JPH0331264A - ベンズイミダゾール誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はベンズイミダゾール誘導体及びその塩に関する
。

従来の技術 本発明のベンズイミダゾール誘導体及びその塩は文献未
載の新規化合物である。

発明が解決しようとする課題 本発明は、後記するように医薬品として有用な化合物を
提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 本発明によれば、下記一般式（１）で表わされるベンズ
イミダゾール誘導体が提供される。

５ 〔式中Ｒ＋及びＲ２は同−又は異なって水素原子、低級
アルキル基又はハロゲン原子を、Ｒ３は低級アルキル基
、置換基として低級アルキル基を有することのあるフェ
ニル基、ハロゲン置換低級アルキル基、アミノ基、低級
アルキルアミノ基又は低級アルカノイルアミノ基を　Ｒ
４は水素原子、低級アルキル基、ニトロ基又はアミノ基
を、Ｒ５は水素原子、ヒドロキシル基又はベンジルオキ
シ基を、Ｒ６は水素原子又は低級アルキル基をそれぞれ
示し、ｎは０又は１である。

但し、以下の１）〜３）の場合を除く。

１）　Ｒ３が低級アルキル基、置換基として低級アルキ
ル基を有することのあるフェニル基、アミノ基又は低級
アルキルアミノ基で　Ｒ１及びＲ２が水素原子、Ｒ４及
びＲ６が低級アルキル基、Ｒ５がヒドロキシル基及びｎ
が０の場合。

２）　　Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４及びＲ６が共に水素原子で　
Ｒ３が低級アルキル基又はフェニル基、Ｒ５がヒドロキ
シル基及びｎがＯの場合。

３）　Ｒ３がアミノ基又は水素原子で、Ｒ４Ｒ５及びＲ
６が共に水素原子、Ｒ１及びＲ２が共に水素原子又は共
に低級アルキル基及びｎが１の場合。〕 上記一般式（１）で表わされる本発明の化合物及びその
塩は、抗菌、抗ウィルス、抗炎症、抗リウマチ等の薬理
作用を示し、従って抗菌剤、抗ウィルス剤、抗炎症剤、
抗リウマチ剤等の医薬品として有用である。

本明細書において、低級アルキル基としては、例えばメ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソ
ブチル、ｔｅｒｌ−ブチル、ペンチル、ヘキシル基等の
直鎖又は分枝鎖状低級アルキル基を例示できる。

置換基として低級アルキル基を有することのあるフェニ
ル基としては、例えばフェニル、２−メチルフェニル、
３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−エチル
フェニル、４−エチルフェニル、４−プロピルフェニル
、３−　（１−メチルエチル）フェニル、４１ｅｒｌ−
ブチルフェニル、３−ブチルフェニル、４−ペンチルフ
ェニル、４−へキシルフェニル基等を例示できる。

ハロゲン置換低級アルキル基としては、例えばトリフル
オロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロプ
ロピル、ノナフルオロブチル、ウンデカフルオロペンチ
ル、トリデカフルオロヘキシル基等を例示できる。

低級アルキルアミノ基としては、例えばＮ−メチルアミ
ノ、Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−プロピルアミノ、Ｎ−（１
−メチルエチル）アミノ、Ｎ−ブチルアミノ、Ｎ　−（
ｌｃｔｌ−ブチル）アミノ、Ｎ−ペンチルアミノ、Ｎ−
へキシルアミノ、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ、（Ｎ−メチ
ル、Ｎ−エチル）アミノ、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ、Ｎ
、Ｎ−ジプロピルアミノ、Ｎ、Ｎ−ジブチルアミノ、Ｎ
、Ｎ−ジエチルアミノ、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ基等を
例示できる。

低級アルカノイルアミノ基としては、例えばアセチルア
ミノ、プロピオニルアミノ、ブチリルアミノ、バレリル
アミノ、カプロイルアミノ、ヘプタノイルアミノ基等を
例示できる。

ハロゲン原子には、弗素原子、塩素原子、臭素原子及び
沃素原子が包含される。

本発明のベンズイミダゾール誘導体は、各種の方法によ
り製造することができる。その具体例を下記各反応工程
式に示す。

〈反応工程式−１〉 （２） （３） （４） （５） ＯＨ（■ａ） 〔式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４及びＲ６は前記に同じ。

