JPH0330914B2 - - Google Patents
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- JPH0330914B2 JPH0330914B2 JP59199903A JP19990384A JPH0330914B2 JP H0330914 B2 JPH0330914 B2 JP H0330914B2 JP 59199903 A JP59199903 A JP 59199903A JP 19990384 A JP19990384 A JP 19990384A JP H0330914 B2 JPH0330914 B2 JP H0330914B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
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- Fire-Detection Mechanisms (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は発光素子と受光素子とを暗箱内に互い
の光軸が一致しないように配置し、暗箱内に流入
する煙粒子による散乱した発光素子の光を受光素
子で受光して電気信号に変換し煙を感知する光電
式煙感知器の感度試験方法に関するものである。
の光軸が一致しないように配置し、暗箱内に流入
する煙粒子による散乱した発光素子の光を受光素
子で受光して電気信号に変換し煙を感知する光電
式煙感知器の感度試験方法に関するものである。
［背景技術］
第５図は感度チエツクのための機能を持つ従来
の光電式煙感知器の概略構成を示しており、互い
の光軸が一致しないように且つ衝立６で隔離して
暗箱１に配置した検出用発光素子２と検出用受光
素子３以外に、検出用発光素子２の光軸と一致さ
せて対向配置した感度チエツク用の受光素子４
と、検出用受光素子３の光軸と一致させて対向配
置したチエツク用の発光素子５とを設けており、
通常の煙検出の場合は発光素子２の光が暗箱１内
に流入した煙の粒子に散乱された光を受光素子３
が受光して電気信号に変換し煙粒子による検出信
号を得るようになつている。そして感度チエツク
時には発光素子２に対向したチエツク用の受光素
子４の受光レベルに対応したレルの光チエツク用
の発光素子５から発光させて受光素子３で受光さ
せそのレベルを弁別することにより感度のチエツ
クを行つていた。
の光電式煙感知器の概略構成を示しており、互い
の光軸が一致しないように且つ衝立６で隔離して
暗箱１に配置した検出用発光素子２と検出用受光
素子３以外に、検出用発光素子２の光軸と一致さ
せて対向配置した感度チエツク用の受光素子４
と、検出用受光素子３の光軸と一致させて対向配
置したチエツク用の発光素子５とを設けており、
通常の煙検出の場合は発光素子２の光が暗箱１内
に流入した煙の粒子に散乱された光を受光素子３
が受光して電気信号に変換し煙粒子による検出信
号を得るようになつている。そして感度チエツク
時には発光素子２に対向したチエツク用の受光素
子４の受光レベルに対応したレルの光チエツク用
の発光素子５から発光させて受光素子３で受光さ
せそのレベルを弁別することにより感度のチエツ
クを行つていた。
しかしながらかかる従来例の方式ではチエツク
用の、受光素子４、発光素子５を必要とするとと
もにその取付構造を必要としコストが高くなると
いう問題があるうえに、これらの素子４，５の劣
化、故障まで感知器の不良と見なされ故障の要因
が増加するという問題もある。さらに煙の散乱光
を受光した受光素子３の受光電流は数10〜数100o
Ａの非常に微弱なものであるため、それに対応す
る光量を発光素子５から発光させるには制御が難
しく、精度の良い感度チエツクが出来なかつた。
用の、受光素子４、発光素子５を必要とするとと
もにその取付構造を必要としコストが高くなると
いう問題があるうえに、これらの素子４，５の劣
化、故障まで感知器の不良と見なされ故障の要因
が増加するという問題もある。さらに煙の散乱光
を受光した受光素子３の受光電流は数10〜数100o
Ａの非常に微弱なものであるため、それに対応す
る光量を発光素子５から発光させるには制御が難
しく、精度の良い感度チエツクが出来なかつた。
［発明の目的］
本発明は上述の問題点に鑑みて為されたもので
その目的とするところは使用素子数が少なくてコ
ストが安い上に不必要な不良要因がなく、しかも
精度良い感度チエツクが行える光電式煙感知器の
感度試験方法を提供するにある。
その目的とするところは使用素子数が少なくてコ
ストが安い上に不必要な不良要因がなく、しかも
精度良い感度チエツクが行える光電式煙感知器の
感度試験方法を提供するにある。
［発明の開示］
第１図は実施例の概略構成を示しており、暗箱
