくできる（第２
９図の実線範囲参照）のに対し、前述の従来例によれば
、ＨＣ，Ｃｏ、ＮＯｘのいずれかを少なくすればどれか
が多くなり、これにより従来例では、ＨＣ，Ｃｏ、ＮＯ
ｘの全てを少なくすることはできない（第２９図の点線
範囲参照）のである。

さらに、低吸気量運転状態下においては、下流０２セン
サ出力■２と下流ｏ２センサ用基準値■２Ｃとの偏差Δ
Ｖに基づいて、応答遅れ時間ＤＬＹＲＬ、ＤＬＹＬＲ，
比例ゲインＰＲＬ＊　ＰＬＲ＊積分ゲインＩＲＬ＊　■
ＬＲｐ　リッチ・リーン判定用基準値ｖ１ｃを補正する
ことを禁止しているので、高い制御信頼性を損なうこと
がない。

また、下流０２センサ１８が触媒コンバータ９の下流側
あるいは触媒コンバータ内部に設けられているので、排
ガス中の未燃成分が低減され、制御λポイント（下流０
２センサ１８の出力が急激に変化するところ）が理論空
燃比に近付き、且つ、エミッションレベルのバラツキも
少なくなるほか、このエンジンシステムのもつ固有の応
答遅れの影響をなくすことができるため、この点からも
良好な排ガス浄化特性が期待できる。

第３０．３１図は本発明の第２実施例としての内燃機関
の空燃比制御装置を示すもので、第３０図はそのメイン
ルーチンを説明するためのフローチャート、第３１図は
第７図で求めた偏差値に基づいて補正係数を求めるため
のフローチャートである。

この第２実施例では、空燃比フィードバック中に下流ｏ
２センサ１８の出力ｖ２を計測し、この値ｖ２に基づい
て、上記補正係数ＫＦＢとは別の他のフィードバック補
正係数ＫＦＢ２を求めるようにしたものである。即ち、
第７図において求められたΔＶに応じてマツプあるいは
演算により補正係数ＫＦＢａを求めるのである（第３１
図のステップｅ４９参照）。

そして、この場合は、第３０図のステップａ１７で求め
た補正係数ＫＦＢと第３１図で求めた補正係数ＫＦＢｚ
とを第３０図のステップａ２１で掛けあわせたものをＫ
ＦＢとする。

なお、メインフローのその他の部分は第４図で示したも
のに対しステップａ１６−４’　　ａ１９−１′がない
点を除けばほぼ同じである。

このようにしても、前述の第１実施例とほぼ同じ効果な
いし利点が得られる。

第３２〜４６図は本発明の第３実施例としての内燃機関
の空燃比制御装置を示すもので、第３２図はそのエンジ
ンシステムを示す全体構成図であり、第３３〜４６図は
本装置に使用される０２センサを示すもので、第３３図
はその斜視図、第３４図はその要部を破断して示す部分
斜視図、第３５図はその要部正面図、第３６図はその要
部断面図、第３７図はその分解斜視図、第３８図（ａ）
〜（ｅ）はその製造工程を説明するための図、第３９図
（ａ）〜（ｅ）はその製造工程を第３８図（ａ）〜（ｅ
）に対応させて説明するための図であり、第４０〜４３
図は本装置に使用される他の０２センサを示すもので、
第４０図はその要部正面図、第４１図はその要部断面図
、第４２図は第４１図（７）ＸＸＸＸＩ−ＸＸＸＸＩ矢
視断面図、第４３図（ａ）〜（ｆ）はその製造工程を説
明するための図であり、第４４〜４６図は本装置に使用
される更に他の０□センサを示すもので、第４４図はそ
の要部正面図、第４５図はその要部断面図、第４６図は
第４５図のＸＸＸＸＶＩ−ＸＸＸＸ■矢視断面図である
。

この第３実施例は、第３２図に示すごとく、触媒コンバ
ータ９の下流側の０２センサ１８をなくし、その代わり
に、触媒コンバータ９の上流側に、２つの０．センサ素
子（第１センシングエレメント１７Ａおよび第２センシ
ングエレメント１７Ｂ）を有する。２センサ１７を設け
、このｏ２センサ１７の２つのｏ２センサ素子の内の１
つのｏ２センサ素子（第２センシングエレメント１７Ｂ
）に工夫をこらして、これに下流０２センサと同・等の
機能をもたせることができるようにしたものである。

したがって、前述の第１，２実施例において、上流０２
センサ１７とあるのを第１センシングエレメント１７Ａ
と置き換え、下流０２センサ１８とあるのを第２センシ
ングエレメント１７Ｂと置き換えればよい。すなわち、
第１センシングエレメント１７Ａからの検出値ｖ１と所
要の比較基準値ＶＩＣ（この比較基準値としては、低速
低負荷運転時以外は例えば０．５ボルト程度のＶｉａが
選択され、低速低負荷運転時は例えば０．３ボルト程度
のＶｌｃ’が選択される）との比較結果に基づき空燃比
制御が施されるとともに、第２センシングエレメント１
７Ｂからの検出値ｖ２と基準値Ｖ２ｃとの偏差ΔＶに基
づき、応答遅れ時間。

積分ゲイン、比例ゲイン、リッチ・リーン判定用節１の
比較基壁値ｖ１ｃを補正して、空燃比制御に補正を加え
ることが行なわれる。ここで、低速低負荷運転時に、第
２センシングエレメント１７Ｂからの検出値■２と基準
値Ｖ２ｃとの偏差ΔＶに基づく補正が禁止されることは
、前述の第１゜２実施例と同様である。