Ｒ３ａは低級アルキル基又はハロゲン置換低級アルキル
基を示す。但しＲ３ａが低級アルキル基のとき、Ｒ１及
びＲ２が水素原子で且つＲ４及びＲ６が共に水素原子又
は共に低級アルキル基であってはならない。〕 上記反応工程式−１に示す縮合反応は、公知の方法、例
えばライカーら（＾、　Ｒｅ１ｋｅｒ　ｅｌ　ａｌ、）
によるテトラヘドロン［Ｔｃ１ｒａｈｅｄｔｏｎ　、　
　２３゜３７２３　（１９６７）］に記載の方法や、フ
イグエラスら（Ｊ、　Ｆｉｇｕｅｒａｓ　ｅｌ　ａｌ、
）によるジャーナル　オブ　オーガニック　ケミストリ
ー［Ｊ、Ｏｒｇ。

Ｃｈｅｍ、、３６．３４９７　（１９７１）］に記載の
方法に準じて実施することができる。より詳細には、上
記縮合反応は、例えば酢酸、三弗化硼素・エチルエーテ
ル錯体（ＢＦ３　・Ｅｔ２０）等を触媒として用い、化
合物（２）に対して化合物（３）を約１〜５倍モル量程
度使用して、無溶媒でもしくはテトラヒドロフラン（Ｔ
ｉｌＦ）、ジエチルエーテル、ジオキサン等のエーテル
類、クロロホルム、１．２−ジクロロエタン等のハロゲ
ン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素類等の適当な溶媒中で、約３０〜２００℃
の温度範囲で実施できる。

上記により得られる化合物（４）は、これを反応系内よ
り単離することなく、引続く還元反応に供することがで
きるが、勿論単離してもよい。

上記化合物（４）の還元反応は、通常の方法に従い、例
えば上記反応生成物を水中に移し、約２〜５０倍モル量
のハイドロサルファイドナトリウム（Ｎａ２Ｓ２０ａ　
）水溶液を添加することにより実施できる。また上記還
元反応は、酢酸中で亜鉛末を用いる方法や、酢酸エチル
、アルコール、Ｔ　ＩＩ　Ｆ　、水等の適当な溶媒中で
、パラジウム−炭素や白金（ＰｔＯ２）等を触媒として
接触水添する方法等によっても実施することができ、か
くして化合物（５）を収得できる。

引き続く化合物（５）の環化反応は、該化合物（５）を
化合物Ｒ３ａ−ＣＯＯＨと反応させることにより実施で
きる。上記化合物Ｒ３３−ＣＯｏＩＩの使用割合は、化
合物（５）に対して通常約１０〜５０倍モル量程度とさ
れるのがよく、反応は室温〜１００℃程度の温度範囲で
、約１〜１０時間攪拌することにより進行し、か（して
目的化合物（１ａ）を収得できる。

く反応工程式−２〉 （４） （５） （６） 〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４及びＲ６は前記に同じ。

Ｒ３ｂは低級アルキル基、ハロゲン置換低級アルキル基
又は置換基として低級アルキル基を有することのあるフ
ェニル基を示す。但しＲ３ｂが低級アルキル基又は置換
基として低級アルキル基を有することのあるフェニル基
のとき、Ｒ１及びＲ２が水素原子で且つＲ４及びＲｅが
共に水素原子又は共に低級アルキル基であってはならな
い。〕 上記反応工程式−２に示す化合物（４）のアシル化反応
は、適当な適当なアシル化剤を用いて、不活性溶媒中で
実施できる。該アシル化剤としては、例えばアセチルク
ロライド、アセチルブロマイド、プロピオニルクロライ
ド、ブチリルクロライド、イソブチリルクロライド、バ
レリルクロライド、イソバレリルクロライド、ピバロイ
ルクロライド、ヘプタノイルクロライド等の低級アルキ
ルカルボニルハライド類、トリフルオロアセチルクロラ
イド、ペンタフルオロプロピオニルクロライド、ヘプタ
フルオロブチリルクロライド、ノナフルオロバレリルク
ロライド、ウンデカフルオロカプロイルクロライド、ト
リデカフルオロヘプタノイルクロライド等のハロゲン置
換低級アルキルカルボニルハライド類、ベンゾイルクロ
ライド等を使用できる。また不活性溶媒としては、例え
ばＴＨＦ、エーテル類、クロロホルム、ジクロロメタン
、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）　、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド（ＤＭＡ）等を使用できる。上記アシル
化反応は、また適当な塩基性化合物、例えばトリエチル
アミン、ピリジン、コリジン等の存在下に良好に進行す
る。アシル化剤及び塩基性化合物の使用量は、原料化合
物（４）に対して通常それぞれ約１〜３倍モル量程度、
好ましくは約１〜１．１倍モル量程度とするのがよ（、
反応は一般に約−２０℃〜３０℃の温度範囲で、約３０
分〜３時間程度で完結する。