１内には互いの光軸が直交するようにLEDから
なる発光素子２とSPD素子からなる受光素子３
とを配設て暗箱１の中央部に検知領域Ｂを形成し
夫々の素子２，３は発光量、受光量を調整する絞
り器7a，7b内に収納される。そして各絞り器7a，
ｂには光フアイバーの両端を挿入してあつて、発
光素子２からの光を直接光フアイバー８の一端か
ら導入させ、他端から導き出して受光素子３に受
光させているのである。尚光フアイバーの途中に
はフイルタ９を設け発光素子２の光出力が大き過
ぎる場合に一定量以下に迎えるようになつてい
る。第２図は実施例の回路構成を示しており、受
信機Ａから回線Ｌを介して供給される電源を電源
部10は一定化し各回路部に電源を供給する。発光
素子駆動回路11は間欠的に発光素子２を駆動して
いる。受光アンプ部16は受光素子３の電気信号を
増幅するものであり、増幅された信号はレベル判
定回路12でレベル弁別され、レベル判定回路12は
一定以上の受光レベルの変化が有れば出力回路13
を駆動し回線Ｌを介して検出信号を送るようにな
つている。
１内には互いの光軸が直交するようにLEDから
なる発光素子２とSPD素子からなる受光素子３
とを配設て暗箱１の中央部に検知領域Ｂを形成し
夫々の素子２，３は発光量、受光量を調整する絞
り器7a，7b内に収納される。そして各絞り器7a，
ｂには光フアイバーの両端を挿入してあつて、発
光素子２からの光を直接光フアイバー８の一端か
ら導入させ、他端から導き出して受光素子３に受
光させているのである。尚光フアイバーの途中に
はフイルタ９を設け発光素子２の光出力が大き過
ぎる場合に一定量以下に迎えるようになつてい
る。第２図は実施例の回路構成を示しており、受
信機Ａから回線Ｌを介して供給される電源を電源
部10は一定化し各回路部に電源を供給する。発光
素子駆動回路11は間欠的に発光素子２を駆動して
いる。受光アンプ部16は受光素子３の電気信号を
増幅するものであり、増幅された信号はレベル判
定回路12でレベル弁別され、レベル判定回路12は
一定以上の受光レベルの変化が有れば出力回路13
を駆動し回線Ｌを介して検出信号を送るようにな
つている。
チエツク電圧発生部14は感度チエツク時にレベ
ル判定回路12の入力レベルに所定の電圧を加える
めの回路であり、ジヤツク端子15に発生電圧を設
定するための試験器17をプラグ18で接続するよう
になつている。試験器17はスイツチSW1…と抵抗
R1…との直列回路を複数並列接続したものので
あり、適宜なスイツチを投入することにより適宜
な抵抗値の抵抗がレベ判定回路12の電圧設定端に
接続され、それに対応した電圧をチエツク電圧発
生部14から発生させることができるのである。
ル判定回路12の入力レベルに所定の電圧を加える
めの回路であり、ジヤツク端子15に発生電圧を設
定するための試験器17をプラグ18で接続するよう
になつている。試験器17はスイツチSW1…と抵抗
R1…との直列回路を複数並列接続したものので
あり、適宜なスイツチを投入することにより適宜
な抵抗値の抵抗がレベ判定回路12の電圧設定端に
接続され、それに対応した電圧をチエツク電圧発
生部14から発生させることができるのである。
次に本発明の原理と動作を第４図に基づいて説
明する。まず本実施例の受光素子３は暗箱１の煙
が流入しない状態では発光素子２から出た光が暗
箱１の壁面で乱反射した光の一部（第１図の破線
で示す光）と光フアイバーを介して送られてくる
光とを受光する。ここで初期時の受光アンプ12部
の出力レベルが第４図に示すように200mVであ
つて、そしして動作判定レベル500mVとしその
動作判定レベルに達する煙濃度を10％とすると、
初期特性はイの直線で示される。この直線を式で
表わすと、 Y0＝30X（％／ｍ）＋200（mV） ……… となる。
明する。まず本実施例の受光素子３は暗箱１の煙
が流入しない状態では発光素子２から出た光が暗
箱１の壁面で乱反射した光の一部（第１図の破線
で示す光）と光フアイバーを介して送られてくる
光とを受光する。ここで初期時の受光アンプ12部
の出力レベルが第４図に示すように200mVであ
つて、そしして動作判定レベル500mVとしその
動作判定レベルに達する煙濃度を10％とすると、
初期特性はイの直線で示される。この直線を式で
表わすと、 Y0＝30X（％／ｍ）＋200（mV） ……… となる。
ここで200mVは発光及び受光能力すなわち直
線の傾きに比例することは本発明者の実験でわか
つた。従つて式は Y0＝30［Ｘ＋（200／30）］ ……… と書き直すことができる。
線の傾きに比例することは本発明者の実験でわか
つた。従つて式は Y0＝30［Ｘ＋（200／30）］ ……… と書き直すことができる。
さて本実施例の煙感知器の感度許容巾を５〜15
（％／ｍ）とすれば受光、発光能力が変化せず暗