なお、前述の第１実施例の図面をこの第３実施例のもの
にするには、第１図（ａ）において、第１の空燃比検出
手段の符号を第１センシングエレメントの符号１７Ａに
し、第２の空燃比検出手段の符号を第２センシングエレ
メントの符号１７Ｂにすればよく、更に第１図（ｂ）、
第２図において、上流０２センサ１７を第１センシング
エレメント１７Ａにし、下流０□センサ１８を第２セン
シングエレメント１７Ｂにすればよく、更に第４図にお
いて、ステップａｌｏを［第１センシングエレメント１
７Ａが活性か」にし、第７図のステップｅｌ、ｅ６．ｅ
７において、上流０□センサ１７とあるのを第１センシ
ングエレメント１７Ａにし、下流０２センサ１８とある
のを第２センシングエレメント１７Ｂにすればよい。

また、第２実施例の図面をこの第３実施例のものにする
には、第３０図において、ステップａ１０を「第１セン
シングエレメント１７Ａが活性が」にすればよい。

次に、この第３実施例にがかる２素子内蔵式の０２セン
サ１７について説明する。まず、この０２センサ１７は
、第３３図のような外観をしており、第３４図に示すご
とく、その先端部に排気通路３内に配設されるセンサ素
子部１７Ｓが位置し、このセンサ素子部１７Ｓを保護カ
バー１７ａで覆うような構造となっている。なお、保護
カバー１７ａには、　４１１）：気道路３とセンサ素子
部配設空間とを連通する連通孔１７ａ−１が複数形成さ
れている。

ところで、この０□センサ１７は、第３４〜３７図に示
すごとく、排ガス中の酸素濃度を検出する第１の０□セ
ンサ素子としての第１センシングニレメンＩ−１７Ａと
、この第１センシングエレメント１７Ａに比べ酸素濃度
検出応答速度の遅い第２の０２センサ素子としての第２
センシングエレメント１７Ｂとをそなえ、これらの第１
センシングエレメント１７Ａおよび第２センシングエレ
メント１７Ｂが共通のベース部材１７ｂに設けられてい
る。

即ち、このｏ２センサ１７は、ＺｒＯ，等の固体電解質
からなるベース部材１７ｂを有しており、このベース部
材１７ｂの排ガス側壁部１７ｂ−１には、それぞれ第１
の測定電極１７ｅと、ｐｔまたは／およびＲｈを含む触
媒層１７ｈで覆われた第２の測定電極１７ｆとが設けら
れるとともに。

これらの各測定電極（ｍｅｓｕｒｉｎｇ　ｅｌｅｃｔｒ
ｏｄｅ）　１７　ｅ　。

１７ｆに対応するようベース部材１７ｂの大気側壁部１
７ｂ−２には、基準電極（ｒｅｆａｒｅｎｃｅ　ｅｌｅ
ｃｔｒｏｄｅ）　１７　ｉ　、　１７　ｊが設けられて
いる。なお、面測定電極１７ｅ、１７ｆの表面はアルミ
ナ等からなるコーティング５１７ｇで覆われており、触
媒層１７ｈはこのコーティング層１７ｇの外方から第２
の測定電極１７ｆを覆っている。なお、第１の測定電極
１７ｅ、第２の測定電極１７ｆおよび基準電極１７　ｘ
　＋　１７５は酸素濃淡電池用電極として好適なｐｔで
構成されている。

ここで、第１センシングエレメント１７Ａは、第１の測
定電極１７ｅと基準電極１７ｉとこれらの電極で挾まれ
る固体電解質部（ベース部材１７ｂの一部）とで構成さ
れ、第２センシングエレメント１７Ｂは、触媒層１７ｈ
付き第２の測定電極１７ｆと基準電極１７ｊとこれらの
電極で挾まれる固体電解質部（ベース部材１７ｂの一部
）とで構成される。

これにより、第１センシングエレメント１７Ａは、従来
と同様、応答性重視のセンシングエレメント（触媒能力
は小さい）として構成される一方。

第２センシングエレメント１７Ｂは、触媒層１７ｈの存
在により触媒能力を相対的に向上せしめられるが、応答
性は相対的に遅いセンシングエレメントとして構成され
る。従って、この第２センシングエレメント１７Ｂによ
って、電極に達する徘ガス中の非平衡成分を排除するこ
とができ、スタティックλポイントをステイキオに近づ
けることができる（スタティックλポイント、ダイナミ
ックλポイントのバラツキを低減できる）のである。

即ち、この第２センシングエレメント１７Ｂは触媒コン
バータ９の上流側にありながら従来の下流０２センサと
まったく同じ機能を発揮するのである。

また、この０２センサ１７は、積層タイプの０２センサ
として構成されている。即ち、この０□センサ１７は、
ＺｒＯ□等の固体電解質からなる５枚の板部材１７ｂ、
１７ｃ、１７ｄ−１，１７ｄ−２，Ｌ７ｄ−３を積層さ
せてなり、板部材のうち端に配置されるものがベース部
材１７ｂとして構成され、上述のごとく、このベース部
材１７ｂには、測定電極１７ｅ、１７ｆおよび基準電極
１７ｉ、１７ｊが設けられている。

板部材のうち他の端部に配置される３枚１７ｄ−１，１
７ｄ−２，１７ｄ−３はヒータベース部材アセンブリ１
７ｄとして構成され、このヒータベース部材アセンブリ
１７ｄには、ヒータ１７ｐが設けられている。更に、こ
のヒータベース部材アセンブリ１７ｄについて説明する
と１例えば−方の板部材１７ｄ−１にヒータ１’７Ｐが
印刷され。

中間の板部材１７ｄ−２の打ち抜き部にヒータ１７ｐを
嵌め込み、更に他方の板部材１７ｄ−３を重ねるように
して、アセンブリ化されている。

なお、ヒータ１７ｐは、Ａｌ、Ｏ，からなる絶縁層１７
ｑで被覆されたヒータエレメント１７ｒを有しているが
、絶縁層１７ｑもヒータエレメント１７ｒも印刷により
作られ、その製造に際しては。