また化合物（５）の還元反応は、前記反応工程式−１に
示したそれと同様にして実施できる。

更に化合物（６）の環化反応は、通常の方法に従い、適
当な酸溶媒中、約り℃〜溶媒の沸点温度、好ましくは室
温〜１００℃程度の条件下において、約１０分〜１時間
程度を要して行われる。尚、上記酸溶媒としては、通常
酢酸、ポリリン酸等が用いられる。

〈反応工程式−３〉 （７） 〔式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４及びＲ６は前記に同じ。

Ｒ７は低級アルキル基を示す。但しＲ１及びＲ２が水素
原子で且つＲ４及びＲ６が共に低級アルキル基の場合を
除く。〕 反応工程式−３に示す化合物（７）と化合物（８）との
反応は、適当な溶媒中にて、化合物（８）に対して化合
物（７）を１〜２倍モル量程度用いて行われる。溶媒と
しては、例えばメタノール、エタノール等のアルコール
類を使用できる。

反応は、通常室温〜溶媒の沸点付近の温度にて、約５〜
２５時間で進行し、かくして目的化合物（ＩＣ）を収得
できる。

上記で得られる化合物（ＩＣ）の脱炭酸反応は、適当な
酸溶媒中で行ない得る。酸溶媒としては、例えば塩酸水
溶液、硫酸水溶液等を利用できる。

反応は通常室温〜溶媒の沸点温度付近にて、約１０〜２
５時間で進行し、この反応により目的化合物（１ｄ）を
収得できる。

更に化合物（ＩＣ）の還元反応Ｂは、例えばエーテル類
やＴＨＦ等の適当な不活性溶媒中で、水素化アルミニウ
ムリチウム（ＬｉＡＩＩＬ４）等の通常の還元剤を用い
て行ない得る。上記還元剤の使用量は、化合物（１ｃ）
に対して通常約１〜１０倍モル量程度の範囲から選択で
きる。反応は０℃付近〜溶媒の沸点温度付近の温度下に
進行する。上記還元反応により、目的化合物（１ｅ）を
収得できる。

く反応工程式−４〉 Ｈ ｔｉ （１ｆ） （１ｇ） 〔式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒｅ及びｎは前記に同じ。

Ｒ３Ｃは低級アルキル基、ハロゲン置換低級アルキル基
、低級アルキル基を有することのあるフェニル基、アミ
ノ基又は低級アルキルアミノ基を示す。但しＲ３Ｃが低
級アルキル基又はフェニル基で、Ｒ１、、Ｒ２及びＲ６
が共に水素原子で且つｎが０の場合を除く。〕 反応工程式−４に示す化合物（１ｆ）の脱ｔ−Ｂｕ化反
応は、適当な溶媒中、酸の存在下に加熱処理することに
より実施され、該反応により化合物（１ｇ）を得ること
ができる。ここで用いられる酸としては、例えば濃塩酸
、硫酸、リン酸、トリフルオロ酢酸等を例示できる。ま
た溶媒としては水又はＴ　ＨＦ　、ジオキサン、エタノ
ール等の水とよく混ざりあう不活性溶媒を例示できる。