箱１内に積もつてくるほこり等により内部乱反射
光が増加する、つまりＹ切片のみ変化し傾きが変
わらない場合（劣化モード１）に感度が５％に達
すする限界は Y1＝30X＋d1 ……… （d1＝350mV） となつて、ロの直線となる。
（％／ｍ）とすれば受光、発光能力が変化せず暗
箱１内に積もつてくるほこり等により内部乱反射
光が増加する、つまりＹ切片のみ変化し傾きが変
わらない場合（劣化モード１）に感度が５％に達
すする限界は Y1＝30X＋d1 ……… （d1＝350mV） となつて、ロの直線となる。
従つて不作動チエツクの限界はＹ切片の初期と
の差150mVで与えられるので不作動チエツクの
チエツク電圧は＋150mVとなる。
の差150mVで与えられるので不作動チエツクの
チエツク電圧は＋150mVとなる。
また受光、発光能力が低下して内部乱反射率が
変化しない場合（劣化モード２）を想定すると感
度が15％／ｍに達する限界は式より 500＝ａ［15＋（200／30）］……… となる。従つてこのときの傾きａはａ＝23となり
ころ特性方程式は Y2＝23X＋d2 ……… （d2＝153.8mV） となつて第４図のハの直線となり、式と式と
を比べるとＹ切片の差は約46mVである。これに
初期特性の10％／ｍ点における増加分300mVを
加えて＋346mVが作動チエツクのチエツク電圧
とすることができる。
変化しない場合（劣化モード２）を想定すると感
度が15％／ｍに達する限界は式より 500＝ａ［15＋（200／30）］……… となる。従つてこのときの傾きａはａ＝23となり
ころ特性方程式は Y2＝23X＋d2 ……… （d2＝153.8mV） となつて第４図のハの直線となり、式と式と
を比べるとＹ切片の差は約46mVである。これに
初期特性の10％／ｍ点における増加分300mVを
加えて＋346mVが作動チエツクのチエツク電圧
とすることができる。
しかして試験器17のスイツチSW1を不作動試験
用とし、スイツチSW2を動作試験用とするととも
に、抵抗R1，R2と配線抵抗、接触抵抗等に影響
されない範囲で一定の差をつけておけば各スイツ
チSW1，SW2のオン信号はチエツク電圧発生部14
で区別できる。
用とし、スイツチSW2を動作試験用とするととも
に、抵抗R1，R2と配線抵抗、接触抵抗等に影響
されない範囲で一定の差をつけておけば各スイツ
チSW1，SW2のオン信号はチエツク電圧発生部14
で区別できる。
さて初期時において感度チエツクの為に、まず
スイツチSW1を１分間オンさせると、レベル判定
回路12の入力端の電圧は初期特性のＹ切片の電圧
（200mV）とチエツク電圧発生部14から発生する
不作動チエツクの電圧（150mV）とが加算され
た電圧（350mV）となる。この電圧はレベル判
定回路12の動作判定レベル（500mV）を下回る
ので、レベル判定回路12からは信号が出力せず出
力回路13は動作しない。つまり不作動チエツクは
良好であることを示す。
スイツチSW1を１分間オンさせると、レベル判定
回路12の入力端の電圧は初期特性のＹ切片の電圧
（200mV）とチエツク電圧発生部14から発生する
不作動チエツクの電圧（150mV）とが加算され
た電圧（350mV）となる。この電圧はレベル判
定回路12の動作判定レベル（500mV）を下回る
ので、レベル判定回路12からは信号が出力せず出
力回路13は動作しない。つまり不作動チエツクは
良好であることを示す。
次にスイツチSW1をオフしてスイツチSW1を30
秒オンさせるとレベル判定回路12の入力端の電圧
は初期特性のＹ切片の電圧（200mV）とチエツ
ク電圧発生部14から発生する作動チエツクの電圧
（346mV）とが加算された電圧（546mV）とな
る。この電圧はレベル判定回路12の動作判定レベ
ル（500mV）を上回るので、レベル判定回定12
からは信号が出力しと出力回路13は動作する。つ
まり動作チエツクは良好であつたことを示す。
秒オンさせるとレベル判定回路12の入力端の電圧
は初期特性のＹ切片の電圧（200mV）とチエツ
ク電圧発生部14から発生する作動チエツクの電圧
（346mV）とが加算された電圧（546mV）とな
る。この電圧はレベル判定回路12の動作判定レベ
ル（500mV）を上回るので、レベル判定回定12
からは信号が出力しと出力回路13は動作する。つ
まり動作チエツクは良好であつたことを示す。
このようにして試験器のスイツチSW1，SW2を
選択投入するだけで各チエツクが行えることにな
る。また不作動チエツクで動作したり、作動チエ
ツクで動作しなかつたりするので、感度が許容巾
から外れたこともチエツクでき、さらに受信機Ａ
で動作チエツクを行うのでシステムのチエツクも
同時に行える。
選択投入するだけで各チエツクが行えることにな
る。また不作動チエツクで動作したり、作動チエ