まず絶縁層１７ｑの一部を印刷し、ついでその上からヒ
ータエレメント１７ｒを印刷し、更にその上から残りの
絶縁層１７ｑを印刷する。

また、板部材のうち中間に配置されるもの（中間部材）
１７ｃは、打ち抜き部を有しており、これら５枚の板部
材１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ−１゜１７ｄ−２，１７ｄ−
３を重ね合わせることにより、上記打ち抜き部が大気側
に通じる基準エア導入室１７ｋを形成する。そして、こ
の状態で、基準電極１７ｉ、１７ｊはこの基準エア導入
室１７ｋに面するように位置する。

なお、第１センシングエレメント１７Ａ、第２センシン
グエレメント１７Ｂはそれぞれ独立に電圧検出回路を構
成する。

また、ヒータ１７ｐは図示しないスイッチを介してバッ
テリ２４に接続される。

このようにして、第１センシングエレメント１７Ａおよ
び第２センシングエレメント１７Ｂを１つのセンサ素子
部１７Ｓ内にコンパクトに配置収納することができ、更
にはセンサのインテリジェント化も容易になる。

また、はぼ同じ温度環境下に配置されるので、従来のデ
ュアル０２センサシステムにおいて生じたような不具合
は生じない。すなわち、下流０２センサ１８に相当する
第２センシングエレメント１７Ｂの温度を第１センシン
グエレメント１７Ａとほぼ同じように高くすることがで
きるので、第１センシングエレメント１７Ａの出力が安
定している状態で、第２センシングエレメント１７Ｂの
出力が安定しないという不具合を防止できるのである。

次に、この積層タイプの０□センサ１７の製造工程（厚
膜製造工程）につき、第３８図（ａ）〜Ｃｅ）および第
３９図（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。

まず、テープＴＡから板部材１７ｂ、１７ｃ。

１７ｄ−１，１７ｄ−２，１７ｄ−３の元になるボード
ＢＭを成形する［第３８図（ａ）参照コ。

なお、第３９図（ａ）は、テープＴＡを製造する要領を
示す模式図で、固体電解質の粉末（セラミック粉末）と
有機バンイダと溶剤との混合物をホッパＨＰにいれて、
この混合物をホッパＨＰ下端のスリットからコンベアＣ
ｖ上へ出すことにより、テープＴＡを製造する。

次に、パンチＰＣで上記ボードの基準エア導入室１７に
となる部分を打ち抜いて、中間部材用ボード１７０′と
する［第３８図（ｂ）および第３９図（ｂ）参照］。

この工程と並行して、第３８図（ｃ）および第３９図（
ｃ）に示すごとく、他のボードの表面に。

所要の印刷パターンを切り抜かれたスクリーンＳＫをあ
てがい、スクイージＳＱを移動させて、ペーストＰＳを
ボード表面に塗布することにより、このボード表面に第
１．第２の測定電極１７ｅ。

１７ｆを印刷するとともに、このボードの裏面にも同様
の手法により基準電極１７ｉ、１７ｊを印刷する。その
後は、このボードに関しては、測定電極の上から同様の
手法によりコーティング層１７ｇを印刷し、更には同様
にして、第２の測定電極１７ｆｔｔ覆うように触媒層１
７ｈを印刷する。

これにより、ベース部材用ボード１７ｂ′が作られる。

なお、ボード１７ｂ′の測定電極側面部に、基準電極１
７ｉ、１７ｊに電気的に導通されるべき導体部分１７１
′　１７ｊ′が同様にして印刷されるが、その後ボード
１７ｂ′に穴をあけることによりこの導体部分１７ｉ’
、１７ｊ　’と対応する基準電極１７ｉ、１７ｊ付きの
リード線部と電気的に導通される。

さらに、中間部材用ボード１７０′およびベース部材用
ボード１７ｂ′を作る工程と並行して。

３枚のヒータベース部材用ボードあるいは３枚のヒータ
ベース部材用ボードからなるヒータベース部材用ボード
アセンブリ１７ｄ′も作られる。これについては１図示
していないが、電極を作る場合と同様の要領で、スクリ
ーンＳＫとスクイージＳＱとを用いて絶縁層１７ｑとヒ
ータエレメント１７ｒとを印刷することが行なわれる。

すなわち。

あるボード上に絶縁層１７ｑの一部を印刷し、ついでそ
の上からヒータエレメント１７ｒを印刷し、更にその上
から残りの絶縁層１７ｑを印刷して、絶縁層１７ｑとヒ
ータエレメント１７ｒとを印刷することにより、ヒータ
１７ｐが印刷により作られる。その後は中間のヒータベ
ース部材用ボードの打ち抜き部にヒータ１７ｐを嵌め込
み、更に他のヒータベース部材用ボードを重ねるように
してヒータベース部材用ボードアセンブリをつくるが、
コノヒータベース部材用ボードアセンブリ１７ｄ゛は後
述のごとく中間部材用ボード１７ｃ　’、ベース部材用
ボード１７ｂ′とともに重合させるときにいっしょに作
られる。なお、オーバコート層も印刷される。

その後は、これらのボードを重ねて、第３９図（ｄ）に
示すようにプレスＰＲにかける。これにより、第３８図
（ｄ）に示すごとく、ボード１７ｂ’　　１７ｃ　　　
１７ｄ’が圧着により積層される。

更にその後は、第３９図（ｅ）で示すごとく、ナイフＫ
Ｆで、第３８図（ｄ）に示す積層ボードを適当にカット
する。このようにしてできたもの［第３８図（ｅ）参照
］は、その後、同時焼成（Ｃｏ−ｆｉｒｅ）される。こ
れにより、０．センサ１７の心臓部であるセンサ素子部
１７Ｓが作られる。