加熱処理は、通常約り５℃〜１５０℃程度の温度下に実
施できる。

〈反応工程式−５〉 〔式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６及びｎは前記に同じ。Ｒ
３ｄは低級アルカノイルアミノ基を、Ｒ４ａは水素原子
、低級アルキル基又はニトロ基を示す。但しＲ４ｍが水
素原子のとき、Ｒ５はヒドロキシル基であってはならな
い。〕 〈反応工程式−５′〉 〔式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ”、Ｒ６及びｎは前記に同じ。〕 上記反応工程式−５及び−５′に示す化合物（１ｈ）及
び化合物（ｌｈ’）のアシル化反応は、いずれも塩基性
溶媒中で又は塩基触媒の存在下不活性溶媒中で、原料化
合物と酸無水物とを反応させることにより行ない得る。

上記塩基性化合物としては、例えばピリジン、コリジン
、ルチジン、トリエチルアミン等を使用できる。不活性
溶媒としては、例えばＴ　ＨＦ　、エーテル、クロロホ
ルム、ジクロロメタン、ＤＭＦ等を使用でき、この場合
上記塩基性溶媒を塩基触媒として約１〜３倍モル量程度
併用する。また酸無水物としては、例えば無水酢酸、無
水プロピオン酸、無水酪酸、無水吉草酸、無水カプロン
酸、無水へブタン酸等を使用できる。

更に、上記反応工程式−５′に示す化合物（ｌｈ’）の
部分加水分解反応は、例えば水酸化アルカリを用いたア
ルカリ加水分解法に従って実施できる。ここで水酸化ア
ルカリとしては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を
使用でき、これは通常化合物（ｌｈ’）に対して等モル
−２ｏ倍モル量程度の範囲で利用できる。反応は一般に
アルコール、水、之等の混合溶媒中で、約り０℃〜溶媒
の沸点範囲の温度下に実施され得る。

く反応工程式−６〉 Ｈ Ｈ （１ｊ） （１ｋ） ＴＩ （１１） 〔式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ６及びｎは前記に同じ。

Ｒ３ｅは低級アルキル基、ハロゲン置換低級アルキル基
又は低級アルカノイルアミノ基を示す。〕上上記反応工
程−６に示す化合物（１ｊ）のニトロ化反応は、常法に
従って、例えばニトロ化剤として硝酸、硝酸−硫酸、硝
酸−酢酸、硝酸塩−硫酸等を用い、無溶媒又は適当な溶
媒中で実施できる。上記ニトロ化剤は、通常原料化合物
に対して大過剰量使用される。溶媒としては酢酸、硫酸
等を使用するのが好ましい。反応温度としては−般に約
２５〜１００℃程度の範囲を採用するのがよい。

また、上記で得られる化合物（１ｋ）は、そのニトロ基
を還元することにより、化合物（１１）に導くことがで
きる。該還元反応は、一般によく知られた方法、例えば
酸と金属又は金属塩を用いる還元方法、硫化物による還
元方法、接触水素添加方法等により行なうことができる
。之等の内でも特に酸と金属又は金属塩を用いる方法は
好ましく、この方法において酸としては代表的には塩酸
が、金属又は金属塩としては錫、鉄、ニッケル、塩化第
−錫等がそれぞれ好適に用いられる。また硫化物による
還元方法において用いられる硫化物としては、例えばハ
イドロサルファイドナトリウム（Ｎａ２８２０４　）等
が好適である。

く反応工程式−７〉 （９） （１０） （１ｍ） 〔式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４及びＲ６は前記に同じ。

Ｒ３ｆは低級アルキル基、ハロゲン置換低級アルキル基
、アミノ基又は低級アルカノイルアミノ基を、Ｒ５１は
水素原子又はベンジルオキシ基を、Ｘはハロゲン原子を
それぞれ示す。但しＲ３１がアミノ基で、Ｒ１及びＲ２
が共に水素原子又は共に低級アルキル基で且っＲ４、Ｒ
ｂ２及びＲ６が水素原子である場合を除く。〕 上記反応工程式−７に示す化合物（９）と化合物（１０
）との反応（ベンジル化反応）は、通常塩基の存在下に
不活性溶媒中で行われる。ここで塩基としては、例えば
水素化ナトリウム、水素化リチウム等の金属水素化物を
、不活性溶媒としては、例えばＤＭＦ、ＴＨＦ等をそれ
ぞれ好適に利用できる。上記ベンジル化反応は、通常０
〜８０℃の温度範囲にて約３０分〜３時間程度を要して
行われ、かくして目的化合物（１ｍ）を収得できる。