ツクで動作しなかつたりするので、感度が許容巾
から外れたこともチエツクでき、さらに受信機Ａ
で動作チエツクを行うのでシステムのチエツクも
同時に行える。
尚劣化モード１と、劣化モード２の組み合せも
考えられる。つまり暗箱１の内部の散乱光量が一
定で受光、発光能力のみが低下した場合である。
この場合初期特性の内部散乱光によるＹ切片の値
が50mVで、光フアイバー８による値が150mVで
あつて合計が200mVとすると、上記劣化モード
では特性の傾きとＹ切片の内150mVのみが低下
する。従つて感度が15％／ｍに達する限界では
式より 500＝ａ｛［15＋（150／30）］＋50｝ となり、ａ＝22.5となる。
考えられる。つまり暗箱１の内部の散乱光量が一
定で受光、発光能力のみが低下した場合である。
この場合初期特性の内部散乱光によるＹ切片の値
が50mVで、光フアイバー８による値が150mVで
あつて合計が200mVとすると、上記劣化モード
では特性の傾きとＹ切片の内150mVのみが低下
する。従つて感度が15％／ｍに達する限界では
式より 500＝ａ｛［15＋（150／30）］＋50｝ となり、ａ＝22.5となる。
すなわちＹ＝22.5X＋162.5 ……
となり、このものの作動チエツクを行うと、
162.5mV＋346mV＝508.5mVなる電圧がレベル
判定回路12の入力端に入力し、レベル判定回路12
から出力が発生することになる。つまりチエツク
は良好であることを示す。不良となる限界はＹ切
片が500mV−346mV＝154mVになるときである
から光フアイバー８による分は154mV−50mV＝
104mVとなる。従つて104／150＝0.693で、30×
0.693＝20.8となる。つまり Ｙ＝20.8X＋154 ……… で、この式のＹの値が500mVになるときＸ（煙
濃度）の値はＸ＝16.6となり、許容範囲（15％／
ｍ）を1.6％／ｍだけ越えることになる。ここで
この程度なら良好とするか、作動チエツクの電圧
を337.5mVと少し厳しくするかの選択の余地はの
こる。勿論内部散乱光の分だけ０に近付ければこ
の誤差分は少なくなり精度は向上する。
判定回路12の入力端に入力し、レベル判定回路12
から出力が発生することになる。つまりチエツク
は良好であることを示す。不良となる限界はＹ切
片が500mV−346mV＝154mVになるときである
から光フアイバー８による分は154mV−50mV＝
104mVとなる。従つて104／150＝0.693で、30×
0.693＝20.8となる。つまり Ｙ＝20.8X＋154 ……… で、この式のＹの値が500mVになるときＸ（煙
濃度）の値はＸ＝16.6となり、許容範囲（15％／
ｍ）を1.6％／ｍだけ越えることになる。ここで
この程度なら良好とするか、作動チエツクの電圧
を337.5mVと少し厳しくするかの選択の余地はの
こる。勿論内部散乱光の分だけ０に近付ければこ
の誤差分は少なくなり精度は向上する。
また光フアイバー８を通して得られる光量は光
フアイバーの径、フイルタ９で調整してもよい。
フアイバーの径、フイルタ９で調整してもよい。
［発明の効果］
本発明は初期に設定した感度における煙の流入
が無い状態での受光出力電圧に、感知器の許容さ
れる感度巾に対応した作動及び不作動限界の２種
類のチエツク電圧を各別に加えて該加算電圧と動
作判定レベルと比較させ作動及び不作動をチエツ
クするから、チエツク用の受光素子、発光素子な
しに作動、不作動チエツクを行うことができ、そ
のため煙感知器の部品点数は少なくなりコストが
安価となるうえに、不必要な不良原因が増えず信
頼性も高いという効果がある。
が無い状態での受光出力電圧に、感知器の許容さ
れる感度巾に対応した作動及び不作動限界の２種
類のチエツク電圧を各別に加えて該加算電圧と動
作判定レベルと比較させ作動及び不作動をチエツ
クするから、チエツク用の受光素子、発光素子な
しに作動、不作動チエツクを行うことができ、そ
のため煙感知器の部品点数は少なくなりコストが
安価となるうえに、不必要な不良原因が増えず信
頼性も高いという効果がある。
さらに併せて発光素子の光を光フアイバーを介
して受光素子に受光させる光路を設けているか
ら、受光、発光素子の能力変化を暗箱の散乱効率
の変化に関係なく捕らえることができて作動試験
が確実に行える。
して受光素子に受光させる光路を設けているか
ら、受光、発光素子の能力変化を暗箱の散乱効率
の変化に関係なく捕らえることができて作動試験
が確実に行える。
第１図は本発明による実施例の煙感知器の概略
構成図、第２図は同上の回路図、第３図は同上の
試験器の回路図、第４図は同上の動作説明図、第
５図は従来例の煙感知器の概略構成図であり、１
は暗箱、２は発光素子、３は受光素子、１２はレ
ベル判定回路、１４はチエツク電圧発生部であ