なお、第３８図（ｄ）、（ｅ）において、ヒータベース
部材用ボードアセンブリ１７ｄ′は１枚のように描かれ
ているが、実際は前述したように３層構造となっている
。

そのあとは、このセンサ素子部１７Ｓに適宜の配線を施
し、更にはこのセンサ素子部１７８をケースあるいはハ
ウジングにセットして、０２センサ１７を完成させる。

これにより、０２センサの製造工程の点に着目すると、
触媒層１７ｈを印刷する工程が増える程度で、このｏ２
センサ１７を作ることができるので、従来のデュアル０
□センサシステムに比べても製造コストの点で有利とな
る。

また、ｏ２センサ１７として、上記のようなセンサ素子
部をもつ０□センサを用いる代わりに、第４０〜４２図
に示すような別構造をもった０２センサを用いてもよ・
い。

即ち、この０．センサ１７は、第４０〜４２図に示すよ
うに、固体電解質からなるベース部材１７ｂと、このベ
ース部材１７ｂの排ガス側壁部１７ｂ−１に設けられた
第１の測定電極１７ｅと、ベース部材１７ｂに形成され
排ガスを小径通路１７Ｑ、１７ｎを介して取り入れる拡
散室１７ｍと、この拡散室１７ｍ内に配設された第２の
測定電極１７ｆと、この第２の測定電極１７ｆを覆うよ
うにして拡散室１７ｍ内に配設された触媒１７ｈと、各
測定電極１７ｅ、１７ｆに対応するようベース部材の大
気側壁部１７ｂ−２に設けられた基準電極１７ｉ、１７
ｊとをそなえて構成されている。

ここで、第１センシングエレメント１７Ａは、第１の測
定電極１７ｅと基準電極１７ｉとこれらの電極で挾まれ
る固体電解質部（ベース部材１７ｂの一部）とで構成さ
れ、第２センシングエレメント１７Ｂは、触媒層１７ｈ
付き第２の測定電極１７ｆと基準電極１７ｊとこれらの
電極間に実質的に存在することになる固体電解質部（ベ
ース部材１７ｂの一部）とで構成される。

これにより、このｏ２センサ１７も、その第１センシン
グエレメント１７Ａが、従来と同様、応答性重視のセン
シングエレメント（触媒能力は小さい）として構成され
る一方、第２センシングエレメント１７Ｂが、触媒層１
７ｈの存在により触媒能力を相対的に向上せしめられる
が、応答性は相対的に遅いセンシングエレメントとして
構成される。従って、この場合も、第２センシングエレ
メント１７Ｂによって、電極に達する排ガス中の非平衡
成分を排除することができ、スタティック上ポイントを
ステイキオに近づけることができる（スタティック上ポ
イント、ダイナミックλポイントのバラツキを低減でき
る）のである。即ち。

この場合も、第２センシングエレメント１７Ｂは触媒コ
ンバータ９の上流側にありながら従来の下流ｏ２センサ
とまったく同じ機能を発揮するのである。

また、この０．センサ１７も、積層タイプのｏ２センサ
として構成されている。即ち、この０２センサ１７は、
ＺｒＯ！等の固体電解質からなる５枚の板部材１７ｂ、
１７（Ｓ、１７ｄ−１，１７ｄ−２，１７ｄ−３を積層
させてなり、板部材のうち端に配置されるものがベース
部材１７ｂとして構成され、上述のごとく、このベース
部材１７ｂには、測定電極１７ｅ、１７ｆおよび基準電
極１７ｉ、１７ｊが設けられている。

板部材のうち他の端部に配置される３枚１７ｄ−１，１
７ｄ−２，１７ｄ−３はヒータベース部材アセンブリ１
７°ｄとして構成され、このヒータベース部材アセンブ
リ１７ｄには、ヒータ１７Ｐが設けられている。更に、
このヒータベース部材アセンブリ１７ｄについて説明す
ると、例えば−方の板部材１７ｄ−１にヒータ１７ｐが
印刷され。

中間の板部材１７ｄ−２の打ち抜き部にヒータ１７ｐを
嵌め込み、更に他方の板部材１７ｄ−３を重ねるように
して、アセンブリ化されている。

なお、ヒータ１７ｐは、Ａｔ、０３からなる絶縁層１７
ｑで被覆されたヒータエレメント１７ｒを有しているが
、絶縁層１７（Ｉもヒータエレメント１７ｒも印刷によ
り作られ、その製造に際しては、まず絶縁層１７（Ｉの
一部を印刷し、ついでその上からヒータエレメント１７
ｒを印刷し、更にその上から残りの絶縁層１７ｑを印刷
する。

また、板部材のうち中間に配置されるもの（中間部材）
１７ｃは、２つの打ち抜き部を有しており、これら５枚
の板部材１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ−１，１７ｄ−２，１
７ｄ−３を重ね合わせることにより、上記１つの打ち抜
き部が大気側に通じる基準エア導入室１７ｋを形成し、
他の１つの打ち抜き部が拡散室１７ｍを形成する。そし
て、この状態で、基準電極１７　ｘ　ｙ　１７　ｊはこ
の基準エア導入室１７ｋに面するように位置し、第２の
測定電極１７ｆは拡散室１７ｍに面するように位置する
。

なお、この場合も、第１センシングエレメント１７Ａお
よび第２センシングエレメント１７Ｂはそれぞれ独立に
電圧検出回路を構成し、ヒータ１８は図示しないスイッ
チを介してバッテリ２４に接続される。

このようにして、第４０〜４２図に示す０２センサ１７
の場合も、その第１センシングエレメント１７Ａおよび
第２センシングエレメント１７Ｂを１つのセンサ素子部
１７Ｓ内にコンパクトに配置収納することができ、更に
はセンサのインテリジェント化も容易になる。