尚、上記反応工程式−７で得られる化合物（１ｍ）の内
、Ｒｂ２がベンジルオキシ基である化合物は、次の反応
工程式−８に示す方法によって、対応する化合物（１ｐ
）に変換することができる。

く反応工程式−８〉 同じ。〕 上記反応工程式−８に示す化合物（１ｍ）の脱ベンジル
化反応は、通常の方法に従い実施できる。

この方法としては、例えば酢酸エチル、アルコール、Ｔ
ＩＩＦ等の適当な溶媒中で、パラジウム−炭素や二酸化
白金等の触媒を用いて、接触水添する方法を例示できる
。

上記各反応工程式に示す方法により得られる目的化合物
は、慣用の分離手段により容易に単離精製できる。該手
段としては例えば溶媒抽出、再結晶、カラムクロマトグ
ラフィー等を例示できる。

また、本発明化合物（１）は、これに常法に従い適当な
酸性化合物を付加反応させることにより、容易に医薬的
に許容される酸付加塩とすることができ、該酸付加塩は
遊離形態の本発明化合物と同様の薬理活性を有しており
、本発明はかかる酸付加塩をも包含する。上記酸付加塩
を形成し得る酸性化合物としては、例えば塩酸、硫酸、
リン酸、臭化水素酸等の無機酸及びシュウ酸、マレイン
酸、フマール酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、安息香
酸、ベンゼンスルホン酸等の有機酸を例示できる。更に
本発明化合物中、遊離のカルボキシル基を有するものは
、これを常法に従いアルカリ金属塩、例えばナトリウム
塩、カリウム塩等、アルカリ土類金属塩、例えばカルシ
ウム塩、マグネシウム塩等、モの他銅塩等とすることが
でき、之等も遊離形態の本発明化合物と同様の薬理活性
を有しており、本発明範囲内に包含される。

実　　　施　　　例 以下、本発明を更に詳しく説明するため、本発明化合物
の製造例を実施例として挙げる。

実施例　１ ｌ−（３，５−ジー＋ｃｒｔ−ブチルー４−ヒドロキシ
フェニル）−２−）リフルオロメチルベンズイミダソー
ルの製造 ２．６−シーｆｅｒｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノン
２．１ｇ及び０−フ二二レンジアミン１．７ｇをＴＩＩ
Ｆ１００ｚ／に溶解し、この溶液に三弗化硼素・エーテ
ル錯体［ＢＦ３　・Ｅ　ｔ２０１０．３１１を加え、１
５時間還流させた。濃縮して得られる粗生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ジエチルエ
ーテル：ｎ−ヘキサン＝１：１０）により精製して、赤
紫色結晶を得た。

得られた結晶７．５ｇをピリジン５０ｚＡ’に溶かし、
無水トリフルオロ酢酸５７１を加え、室温にて１時間攪
拌した。反応混合物を水中に注ぎ込み、酢酸エチルで抽
出した。抽出層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（展開溶媒ニジエチルエーテ
ル：ｎ−ヘキサン＝１：１０）により精製して、赤色化
合物８．３６ｇを得た。

上記で得られた化合物をＴ　ＨＦ　７０　ｘｉに溶解し
、１０％Ｎａ２　Ｓ２０４水溶液３７０ｙ／を加え、室
温にて１０分間攪拌した。反応液に水を加え、酢酸エチ
ルで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。得
られた粗生成物を酢酸１６０ｚｌに溶解し、９５〜１０
０℃で１０分間攪拌した。反応終了後、濃縮し、飽和重
曹水を加えてアルカリ性とし、クロロホルムで抽出した
。抽出層を硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮後、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；クロロホルム
：酢酸エチル＝５０：１）により精製して、目的化合物
の白色結晶４．３ｇを得た。