る。
構成図、第２図は同上の回路図、第３図は同上の
試験器の回路図、第４図は同上の動作説明図、第
５図は従来例の煙感知器の概略構成図であり、１
は暗箱、２は発光素子、３は受光素子、１２はレ
ベル判定回路、１４はチエツク電圧発生部であ
る。
Claims (1)
- １ 発光素子と受光素子とを暗箱内に互いの光軸
が一致しないように配置し、暗箱内に流入する煙
粒子による散乱した発光素子の光を受光素子で受
光して電圧信号に変換し該受光出力電圧と予め設
定した動作判定レベルの電圧とをレベル判定回路
で比較して煙を感知する光電式煙感知器におい
て、発光素子の光を光フアイバーを介して受光素
子に受光させる光路を設け、初期に設定した感度
における煙の流入が無い状態での受光出力電圧
に、感知器の許容される感度巾に対応した作動及
び不作動限界の２種類のチエツク電圧を各別に加
えて該加算電圧と動作判定レベルとを比較させ作
動及び不作動をチエツクすることを特徴とする光
電式煙感知器の感度試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19990384A JPS6178000A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 光電式煙感知器の感度試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19990384A JPS6178000A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 光電式煙感知器の感度試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6178000A JPS6178000A (ja) | 1986-04-21 |
| JPH0330914B2 true JPH0330914B2 (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=16415513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19990384A Granted JPS6178000A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 光電式煙感知器の感度試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6178000A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0636236B2 (ja) * | 1988-09-14 | 1994-05-11 | 松下電工株式会社 | 煙感知器の点検回路 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507583A (ja) * | 1973-05-17 | 1975-01-25 | ||
| JPS5715694A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-27 | Fuji Machine Mfg | Chuck device for chip-shaped electronic part |
| JPS5932094A (ja) * | 1982-08-14 | 1984-02-21 | 松下電工株式会社 | 光電式煙感知器の動作試験システム |
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1984
- 1984-09-25 JP JP19990384A patent/JPS6178000A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507583A (ja) * | 1973-05-17 | 1975-01-25 | ||
| JPS5715694A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-27 | Fuji Machine Mfg | Chuck device for chip-shaped electronic part |
| JPS5932094A (ja) * | 1982-08-14 | 1984-02-21 | 松下電工株式会社 | 光電式煙感知器の動作試験システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6178000A (ja) | 1986-04-21 |
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