また、はぼ同じ温度環境下に配置されるので、前述した
従来のデュアル０２センサシステムにおいて生じたよう
な不具合も生じない。

次に、この０．センサ１７の製造工程（厚膜製造工程）
につき、第４３図（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。

まず、テープＴＡから板部材１７　ｂ、　１７　ｃ。

１７ｄ−１，１７ｄ−２，１７ｄ−３の元になるボード
ＢＭを成形する［第４３図（ａ）参照］。

次に、パンチＰＣで上記ボードにおける基準エア導入室
１７にとなる部分および拡散室１７ｍとなる部分を打ち
抜いて、中間部材用ボード１７ｃとする［第４３図（ｂ
）参照］。

この工程と並行して、第４３図（ｃ）に示すごとく、他
のボードの表面に、所要の印刷パターンを切り抜かれた
スクリーンＳＫをあてがい、スクイージＳＱを移動させ
て、ペーストＰＳをボード表面に塗布することにより［
この要領は第３９図（ｃ）と同じである］、このボード
表面に第１の測定電極１７ｅを印刷するとともに、この
ボードの裏面にも、第４３図（ｄ）に示すごとく、同様
の手法により第２の測定電極１７ｆ、基準電極１７　ｘ
　＋　１７　ｊを印刷する。その後は、このボードに関
しては、第１の測定電極１７ａの上から同様の手法によ
りコーティング層１７ｇを印刷し、更には同様にして、
第２の測定電極１７ｆを覆うように触媒層１７ｈを印刷
する。これにより、ベース部材用ボード１７ｂ′が作ら
れる。

さらに、中間部材用ボード１７０′およびベース部材用
ボード１７ｂ′を作る工程と並行して、３枚のヒータベ
ース部材用ボードあるいは３枚のヒータベース部材用ボ
ードからなるヒータベース部材用ボードアセンブリ１７
ｄ′も作ら・れる、これについては１図示していないが
、前述の場合と同様であるので、その説明は省略する。

その後は、これらのボードを重ねてプレスにかける。こ
れにより、第４３図（ｅ）に示すごとく、ボード１７ｂ
’　　１７ｃ　　、１７ｄ’が圧着により積層される。

更にその後は、ナイフで、第４３図（ｅ）に示す積層ボ
ードを適当゛にカットする。このようにしてできたもの
［第４３図（ｆ）参照］は、その後、同時焼成（Ｃｏ−
ｆｉｒｅ）される。これにより、０２センサ１７の心臓
部であるセンサ素子部１７Ｓが作られる。

なお、第４３図（ｅ）、（ｆ）において、ヒータベース
部材用ボードアセンブリ１７ｄ′は１枚のように描かれ
ているが、実際は前述したように３層構造となっている
。

そのあとは、このセンサ素子部１７Ｓに適宜の配線を施
し、更にはこのセンサ素子部１７Ｓをケースあるいはハ
ウジングにセットして、ｏ２センサ１７を完成させる。

これにより、この場合も、ｏ２センサの製造工程の点か
らみた場合、拡散室１７ｍの打ち抜きは基準エア導入室
１７にとなる部分と同時に行なわれるので、工程は増え
ず、強いていえば、触媒層１７ｈを印刷する工程が増え
る程度で、この０□センサ１７を作ることができるため
、従来のデュアル０２センサシステムに比べ製造コスト
の点で有利となる。

さらに、０□センサ１７として、上記のような各センサ
素子部をもつ０２センサを用いる代わりに、第４４〜４
６図に示すような更に別の構造をもった０２センサを用
いてもよい。

即ち、この更に別の構造をもった０２センサ１７は、第
４４〜４６図に示すように、固体電解質からなるベース
部材１７ｂと、このベース部材１７ｂの排ガス側壁部１
７ｂ−１に設けられた第１の測定電極１７ｅと、ベース
部材１７ｂに形成され排ガスを小径通路１’７Ｑ、１７
ｎを介して取り入れる拡散室１７ｍと、この拡散室１７
ｍ内に配設された触媒能力を持つ第２の測定電極１７ｆ
と。

各測定電極１７ｅ、１７ｆに対応するようベース部材１
７ｂの大気側壁部１７ｂ−２に設けられた基準電極１７
ｉ、１’７ｊとをそなえて構成されている。

ここで、第１センシングエレメント１７Ａは、第１の測
定電極１７ａと基準電極１７ｉとこれらの電極で挾まれ
る固体電解質部（ベース部材１７ｂの一部）とで構成さ
れ、第２センシングエレメント１７Ｂは、触媒能力をも
った第２の測定電極１７ｆと基準電極１７ｊとこれらの
電極間に実質的に存在することになる固体電解質部（ベ
ース部材１７ｂの一部）とで構成される。

したがって、この０２センサ１７は、第４４〜４６図か
らもわかるように、第４０〜４２図に示す０２センサ１
７との関係で、第２の測定電極１７ｆの部分が異なるだ
けである。即ち、第４０〜４２図に示す０□センサ１７
では、第２の測定電極１７ｆが触媒１７ｈで覆われてい
るが、この第１５〜１７図に示す０２センサ１７では、
第２の測定電極１７ｆは触媒で覆われておらず電極自身
が触媒能力をもっているのである。

これにより、この０□センサ１７も、その第１センシン
グエレメント１７Ａが、従来と同様、応答性重視のセン
シングエレメント（触媒能力は小さい）として構成され
る一方、第２センシングエレメント１７Ｂが、大きな触
媒能力をもった第２の測定電極１７ｆの存在により触媒
能力を相対的に向上せしめられるが、応答性は相対的に
遅いセンシングエレメントとして構成される。