得られた化合物の構造及び物性（融点及び“ｔＴ−Ｎ　
Ｍ　Ｒ値）を第１表に化合物Ｎ０１１として示す。

実施例　２〜５ 実施例１と同様にして、第１表に示す各化合物（化合物
ＮＯ１２〜化合物Ｎｏ、５）を製造した。

得られた各化合物の構造及び物性を第１表に併記する。

実施例　６ ｌ−（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−ヒドロキシ
フェニル）−２−アミノ−５，６−シクロロペンズイミ
ダゾールの製造 ２．６−ジ−１ｅｒｌ−ブチル−４−（２−アミノ−４
，５−ジクロロフェニルアミノ）−フェノール６．８ｇ
及び１．３−ジカルボエトキシーＳ−メチルイソ尿素４
．１８ｇをエタノール１０５ｙ／に溶解し、５．５時間
還流した。反応終了後、濃縮により得られた粗結晶をエ
ーテルで洗浄し、白色結晶６．８ｇを得た。これをＤＭ
Ｆ８０ｙＡ’に溶かし、１１０℃で２４時間攪拌した。

反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出し、酢酸エチ
ル層を硫酸マグネシウムで乾燥した。濃縮により得られ
た粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開
溶媒；クロロホルム：メタノール＝３０：１）にて精製
して、目的化合物８１０ｍｇを得た。

得られた化合物の構造及び物性を第１表に化合物Ｎｏ、
６として示す。

実施例　７ １−　（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−２−１リフルオロメチルベンズイミダゾールの製
造 実施例１で得られた化合物４．３ｇに、リン酸１３．８
７Ａ’と水２．５ｘｌとを加え、１５０℃で３時間攪拌
した。放冷後、飽和重曹水を加えてアルカリ性とし、ク
ロロホルムで抽出した。抽出層を硫酸マグネシウムで乾
燥し、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（
展開溶媒；クロロホルム：酢酸エチル＝３０：１）にて
精製して、目的化合物１．３ｇを得た。

得られた化合物の構造及び物性を第１表に化合物Ｎｏ、
７として示す。

実施例　８〜１７ 実施例７と同様にして第１表に示す化合物Ｎ。

８〜１７を製造した。

各化合物の構造及び物性を第１表に示す。

実施例１８ １−　（３−ｆｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−２−アセチルアミノベンズイミダゾールの製造 実施例１５で得られた化合物５００ｍｇを、無水酢酸０
．５ｘｌとピリジン５　ｘｉに溶かし、室温にて１５時
間攪拌した。反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出
し、酢酸エチル層を硫酸マグネシウムで乾燥した。濃縮
して得られた結晶３５０ｍｇをメタノール３０ｙｌに溶
かし、これに３．５％水酸化ナトリウム水溶液１０１１
を加え、室温にて３０分間攪拌した。塩酸を加えて中性
とした後、酢酸エチルで抽出し、酢酸エチル層を硫酸マ
グネシウムで乾燥後、濃縮し、得られた結晶をエーテル
で洗浄して、目的化合物１５０ｍｇを得た。

得られた化合物の構造及び物性を第１表にＮｏ。

１８として示す。

実施例１９ １　　　（３−ｔｅｒｌ−ブチル−４−ヒドロキシ−５
ニトロフエニル）−２−トリフルオロメチルベンズイミ
ダゾールの製造 実施例７で得られた化合物３００ｍｇを、酢酸６１１に
溶解し、これに酢酸０．２１ｙｌに溶かした濃硝酸２８
０１１１を加え、８５〜９０℃で１５分間攪拌した。放
冷後、飽和重曹水を加えてアルカリ性とし、クロロホル
ムで抽出した。抽出層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濃
縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒
；クロロホルム：ｎ−ヘキサン＝２　：　１）にて精製
して、目的化合物１３０ｍｇを得た。