従って、この場合も、第２センシングエレメント１７Ｂ
によって、電極に達する排ガス中の非平衡成分を排除す
ることができ、スタティックλポイントをステイキオに
近づけることができる（スタティックλポイント、ダイ
ナミックλポイントのバラツキを低減できる）のである
、即ち、この場合も、第２センシングエレメント１７Ｂ
は触媒コンバータ９の上流側にありながら従来の下流０
２センサとまったく同じ機能を発揮するのである。

また、この第４４〜４６図に示す。２センサ１７の製造
の仕方は、第４３図（ａ）〜（ｆ）に示したものに準じ
るため、製造工程上のメリットも同様にして得られる。

なお、第３５．４０．４２．４４．４６図において、電
極にハツチングを施しているが、このハツチングは、断
面を表すものではなく、電極の存在を示すために施され
ているものである。

また、基準電極１７１ｅ　１７　ｊは第１．、第２測定
電極１７ｅ、１７ｆごとに別々に設けなくても。

共通のものを１枚設けるようにしてもよい。

このようにして、触媒コンバータ９の下流側のｏ２セン
サ１８をなくし、その代わりに、触媒コンバータ９の上
流側に、２つの０２センサ素子（第１センシングエレメ
ント１７Ａおよび第２センシングエレメント１７Ｂ）を
有する０２センサ１７を設け、このｏ２センサ１７の２
つの０．センサ素子の内の１つのｏ２センサ素子（第２
センシングエレメント１７Ｂ）に工夫をこらして、これ
に下流０２センサと同等の機能をもたせることによって
も、前述の第１，２実施例とほぼ同じ効果ないし利点が
得られる。すなわち、ｏ２センサの製品毎の特性のバラ
ツキや特性の経年変化によって制御精度が変わらず、し
かも触媒コンバータによる排ガス浄化効率も高く維持で
きるようにして、高い制御信頼性が得られる。

また、前述の第１，２実施例と同様に、低吸気量運転状
態下において、第１センシングエレメント１７Ａからの
検出値と比較されるべき基準値を空燃比リーン側へシフ
トさせることが行なわれるので、低吸気量運転状態から
加速した場合でも。

ＨＣ，Ｃｏ、ＮＯｘに対する触媒コンバータによる浄化
効率の悪化を招かない。

さらに、低吸気量運転状態下においては、第２センシン
グエレメント１７Ｂの出力ｖ２と第２センシングエレメ
ント用基準値Ｖ２ｃとの偏差ΔＶに基づいて、応答遅れ
時間ＤＬＹＲＬ、ＤＬＹＬＲ２比例ゲインＰＲＬｙ　Ｐ
ＬＲｔ積分ゲインＩＲＬ。

ＩＬＲ＋　リッチ・リーン判定用基準値Ｖｉｅを補正す
ることを禁止しているので、高い制御信頼性を損なうこ
とがない。

なお、０２センサとして、積層タイプ以外の０２センサ
を用いてもよく、又第１のＯ□センサ素子と第２のｏ２
センサ素子とが一体になったものでなくても、第１の０
□センサ素子と第２の０２センサ素子とが別々にケーシ
ングされたものを使用してもよい。

第４７〜５１図は本発明の第４実施例としての内燃機関
の空燃比制御装置を示すもので、第４７図はそのエンジ
ンシステムを示す全体構成図、第４８図はその制御ブロ
ック図、第４９図はその要部制御ブロック図、第５０図
はそのハードウェアを主体にして示すブロック図、第５
１図は本空燃比制御装置のメインルーチンを説明するた
めのフロ１チヤートである。

さて、この第４実施例は、第４７図に示すごとく、下流
０２センサ１８を設けないで、排気マニホルド（触媒コ
ンバータ９よりも上流側）に０２センサ１７だけを設け
、このｏ２センサ１７の出力をフィードバックすること
により、空燃比を制御する、いわゆるｏ２フィードバッ
ク制御に関するものである。すなわち、この第４実施例
では、下流０２センサ１８からの検出値ｖ２と基準値Ｖ
２ｃとの偏差ΔＶに基づき、応答遅れ時間、積分ゲイン
、比例ゲイン、リッチ・リーン判定用第１の比較基準値
を補正して、空燃比制御に補正を加えることは行なわず
に、第４９図に示すような制御ブロックで、第５１図に
示すようなフロー演算を行なうことにより、０２センサ
１７からの検出値ｖ１と所要の比較基準値ＶＩＧ　（こ
の比較基準値としては、低速低負荷運転時以外は、第１
の比較基準値設定手段４５Ａからの例えば０．５ボルト
程度のｖｌｃが選択され、低速低負荷運転時は。

第２の比較基準値設定手段４５Ｂからの例えば０゜３ボ
ルト程度のＶｉａ’が選択される）との比較結果に基づ
き空燃比制御を施すようにしたものである。

したがって、この実施例によっても、０２フイードバツ
ク制御を行ないながら、低吸気量運転状態下において、
０□センサ１７がらの検出値と比較されるべき基準値を
空燃比リーン側へシフトさせることが行なわれるので、
低吸気量運転状態がら加速した場合でも、ＨＣ，Ｃｏ、
ＮＯｘに対する触媒コンバータによる浄化効率の悪化を
招がない。

なお１本発明は０□センサのフィードバック制御を行な
っているシステム全般に採用可能であり、更にはＭＰＩ
方式のエンジンシステムのほが、ＳＰＩ方式（シングル
ポイント燃料噴射方式）のエンジンシステムにももちろ
ん適用できる。

［発明の効果］ 以上詳述したように、本発明にかかる請求項１に記載の
内燃機関の空燃比制御装置によれば、内燃機関の排気系
に設けられた排ガス浄化用触媒コンバータの上流側に設
けられて排ガス成分から該内燃機関の空燃比を検出する
第１の空燃比検出手段と、該排気系一般けられ該第１の
空燃比検出手段に比べ検出応答速度の遅い第２の空燃比
検出手段とをそなえるとともに、該第１の空燃比検出手
段からの検出値と所要の基準値との比較結果に基づいて
該内燃機関の空燃比を制御する空燃比制御手段と、該第
２の空燃比検出手段からの検出値と所要の基準値との比
較結果に基づいて該空燃比制御手段による空燃比制御に
対し補正を加える空燃比制御補正手段とをそなえている
ので、０２センサのごとき空燃比検出手段の製品毎の特
性のバラツキや特性の経年変化によって制御精度が変わ
らず、しかも触媒コンバータによる排ガス浄化効率も高
く維持することができ、これにより、高い制御信頼性が
得られるほか、内燃機関の低吸気量運転状態下において
第１の空燃比検出手段からの検出値と比較されるべき基
準値を空燃比リーン側へシフトさせる基準値リーンシフ
ト手段が設けられているので、低吸気量運転状態から加
速した場合でも、ＨＣ，Ｃｏ、ＮＯｘに対する触媒コン
バータによる浄化効率の悪化を招かず、更には内燃機関
の低吸気量運転状態下においては空燃比制御補正手段に
よる補正を禁止する空燃比制御補正禁止手段と設けられ
ているので、高い制御信頼性を損なわないという利点が
ある。

また、本発明にかかる請求項２に記載の内燃機関の空燃
比制御装置によれば、内燃機関の排気系に設けられた排
ガス浄化用触媒コンバータの上流側に設けられて排ガス
成分がら空燃比を検出する空燃比検出手段をそなえると
ともに、該空燃比検出手段からの検出値と所要の基準値
との比較結果に基づいて該内燃機関の空燃比を制御する
空燃比制御手段をそなえ、該内燃機関の低吸気量運転状
態下において該空燃比検出手段からの検出値と比較され
るべき該基準値を空燃比リーン側へシフトさせる基準値
リーンシフト手段が設けられているので、０□フイード
バツク制御を行ないながら。