得られた化合物の構造及び物性を第１表に化合物Ｎｏ、
Ｌ９として示す。

実施例２０ １−（３−！ｔｒｉ−ブチルー４−ヒドロキシ−５−ア
ミノフェニル）−２−トリフルオロメチルベンズイミダ
ゾールの製造 実施例１９で得られた化合物８０ｍｇを、Ｔ　Ｉ−Ｉ　
Ｆ３１１！に溶解し、これに水５　ｘｉに溶かしたＮａ
２８２０ａ　３６０１１１ｇを加え、室温にて３０分間
攪拌した。反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出し
た。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮後、得ら
れた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
展開溶媒；クロロホルム：ｎ−ヘキサン＝５　：　１）
にて精製して、目的化合物６３ｍｇを得た。

得られた化合物の構造及び物性を第１表に化合物Ｎｏ、
２０として示す。

実施例２１ １−ベンジル−２−トリフルオロメチルベンズイミダゾ
ールの製造 水素化ナトリウム１０５ｍｇをＤＭＦ５ｙＡ’に懸濁さ
せ、これにＤ　Ｍ　Ｆ　５　ｘｉに溶解した２−トリフ
ルオロベンズイミダゾール５００ｍｇを加え、室温にて
１５分間攪拌した。反応混合物に臭化ベンジル４６０ｍ
ｇのＤＭＦ３ｚＡ’溶液を加えた後、室温テ２．１時間
攪拌した。

反応終了後、反応混合物中に水を加え、酢酸エチルで抽
出し、酢酸エチル抽出層より得た粗生成物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ジエチルエーテ
ル：ｎ−ヘキサン＝５　：　１）にて精製して、目的化
合物６３０ｍｇを得た。

得られた化合物の構造及び物性を第１表に化合物Ｎｏ、
２１として示す。

実施例２２ 実施例２１と同様にして、第１表に示す化合物Ｎｏ、２
２を製造した。

得られた化合物の構造及び物性を第１表に示す。

実施例２３ １−　［（３−ｔｅｒｆ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）メチル］−２−）リフルオロメチルベンズイミダ
ゾールの製造 実施例２２で得られた化合物１．３ｇを酢酸エチル８０
１１に溶解し、これに触媒として１０％パラジウム−炭
素１３０１１１ｇを加えた。容器内を水素ガスで置換し
、室温にて３日間攪拌した。触媒を炉去し、炉液を濃縮
して得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（展開溶媒；ジエチルエーテル：ｎ−ヘキサン
＝１：５）にて精製して、目的化合物８８０ｍｇを得た
。

得られた化合物の構造及び物性を第１表に化合物Ｎｏ、
２３として示す。

第 表 （以 上）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＾１及びＲ＾２は同一又は異なって水素原子、
   低級アルキル基又はハロゲン原子を、 Ｒ＾３は低級アルキル基、置換基として低級アルキル基
   を有することのあるフェニル基、ハロゲン置換低級アル
   キル基、アミノ基、低級アルキルアミノ基又は低級アル
   カノイルアミノ基を、Ｒ＾４は水素原子、低級アルキル
   基、ニトロ基又はアミノ基を、Ｒ＾５は水素原子、ヒド
   ロキシル基又はベンジルオキシ基を、 Ｒ＾６は水素原子又は低級アルキル基をそれぞれ示し、
   ｎは０又は１である。但し、以下の１）〜３）の場合を
   除く。 １）Ｒ＾３が低級アルキル基、置換基として低級アルキ
   ル基を有することのあるフェニル基、アミノ基又は低級
   アルキルアミノ基で、Ｒ＾１及びＲ＾２が水素原子、Ｒ
   ＾４及びＲ＾６が低級アルキル基、Ｒ＾５がヒドロキシ
   ル基及びｎが０の場合。 ２）Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾４及びＲ＾６が共に水素原子
   で、Ｒ＾３が低級アルキル基又はフェニル基、Ｒ＾５が
   ヒドロキシル基及びｎが０の場合。 ３）Ｒ＾３がアミノ基又は水素原子で、Ｒ＾４、Ｒ＾５
   及びＲ＾６が共に水素原子、Ｒ＾１及びＲ＾２が共に水
   素原子又は共に低級アルキル基及びｎが１の場合。〕 で表わされるベンズイミダゾール誘導体及びその塩。