低吸気量運転状態から加速した場合でも、ＨＣ。

Ｃｏ、ＮＯｘに対する触媒コンバータによる浄化効率の
悪化を招かないという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１〜２９図は本発明の第１実施例としての内燃機関の
空燃比制御装置を示すもので、第１図（ａ）はその要部
制御ブロック図、第１図（ｂ）はその制御ブロック図、
第２図はそのハードウェアを主体にして示すブロック図
、第３図はそのエンジンシステムを示す全体構成図、第
４図は本空燃比制御装置のメインルーチンを説明するた
めのフローチャート、第５図は電磁弁駆動ルーチンを説
明するためのフローチャート、第６図は積分時間演算ル
ーチンを説明するためのフローチャート。 第７図は下流ｏ２センサ出力と目標値との偏差値を求め
るためのフローチャート、第８図は第７図で求めた偏差
値に基づいて応答遅れ時間を補正するためのフローチャ
ート、第９図は第７図で求めた偏差値に基づいて空燃比
フィードバック積分ゲインを補正するためのフローチャ
ート、第１０図は第７図で求めた偏差値に基づいて空燃
比フィードバック比例ゲインを補正するためのフローチ
ャート、第１１図は第７図で求めた偏差値に基づいて上
流０□センサ出力と比較されるべきリッチ・リーン判定
用筒１の比較基準値を補正するためのフローチャート、
第１２図はその空燃比フィードバック補正係数を説明す
るためのグラフ、第１３図（ａ）、（ｂ）および第１４
図（ａ）、（ｂ）はいずれもその応答遅れ時間補正量を
説明するためのグラフ、第１５図（ａ）、（ｂ）および
第１６図（ａ）、（ｂ）はいずれもその空燃比フィード
バック積分ゲイン補正量を説明するためのグラフ、第１
７図（ａ）、（ｂ）および第１８図（ａ）（ｂ）はいず
れもその空燃比フィードバック比例ゲイン補正量を説明
するためのグラフ、第１９図（ａ）、（ｂ）はいずれも
その上流０２センサ出力と比較されるべきリッチ・リー
ン判定用筒１の比較基準値の補正量を説明するためのグ
ラフ。 第２０．２１図はいずれもその応答巡れ時間による補正
法を説明するためのグラフ、第２２．２３図はいずれも
その空燃比フィードバック積分ゲインによる補正法を説
明するためのグラフ、第２４゜２５図はいずれもその空
燃比フィードバック比例ゲインによる補正法を説明する
ためのグラフ、第２６．２７図はいずれもその上流０２
センサ出力と比較されるべきリッチ・リーン判定用基準
値による補正法を説明するためのグラフ、第２８図（ａ
）〜（ｃ）はその加速時の作用を説明するためのグラフ
、第２９図は本実施例と従来例とについてＨＣ，Ｃｏ、
ＮＯｘの関係を示す図であり、第３０．３１図は本発明
の第２実施例としての内燃機関の空燃比制御装置を示す
もので、第３０図はそのメインルーチンを説明するため
のフローチャート、第３１図は第７図で求めた偏差値に
基づいて補正係数を求めるためのフローチャートであり
、第３２〜４６図は本発明の第３実施例としての内燃機
関の空燃比制御装置を示すもので、第３２図はそのエン
ジンシステムを示す全体構成図であり、第３３〜４６図
は本装置に使用される０２センサを示すもので、第３３
図はその斜視図、第３４図はその要部を破断して示す部
分斜視図、第３５図はその要部正面図、第３６図はその
要部断面図、第３７図はその分解斜視図、第３８図（ａ
）〜（ｅ）はその製造工程を説明するための図、第３９
図（ａ）〜（６）はその製造工程を第３８図（ａ）〜（
ｅ）に対応させて説明するための図であり、第４０〜４
３図は本装置に使用される他のｏ２センサを示すもので
、第４０図はその要部正面図、第４１図はその要部断面
図、第４２図は第４１図（７）ＸＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＸ
ＩＩ矢視断面図、第４３図（ａ）〜（ｆ）はその製造工
程を説明するための図であり、第４４〜４６図は本装置
に使用される更に他の０□センサを示すもので、第４４
図はその要部正面図、第４５図はその要部断面図、第４
６図は第４５図のＸＸＸＸＷ−ＸＸＸＸ■矢視断面図で
あり、第４７〜５１図は本発明の第４実施例としての内
燃機関の空燃比制御装置を示すもので、第４７図はその
エンジンシステムを示す全体構成図、第４８図はその制
御ブロック図、第４９図はその要部制御ブロック図、第
５０図はそのハードウェアを主体にして示すブロック図
、第５１図は本空燃比制御装置のメインルーチンを説明
するためのフローチャートであり、第５２図（ａ）〜（
Ｑ）は従来装置を用いた場合の加速時の作用を説明する
ためのグラフである。 １・−・−燃焼室、２・−吸気通路、３−・−・排気通
路、４−吸気弁、５・−排気弁、６−・−エアクリーナ
、７−・−スロットル弁、８−・電磁弁、９・・−触媒
コンバータ、１０−＝　Ｉ　Ｓ　Ｃモータ、１１・・−
エアフローセンサ、１２−吸気温センサ、１３・・・大
気圧センサ、１４−スロットルセンサ、１５−・−・ア
イドルスイッチ。 １６−・−モータポジションセンサ、１７−・−上流０
２センサ、１７／ｌ−第１の０２センサ素子として第１
センシングエレメント、１７　Ｂ　・−第２のｏ２セン
サ素子としての第２センシングニレメン１〜，１７ａ−
保護カバー、１７ａ＝１＝一連通孔、１７ｂ−ベース部
材、　　ｌ　７　ｂ−”１・・−ベース部材の排ガス側
壁部、１７ｂ−２−ベース部材の大気側壁部、１７ｃ−
中間部材、１７　ｄ　・−・−・ヒータベース部材アセ
ンブリ、１７ｅ−第１の測定電極、１７　ｆ　−・第２
の測定電極、１７ｇ−コーティング層、１７ｈ−触媒層
、１７ｉ、１７ｊ−・−・基準電極、１７ｋ・−基準エ
ア導入室、１７Ｑ−小径通路、１７ｍ−拡散室、１７ｎ
・−小経通路、１７ｐ、−ヒータ、１７ｑ−・絶縁層、
１７ｒ−ヒータエレメント、１８・−下流０２センサ、
１９−・−水温センサ、２０−・・車速センサ、２１−
クランク角センサ、２２・−Ｔ　Ｄ　Ｃセンサ、２３−
電子制御ユニット（ＥＣＵ）、２４−バッテリ、２５−
バッテリセンサ、２６−・イグニッションスイッチ（キ
ースイッチ）、２７−・−・ＣＰＵ、２８，２９−人力
インタフェイス、３０−Ａ／Ｄコンバータ、３１＝−Ｒ
ＯＭ、３２−ＲＡＭ、３３−バッテリバックアップＲＡ
Ｍ　（ＢＵＲＡＭ）、３４−−ドライバ、３５＝−基本
駆動時間決定手段、３６・−空燃比アップ補正手段、３
７−０２センサフイ一ドバツク補正手段、３８．３９・
・・−スイッチング手段、４０−冷却水温補正手段、４
１−吸気温補正手段、４２−大気圧補正手段。 ４３−加速増量補正手段、４４−デッドタイム補正手段
、４５Ａ・−第１の比較基準値設定手段、４５Ｂ−第２
の比較基準値設定手段、４５Ｃ・−切替手段、４６−比
較手段、４７・−補正係数決定手段、４８−　空燃比制
御手段、４９・−空燃比制御補正手段、４９Ａ−第１の
基準値設定手段、５０−・−低速低負荷運転検出手段、
５１−空燃比リーンシフト手段、５２−空燃比制御補正
禁止手段、５３・−比較手段、Ｅ−エンジン。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）内燃機関の排気系に設けられた排ガス浄化用触媒
   コンバータの上流側に設けられて排ガス成分から該内燃
   機関の空燃比を検出する第１の空燃比検出手段と、該排
   気系に設けられ該第１の空燃比検出手段に比べ検出応答
   速度の遅い第２の空燃比検出手段とをそなえるとともに
   、該第１の空燃比検出手段からの検出値と所要の基準値
   との比較結果に基づいて該内燃機関の空燃比を制御する
   空燃比制御手段と、該第２の空燃比検出手段からの検出
   値と所要の基準値との比較結果に基づいて該空燃比制御
   手段による空燃比制御に対し補正を加える空燃比制御補
   正手段とをそなえ、該内燃機関の低吸気量運転状態下に
   おいて該第１の空燃比検出手段からの検出値と比較され
   るべき基準値を空燃比リーン側へシフトさせる基準値リ
   ーンシフト手段と、該内燃機関の低吸気量運転状態下に
   おいては該空燃比制御補正手段による補正を禁止する空
   燃比制御補正禁止手段とが設けられたことを特徴とする
   、内燃機関の空燃比制御装置。
2. （２）内燃機関の排気系に設けられた排ガス浄化用触媒
   コンバータの上流側に設けられて排ガス成分から空燃比
   を検出する空燃比検出手段をそなえるとともに、該空燃
   比検出手段からの検出値と所要の基準値との比較結果に
   基づいて該内燃機関の空燃比を制御する空燃比制御手段
   をそなえ、該内燃機関の低吸気量運転状態下において該
   空燃比検出手段からの検出値と比較されるべき基準値を
   空燃比リーン側へシフトさせる基準値リーンシフト手段
   が設けられたことを特徴とする、内燃機関の空燃比制御
   装置。